Канал для продвижения цилиндрических магнитных доменов

СОЮЗ СООЕТСКИХииииииииипРЕСПУБЛИК ЯО 11 2408 Зщ) бС/4 описание изоБеетенийК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Х 7 Х 7 Фиг. ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССРт дилАИ ииииии и иииии(7) Институт электронных управляющихмашин(54) (57) КАНАЛ ДЛЯ ПРОДВИЖЕНИЯЦИЛИНДРИЧЕСКИХ МАГНИТНЫХ ДОМЕНОВ, содержащий магнитоодноосную пленку, на поверхности которой расположены изолированные один от другого токопро. водящие слои, в каждом из которых выполнена основная группа периодически расположенных отверстиИ, отлдчающдйся тем, что, с целью снижения мощности, потребляемой каналом для продвижения цилиндрических магнитных доменов, в каждом токопроводящем слое выполнена дополнительная группа отверстиИ, причем ось, соединяющая центры отверстий дополнительной группы, расположена параллельно и смещена относительно оси, соединяющей центры отверстий основ. ной группы, на расстояние, равное 1 - 10 диаметров цилиндрического магнитного домена.Изобретение относятся к вычислительной технике и может быть использовано ввычислительных устройствах, в которых вкачестве носителей информации используют.ся цилиндрические магнитные домены (ЦМД)Известен канал для продвижения ЦМД,содержащий пластину ЦМД-материала, накоторой расположены два изолированныходин от другого токопроводящих слоя, вкаждом нэ которых выполнена последовательность из двух рядов периодически расположенных отверстий, Управляющий ток вэтом канале течет вдоль последовательностиотверстий 1.Недостаток этого канала - низкая иа.дежность, обусловленная перегревом пленки ЦМД-материала из-за больших управлякщих токов, требуемых для продвиженияЦМД.Наиболее близким техническим решениемк изобретению является канал для продвижения ЦМД, содержащий магннтоодноосную пленку, на которой расположены изолированные олин от другого токопроводящиеслои с периодически расположенными отверстиями. Центры отверстий в одном слое смещены относительно центров отверстий в другом слое, как правило, на расстояние 0,5 - 2диаметра ЦМД. Продвижение ЦМД в такомканале осуществляется параллельно оси канала (линии, соединяющей центры отверстий), т.е. перпендикулярно управляющемутоку 2.Известно, что для эффективного пролви.ження ЦМД необходимо, чтобы была обеспечена максимальная плотность тока управления на рабочих сторонах отверстий. Рабочими называются стороны отверстий, поперечные оси канала,. поскольку именно подними при протекании управляющего тока генерируются магнитостатические ловушки(МСЛ) и фиксируются ЦМД. В то же время топология известного канала не обеспечивает это условие, что обусловливает необходимость подачи больших управляющих токов для создания МСЛ достаточной глубины. Управляющие токи имеют величину порядка 1,5 - 2 А/мм в токопроводящем слоетолщиной десятые доли микрон. Это, в своюочередь, вызывает сильный нагрев всейЦМД-микросхемы, что существенно ухудшает ее магнитные свойства и снижает областьустойчивой работы,Целью изобретения является снижениепотребляемой каналом лля йродвнженияЦМД мощности,Поставленная цель достигается тем, чтов канале для продвижения ЦМД, содержащем магнитоодноосную пленку, на поверхности которой расположены изолированныеодин от другого токопроводящие слои, в каждом из которых выполнена основная группапериодически расположенных отверстий, вкаждом токопроводящем слое выполнена дополнительная группа отверстий, причем ось,5 О 15 20 25 30 35 40 45 50 55 соединяющая центры отверстий дополнительной группы, расположена параллельно исмещена относительно оси, соединяющейцентры отверстий есновиой группы, на расстояние, равное- О диаметров ЦМД,На фиг.изображена конструкция предложенного канала для продвижения ЦМДс двумя токопроводящими слоями и прямоугольными отверстиями (возможны варианты выполнения канала с другим количествомтокопроводящих слоев и отверстиями инойформы); на фнг, 2 - схема, поясняющаяпринцип действия предложенного каналадля продвижения ЦМД,Канал для продвижения ЦМД (фиг. )содержит магнитоодноосную пленку 1, накоторой расположены токопроволящие слои2 и 3, изолированные один от другого слоем4 диэлектрика. В слое 3 выполнены отверстия основной группы 5 и дополнительнойгруппы 6, для слоя 2 это соответственно отверстия групп 7 и 8, Оси основной 9 и дополнительной 0 групп отверстий смещенына расстояние, равное- О диаметровц мд.Предложенный канал для продвиженияЦМД работает следующим образом.В слоях 2 и 3 перпендикулярно осямгрупп отверстий протекают переменные токи1 и 1. Под рабочими сторонами отверстий, поперечными оси канала, при прохоиденни управляющих токов соответственно 1,в слое 3, 1 в слое 2, 1 в слое 3 и 1в слое 2, последовательно образуются МСЛ,в которых также последовательно фиксируются ЦМД (поэиции 11 - 14), осуществляя,таким образом, продвижение по каналу.Поскольку при заданной проводимоститокопроводящего материала плотность токатем выше, чем короче путь, линии тока 15(для простоты на фиг. 2 показано толькораспределение тока 1" в слое 3) между отверстиями основной группы перераспределяются по сравнению с известным каналомближе к рабочим сторонам отверстий основной группы. Это увеличивает плотность тока на рабочих сторонах отверстий и, соответственно, глубину МСЛ при той же средней плотности управляющего тока. Отверстия дополнительной группы играют рольконцентраторов тока на рабочих сторонахотверстий основной группы, В то же времяотверстия дополнительной группы не препятствуют непосредственно продвижениюЦМД, так как находятся на удалении от основной группы отверстий на расстоянии,равном 1 - 10 диаметров ЦМД.Благодаря конструкции прелложенногоканала для продвижения ЦМД в нем достигается уменьшение управляющих токов,что приводит к квадратичному уменьшениюрассеиваемой мощности и, соответственно, кснижению перегрева корпуса ЦМД.микросхемы относительно температуры окружающей среды.1112408 интеграции, где необходимы двуполярные импульсы тока управления 1 О А с длнтельностью менее 1 Мксг поскольку прн этом снижаются требования к электпонным схе.5мам управления ЦМД-микросхемой. Преимуществом изобретения также является расширенный температурный диапазон работы эа счет снижения перегрева. Составитель Ю. и ко Техред И. Верес Тираж 674 ВНИИПИГосударственного ком по делам изобретений и13036, Москва, Ж - 36, Раушска илнал ППП Патентэ, г. Ужгород, едактор В. Да аказ 6068/36 Эксперимент показал, что для той же глубины магннтостатнческой ловушки требуется примерно на 20% меньше тока управлення. Этому соответствует снижение рассенваемой мощности примерно на 30% н такое же уменьшение перегрева корпуса ЦМД- микросхемы, Пониженные управляющие то. кн являются также преимуществом прн создании ЦМД-мнкросхем повышенной степени РозентальКорректор М. ДемчПодписноеитета СССРоткрытийя наб., д. 4/Ьул. Проектная.