Устройство формирования вращающегося магнитного поля для запоминающего устройства на цилиндрических магнитных доменах

(5 аб 11 С 1 НИ/О ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТ АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ 00 ОСУДАРСТВЕННЫИ КОМИТЕТ СССР ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТ(71) Симферопольский государственный университет им. М, В. Фрунзе(54) (57) УСТРОЙСТВО ФОРМИРОВАНИЯ ВРАЩАЮЩЕГОСЯ МАГНИТНОГОПОЛЯ ДЛЯ ЗАПОМИНАЮЩЕГО УСТРОЙСТВА НА ЦИЛИНДРИЧЕСКИХ МАГНИТНЫХ ДОМЕНАХ, содержащее источник переменного магнитного поля, состоящий из двух индуктивных обмоток с взаимно ортогональными витками в области ихперекрытия, и четыре ключа, выполненные,на транзисторах, причем эмиттер первого ЯО 1119080 транзистора соединен с эмиттером второго транзистора, эмиттер третьего транзистора соединен с эмиттером четвертого транзистора, а базы транзисторов подключены к соответствующим шинам управления, отличающееся тем, что, с целью повышения надежности устройства, в него введен блок согласования в виде двух трансформаторов, выходные обмотки которых подключены к соответствующим индуктивным обмоткам, первый вход первого трансформатора подключен к коллектору первого транзистора, второй вход - к коллектору второго транзистора, первый вход второго трансформатора подключен к коллетору третьего транзистора, второй вход - к коллектору четвертого транзистора, средние точки входных обмоток трансформаторов подключены к первой шине постоянного напряжения, а эмиттеры транзисторов - к второй шине постоянного напряжения.119080 Составитель В. Костин Текред И. Верес Корректор О. Тигор Тираж 574 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам Изобретений и открытий 113035, Москва, Ж - 35, Раушская наб., д. 4/5 Филиал ППП Патент, г. Ужгород, ул, Проектная, 4Редактор А. Долинич Заказ 7462/39 Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано в запоминающих устройствах на цилиндрических магнитных доменах.Известно устройство формирования вра 5 щающегося ма гнитного поля, содержа щее ортогональные катушки индуктивности, транзисторные ключи и блоки управления ключами 1.Недостатками этого устройства являются сложность конструкции и низкая надежность, связанная с большим количеством сильноточных ключевых элементов,Наиболее близким по технической сущности к изобретению является устройство, содержащее ортогональные катушки индуктивности, четыре транзисторных ключа и блок управления ключами 2.Недостаток этого устройства - неудовлетворительная надежность.Цель изобретения - повышение надежности устройства формирования вращающегося магнитного поля для запоминающего устройства на цилиндрических магнитных доменах.Поставленная цель достигается тем, что в устройство формирования вращающегося 25 магнитного поля для запоминающего устройства на цилиндрических магнитных доменах, содержащее источник переменного магнитного поля, состоящий из двух индуктивных обмоток с взаимно ортогональными витками в области их перекрытия, и четыре ключа, выполненные на транзисторах, причем эмиттер первого транзистора соединен с эмиттером второго транзистора, эмиттер третьего транзистора соединен с эмиттером четвертого транзистора, а базы транзисторов подключены к соответствующим шинам35 управления, введен блок согласования в виде двух трансформаторов, выходные обмотки которых подключены к соответствующим индуктивным обмоткам, первый вход первого трансформатора подключен к коллектору 40 первого транзистора, второй вход - к коллектору второго транзистора, первый вход второго трансформатора подключен к коллектору третьего транзистора, второй вход - к коллектору четвертого транзистора, сред 45 ние точки входных обмоток трансформаторов подключены к первой шине постоянного напряжения а эмиттеры транзисторов - к второй шине постоянного напряжения.На чертеже показано предлагаемое устройство.Устройство содержит блок 1 управления, шины 2 - 5 управления, транзисторы 6 - 9, трансформаторы 10 - 11, индуктивные обмотки 12 и 13.Устройство работает следующим образом.Логический сигнал от блока 1 по шинам 2 - 5 поступает на входы транзисторов 6 - 9. Фазы логических сигналов на шинах управления сдвинуты на 0 в 90 в 180 в.Сигнал шины 2 открывает транзистор 6, создавая при этом импульс тока в первой половине первичной обмотки трансформатора 10. На выходной обмотке трансформатора индуктируется напряжение, вызывающее ток в обмотке 12. Разряд запасенной в обмотке энергии происходит через вторичную обмотку трансформатора 10, В результате в обмотке 12 происходит формирование импульса тока треугольной формы.Сигнал с шины 3 открывает транзистор 7, создавая импульс тока во второй половине первичной обмотки трансформатора 10. На выходной обмотке трансформатора индуктируется напряжение, вызывающее в обмотке 12 ток обратного направления.Когда оба транзистора закрыты, разряд запасенной в катушке энергии происходит через вторичную обмотку трансформатора в противоположном направлении, в результате чего в обмотке 12 формируется двунаправленный ток треугольной формы.Аналогичные процессы происходят со сдвигом по фазе на 90 во второй части устройства с обмоткой 13.Надежность устройства существенно повышается, так как индуктивные обмотки не имеют гальванической связи с выходами ключей и источником питания, что защищает обмотки от перегрузки в случае выхода из строя любого из ключей, и позволяет защищать запоминающее устройство от помех.