411520
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 411520
Текст
Союз Соеетсюа Социалистических РеспубликЗависимое от авт. свидетельстваЗаявлено 04,И 11.1972 ( 1823396/18-2с присоединением заявки1. Кл. б 11 с 11/14 осударственныи комитетСовета Министров СССРпо делам изобретенийи открытий ри ДК 681,3,07(088,8) Опубликовано 15 Л,1974, Бюллетень2 Дата опубликования описания 20.Ч.1974 Авторизобретения Цого явител ПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МАГНИТОПЛНАКОПИТЕЛЕЙ НЪ 5 15 Изобретение относится к области изготовления запоминающих устройств н может быть использовано при создании устройств памяти для цифровых вычислительных машин,Известны способы изготовления магцитопленочных накопителей, по которым отдельно изготавливают магнитопленочную и ферритовую пластины, а затем обе пластины механически скрепляют. Недостатком известного способа изготовления является трудность обеспечения плотного прилеганпя с постоянным прижимом магнитопленочной н ферритовой пластин по всей их поверхности, вследствие чего сцижают стабильность ц однородность электромагнитных характеристик запоминающих элементов устройства. Целью изобретения является повышение стабильности электромагнитных характеристик и технологичности изготовления. 20Поставленная цель достигается тем, что ферромагнитную пластину с пазами и расположенными в них адресными проводниками заливают со стороны пазов диэлектриком, например стеклом, н с этой стороны шлифуют 25 до вскрытия поверхности фсррнтовой пластины, оставляя диэлектрик только в пазах, затем осаждением наносят магцитопленочцую пластину.Последовательность операций предлагаемо- зо го способа изготовления магнптопленочцых накопителей поясняется чертежом.Изготовленную известным способом ферритовую пластину 1 заливают расплавленным диэлектриком 2, например стсклом, так, чтобы при этом заполцялцсь пазы 3 с уложенными в них адресными проводниками 4. После затвердевация диэлектрик удаляют с поверхности феррцтовой пластины, например, посредством шлифовки до вскрытия поверхности пластины.При этом пазы 3 оказываются заполненными диэлектриком 2 вровень с поверхностью пластины 1,После этого выполняют завершающую операцию предлагаемого способа изготовленпя - на поверхность пластины со стороны пазов осаждают известным способом магнитопленочную пластину 5 в виде параллельщях полос, перпендикулярных пазам 3.Каждая из полос содержит два слоя ферромагнитной пленки, между которыми расположен зарядный проводник, Эти слои магнитной пленки обеспечивают замыкание магцитопровода вокруг разрядного проводника.Предмет изобретенияСпособ изготовления магцитопленочных накопителей, заключающийся в том, что на стен лянную подложку осаждают первый слой маг411520 Составитель В. Гордоновадактор Б. Нанкина Техред 3. Тараненко Корректор Л. Орлов Заказ 1117/18ЦН Тираж 591итета Совета Министний и бткрытийшская наб., д. 4/5 ПодписноСССР Изд.169 ПИ Государственного коь по делам изобрет Москва, Ж, РауТипография, пр. Сапунсва нитной пленки в виде параллельных полос, на первый слой магнитной пленки осаждают разрядные проводники из меди, затем - второй слой магнитной пленки поверх разрядных проводников, изготавливают ферритовую пластину с параллельными пазами па поверхности, укладывают в пазы ферритовой пластины адресные проводники и механически скрепляют ферритовую и магнитопленочпую пластины, отличающийся тем, что, с целью повышения стабильности электромагнитныхх характеристик и технологичности изготовления, ферромагнитную пластину с пазами и расположенными в них адресными про водниками заливают со стороны пазов диэлектриком, например стеклом, и с этой стороны шлифуют до вскрытия поверхности ферритовой пластины, оставляя диэлектрик только в пазах, затем осаждением наносят магнито пленочную пластину.
СмотретьЗаявка
1823396, 04.08.1972
МПК / Метки
МПК: G11C 11/14
Метки: 411520
Опубликовано: 15.01.1974
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-411520-411520.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">411520</a>
Устройство для очистки грены, приклеенной к поверхности пергаментных пленок
Номер патента: 26962
Опубликовано: 30.06.1932
Автор: Щербаков
МПК: B65G 47/38
Метки: грены, пергаментных, пленок, поверхности, приклеенной
...узкая лопаточка 13; расположенная над наклонноустановленным поперек транспортера 3 ножом 12, прикрепленным к ползуну, движущемуся в боковом пазу 15, Ползун с ножом 12 и лопаточкой 13 получают колебательные движения поперек транспортера от шатунов 14, насаженных на коленчатый валик 11, соединенный через коническую передачу с валиком, на котором сидит ролик 7, соединенный в свою очередь цепной передачей 8 с приводом 9.Под линией соприкосновения ножа 12 с транспортером 3 расположен, под кромкой ножа 12, поддерживающий транспортер валик 5, служащий для надлежащего направления транспортера, для каковой цели, а также для предотвращения выскальзывания изоляционной пленки 13 из- под ножа 12, установлен подпружиненный вадик б, прижимающийся...
Способ получения полупроводниковых пленок на диэлектриках
Номер патента: 128008
Опубликовано: 01.01.1960
Авторы: Крыжановский, Кузнецов, Троицкий
МПК: C03C 17/22, G02B 1/10
Метки: диэлектриках, пленок, полупроводниковых
...только в видимой, но и ь инфракрасной области спектра, путем термообработки в атмосфере водорода диэлектриков, например, оптических деталей, покрытых слоем шестихлористого вольфрама, нанесенного из раствора в сухом этиловом спирте или непосредственно слоем трехокиси вольфрама путем испарения последнего в вакууме. Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР Редактор Н. И. Мосин Гр. 43Подп. к печ, 28.11-60 г.Тираж 830 Цена 2 з коп Информационно. издательский отдел.Объем 0,17 п. л. Зак, 2337 Типография Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР Москва, Петровка, 14.го вольфрама в сухом этнловом спирте. В результате испарения растворителя и реакций гидролиза поверхность детали покрывается...
Способ получения полупроводниковых пленок на диэлектриках
Номер патента: 128009
Опубликовано: 01.01.1960
Авторы: Крыжановский, Кузнецов
МПК: C03C 17/22, G02B 1/10
Метки: диэлектриках, пленок, полупроводниковых
...топкий слой окиси молибдс:н;. Деталь с этим слоем:Одверга 1- ют затем термической обработке, в атмосфере сухого водорода прп 370 - 500.М 128009 П р сдмет из о бретени я Применение трехокиси молибдена для получения на диэлектриках полупроводниковых пленок, прозрачных не только в видимой, но и в инфракрасной области спектра, путем термообработки в атмосфере водорода диэлектриков, например, оптических деталей, покрытых слоем пятихлористого молибдена, нанесенного из раствора в сухом этиловом спирте, или непосредственно слоем трехокиси молибдена путем испарения последнего в вакууме,Комитет но делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР Редактор и. И. Мосин Гр. 145Информационно. издательский отдел.Объем 0,17 и. л. Зак. 2382...
Способ контроля качества поверхности конденсаторной пленки
Номер патента: 1091238
Опубликовано: 07.05.1984
Авторы: Горбань, Кириллова, Михайлова, Симо, Смирнов, Фирсова
МПК: H01G 4/12
Метки: качества, конденсаторной, пленки, поверхности
...конденсаторныхпленок. Уменьшение микрорельефа поверхности пленок способствуетулучшению спекания диэлектрика сметаллизационным покрытием, сокращает локальную разнотолщинность в диэлектрике и выравнивает напряженностьэлектрического поля в рабочих слоях,Цанболее близким к предлагаемомупо технической сущности являетсяспособ контроля качества поверхности конденсаторной пленки, включающий размещение отрезка конденсаторной пленки на столике профилаграфапрофилометра с последующим определением профиля рельефа 21Его недостатком является невозможность определения микрорельефаособо тонких (до 25 мкм) керамических и (до 7 мкм) металлосодержащихпленок для изготовления многослойных монолитных керамических конденсаторов.Цель изобретения -...
Устройство для обработки поверхности полимерной пленки коронным разрядом
Номер патента: 1442420
Опубликовано: 07.12.1988
Авторы: Ермаков, Жуков, Ямпольский
МПК: B29C 71/04
Метки: коронным, пленки, поверхности, полимерной, разрядом
...Если бы емкости каналов17 и камер 18 были достаточно малы,то давление в канале 17 успевало быупасть до нуля и снова возрасти домаксимума за те промежутки времени,когда сопло 15 находится в закрытоми соответственно в открытом состоянии. Однако проходные сечения сопел15 и 16 и емкости каналов 1. и камер 18 подбираются таким образом,чтобы давление в камере 18 не успевало сброситься до нуля и возрасти домаксимума. Когда устройство выходитна нормальный режим, то изменениедавления в камере 18 отражается пилообразной кривой, изображенной награфике фиг, 5, между точками г, ис . Все значения давления этой пилообразной кривой в 2-2,5 раза превышают давление срабатывания Р пневмоэлектрического преобразователя 19,Таким образом, при...