410458

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ 410458 Союз Советских Социалистицеских Республикависимое от авт. свидетельствааявлено 31,711,1972 ( 1821148/18-24) ч, 6 11 с 11/14 исоединением заявкиПриоритетОпубликовано 05.1,1974, БюллетеньДата опубликования описания 14.Ъ,1974 Государственный комитет Совета й 1 иниотров СССР оо делам изобретений и открытийУДК 681.327.3(088.8 Авторыизобретения А. Д. Бех, В. В, Чернецкий, Б. И, Павлусь и Е, Г. Кратко Ордена Ленина институт кибернетики АН Украинской СС аявител МАГНИТОПЛЕНОЧНЪЙ НАКОПИТЕЛЬ МАТРИЧНОГО ТИПА Изобретение относится к вычислительной технике и может быть применено при построении запоминающих устройств (ЗУ) на тонких магнитных пленках.Запоминающие устройства на тонких магнитных пленках известны. Их недостатками являются большой разрядный ток и малая амплитуда считываемых сигналов.В предложенном магнитопленочном накопителе эти недостатки устранены за счет того, что каждая пара шин одного разряда расположена над соответствующим запоминающим элементом.На чертеже показан предложенный накопитель.Магнитопленочный накопитель разделен на две идентичные части 1, каждая из которых содержит числовые шины 2, соединенные с формирователями адресных токов (на чертеже не указаны), разрядные шины 3 и 4, подключенные к разрядным формирователям 5 и усилителю считывания 6 и запоминающие элементы 7 и 8.Запись информации в накопитель произво. дится подачей импульса адресного тока в числовую шину 2 и разнополярных импульсов тока записи в разрядные шины 3 и 4 от формирователей 5. Положительный импульс тока в шине 4 создает такое же направление намагниченности запоминающих элементов 7 и 8,как и отрицательныи импульс разрядного то ка, поступающий в шину 3. Направление намагниченности запоминающих элементов 7 противоположно направлению намагниченности элементов 8. Напряженность магнитного поля, достаточная для переключения запоминающих элементов 7 и 8, создается в результате действия разрядных токов в шинах 3 и 4. Поэтому величина разрядного тока вдвое 10 меньше тока переключения запоминающегоэлемента. Изменение направления намагниченности запоминающих элементов производится изменением полярности токов на противоположную в шинах 3 и 4.15 Ток считывания, поданный в числовую шину2, создает магнитное поле, устанавливающее намагниченность запоминающих элементов 8 и 7, параллельно разрядным шинам. В момент поворота вектора намагниченности запомина ющего элемента 7 на шинах 4 и 3 возникаютразнополярные сигналы, которые складываются с индуцированными сигналами в результате переключения запоминающих элементов 8.К противоположным плечам усилителя считы вания 6 одновременно прикладываются, такимобразом, два сигнала противоположной полярности удвоенной амплитуды.Одновременно с полезными сигналами токсчитывания создает на разрядных шинах 4 и 30 3 импульсы напряжения помехи, которые не410458 Предмет изобретения Составитель В. Гордоиоваедактор Т, Орловская Техред Е. Борисова Корректор 3, Тарасова Заказ 1049/11ЦНИИПИ Изд.355сударствеш 1 ого комитетапо делам изобрете шйМосква, )К.35, Раушска Тираж 591Совета Министров СССоткрьгпш 1наб., 4/5 одписио Типография, пр. Сапунова,усиливаются усилителем считывания, так как они имеют одинаковую полярность, В схеме запоминающего устройства обеспечена компенсация разрядных помех, действующих на входы усилителя считывания при работе формирователей тока записи 5. Импульсы любой полярности, создаваемые этими формирователями, вычитаются на выходе усилителя считывания 6, поскольку они одновременно действуют на разные его плечи.Таким образом, в предложенной схеме достигается уменьшение вдвое величины разрядного тока записи и увеличение вчетверо амплитуды сигналов считывания. Магнитопленочный накопитель матричноготипа, содержащий токопроводящее основание 5 с расположенными на нем запоминающимиэлементами и числовыми и разрядными шинами, причем разрядные шины выполнены из двух токопроводящих полос на каждый разряд, отличающийся тем, что, с целью 10 уменьшения разрядного тока и увеличенияамплитуды считанных сигналов, каждая пара шин одного разряда расположена над соответствующими запоминающими элементами.