Матрица запоминающего устройства

ОПИ Союз Советских Социалистических РеспубликЗависимое от авт. свидетельстваЗаявлено 21.1.1972 ( 1 751 135/18-24)с присоединением заявкиПриоритетОпубликовано 17.1 Ч.1973. Бюллетень18Дата опубликования описания 13.И.1973 М. Кл. 6 11 с 11/14 Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССРУДК 681,327.67 (088.8) Авторыизобретения Г. А. Михайлов, В. В. Звягинцев, А. П. Ромаицов и А. П, Гаиии Заявитель Ордена Ленина Институт кибернетики АН Украинской ССР МАТРИЦА ЗАПОМИНАтОЩЕГО УСТРОЙСТВА Йзобретение относится к вычислительной технике, а именно к запоминающим устройствам вычислительных машин, и может быть использовано при построении быстродействующих запоминающих устройств цифровых вычислительных машин.Известна запоминающая матрица, использующая тонкие слои ферромагнитных материалов в качестве носителя информации.Запоминающий элемент известных устройств состоит из двух магнитных пятен, расположенных на противоположных поверхностях электропроводящей подложки, и управляющих проводников, Поскольку подложка кроме своего основного назначения выполняет также функцию обратного проводника разрядной полосковой линии выборки, а толщина подложки взята на порядок меньше линейных размеров магнитных пятен, то при записи в элемент информации посредством пропускания токов по разрядной и адресной полосковым линиям выборки элемент устанавливается в состояние, характеризующееся противоположным направлением векторов намагниченности по оси легкого намагничивания (о, л. н.) двух магнитных пятен, составляющих элемент (о. л. н. магнитных пятен направлена перпендикулярно краю разрядного проводника). При этом поля расСеяния магнитных пятен элемента замыкаются друг на друга, образуя замкнутую Магнитную систему. Основным достоинством матрицы с замкнутой магнитной системой элементов в сравнении с матрицами, магни топровод элементов которых разомкнут, является возможность значительного увеличе.ния амплитуды полезного сигнала, плот.ности хранения информации и уменьшения управляющих токов.10 Недостаток известной матрицы заключается в трудности совмещения магнитных пятен, расположенных на противоположных поверхностях подложки, Эта трудность обусловлена малыми размерами магнитных пятен 15 при больших размерах самой матрицы и,следовательно, большим количеством магнитных пятен, подлежащих совмещению, а также невозможностью непосредственного контроля качества совмещения, поскольку сов мещаемые пятна разделены непрозрачнойподложкой, Поскольку качество совмещения существенно отражается на эффективности замыкания полей рассеяния элементов матрицы и их работоспособности, то вышеперечис ленные обстоятельства в значительной степени усложняют процесс изготовления матриц, уменьшают выход годных матриц и увеличивают их стоимость.Цель изобретения - упрощение процесса 30 изготовления матриц.Это достигается тем, что магнитные пленки, замыкающие магнитный поток элементов, выполнены в виде сплошного магнитного слоя,Предлагаемая конструкция матрицы запоминающего устройства представлена на чертеже,Принятые обозначения: 1 - электропроводящая подложка; 2 и 3 - металлические (диэлектрические) подслои, используемые для сглаживания неровностей поверхностей подложки; 4 - дискретные магнитные пленки; 5 - сплошная магнитная пленка; б и 7 - соответственно разрядные и адресные полосковые линии выборки; 8 и 9 - диэлектрические изоляционные слои.В предлагаемой матрице элемент с замкнутой магнитной системой образован дискретной магнитной пленкой 4, расположенной на одной поверхности подложки, участком сплошной магнитной пленки 5 на другой поверхности подложки, адресным 6 и разрядным 7 проводниками. Форма и размеры участка сплошной магнитной пленки, входящего в состав запоминающего элемента в предлагаемой матрице, определяются конфигурацией поля адресной полосковой линии выборки и поля рассеяния дискретной магнитной пленки. Таким образом, в рассматриваемой матрице операция совмещения сводится к совмещению направлений осей легкого намагничивания дискретных и сплошной магнитных пленок,Матрица работает следующим образом.При записи двоичной иноформации под воздействием адресного поля, создаваемого током, протекающим по выбранной адресной линии, намагниченности всех дискретных пленок и участка сплошной пленки, расположенных внутри выбранной адресной линии, устанавливаются в одном направлении оси трудного намагничивания, Перед отключением адресного тока по разрядным линиям пропускается разрядный ток записи, полярностью которого определяется записываемая (О или 1) информация.В момент отключения адресного тока намагниченность дискретной пленки, находящейся под пересечением выбранных адресного и разрядного проводников, под воздействием разрядного поля в зависимости от того, записывается в элемент О или 1",5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 будет вращаться соответственно или по часовой, или против часовой стрелки. 11 ри этом намагниченность участка сплошной магнитной пленки, находящегося под дискретнои пленкой на противоположной повернхости подложки, под воздействием поля рассеяния дискретной пленки вращается в противоположном направлении, т. е, против часовой стрелки при записи О и по часовой стрелке при записи 1,11 осле отключения разрядного тока намагниченности дискретной пленки и участка сплошнои пленки элемента оказываются ориентированными в противоположных направлениях вдоль оси легкого намагничивания, чем ооеспечивается замыкание полей рассеяния элемента при хранении информации,Считывание сигнала происходит на переднем фронте адресного тока при вращении намагниченностеи дискретнои пленки и участка сплошной пленки элемента из остаточного состояния вдоль оси легкого намагничивания к направлению оси трудного намагничивания. 1 акое вращение сопровождается изменением потока, проходящего через плоскость разрядной линни, от его полного значения Ф до нуля и выделением на разрядной линии полезного сигнала. Сигналы считанных 1 и О различаются полярностью.,Взаимодействие между элементами матрицы через межэлементные участки сплошной пленки отсутствует, поскольку магнитная система элементов матрицы при хранении информации замкнута и поля рассеяния отсутствуют. Предмет изобретения Матрица запоминающего устройства, со. держащая запоминающие элементы с замкнутым магнитопроводом, ооразованные магнитными пленками, осажденными на одну поверхность электропроводящей подложки, и магнитными пленками, замыкающими магнитный поток элементов, осажденными на другую поверхность подложки, адресные и разрядные полосковые линии выборки, отличаюацаяся тем, что, с целью упрощения процесса изготовления, магнитные пленки, замыкающие магнитный поток элементов, выполнены в виде сплошного магнитного слоя.377878 оставитель В. Гордонова Техред 3. Тараненко 1 едактор Г. Котельски Корректор Е. Сапунов Заказ 1703/18 Изд.1403 Тираж 576 ПодписноеЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССРМосква, Ж, Раушская наб., д. 45 Сапунова ипография, пр