Авдеев

Номер патента: 1489323

Опубликовано: 10.08.2005

Авторы: Авдеев, Матвеев

МПК: G01C 19/44

Метки: гировертикали, коррекции

Устройство коррекции гировертикали, содержащее трехстепенный корректируемый гироскоп, связанный с его ротором посредством редуктора вогнутый диск с направляющей в виде кольцевой поверхности, ограниченной с внешней стороны боковыми стенками с радиально направленными перегородками, закрепленными на внутренней стороне кольцевой поверхности, и подвижный шарик, расположенный на вогнутом диске, отличающееся тем, что, с целью повышения эффективности коррекции путем создания корректирующего момента постоянного действия без пульсаций, введены дополнительные шарики, расположенные на вогнутом диске, при этом конец каждой перегородки со стороны противоположной месту ее закрепления выполнен выгнутым...

Номер патента: 1485748

Опубликовано: 10.08.2005

Автор: Авдеев

МПК: G01C 19/44

Метки: авиагоризонт

Авиагоризонт, содержащий размещенный в корпусе трехстепенный корректируемый гироскоп в кардановом подвесе, устройство индикации, состоящее из силуэта-самолета, шкалы крена и шкалы тангажа, и два соосных валика, один из которых выполнен в виде двух частей, соединенных муфтой с шарикоподшипником, причем наружная рама карданова подвеса посредством зубчатой передачи и валика связана с силуэтом-самолетом, а внутренняя рама связана со шкалой тангажа при помощи двух кинематических передач, одной - по оси шкалы тангажа и другой - по оси внутренней рамы, отличающийся тем, что, с целью повышения точности авиагоризонта, каждая кинематическая передача выполнена в виде соосно установленных первого и...

Номер патента: 1531757

Опубликовано: 20.09.2001

Авторы: Авдеев, Верин, Гаськов, Генералов, Гласко, Губарь, Зимаков, Зыканова, Коршунов, Петровнин, Сарайкин, Соколов, Соловьев, Старикова, Тимашева, Шестериков, Щербина

МПК: H01L 21/268

Метки: кремниевых, легирования, пластин

Способ легирования кремниевых пластин, включающий имплантацию в них ионов бора с энергией 30 - 60 кэВ и электрическую активацию бора последующим нагревом облучением импульсами света, отличающийся тем, что, с целью повышения производительности за счет получения поверхностной концентрации свободных носителей заряда, превышающей дозу имплантации, при одновременном снижении энергозатрат, нагрев осуществляют на воздухе импульсами света длительностью 2,5 10-3 - 10 с, при этом число импульсов и их энергетические параметры выбирают из условия обеспечения температуры T имплантированного слоя 900oC

Номер патента: 1531756

Опубликовано: 20.09.2001

Авторы: Авдеев, Верин, Гаськов, Генералов, Гласко, Губарь, Зимаков, Зыканова, Коршунов, Петровнин, Сарайкин, Соколов, Соловьев, Старикова, Тимашева, Шестериков, Щербина

МПК: H01L 21/268

Метки: кремниевых, легирования, пластин

Способ легирования кремниевых пластин, включающий имплантацию в них ионов бора с энергиями 30 - 60 кэВ и дозами, меньшими 4 1016 см-2, и электрическую активацию бора последующим нагревом облучением импульсами света, отличающийся тем, что, с целью повышения производительности за счет получения поверхностной концентрации свободных носителей заряда, превышающей дозу имплантации, нагрев осуществляют на воздухе импульсами света длительностью 25 10-3 - 10 с, при этом число импульсов и их энергетические параметры выбирают из условия...

Номер патента: 1507129

Опубликовано: 20.09.2001

Авторы: Авдеев, Верин, Гаськов, Генералов, Зимаков, Зыканова, Коршунов, Лисина, Петровнин, Сарайкин, Соколов, Соловьев, Старикова, Тимашева, Щербина

МПК: H01L 21/268

Метки: кремния, легирования, пластин

Способ легирования пластин кремния для изготовления диодов, включающий имплантацию в них ионов бора и электрическую активацию бора последующим нагревом импульсами света, отличающийся тем, что, с целью повышения производительности труда путем получения поверхностной концентрации свободных носителей заряда выше дозы имплантации и одновременного повышения быстродействия диодов путем снижения времени жизни неосновных носителей заряда, имплантацию проводят при энергиях ионов бора от 30 до 60 кэВ со средней плотностью ионного тока, меньшей 3 мкА/см2, а нагрев ведут от появления следов расплава на пластине до пробега волны плавления по ее поверхности.

Номер патента: 1149678

Опубликовано: 10.04.2000

Авторы: Авдеев, Горинов, Казаков, Кимский, Смирнов

МПК: E21C 37/00, E21C 41/16

Метки: горных, отбойки, пород

Способ отбойки горных пород, включающий бурение пучков скважин, их заряжание и взрывание, отличающийся тем, что, с целью снижения стоимости работ за счет сокращения потерь скважин при бурении, скважины в пучке бурят под углом к продольной оси пучка и располагают их по образующим конусов, при этом величина угла удовлетворяет следующему выражению:где - величина угла;Rо - радиус разрушения от взрыва единичной скважины пучка, м;rпмин - радиус пучка скважин на горизонте бурения, м;lскв - длина пучка...

Номер патента: 1207004

Опубликовано: 27.03.2000

Авторы: Авдеев, Амусьев, Реброва, Уткин

МПК: A61K 39/00

Метки: кесарева, операции, после, прогнозирования, сечения, эндомиометрита

1. Способ прогнозирования эндомиометрита после операции кесарева сечения путем исследования сыворотки крови беременной женщины, отличающийся тем, что, с целью повышения точности способа, в исследуемой сыворотке перед операцией определяют наличие специфических антител к стафилококку и при титре антител выше 1:40 прогнозируют эндомиометрит.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что стафилококк выделяют перед операцией из родового пути беременной.

Номер патента: 833007

Опубликовано: 27.09.1999

Авторы: Авдеев, Матвеев, Никифоров, Потапов, Репко, Романов, Цыплаков

МПК: C25C 3/08

Метки: алюминиевый, электролизер

Алюминиевый электролизер, содержащий анодный кожух с закрепленным на его боковых стенках поясом жесткости и боковую футеровку с верхней гранью, расположенной горизонтально, отличающийся тем, что, с целью улучшения герметизации газосборника и снижения расхода электроэнергии и фторсолей, пояс жесткости закреплен на боковых стенках кожуха под углом 0,2 - 2 градуса к верхней грани боковой футеровки с подъемом от углов к середине стенок.

Номер патента: 902507

Опубликовано: 27.09.1999

Авторы: Авдеев, Беляев, Матвеев, Репко, Романов

МПК: C25C 3/12

Метки: алюминиевого, анодное, электролизера

Анодное устройство алюминиевого электролизера, включающее анод и газосборник, размещенный по периметру анода с продольными и торцевыми сторонами, отличающийся тем, что, с целью улучшения герметизации газосборника и снижения расхода электроэнергии и фторсолей, газосборник выполнен ступенчатым с вертикальным уступом между продольными и торцевыми сторонами, причем торцевая часть газосборника размещена ниже продольной.

Номер патента: 818207

Опубликовано: 27.09.1999

Авторы: Авдеев, Беляев, Герасимов, Дружинский, Никифоров, Плашевский, Репко, Романов

МПК: C25C 3/08

Метки: алюминиевого, катодный, кожух, электролизера

Катодный кожух алюминиевого электролизера, включающий днище с торцевыми и продольными стенками, отличающийся тем, что, с целью увеличения срока службы и снижения затрат на капитальный ремонт, стенки кожуха разделены на нижнюю и верхнюю части, соединенные между собой подвижно, при соотношении нижней и верхней частей от 1 : 5 до 2 : 5, причем верхние части с торцевых и продольных стенок между собой соединены разъемно и подвижно, а нижние части между собой и днищем - разъемно или жестко.

Номер патента: 1005439

Опубликовано: 10.08.1999

Авторы: Авдеев, Большакова, Курятников, Мазанько, Морозова, Пылаева, Рябов

МПК: C08J 5/22

Метки: ионообменной, композиция, мембраны

Композиция для изготовления ионообменной мембраны, включающая ионообменный сополимер тетрафторэтилена и сульфированного перфторвинилового эфира, политетрафторэтилен и поверхностно-активное вещество, отличающаяся тем, что, с целью увеличения выхода по току и улучшения механических свойств мембран на ее основе, в качестве поверхностно-активного вещества она содержит аммонийперфторгептаноат при следующем соотношении компонентов, мас.%:Ионообменный сополимер тетрафторэтилена и сульфированного перфторвинилового эфира - 40 - 98,9Политетрафторэтилен - 1,0 - 50,0Аммонийперфторгептаноат - 0,1 - 10,0

Номер патента: 1413999

Опубликовано: 10.07.1999

Авторы: Авдеев, Альтман, Банников, Голубев, Гусев-Донской, Рябов, Хейфец, Чернявский

МПК: C25B 11/02

Метки: анод, электролизера

Анод электролизера, включающий титановую основу и активное покрытие, отличающийся тем, что, с целью снижения расхода электроэнергии и упрощения замены активного покрытия, анод снабжен титановой фольгой в виде перфорированного листа волнообразной формы, отверстия которого размещены во впадинах волн и края гребней волн, окружающих отверстия, выполнены зубчатыми, фольга присоединена к титановой основе и на ней размещено активное покрытие.

Номер патента: 1624982

Опубликовано: 10.07.1999

Авторы: Авдеев, Большакова, Мазанько, Мулин, Скрипка

МПК: C08J 5/22

Метки: катионообменной, мембраны, ремонта

Способ ремонта катионообменной мембраны из перфторированного сополимера с карбоксильными группами путем шкурения, обезжиривания и совмещения ее с пленкой из того же материала и термообработки под давлением, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества ремонта, мембрану предварительно обрабатывают водным раствором хлорида щелочного металла с концентрацией 150 - 310 г/л, а пленку - этиловым спиртом, или его водным раствором, или его смесью с этиленгликолем, или глицерином и термообработку осуществляют при 110 - 210oС и давлении 0,2 - 1,0 МПа.

Номер патента: 1003529

Опубликовано: 10.07.1999

Авторы: Авдеев, Бельферман, Большакова, Кубасов, Курятников, Мазанько, Пылаева, Рябов

МПК: C08J 5/22

Метки: ионообменной, композиция, мембраны

1. Композиция для изготовления ионообменной мембраны, включающая фторсодержащий ионообменный полимер и политетрафторэтилен, отличающаяся тем, что, с целью увеличения выхода по току и механических свойств мембраны на ее основе, в качестве фторсодержащего ионообменного полимера она содержит сополимер тетрафторэтилена и сульфированного перфторвинилового эфира и дополнительно содержит поверхностно-активное вещество общей формулыгде X1 и X2 - H, F, Cl;Y - щелочной металл; Н, NH4;q = 0,1,2,при следующем соотношении компонентов, вес.%:Ионообменный полимер - 44 -...

Номер патента: 1045604

Опубликовано: 10.07.1999

Авторы: Авдеев, Большакова, Курятников, Мазанько, Пылаева, Рябов

МПК: C08J 5/22, C25B 13/08

Метки: ионообменной, мембраны, состав

Состав для изготовления ионообменной мембраны для хлорщелочного электролизера, содержащий сополимер тетрафторэтилена и сульфированного перфторвинилового эфира, политетрафторэтилен и поверхностно-активное вещество, отличающийся тем, что, с целью улучшения электрохимических и механических свойств мембраны, в качестве поверхностно-активного вещества он содержит вещество, выбранное из группы фторированных алкил- или алкиларилсульфонатов общей формулы R'Rm''SO3Yгде R'-CnX2n + 1n = 5 - 8,x = H, F, ClRm'' - C6H4m = 0,1y - Na, K, H, NH4при следующем соотношении...

Номер патента: 1321122

Опубликовано: 10.07.1999

Авторы: Авдеев, Альтман, Большакова, Дятленко, Мазанько, Рябов, Янов

МПК: C25B 15/00

Метки: диафрагменного, преобразования, электролизера

Способ преобразования диафрагменного электролизера для получения хлора и щелочи, содержащего катод с нанесенной диафрагмой, в мембранный путем нанесения ионообменного полимера на диафрагму с последующей термообработкой при температуре размягчения полимера, вакуумированием и гидролизом, отличающийся тем, что, с целью улучшения условий труда при преобразовании электролизера с одновременным увеличением выхода по току и повышением чистоты щелочи при его работе, ионообменный полимер наносят в виде пленки и вакуумирование проводят одновременно с термообработкой.

Номер патента: 1198935

Опубликовано: 10.07.1999

Авторы: Авдеев, Большакова, Мазанько, Рябов

МПК: C08J 5/22

Метки: ионообменной, мембраны

Способ получения ионообменной мембраны из сополимера тетрафторэтилена наложением пленок друг на друга, термической обработкой под давлением и охлаждением, отличающийся тем, что, с целью повышения прочности и селективности мембраны, соединяемые поверхности пленок перед наложением подвергают шерохованию, обезжириванию, затем пленки обрабатывают в 1 - 95%-ном водном растворе органического растворителя 0,25 - 4 ч, а термообработку проводят при 170 - 300oС под давлением 8 - 87 кг/см2 2 - 10 мин с последующим охлаждением при том же давлении.

Номер патента: 1374920

Опубликовано: 10.07.1999

Авторы: Авдеев, Большакова, Отрошко, Рябов

МПК: G01N 19/08

Метки: ионообменных, мембранах, обнаружения, отверстий

Способ обнаружения отверстий в ионообменных мембранах путем контактирования поверхности мембраны с контрольной жидкостью, отличающийся тем, что, с целью упрощения контроля качества мембран и повышения его эффективности, в качестве контрольной жидкости используют водный раствор спирта формулы R(OH)n, где R - углеводородный остаток состава C1-C4, n - 1 - 3, содержащий 0,5 - 2,0 мас.% поверхностно-активного вещества, а поверхность мембраны подвергают контакту с поверхностью эластичного пенополимера, пропитанного контрольной жидкостью, с последующим сжатием пенополимера с мембраной и контролем пузырьков контрольной жидкости на внешней поверхности мембраны.

Номер патента: 1078906

Опубликовано: 10.07.1999

Авторы: Авдеев, Андреева, Большакова, Дрейман, Мазанько, Рябов

МПК: C08J 5/22, C08L 27/18, C25B 13/08 ...

Метки: ионообменной, композиция, мембраны

1. Композиция для изготовления ионообменной мембраны, включающая сополимер сульфированного перфторвинилового эфира и тетрафторэтилена и политетрафторэтилен, отличающаяся тем, что, с целью увеличения выхода по току при использовании мембраны в качестве диафрагмы при электролизе хлорида щелочного металла и увеличения механической прочности мембраны, композиция содержит дополнительно фторкаучук общей формулыгде X - Cl, CF3, OCF3, x : y = 1:4 - 4:1, мол. масса 200000 - 1000000, при следующем соотношении компонентов, мас.ч.:Указанный сополимер - 60 - 98Политетрафторэтилен - 1 - 20

Номер патента: 1835972

Опубликовано: 27.06.1999

Авторы: Авдеев, Мазуров, Суков

МПК: H01Q 7/00

Метки: антенны, настройки

Устройство для настройки антенны, содержащее конденсатор, связанный со штырем антенны, и питающий фидер, отличающееся тем, что, с целью уменьшения времени настройки антенны, одна из обкладок конденсатора выполнена в виде электрически связанной с питающим фидером токопроводящей втулки, подвижно установленной на осесимметричном диэлектрическом переходнике, который вмонтирован в штырь антенны и жестко с ним соединен, а другой обкладкой конденсатора является штырь антенны, при этом внутренний диаметр токопроводящей втулки больше диаметра штыря антенны.

Номер патента: 967169

Опубликовано: 10.10.1998

Авторы: Авдеев, Гольцев, Зеленин, Ильин, Лидоренко, Никитина, Урусов

МПК: G01J 1/50, G01N 27/413

Метки: жидких, измеритель, ионов, концентрации, оптоэлектронный, средах

Оптоэлектронный измеритель концентрации ионов в жидких средах, содержащий U-образный световод с измерительной частью, на которой отсутствует защитная оболочка, фотоприемник, источник излучения, отличающийся тем, что, с целью повышения точности измерения, на измерительную часть световода нанесен слой, содержащий цветовой индикатор анализируемых ионов, причем наружная поверхность указанного слоя покрыта слоем вещества, проницаемого для анализируемых ионов и непроницаемого для индикаторного вещества.

Номер патента: 1759029

Опубликовано: 27.09.1996

Авторы: Авдеев, Афонин, Белявцев, Ольгинский, Прохоренко, Цайнович, Ющенко

МПК: C22B 7/04, C22B 9/18

Метки: металлов, оксидов, электрошлакового

Способ электрошлакового получения металлов из их оксидов, включающий за грузну шихты в печь, нагрев ее электрическим током, подаваемым опущенными в расплав электродами, подачу восстановителя, восстановление, удаление готового продукта, отличающийся тем, что, с целью повышения эффективности процесса за счет уменьшения энергозатрат при доизвлечении металлов из сталеплавильных шлаков, в качестве шихты используют смесь из сталеплавильного шлака, "корольков" отмагниченного металла и извести при следующем соотношении компонентов, мас.Сталеплавильный шлак 60 90"Корольки" отмагниченного металла 5 30Известь 5 10

Номер патента: 1800739

Опубликовано: 20.04.1996

Авторы: Авдеев, Артемьев, Байдов, Бастриков, Коршунов, Самсонов, Ярославцев

МПК: B22D 11/14

Метки: заготовок, литья, непрерывного

...на кристаллизаторе 1.Далее операции по удалению жидкого металла 34 из заготовки 14, по перемеще1800739 ванной камеры 6 может быть использован в качестве задающего механизма в устройство, обеспечивающее деформационную обработку отливаемой заготовки, Например, в 5 устройство, которое плоскую полую заготовку превращает в сплошную полосу, пригодную для производства тонкой листовой металлопродукцииСогласно изобретению возможна от ливка заготовок с высоким качеством поверхности и при наличии меньшего числа стыков между периодически вытягиваемыми из кристаллиэатора участками заготовки, что увеличивает выход годного на 2-3.15 Если заготовка после отливки на машине не поступает на совмещенную прокладку, а делится на мерные части, то в...

Номер патента: 1542332

Опубликовано: 20.02.1996

Авторы: Авдеев, Колмакова, Матвеев, Мкртчан

МПК: H01L 21/306

Метки: арсенида, галлия, поверхности, полупроводниковых, структур

СПОСОБ ОБРАБОТКИ ПОВЕРХНОСТИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУР АРСЕНИДА ГАЛЛИЯ, включающий обработку в травителе на основе перекиси водорода и удаление кислородсодержащих примесей с поверхности химической обработкой, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества полупроводниковых структур арсенида галлия за счет снижения уровня загрязнения поверхности углеродом и сохранения геометрических размеров структур, в качестве травителя на основе перекиси водорода используют концентрированный водный раствор перекиси водорода и обработку в нем проводят в течение 5 - 10 мин, затем промывают структуры деионизованной водой в течение 10 - 15 мин, а кислородсодержащие примеси удаляют химической обработкой в концентрированном водном растворе аммиака в...

Номер патента: 1835215

Опубликовано: 20.02.1996

Авторы: Авдеев, Башкиров

МПК: G05B 11/36

Метки: пропорционально-интегрально-дифференциальный, регулятор

ПРОПОРЦИОНАЛЬНО-ИНТЕГРАЛЬНО-ДИФФЕРЕНЦИАЛЬНЫЙ РЕГУЛЯТОР, содержащий блоки пропорционального, интегрального и дифференциального преобразования, входы которых являются входами регулятора, выходы соединены с входами первого сумматора, отличающийся тем, что, с целью расширения области применения регулятора за счет возможности регулирования объектов с запаздыванием и при наличии запаздывания в цепи обратной связи, в него введены два инвертора, блок интегрирования, блок задержки, второй сумматор, первый вход которого соединен с выходом первого сумматора, выход является выходом регулятора и через последовательно соединенные первый инвертор и блок интегрирования соединен с вторым входом второго сумматора, выход второго блока интегрирования через...

Номер патента: 1831121

Опубликовано: 20.02.1996

Авторы: Авдеев, Панченко, Писарев, Скрипаль, Тупикин, Усанов

МПК: G01R 27/26

Метки: пленки, толщины

...измерения толщины пленки содержит источник 1 питания, СВЧ- генератор, включающий активный элемент 2, размещенный в волноводе 5, отрезок коаксиальной линии 4, открытый конец 5 кото рой является излучателем, магнитный сердечник б, слой диэлектрика 7, катушка индуктивности 8, металлический экран 9, коммутирующий элемент 10, индикатор 11, высокочастотный (ВЧ) генератор 12.Устройство для измерения толщины пленки работает следующим образом;Начальный уровень сигнала с активного элемента 2 СВЧ-генератора подается через коммутирующий элемент 10 на вход индикатора 11 и при помощи компенсирующего резистора 13 на шкале индикатора 11 устанавливается нулевое положение. При проФормула изобретения 1. УСТРОЙСТВО ДЛЯ ИЗМЕРЕНИЯ ТОЛЩИНЫ ПЛЕНКИ,...

Номер патента: 1373232

Опубликовано: 10.01.1996

Авторы: Авдеев, Колмакова, Матвеев, Пащенко

МПК: H01L 21/20

Метки: индия, локальных, структур, фосфида, эпитаксиальных

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ЛОКАЛЬНЫХ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СТРУКТУР ФОСФИДА ИНДИЯ, включающий создание защитной маски, формирование углублений в подложке, удаление защитной маски и эпитаксиальное заращивание углублений в подложке, отличающийся тем, что, с целью улучщения качества локальных эпитаксиальных структур за счет устранения высокоомного слоя в переходной области подложка - эпитаксиальный слой, перед эпитаксиальным заращиванием углублений подложку обрабатывают в плавиковой кислоте при 80 - 106oС в течение 5 - 15 мин.

Номер патента: 1335056

Опубликовано: 27.12.1995

Авторы: Авдеев, Зотов, Колмакова, Матвеев

МПК: H01L 21/28

Метки: барьером, индия, полупроводниковых, приборов, фосфиде, шоттки

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ С БАРЬЕРОМ ШОТТКИ НА ФОСФИДЕ ИНДИЯ, включающий химическую обработку поверхности пластин фосфида индия, включающий химическую обработку поверхности пластин фосфида индия, включающий химическую обработку поверхности пластин фосфида индия, включающий химическую обработку поверхности пластин фосфида индия, напыление в вакууме неактивного металла и формирование контактов, отличающийся тем, что, с целью увеличения пробивных напряжений за счет увеличения высоты барьера Шоттки, химическую обработку пластин фосфида индия осуществляют в плавиковой кислоте при температуре от 80 до 106oС в течение не менее 5 мин, а испытание неактивного металла производят через время, не превышающее 60 мин на...

Номер патента: 1316488

Опубликовано: 27.12.1995

Авторы: Авдеев, Гантман, Колмакова, Матвеев, Пащенко

МПК: H01L 21/26

Метки: локальных, структур, эпитаксиальных

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ЛОКАЛЬНЫХ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СТРУКТУР в хлоридном газотранспортном процессе, включающий заращивание углублений в подложке от боковых граней при подаче входного давления треххлористого мышьяка, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества локальных эпитаксиальных структур GaAs за счет уменьшения толщины переходного слоя, перед заращиванием углублений подложки облучают протонами дозой 6 12 мКл/см2 и проводят заращивание при входном давлении треххлористого мышьяка 20 66 Па.

Номер патента: 1826711

Опубликовано: 20.07.1995

Авторы: Авдеев, Евтушенко, Зубков, Киселев, Коровин, Логинов, Мышляев, Носырев, Сарапулов

МПК: G01G 13/24

Метки: дозировании, массы

...заканчивая в 1", оперативное уточнение значений пересчетного коэффициента коЩ где Тд - длительность цикла дозирования, сигнал уд(т), пропорциональный массе материала в процессе набора. Обнуление интегратора 8 осуществляется по сигналу на отключение питэтеля от управляющего блока 24. Для случая непрерывного дозирования с использованием, например, конвейерного весоизмерителя напряжение 0(1) поступают на вход интегратора с отсечкой 8, Нэ выходе интегратора с отсечкой 8 формируется сигнал уд = ) Г ЯИос где То - время отсечки,С помощью тензодатчиков 2 одновременно формируется основной сигнал у(1) о массе дозируемого в грузоподьемный бункер 1 материала, В блоках 10 и 11 на базе соответствующих сигналов уд(т) и у(с) непрерыаио фориируютоя...