Оперативное запоминающее устройство с числовой выборкой

Номер патента: 424232

Авторы: Демидова, Карый, Севериновский

ZIP архив

Текст

(22) Заявлено 24.04,72 (21) 1777327/18-2с присоединением заявки ге) М. Кл, 6 11 с 11/1 ооударственныи комитетСовета Министров СССРпо делам изооретенийи открытий) Заявител 54) ОПЕРАТИВНОЕ ЗАПОМИНАЮЩЕЕ УСТРОЙСТ С ЧИСЛОВОЙ ВЫБОРКОЙбласти элект онЗУ для устранения укаспользуют кипер-гибкуного эластичного матеину адресных шин изаписи информации. Оточно эффективны.ения является повышенустройства. анно- планала, мень- днако В известном О го недостатка и стину из магнит увеличивают дл шают плотность эти меры недоста Целью изобрет дежности работьие Изобретение относится к о Р ной вычислительной техники.Известно оперативное запоминающее устройство (ОЗУ) с числовой выборкой, которое содержит дешифратор чисел и накопитель с запоминающими элементами на тонких магнитных пленках с адресными и разрядными шинами.Одна из основных трудностей при реализации ОЗУ с числовой выборкой с накопителем на магнитных пленках заключается в том, что информация в запоминающих элементах чисел, конструктивно расположенных рядом с выбранным числом, разрушается под действием магнитных полей многократно повторенного режима записи выбранного числа. Это явление известно как сползание рабочей точки запоминающего элемента и приводит к уменьшению области устойчивого функционирования ОЗУ, т. е. снижает надежность работы устройства,Поставленная цель достигается тем, что взапоминающем устройстве начала четных адресных шин и концы нечетных адресных шинсоединены с поинои нулевого потенциала, кон 5 цы четных адресных шин и начала нечетныхадресных шин через резисторы соединены ссоответствующими выходами дешифратора, авыходы дешифратора соединены между собойчерез резисторы.10 Схема предлагаемого устройства представлена на чертеже,Она состоит из дешифратора чисел 1, накопителя на плоских магнитных пленках с высокой плотностью размещения запоминающих15 элементов 2 с адресными шинами 3 - 7 и разрядными шннамп 8, первой и второй групп резисторов 9 - 13 и 14 - 18,В накопителе начала и четных адресныхшин 4, 6 и концы к нечетных адресных шин20 3, 5, 7 соединены с шиной нулевого потенциала, концы к четных адресных шин 4, 6 и начала и нечетных адресных шин 3, 5, 7 черезрезисторы 1418 соединены с соответствующими выходами дешпфратора, а выходы дешиф 25 ратора соединены между собой через резисторы 9 - 13. В каждой группе величины сопротивлений резисторов равны между собой и величина сопротивления резисторов группы 9 -13 примерно на порядок больше величины со 30 противлений резисторов группы 14 - 18.Устройство работает следующим оо 1;азом.Если дешифратором производится, например, выборка числа, запоминающие элементы которого расположены под адресной шиной 5, то по этой шинс протскаст иму;1 ьс 1 Ока считывания 1-. Магнитное поло тпульса тока ;, создает в запомипаОщ 1 х элемсптах шссл, располо 2 кснных под иП 1 аи 4 и 6.:,агпппос поле помехи. Магнитное поле помехи совместно с магнитным полем импульса разрядного тока при хногократно новт 01 эснном ре:кмс за 1 1 с в запоминающие элементы, расположенные;и адресной шине 5, приводит к разрушению информации в запоминающих элементах, расположенных под адресны нИнами 4 и 6. Ко пенсация этого магнитного поля посхи, т. с. устранение разрушения инфомрацпи в запоминающих элементах, достигается тем, что по адресным шинам 4 и 6 через резисторы 11 и 12 потскают компенсирующие импульсы тока 1, и 16 противоположного направления по отношенио к току в адресной пшпс 5, составляющие часть импульса тока выбранного выхода дешифратор а.Компенсация магпитного пол 5 ПО.схн:риводит к расширению области устойч 1 вого функционирования матриц с высокой плотностью записи информации прп понижснн х требованиях к их статическим параметрам.По адресным шинам 3 и 7 также протскаот импульсы токов от выбранного Ивхода дсшифратора, но их величина на два порядка меньше тока импульса считывания и Иэтому оцп практически нс оказывают влияния па работу запоминающего устройства. Соотпошснис ие кду величинами сопротивлений резисторов 11, 12 и 16, т. е. между ве.личинами сопротивлений резисторов груп:9 - 13 и 14 - 18, выбирается таким, чтобы магнитные ноля токов 1 и 1- были достаточными по вели:П 1 не для компенсации в за;иминающих элементах, расположенных под адресными шинами 4 и 6, магнитного поля помехи от импульса тока 1, Абсолютные величины сопротивлений резисторов групп 9 - 13 и 14 - 18 выбираются такими, чтобы форма компенсиру 1 ощих импульсов тока и тока считывания была одинакова.В предлагаемом ОЗУ змссто транзисторного дешпфратора и накопителя на плоских магнитных пленках может быть использован диОдць 1 й дешифратор или дешифратор с трансформаторными выходами и накопитель на цилиндрических магнитных пленках,20Предмет изобретенияОперативное запоминающсе устройство счисловой выборкой, содержащее дешифратор чисел и накогитсль с запоминающими эле ментами па магнитных:легках с адреснымии разрядными шинами, отличающееся см, что, с цель;о повышения надежности работы устройства, в нем начала четных адресных шиц и концы нечстных адресных шип сое- ЗО динены с шиной нулевого потенциала, концычетных адресных шин и начала нечетных адресных ии через резисторы соединены с соответствующими зыходами деПифратора, а выходы дс:пифратора соединиы между собой ,1 З чср: з резисторы.

Смотреть

Заявка

1777327, 24.04.1972

Л. Е. Демидова, С. И. Карый, Б. С. Севериновский

МПК / Метки

МПК: G11C 11/14

Метки: выборкой, запоминающее, оперативное, числовой

Опубликовано: 15.04.1974

Код ссылки

<a href="https://patents.su/2-424232-operativnoe-zapominayushhee-ustrojjstvo-s-chislovojj-vyborkojj.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Оперативное запоминающее устройство с числовой выборкой</a>

Похожие патенты