Способ изготовления тонкопленочныхматриц

Номер патента: 900313

Опубликовано: 23.01.1982

Авторы: Баяндуров, Виксман, Довбий, Тульчинский

МПК: G11C 5/00

Метки: витков, запоминающих, магнитных, матриц, обмоток, пленках, формования, цилиндрических

...пакета взаимо подвижных пластин с пазами, размещенных в направляющих корпуса, установ900313 Формула изобретения ленного на раме с направгяющими, и копирных штанг, одни концы которых установлены в пазах пластин, а другие - в направляющих рамы.На фиг. 1 изображено устройство, общий вид; на фиг. 2 - устройство в разрезе. Устройство содержит корпус с направляющими 1, взаимоподвижные пластины 2 и 3, развернутые относительно друг друга на 180 , копирные штангиФ4 и 5, раму с направляющими 6, струны основы 7, упоры 8 и 9, провод 10.Устройство работает следующим образом. Под технологические струны основы 7 подводится упор 8 и производится перемещение в горизонтальном направлении копирной штанги 1 (в сторону свободного конца провода 10). В...

Номер патента: 920828

Опубликовано: 15.04.1982

Автор: Лысый

МПК: G11C 5/02

Метки: запоминающих, магнитных, матриц, пленках, цилиндрических

...провода и выравнивают технологические струны по высоте в направлении прокла дывания в зев провода, а последова" тельное Формирование провода числовой обмотки технологическими струнами осуществляют в порядке их рас- положения в направлении наклона 50 струн.На Фиг.1 показана операция наклона технологических струн в зоне плетения и выравнивания их высот в направлении угла прокладывания в 55 зев провода числовой обмотки; на Фиг,2 - расположение в зеве провода числовой обмотки и расположение на струнах элемента (упора), наклоняющего,струны; на Фиг.3 - сече ние А-А на Фиг.2 (направление и угол наклона струн); на фиг.4 - сечение Б-Б на Фиг.2 (выравнивание высот технологических струн в направлении угла прокладывания провода). б 5 Устройство...

Номер патента: 930379

Опубликовано: 23.05.1982

Авторы: Гомон, Гудименко, Кононенко, Косинов, Кузьменко, Сафронов

МПК: G11C 5/02

Метки: запоминающих, магнитных, матриц, пленках, цилиндрических

...4, Расстояние между канавкамипревышает диаметр технологических струнне менее чем в два раза,В соответствии с предложенным способом изготовление запоминающих матрицна БМП осуществляют следующим образом.В начальной стадии изготовления матрицы натягивают в два слоя первую группу технологических струн 4, укладывая их в канавки верхней и нижней частей оправки, чем одновременно обеспечивается определенный шаг их укладки. Затем на оправку с уложенными струнами укладывают путем намотки виток к витку провод числовой обмотки 5, ориентируя егр в поперечном по отношению к струнам направлении. При этом, в зависимости от схемы матрицы, витки числового провода могут чередоваться с витками киперной обмотки, технология намотки которой не...

Номер патента: 1265851

Опубликовано: 23.10.1986

Авторы: Дробноход, Косинов, Кузьменко

МПК: G11C 5/00

Метки: витков, запоминающих, магнитных, матриц, обмоток, пленках, узел, формования, цилиндрических

...струнами 3 и 4 зев вводится челнок 5 с 5 10 15 20 25 30 35 40/ 45 50 55 проводом 6. При этом провод 6 укладывают так, чтобы он огибал регули-руемый фиксатор 7 петли. После введения в зев челнока 5 с проводом 6 в него помещают формующую пластину 8, расположенную горизонтально на уровне струн, путем перемещения в направлении технологических струн 3 и 4 штанги 9 (фиг. 1 и 2) . Затем с помощью ремизок 1 и 2 образуют зев противоположного знака. При смене знака зева технологические струны 3 и 4 опираются на формующую пластину 8, оставляя вплетаемый провод 6 в свободном состоянии. При этом ремизка 1 поворачивает рычаг 10 в направлении против часовой стрелки, перемещая ползун 12 вместе с фиксатором 7 петли вниз в пазу направляющей 13. В...

Номер патента: 203315

Опубликовано: 01.01.1967

Авторы: Константинов, Фельдман

МПК: G11C 11/14, G11C 5/02

Метки: магнитных, матрица, пленках, тонких

...проходит шина смещающего поля б, в которую постоянно подается ток рабочей частоты с постоянной фазой. При подаче 30 радиоимпульсов в ту или иную пару координатных шин на пленку 1, лежащую на перекрестии вертикальной шины 4 и шины смещения б действуют одновременно поля, создаваемые шинами 4, 5 и б. На остальные пленки выбранной горизонтали действуют поля, создаваемые обмотками 5 и б, а на остальные пленки выбранной вертикали действуют поля обмоток 4 и б,Токи, подаваемые в обмотки, выбираются таким образом, чтобы поле, создаваемое шиной 4, было больше или равно Нк, а поля, создаваемые шинами 5 и б, были бы меньше Нк, причем поле шины б меньше поля шины 5 (здесь Нк - поле анизотропии пленки). При одновременном действии полей,...