Канал для продвижения цилиндрических магнитных доменов

СОЮЗ СОВЕТСНИХСОЦИАЛИСТИЧЕСКИХРЕСПУБЛИК ОЮ (И) За 1 6 11 С ИД 4 ЕНИ " НИЕ И Н АВТОРСИ 9+ Шорыгин и А, В нных управляющиест 1 опг., 1979,2537, кл, 6 11 С 19п). 1. ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИ(54) (57) КАНАЛ ДЛЯ ПРОДВИЖЕНИЯ ЦИЛИНДРИЧЕСКИХ МАГНИТНЫХ ДОМЕНОВ,соде ржаший магнитоодноосную пленку, на кото. ми рой расположены иэолированные один от другоготокопроводящие слои с выполненными в нихгруппами периодически расположенных отверс.тий, каждое иэ которых ограничено двумя боковыми и двумя торцовыми стенками, о т л и, ч а ю щ и й с я тем, что, с целью повышениянадежности канала, в нем по крайней мере одна 08, боковая сторона отверстий выйолнена вогнутойформы.1117710 10 Изобретение относится к вычислительной тех.нике и может быть использовано при построениизапоминающих устройств на цилиндрическихмагнитных доменах (ЦМД),Известен канал для продвижения ЦМД, содержащий магнитоодноосную пленку с ионно.имплантированными участками, на которой расположены изолированные токопроводящие слои спериодически расположенными отверстиями,смещенными относительно соответствующихионно.имплантированных участков 111.Однако такой каньл требует для продвиженияЦМД больших токов, что приводит к нагревупленки и снижению надежности канала для прод.вижения ЦМД. 15Наиболее близким к изобретению являетсяканал для продвижения ЦМД, содержащий магни.тоодноосную пленку, на которой находятся изо.лированные слои проводника, причем в этихслоях выполнены группы периодически располо 20женных отверстий, каждое из которых ограниче.но двумя боковыми стенками и двумя торцовыми стенками, причем указанные отверстия имеют выпуклую форму. Боковыми стенками отверстия являются, стенки, поперечные направлению управляющего тока, а торцовымистенки линейные, ломаные либо криволиней-,ные. Возможно два варианта канала для продвижения ЦМД - с продвижением ЦМД поперечно направлению управляющего тока и спродвижением ЦМД продольно току. В первомслучае боковыми стенками отверстий являютсястенки, продольные оси канала для продвижения ЦМД, а.во втором случае боковыми стенками - стенки, поперечные оси канала. Для эффективной работы канала необходима максимальная локальная плотность 3 управляющеготока именно на торцовых сторонах отверстий,поскольку именно под ними генерируютсямагнитостатическне ловушки .(МСЛ) и фикси 4руются ЦМД 21,Однако топология известных каналов дляпродвижения ЦМД не обеспечивает максимальной локальной плотности на торцовых стенкахотверстий, что обусловливает необходимость45подачи больших управляющих токов (до2-3 А) с большим рассеянием мощности в ка.нале. Это, в свою очередь, вызывает егоперегрев и уменьшение области устойчивойработы, приводящее к снижению надежностиустройства. Целью изобретения является повышение на . дежности канала для продвижения ЦМД.Поставленная цель достигается тем, что в канале для продвижения ЦМД, содержащем 55 магнитоодноосную пленку, на которой расположены изолированные один от другого токо. проводящие слои с выполненными в них,группами периодически расположенных отверстий, каждое из которых ограничено двумябоковыми и двумя торцовыми стенками, покрайней мере одна боковая сторона отверстий выполнена вогнутой формы,На фиг. 1 изображены для варианта выполпения предложенного канала для продвиже.йия ЦМД; на фиг. 2 - распределениеуправляющего тока вблизи отверстий,Канал для продвижения ЦМД (фиг. 1 а)содержит магнитоодноосную пленку,1, на которой расположены токопроводящие слои 2и 3, изолированные друг от друга и отпленки 1 слоями диэлектрика 4 и 4В слоях 2 и 3 соответственно выполненыгруппы периодически расположенных отверс.тий 5 и б.Отличительной особенностью канала явля.ется форма отверстий групп 5 и 6,Боковые стороны этих отверстий имеютвогнутую форму.В первом варианте (фиг. 1 Я ) канадабоковые стенки отверстий - это стенки,ориентированные продольно оси 7 канала, авто втором варианте (фиг. 1 б) - это стенки, ориентированные поперечно оси 8 каналаКанал работает следующим образом.При пропускании через токопроводящиеслои 2 и 3 поочередно импульсов управляющего тока 3 (3 - через слой 2,- через слой 3), на торцовых (рабочих) сторонахотверстий в результате обтекания их токомобразуются поочередно МСЛ которыеи обеспечивают последовательное продвижениеЦМД, аналогично тому как это происходит визвестном устройстве,Однако в предложенном канале для продвижения ЦМД за счет того, что боковыестенки отверстий имеют вогнутую форму,обеспечивается более высокая локальная плот.ность 3 тока на торцовых сторонах отверс.тий сравнительно с известным каналом,Для того, чтобы максимально повысить плотность тока 3 на торцовых стенкахУ необходимо повысить локальную плотность тока вдоль, боковых .стенок, т. е, максималь. но "прижать" ток к ним, Для этого необ. ходимо увеличить проводимость малой облас- . ти токопроводящего слоя вблизи боковых стенок. В предложенном канале это достигается расширением указанной области 9 (фиг. 2) за счет площади отверстий 5, т, е. за счет вогнутости боковых стенок. Благодаря этому повышается доля управляющего тока 10, текущего вдоль боковых стенок, а, следовательно, и плотность 3 тока на торцах отверстия, сравнительно со случаем известных каналов с выпуклыми отверстиями. ТакимСоставитель Ю, Техред С. Легез зент аль Корректор Г, Решетии едактор В. Иванова аказ 7264/37 Тираж 574 ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 13035, Москва, Ж 35, Раушская наб д. 4/5одписно Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4 илиал П 3 11образом, распределение токз 10 в предложенном канале приближает работу отверстияк работе петлевой аппликации, которая какизвестно, при прочих равных условияхдает наибольшую МСЛ. Преимуществом предложенного канала для продвижения ЦМД является его надежность. Действительно, увеличенная локальная плот. ность тока позволяет снизить Ьбщий управляющий ток в канале, а следовательно, существенно снизить рассеиваемую мощность, Это увеличивает область устойчивой работы устройства и повышает тем самым его надежность, Кроме того, образование острых 17710 4углов на стыке торцовых и боковых стенокдополнительно увеличивает плотность тока 24Экспериментальные исследования показали,что предложенный канал для продвиженияЦМД обеспечивает МСЛ примерно на 15%большую, чем у известных каналов подобноготипа, что позволяет соответственно снизитьток управления и снизить рассеиваемуюмоппюсть на 30%.10 Снижение управляющих токов и связанноес этим уменьшение рассеиваемой мощностии перегрева устройства позволяет увеличитьвремя наработки на отказ и расширитьобласть устойчивой работы, чвз значительно5 увеличивает надежность устройства.