Элемент памяти
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
СОЮЗ СОВЕТСКИХСОЦИАЛИСТИЧЕСКИХРЕСПУБЛИК зю б 11 С 111 ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТ НИЕ ИЗОБРЕТЕН ЛЬСТВ Н АВТОРСКО46П. Нам, В. Т. Павл(56) 1. Управляемтоферрите для запиборы и техника экс. 210.2. Квантовая9, с. 1933-1953 й транспарант на ори галлограмм. - Приперимента, 1975,3801129653 А(54) (57) ЭЛЕМЕНТ ПАМЯТИ, содержащий прозрачную диэлектрическую подложку с нанесенным на нее слоем магнитного диэлектрика и две группы взаимно ортогональных шин записи, нанесенных друг на друга через изолирующий слой диэлектрика, отличающийся тем, что, с целью снижения энергопотребления, в слое магнитного диэлектрика выполнены области с коэрцитивностью, большей коэрцитивности магнитного диэлектрика, в виде двух групп пересекающихся полос, компланарно которым нанесены на слой магнитного диэлектрика шины записи.1129653 Редактор М. Келемеш Текред И. Верес Корректор А. Обручар Заказ 8975/41 Тираж 574 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж - 35, Раушская набд. 4/5 Филиал ППП Патент, г. Ужгород, ул. Проектная, 4Изобретение относится к вычислительной технике с оптической обработкой информации, а именно к устройствам ввода, обработки и запоминания информации.Известен способ создания элементовпамяти, по которому к пластине ортоферрита, обработанной с помощью спецшлифовки под нагрузкой в магнитном поле, прикладывают стеклянную пластину с нанесенными на нее взаимно ортогональными токопроводящими шинами 1,Элементы памяти, созданные таким способом, имеют большую энергию переключения.Известны также элементы памяти, созданные на высококоэрцитивной пластине граната системой взаимно ортогональных токопроводящих шин 12.Однако переключение такого элементапамяти требует также больших энергетических затрат (ток переключения 0,6 А наячейку),Цель изобретения - снижение энергоемкости переключения элементов памяти.Поставленная цель достигается тем, что в элементе памяти, содержащем прозрачную диэлектрическую подложку с нанесенным на нее слоем магнитного диэлектрика и две группы взаимно ортогональных шин записи, нанесенных друг на друга через изолирующий слой диэлектрика, в слое магнитного диэлектрика выполнены области с коэрцитивностью, большей коэрцитивности магнитного диэлектрика, в виде двух групп пересекающихся полос, компланарно которым нанесены на слой магнитного диэлектрика шины записи.На чертеже показан предлагаемый элемент памяти.Элемент включает подложку 1, слой 2магнитного диэлектрика, шины 3 записи и изолирующий слой 4. Для создания областей с высокой коэрцитивностью используют локальное ионное легирование. На висмут- содержащий гранатовый слой с низкой коэрцитивностью наносят двуокись кремния, с помощью фотолитографии вскрывают об ласти, которые должны подвергаться ионному легированию. После проведения имплантации структура состоит из элементов памяти с низкой коэрцитивностью (0,1-0,5 Э), разделенных группой пересекающихся полос с высокой коэрцитивностью (50-100 Э) Переключение осуществляется воздейс.вием на элемент памяти тока подающегося системой ортогональных шин, компланарно нанесенных на высококоэрцитивные полосы. Наличие вокруг элемента памяти доменов разных знаков, являющихся зародышами для переключения низкокоэрцитивного элемента, реализует переключение элемента через менее энергоемкий механизм - движением доменной стенки. Это позволяет значительно снизить энергию, расходуемую на переключение элемента, в сравнении с прототипом.
СмотретьЗаявка
3544179, 24.01.1983
ПРЕДПРИЯТИЕ ПЯ В-2836
КЛИН ВАЛЕНТИНА ПРОКОФЬЕВНА, НАМ БОРИС ПИМЕНОВИЧ, ПАВЛОВ ВЛАДИМИР ТИМОФЕЕВИЧ, СОЛОВЬЕВ АЛЕКСАНДР ГЕННАДЬЕВИЧ, ТЮМЕНЦЕВА СВЕТЛАНА ИВАНОВНА, ФОМКИН НИКОЛАЙ АЛЕКСЕЕВИЧ
МПК / Метки
МПК: G11C 11/14
Опубликовано: 15.12.1984
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-1129653-ehlement-pamyati.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Элемент памяти</a>
Способ изготовления термопластического слоя — для записи изображения и звука электроннымлучомб-ыа: откл
Номер патента: 173976
Опубликовано: 01.01.1965
Авторы: Бугров, Волынкин, Воссо, Сорри, Цирулина
МПК: B29D 17/00, G11B 3/70
Метки: записи, звука, изображения, откл, слоя, термопластического, электроннымлучомб-ыа
...по пп, 1 и 2, отличающийся тем,что в качестве пластификаторов применяют З 0 полиметилфенилсилоксан и эфир жирных кислот, содержащих Ст - Ср и дигликоль в количестве от 10 до 30% одные мет- ениях Подписная группа1 Известен способ изготовления термопластического слоя для записи электрических сигналов электронным лучом на основе сополимеров стирола, например, стирола и бутадиена.В описываемом изобретении в качестве термопласта применяют сополимер стирола и бутилового эфира метакриловой кислоты, Сополимер пластифицируют полиметилфенилсилоксаном и эфиром жирных кислот, содержащих С 7 - С, и дигликоль в количестве от 10до 300/о,Продукт сополимеризации стирола и бутилового эфира метакриловой кислоты применяют в соотношениях соответственно...
Элемент памяти
Номер патента: 474849
Опубликовано: 25.06.1975
Авторы: Остапенко, Панев, Степанов, Яковлев
МПК: G11C 11/08
...слоев 9.10 и 12 равны. Площади сечений, перемычек474849 1 2 5 а и 1 одинаковы и в два раза больше площадей сечений каждой из перемычек Ь, с, е, 1.Устройство работает следующим образом При считывании информации по числовой шине 5 считывания подают импульс тока счгитызання 1,. При этом перемычка (фнг. 1, 2) из размагничеиного состояния (фгиг. 2,б) намагничивается до насыщения в направлении, юиказанном на фланг, 2, в. Согласно закону непрерьгвности магнитного потока, магнитный поток геремычки а замыкается через перемычку с, намагниченность которой изменилась на противоположную. Намагггпченность остальных перемычек осталась прежней. В результате изменения намагниченности перемычгки Ы при действни тока 1 в выходной шине 4 индуктируется...
Способ записи информации в запоминающий элемент с модуляцией магнитного сопротивления типа ферритовая линейка
Номер патента: 699565
Опубликовано: 25.11.1979
Авторы: Гаврилов, Милославский
МПК: G11C 11/08, G11C 7/00
Метки: записи, запоминающий, информации, линейка, магнитного, модуляцией, сопротивления, типа, ферритовая, элемент
...им пульсов тока чередующейся полярности.На фиг. 1 изображена временная диаграмма адресного и разрядного токов в режиме записи предложенным способом; на фиг. 2 изображен запоминающий элемент с модуляцией магнитного сопротивления типа ферритовая линейка, прошитый адресной и разрядными шинами.Предложенный способ записи был реализован в запоминающем устройстве объемом 256 чисел. В режиме записи адресный 15 ток в виде последовательности пачек импульсов чередующейся полярности (см. фиг. 1) формировался в адресной шине, прошитой через опросные отверстия ферритовой линейки. Одновременнопо разрядным шинам, прошитым через информационные отверстия ферритовой линейки, подавались разрядные токи той или иной полярности в зависимости от записываемой...
Устройство для очистки основы носителя магнитной записи от его рабочего слоя
Номер патента: 1014019
Опубликовано: 23.04.1983
Авторы: Губанов, Ковтун, Панчев, Сидоренко
МПК: G11B 23/50, G11B 5/84
Метки: записи, магнитной, носителя, основы, рабочего, слоя
...вращения в резервуаре, размещенном в оболочкеэлемента подогрева паром и выполненном в виде соединенных одна с другой цилиндрической части, имеющейкрышку, и конической части, введена сетчатая перегородка; укрепленная в резервуаре между его цилиндрической и конической частями, причем цилиндрическая часть резервуаравыполнена с люком вывода очищенныхпластин основы носителя магнитнойзаписи, а коническая часть резервуара - с ребрами, расположенными относительно сетчатой перегородкипод углом 40-60 о, и с люком выводаматериала рабочего слоя носителямагнитной записи.Наличие сетчатой перегородки, ребер конической части резервуара и люков вывода очищенных пластин основыносителя магнитной записи и материала рабочего слоя носителя...
Устройство для многослойной магнитной записи воспроизведения
Номер патента: 1476527
Опубликовано: 30.04.1989
Авторы: Барышев, Жариков, Зволинский, Кушнир, Мельниченко, Нечитайло
МПК: G11B 5/09
Метки: воспроизведения, записи, магнитной, многослойной
...кодов " 1", "2", "3", "4" и "5" во втором такте записи ток записи во вторую записывающую магнитную головку 7 не подают.При записи кодов "6", "7", "8" и "9" в первом такте записи в первую записывающую магнитную головку б подают ток записи, обеспечивающий прямое намагничивание магнитных слоев 13-17. Во втором такте записи во второй записывающей магнитной головке 7 ток записи кода "6" обеспечивает отрицательное намагничивание магнитного слоя 17, ток записи кода "7" - отрицательное намагничивание магнитных слоев 16 и 17, ток записи кода "8" - отрицательное намагничивание магнитных слоев 15-17, а ток записи кода "9" - отрицательное намагничивание магнитных слоев 14- 17. При записи кода "0" ток записи в первую 6 и вторую 7 записывающие...
Предыдущий патент: Источник вращающегося магнитного поля для доменного запоминающего устройства
Следующий патент: Магнитное оперативное запоминающее устройство
Случайный патент: Вихревой расходомер