G01N — Исследование или анализ материалов путем определения их химических или физических свойств

Номер патента: 1226181

Опубликовано: 23.04.1986

Авторы: Алексеев, Демидов, Логин, Руфеев, Шеронов

МПК: G01N 17/00

Метки: агрессивной, жидкой, испытаний, коррозионных, образцов, среде

...вкамере 12 - ниже.Устройство работает следующимобразом.Испытуемые образцы 5 закрепляютна крьппке .4 камеры 1 и размещают впоследней. Заполняют камеру: 1 средой 2 до заданного уровня и соответствующим образом устанавливают уровень среды в камерах 11 и 12. Размещают в камере 1,поплавок 3 с Г -образным штоком 6, устанавливая егостойку в направляющих 7, а перекладину 8 - без зазора между подвижнымиконтактами выключателей 9 и 10.При понижении уровня среды 2 вкамере 1, которое может происходитьвследствие испарения среды 2, умень 101520304050 81 2щения объема погружной части образцов 5 иэ-эа коррозионных разрушенийили изъятие некоторого количестваобразцов 5 из камеры 1, вертикальныйшток 6 вместе с поплавком 3 стремится переместиться вниз...

Номер патента: 1226182

Опубликовано: 23.04.1986

Авторы: Арчаков, Булатова, Ванина, Горчаков, Корнилов, Пукшанский

МПК: G01N 17/00

Метки: коррозионного, разрушения

...3Затем определяют относительнуюразность Я двух потоков водорода всоответствии с зависимостью ЬР5- К(1 -- ) - 1р Э а о глубине коррозионного поражениясудят по формулер 1+Е)(3)Е П р и м е р. Проводят определениекоррозионного разрушения реактораизомеризации процесса полученияб-параксилолов,который представляетсобой сосуд высокого давления цилиндрической формы, изготовленный изстали типа 15 ХМ, наружный диаметр4,9 м, высота 8 м, толщина стенки щ обечайки 54 мм; технологическая водородсодержащая среда: 803 водород,остальное - ксилолы; среднестатистические параметры среды; температура450 С, общее давление 1,5 МПа (15 ат). д 5 На наружной стенке реактора выбирают два контрольных участка.Толщина 1 одного из контрольныхучастков равна...

Номер патента: 1226183

Опубликовано: 23.04.1986

Авторы: Глазков, Звездинский, Притула

МПК: G01N 17/00

Метки: защитным, исследования, коррозии, металлов, образец, покрытием

...концентрических колец 10, полос 11 и квадратов12 (фиг. 2).Образец исследуют следующим образом.,Собирают подложку 1 из чередующихся слоев металла 2 и диэлектрика 3, располагая их перпендикулярно рабочей поверхности 4 подложки 1, Параллельно поверхности 4 размещают слои диэлектрика 5, которые формируют по крайней мере одну полость 6. Перед установкой слоев диэлектрика 5 на подложку 1 предварительно на стенки полости 6 наносят покрытие 7, Слои металла 2 электрически соединяют между собой через резисторы 13 и прерыватели 14 с возможностью под 2ключения к источнику 15 тока (фиг.З). С нерабочей стороны подложки 1 в отверстиях 8 вводят средства 16 измерения электродных потенциалов и устанавливают их заподлицо с поверхностью 4, Собранный образец...

Номер патента: 1226184

Опубликовано: 23.04.1986

Авторы: Базилева, Виноградов, Новикова, Петров

МПК: G01N 19/04

Метки: адгезии, взвеси, жидкой, поверхности, силы, среде, твердой, фильтрующего, частиц

...водой до его верхнего уровня, после чего краны 25 и 27 закрьвают, Мутность и цветность воды принимают постоянными величинами для всех исследуемых фильтрующих материалов, равными 100 мг/л и 300 град. Включают блок 20 питания, открывают полностью кран 24 и производят Фильтрацию взвеси, окончание которой устанавливают по изменению мутности Фильтрата, а именно, по моменту прекращения счета числа частиц взвеси анализатором 6. После этого включают блок 19 управления и одновременно медленно открывают кран 28. При включении блока 19 управления срабатьвает электронно-релейное устройство 18 и с помощью сформированного им сигнала осуществляется за- . пуск анализатора 6 количества частиц взвеси, цифропечатающего устройства 7, измерителя 13 силы...

Номер патента: 1226185

Опубликовано: 23.04.1986

Авторы: Каплун, Лосева, Сварика, Фурман

МПК: G01N 19/04

Метки: прилипаемости, смесей, стержневых, формовочных

...6 размещают испытуемую смесь 7 заподлицо с ее верхним торцом и размещают на смеси 7 отрывной элемент 8.Части 3 и 4 ванны 1 заполняют жидкостью 2 таким образом, чтобы ее уровень в части 3 ванны 1 бып ниже поплавков нагружателя 9 а в части 4 ванны 1 - вышее, При этом перегородка 5 удерживает жидкость 2 в частях 3 и 4 ванны 1 на заданных уровнях. Регулятором 15 тока электроосмотического насоса 10 подают электрический потенциал на его электроды 13 и 14. Между электродами 13 и 14 через жидкость 2 начинает протекать электрический ток, под действием которого жидкость 2 из части 4 ванны 1 перетекает сквозь пористую перегородку 5 в часть 3 ванны 1, постепенно повышая ее уро 185 2вень. Жидкость 2 начинает перемещать поплавковый нагружатель 9...

Номер патента: 1226186

Опубликовано: 23.04.1986

Авторы: Данильцев, Коминар, Куперман, Рогинский, Таланов, Шопен

МПК: G01N 19/04

Метки: адгезионного, прочности, соединения, сцепления

...18 по 35 верхностями. Шаровые части 13 и 14 вводят в гнезда 11 и 12 ползунов 9 и 10 и закренляют захватами 15 и 16, При этом шаровые части 13 и 14 в соединении обеспечивают его центри-ерование при поджатии захватамн 15 и 16. Испытание соединения осуществляют по одной из 4-х схем нагружения (фиг. 2 а, 6, ь , ) в зависимости от угла ф наклона контактирующих поверхностей 18 шаровых частей 13 и 14 и направлением приложения нагрузки (фиг. 3). Нагружение образца осуществляют путем соединения устройства с испытательной машиной. При соединении захватов 15 и 16 с испытательной машиной (схемы 2 а, ъ ) 186ползуны 9 и 10 перемещаются в пазах 3 и 4, а при соединении захватов 7 и 8 (схемы 28, В ) с испытательной машиной рамы 1 и 2 перемещаются по...

Номер патента: 1226187

Опубликовано: 23.04.1986

Авторы: Богомолова, Любашевский, Хромов

МПК: G01N 19/04

Метки: образец, прочности, резинометаллокордных, соединений, сцепления

...25нить 3 в резине. Выполнение параллелепипеда 1 толщиной, равной толщинеметаллокордной нити 3, обеспечиваетминимальный расход материала резиныпри стабильности результатов испытания. В случае выполнения параллелепипеда 1 шириной, меньшей 3-х шагов свивки металлокордной нити 3,происходит потеря структуры кордапри выдергивании нити из резины.35Для повышения информативности и снижения трудоемкости изготовленияобразца используемая пресс-формаможет иметь произвольную ширину, ипосле вулканизации полученную резиновую пластину разрезают на аналогичные параллелепипеды до металлокордной нити 3, оставляя в каждомпараллелепипеде участок металлокордной нити 3 длиной не менее 3-х ша 45гов ее свивки.Образец испытывают следующимобразом.При определении...

Номер патента: 1226188

Опубликовано: 23.04.1986

Авторы: Коротков, Кузьмичев

МПК: G01N 19/04

Метки: клеевого, слоев, соединения, схватываемости, текстильных

...состояния клея увеличивает величину усилия сдвига Р, которое необходимо приложить к слоям 40текстильных материалов, чтобы сдвинуть их один относительно другого.При повторном приложении сдвигающейнагрузки происходит ее рост с постоянной скоростью 7 . Величина Ч задается в начале испытаний. Увеличение усилия сдвига происходит из-зароста схватываемости текстильных материалов клеем и продолжается до техпор, пока клей полностью не расплавится.Это происходит при полном переходе клея в вязкотекучее состояние.При температуре Т перехода клея ввязкотекучее состояние определяютУсилие Рсдвига, которое является 55максимальным в данном испытании,Схватываемость К слоев текстильных материалов, обусловленную полным расплавлением клея, определяют...

Номер патента: 1226189

Опубликовано: 23.04.1986

Авторы: Боровский, Климов, Мингажев, Мингажева, Хайретдинов, Швецова

МПК: G01N 19/04

Метки: материалом, основным, покрытия, прочности, сцепления

...устанавливают оправку 2 наопору 6 и прикладывают к одной из пластин, которую используют в качестве штифта 7, отрывающую нагрузку Р . Измеряют величину нагрузки Р(35 при отрыве штифта 7 от покрьггия и определяют в зависимости от площади контакта штифта 7 с покрытием 5 прочность 8 сцепления с учетом прогиба40покрьггия 5, который сохраняют постоянным во время отрыва.Второй образец из аналогичных плас тин 1 испытывают на отрыв при прижатых одна к другой пластинах 1. Изме 45 ряют величину нагрузки Р и определяют прочность 3 сцепления покрытия 5 с основным материалом пластины, выбранной в качестве штифта 7.По разности значений 8, и д, проч 50 ности сцепления судят об изменении 3 величины прочности сцепления покрытия 7 с основным материалом,...

Номер патента: 1226190

Опубликовано: 23.04.1986

Авторы: Валко, Пятыхин

МПК: G01N 19/04

Метки: адгезии, подложке, покрытия

...4 таким образом, чтобы измерительная шкала 12 на светопрозрачном материале 7 смотрового окна располагалась перпендикулярно щели 2 в подложке 1 и совпадала с направлением развития трещины. Через штуцер 8 нижнего диска 5 и прямоугольную щель 2 подают рабочую жидкость под давлением на границу раздела подложки 1 и покрытия 3. Увеличивают величину давления рабочей жидкости до зарождения и развития трещины в межфазной границе по обе стороны от щели 2 в подложке между вкладышами 9 и 10,Вкладьппи 9 и 10 предотвращают развитие трещины в межфаэной границе раздела в направлении концевых участ.ков щели 2 в подложке 1 за счет исключения прогиба и отслаивания покрытия 3 под давлением жидкости на этих участках. Длина трещины в процессе ее развития...

Номер патента: 1226191

Опубликовано: 23.04.1986

Авторы: Грин, Губерман, Каплунов, Кораблина, Лещинская, Сафонов

МПК: G01N 19/04

Метки: адгезива, времени, отверждения

...изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5Производственно-полиграфическое предприятие, г. Ужгород, ул. Проектная, 4 Изобретение относится к испытательной технике, а именно к способам определения времени отверждения адгезива.Целью изобретения является повышение точности определения времени отверждения адгезива и упрощение способа.Способ осуществляется следующим образом.Между поверхностями двух частей соединения размещают адгезив. Закрепляют части соединения в захватах испытательной машины, нагружают соединение сжимающим его давлением, нагревают и одновременно прикладывают к нему сдвигающую нагрузку, При этом скорость сдвига поддерживают постоянной, так как она обеспечивает равномерное смещение частей соединения...

Номер патента: 1226192

Опубликовано: 23.04.1986

Авторы: Бровкин, Вялков

МПК: G01N 19/10

Метки: влажности

...преобразования удлинения нити в перемещение регистратора. Устройство преобразования удлинения нити выполнено в виде диска 2 с радиальным вырезом 3, Диск установлен на горизонтальной оси 4, которая закреплена в вырезе 3 диска с помощью крепления 5, Для изменения эксцентриситета дис ка положение оси диска относительно центра диска может изменяться. Для этого ось диска закреплена с возможностью перемещения вдоль выреза.30 Диск соединен с гигроскопической нитью тягой 6, а с регистратором - тягой 7. Хяги с диском соединены через шарниры 8 и 9. Для изменения длин тяг они снабжены приспособлениями 10 и 11 соответственно. Регистратор 192 3изменения длины нити содержит направляющую 12 и сердечник 13, установленный в катушке 14...

Номер патента: 1226193

Опубликовано: 23.04.1986

Авторы: Волков, Горбань, Паско, Скирда, Суббота-Мельник

МПК: G01N 21/01

Метки: коэффициента, ослабления

...объектов, например для калибровки и поверки ослабителей излучения.Целью изобретения является повышение точности измерений.На чертеже схематически изображено устройство, реализующее способ. 1 ОУстройство содержит источник 1 излучения, оптический делитель 2, измерительный 3 и опорный 4 потоки, устройство 5.для ортогонализации поляризаций излучения, образец 6, оп тический смеситель 7 и регистрирую- щее устройство 8 (поляриметр).Способ осуществляется следующим образом. 20Излучение от источника 1 поступает на оптический делитель 2, в котором разделяется на измерительный 3 и опорный 4 потоки излучения. Излучения измерительного 3 и опорного 4 25 потоков поступают на устройство 5ортогонализации поляризаций, после которого из...

Номер патента: 1226194

Опубликовано: 23.04.1986

Авторы: Брагинская, Клюбин

МПК: G01N 21/31

Метки: молекулярно-массового, полимеров, распределения

...ком 20поненты нормированного распределения,выражение для которых имеет вид 30 8( Г; ) /М; Г(М;)(М,) - 8(, )/25Уравнение (11) опредепяет весовуюконцентрацию (М;) узкой фракции полимера, имеющего молекулярную массуМ , Значение М; находится в помощьюФормул (1), (2) и (3), воспользовавшись которыми получимМ, = К 1 Г;, (12)На чертеже представлено молекулярно-массовое распределение дейтерированного полиметилметакрилата, полученное по предлагаемому способу.,образом. 40Исследуемый полимер растворяют вВ-растворителе, заливают в термостатируемую кювету, температура которойвыбирается равной О -температуреданной системы полимер-растворитель. 45Кювета с исследуемым полимеромпомещается на пути светового луча, наиболее удобным является луч...

Номер патента: 1226195

Опубликовано: 23.04.1986

Авторы: Гуменник, Евтихиева, Ринкевичюс

МПК: G01N 21/41

Метки: градиента, показателя, преломления

...позволяет ус тановить точное месторасположение неоднородной области в исследуемой среде или определить наличие и расположение микроструктур. После этого с помощью дефлектора 2 параллельные 50 пучки рефрактометра перемещаются таким образом, чтобы один из пучков (измерительный) вплотную подошел к неоднородной области или микро- структуре, которую предполагается 55 исследовать, а дополнительный пучок шел вне пределов этой области. Если дополнительный пучок попадает также в неоднородную область, то необходимо изменить расстояние между измерительным и дополнительным пучками, пе - реместив поворотную призму. При этом на экране наблюдаются помимо теневой картины две яркие точки, одна нз них располагается вплотную к исследуемой области, а другая...

Номер патента: 1226196

Опубликовано: 23.04.1986

Авторы: Молочников, Морозов, Сиройць

МПК: G01N 21/43

Метки: показателя, преломления

...этой плоскости (и, и п, - главные показатели преломления кристаллической призмы, и - показатель преломления внешней среды, в качестве. которой при измерениях выступает исследуемая жидкость). Если и, п,сп то в положении, при котором п=1,коэффициент отражения имеет минимум, аналогичный имеющемуся на фиг.1.Условие минимума коэффициента отражения можно получить, дифференцируя известные формулы для коэффициентов отражения от одноосного кристалла,Тогда в случае естественного света илидК =в случае поляризованного перпендикулярно плоскости падения, где ф - уголповорота кристаллической призмы относительно положения, когда оптическая ось перпендикулярна плоскости падения.На практике удобнее проградуировать шкалу угломерного устройства...

Номер патента: 1226197

Опубликовано: 23.04.1986

Авторы: Молочников, Морозов, Сиройць

МПК: G01N 21/43

Метки: кристалла, оптической, ориентации, оси, рефрактометрического

...значительно возрастает.П р и м е р, Пусть ориентация оптической оси определяется в кристалле исландского шпата, а измерительная призма выполняется из стекла ТФ-.4. Для измерения используется автоматический Фоторефрактометр ИРФб 1, снабженный голяризаторами во входной и выходной диафрагмах. На фиг.2 показана зависимость интенсивности сигнала на фотоприемнике (пропорционального коэффициенту г,) в зависимости от угла падения 6 для угла=10 . Симметричная Форма минимума на кривой позволяет определять Ы с высокой точностью. При погрешности определения 9 зЗ погрешность определения с получается попреломления кристалла для необыкновенного луча).Таким образом, если при вращении относительно нормали к его поверхности кристалл, помещенный...

Номер патента: 1226198

Опубликовано: 23.04.1986

Авторы: Аникин, Пеньковский, Петрановский

МПК: G01N 21/43

Метки: внутреннего, нарушенного, отражения, полного, рефрактометр

...как азимута поляризации ( , так и разности фаз 3 между Р- и 8-составляющими на величину, например, 0,01 от максимальной величины, Этим достигается периодическое с частотой а наложение вынужденных колебаний на поляризационные параметрыи б , которые изменяются при изменении угла падения К . фотоприемник .18 воспринимает свет,изменяющийся по закону Т, сы1-Сов 2 у Соя 8 + А4где 1 - интенсивность падающего наополяризационный фильтр 14света;коэффициент прохождения света через оптическую схему;А - амплитуда модуляции,Если угол падения света Х меньше2 1псевдокритическо го сс, = агс Яп я, + Ж,где и и ж - относительно показателипреломления и поглощения,то в резуль ртате эффекта преобладания двойногоотносительного изменения азимута...

Номер патента: 1226199

Опубликовано: 23.04.1986

Авторы: Каск, Лексина, Радченко, Скакун, Федоров, Чопорняк

МПК: G01N 21/45

Метки: зависимости, коэффициента, объеме, показателя, постоянном, преломления, среды, температурной

...температуры расплавленной среды на границе твердого и расплавленного состояний внутриобъемной локальной расплавленной зоны; и - коэффициенты теплового ЗЗ тв пл объемного расширения для твердого и расплавленного состояний сред соответственно; К и К модули всестороннего сжа О тв плтия среды образца в твердом и расплавленном состояниях еоответственно, решается соответствующая термоупругость. При этом учтены следующие факторы: геометрия напряженного состояния нагреваемой изотропной среды, создаваемая цилиндрической симметрией, фокусирующей лазерный пучок сферической линзы; термоупругие процес О сы перехода диэлектрической среды из твердого состояния к вязкоупругому и жидкому и связанная с ними релаксация упругих напряжений в приосной и...

Номер патента: 1226200

Опубликовано: 23.04.1986

Авторы: Волобуева, Гребенкин, Шляхтенко

МПК: G01N 21/47

Метки: используемых, нанесении, однородных, покрытий, поле, проводимости, частиц, электрическом

...Число частиц и в междуэлектродном пространстве тем 55 больше, чем меньше времени они проводят на электродах, т.е. обратно пропорционально времени зарядки, а 00следовательно, пропорционально проводимости частиц О , т.е, п 0 При ЕЕ (минимальная напряженность,опри которой частицы отрываются от нижнего электрода, напряженность отлета) время зарядки частиц на электродах ь -ф со, а следовательно, и количество частиц в междуэлектродном пространстве п-еО. Это резко увеличивает время на измерение и затрудняет само измерение, При Е-ф Ер (напряженность, при которой осуществляется промышленное нанесение покрытий) время зарядки частиц на электродах ,-эь, а следовательноп-п, где и, - число частиц вмаксиспользуемой навеске частиц (например,...

Номер патента: 1226201

Опубликовано: 23.04.1986

Авторы: Казаков, Кузнецов, Лисицын, Путилин

МПК: G01N 21/55

Метки: прочности, соединения

...величина зазора междуконтактирующими поверхностями, с учетом наклонного падения луча,где К - угол падения луча; 9 - длина волны излучения. Ба фиг.изображена блок-схемаустройства, реализующего способ;на фиг, 2 - экспериментальная зависимость, связывающая величинь расро стояниямежду поверхностями вконтакте и прочности р контактногосоединения,Устройство содержит источникмонохроматического когерентного излучения, предметный столик 2, дающийвозможность сканирования зоны контакта, направляющие зеркала 3 и 4,приемник 5 светового излучения, диафрагму б с объективом, нейтральныйЗо светофильтр , измерительный прибор 8.Способ Осуществляется следующимобразом.Световой поток от источникаиз 55 лучения направляется с помощью зеркала 3 на испытуемый...

Номер патента: 1226202

Опубликовано: 23.04.1986

Авторы: Долгорев, Онорина, Федорова

МПК: G01N 21/59

Метки: ванадия, фотометрического

...0,05-0,1 г фтористого натрия, при рН раствора в интервале 2,0-3,8.В оптимальных условиях образования комплексного соединения ванадия 25 с ИНГДФ окраска комплексного соединения развивается мгновенно и устойчива более 2 ч, прямолинейная зависимость оптической плотности от концентрации ванадия сохраняется в интервале 0,1-5,0 мкг/мл,П р и м е р . Проводят определение ванадия в сплавах состава, 7: хром 1,75; никель 3,2; вольфрам 1,0; молибден 0,2; марганец 1,0.Навеску сплава (0,2-1,0 г) помещают в стакан вместимостью 300 см,. прибавляют 5 мл Н РО(пл. 1,70 г/см ) и 10 мл Н ЯО (1:4) и растворяют при умеренном нагревании. После полного растворения навески прибавляютН 110 (пл. 1,40 г/см ) до прекращениявспенивания и в избыток 3-5...

Номер патента: 1226203

Опубликовано: 23.04.1986

Авторы: Авотиньш, Дзелме, Лещинский, Тиликс, Эртс

МПК: G01N 21/64

Метки: варианты, воде, его, примесей

...с данными градуировочных графиков определяют ее концентрацию, Для смесей меди и кадмия строят отдельные градуировочные графики для разных соотношений компонентов. Затем берут пробу с неизвестным составом примесей. Все измерения проводят в тех же условиях, что и при построении градуировочных кривых и50 рабочих зависимостей (фиг.1 - 3). По сравнению с рабочей зависимостью (фиг.1) определяют тип (химическую природу), а по градуировочным графикам (фиг.2 и 3) - концентрацию55 примесей. П р и м е р 2. Изготовление дисков монокристаллов хлорида натрия проводят аналогично примеру 1, Облучение проводят на той же установкеРХМ20, но все диски облучают одинаковой дозой 10 Гр, Для стандартиэапий условий измерения в исследуемых пробах воды...

Номер патента: 1226204

Опубликовано: 23.04.1986

Авторы: Спиридонова, Таран, Твердохлебова

МПК: G01N 21/64

Метки: количественной, металлов, оценки, славов, термической, устойчивости, фаз

...О сбыс :риваниЯ ггожь Г НаББ аз,.е ОИ Одом .у ще - Тв Ов анИЯ ":азь при локальном поздеОт зии источ .-:их а:Гнев ги 11,.ГГрЪ ЕТ. г, "НЕ рГИГО1 Г 1(." г)Я;)10 СЩ=СТ:= Се 2"3 ":-1В "СГ,:.ИХ ЗрЕК -., ргЧЕСКО О разряда И ло,ЕТ 1 гМЕ" Ь С - ,;, гИ Т ЛЬГтсгр,;,Э Я ИЧ,зе.:ну харак - .еристи;су . ОГрт=.е Ой ус РИВ г" С Г 1 фа -ГРаСЛар ТЗЕРДОИ фаЗЫ ОС; Ц 10".ВРЯКг опа 1г Е 11 с 1 т у - 1Зг, НО " О (гг грРан,: г. "-; той рГ.2 г,. , э ."-ГГ - Э",:1, ОЧ "Кой В З-Г,; -НГО .ЯР= г 1 ЦХ РГИН.:.". р:, ГРЕВЕЛГЮТ У НОСГГТСР 1 Ь. О2 НИЯ ЩсЗ:- С1 .ГЦЕГ.ТВ Г ЗРОВ Гра г,"-. бт:,иГе;, о г ге Г - ,ач. - ;-Г-.Г 3 1 ОИ, 2 ВГ;,"СТ В"1 ГГЕГ:-РУр ГГи - ; НТО 3Е ".10.1 ЕННЬГЕ ИЗ . ЗВ.1 г И.ре1226204 Продолжение таблицыО)акал/йоль РеВБ 1 110 8,86 51,36 75,76 17,81...

Номер патента: 1226205

Опубликовано: 23.04.1986

Авторы: Банькин, Исламов, Охитин, Судаков

МПК: G01N 21/72

Метки: газовой, детектор, пламенно-фотометрический, хроматографии

...пламенно-фотометрического детектора, 10Устройство содержит корпус с камерой 1 детектора, горелку 2, отражатель 3 излучения, линзу-световод 4,светофильтр 5, фотоэлектронный умножитель (ФЭУ) 6, трубопроводы 7-9 для 15подвода пробы и газа-носителя, водорода или СО, кислорода соответственно, патрубок 10 для наддува, и отверстие 11, В нижней части детектора в основании корпуса помещен погло Отитель 12. К ФЭУ 6 подсоединен блок13 питания, выход его подсоединенчерез усилитель 14 к регистратору 15и интегратору 16.Горелка в устройстве выполнена 25перевернутой для обеспечения истекания пламени иэ горелки по направлению силы тяжести, что вызывает изменение геометрии пламени и уменьшает дифференциацию пламени по температурным зонам, повышая...

Номер патента: 1226206

Опубликовано: 23.04.1986

Авторы: Барсуков, Гребенников, Емельянов

МПК: G01N 21/74

Метки: атомизации, проб, твердых

...такие условия, когда пары вещества занимают не менее907 объема камеры (объемная доляиспаренного вещества в этом случаеравна 0,9) получим критическийразмер камеры: Ъ 1,1 Ч,Поскольку масса разрушенного материала линейно зависит от энергиипадающего излучения лазераМ=В 11, кг, (2)где В - коэффициент, зависящий оттеплофизических свойств материала,обычно равен 2 10 кг/Дж; М - энергия, Дж, и учитывая, что доля паровой фазы при разрушении материаловлазерным излучением умеренной плотности по результатам различных работсоставляет от десятых долей до 20307. от объема разрушенного материала,получим, принимая в среднем этот показатель за 27., что масса испаренного вещества определяется выражениемт 4,0 10 Ъ 7, кг, (3)Используя соотношениеи учитывая,...

Номер патента: 1226207

Опубликовано: 23.04.1986

Авторы: Валуев, Ефанов, Лютцау, Парамонов, Сарпов, Хакимьянов

МПК: G01N 23/08

Метки: дефектоскопии, рентгеновской

...напряжения на источнике рентгеновского излучения из условияЙ=сопз, где д - толщина изделия (путь прохождения излучения в бездефектном изделии по направлению на детектор); 1 Ц линейный коэффициент поглощения излучения, зависящий от эффективной энергии излучения, определяемой высоким напряжением на источнике рентгеновского излучения. Далее задают закон изменения анодного тока источника рентгеновского излучения из условия 1 Б сотай, гдеБ - высокое напряжение;- анодный ток. Просвечивание изделия производят сканируюшим пучком рентгеновского излучения при соблюдении указанных законов изменения высокого напряжения и анодного тока источника рентгеновс кого излучения. В результате этого при беэдефектном издепии сигнал детектора,...

Номер патента: 1226208

Опубликовано: 23.04.1986

Авторы: Андриевская, Киселев, Клещинский, Лунев, Розенберг

МПК: G01N 23/20

Метки: анионов, кристаллах, положения, рутила, структурой, типа

...титана. Интенсивности рефлексов измеряются на дифрактометре 2 О ДРОК,0 в СцК -излучении. Полученные результаты сведены в таблицу. Изобретение относится к методам расшифровки структуры кристаллов.Целью изобретения является повышение экспрессности и точности определения положения анионов в кристаллах со структурой типа рутила,имеет вид: Материал Интенсивность (имп) 1 ло 1 ссс 1 ясо сп 5546 17813 0,3113 0,295 0,3819 0,300 ТО 7874 20615 Погрешность в определении координаты составляет 0,57. Использование предлагаемого способа сокращает время эксперимента 35 и позволяет уменьшить погрешность определения координаты. Формула изобретения4 О Способ определения положения анионов в кристаллах со структуройСоставитель Т. ВладимироваРедактор...

Номер патента: 1226209

Опубликовано: 23.04.1986

Авторы: Афанасьев, Имамов, Пашаев, Половинкина

МПК: G01N 23/20

Метки: выявления, дефектов, кристаллов, рентгенографический, структуры

...1). Падающий пучок от острофокусного источника коллимируется горизонтальной Я и вертикальной Я-гщелями. Вследствие конечного размера вертикальной щели 5, и малогоугла падения 9 на кристалле засвечивается полоска дВ , длина которойопрецеляется размером щели Е. ивеличиной угла падения , , а ширина полоски АВ определяется размеромгоризонтальной щели Е , Дифрагиро 1 О ванный пучок выходит с ВходнОЙ поверхности кристалла и фиксируетсяна фотопленке в виде штриха АВ( фиг. 2), Таким образом, по предлагаемому способу рентгеновской типографии реализуется брэгговская дифракция от лауэвских плоскостей,отклоненных на малый угол от нормалик поверхности кристалла.При дифракционном отражении рентщ геновских лучей в стандартной брэгговской дифракции...

Номер патента: 1226210

Опубликовано: 23.04.1986

Авторы: Денисов, Зельцер, Ковальчук, Сеничкина, Шилин

МПК: G01N 23/20

Метки: исследования, монокристаллических, слоев, совершенства, структуры

...О перемещения крчсталла в более узком интервале углов. Управление гониометром 29 осуществляется с помощью устройства 26 ввода перемещений за пределами вакуумного объема камеры 27 55 без нарушения вакуумных условий в последней. Средства откачки (не обозначены) рассчитаны на поддержание давления в камере 27 не хуже 10 мм рт.ст.Загрузочно-шлюзовое устройство 3 содержит шлюзовую камеру 40, загрузочно-передающий манипулятор 41, устройство 42 перемещения указанного манипулятора, высоковакуумный затвор 43.Устройство работает следующим образом.Сформированный устройством 1 рент. геновский пучок попадает в измерительное устройство 2 на кристалл- анализатор 28, который при очень точном контроле за углом поворачивается, проходя через положение,...