Патенты с меткой «запоминающий»

Номер патента: 699565

Опубликовано: 25.11.1979

Авторы: Гаврилов, Милославский

МПК: G11C 11/08, G11C 7/00

Метки: записи, запоминающий, информации, линейка, магнитного, модуляцией, сопротивления, типа, ферритовая, элемент

...им пульсов тока чередующейся полярности.На фиг. 1 изображена временная диаграмма адресного и разрядного токов в режиме записи предложенным способом; на фиг. 2 изображен запоминающий элемент с модуляцией магнитного сопротивления типа ферритовая линейка, прошитый адресной и разрядными шинами.Предложенный способ записи был реализован в запоминающем устройстве объемом 256 чисел. В режиме записи адресный 15 ток в виде последовательности пачек импульсов чередующейся полярности (см. фиг. 1) формировался в адресной шине, прошитой через опросные отверстия ферритовой линейки. Одновременнопо разрядным шинам, прошитым через информационные отверстия ферритовой линейки, подавались разрядные токи той или иной полярности в зависимости от записываемой...

Номер патента: 699566

Опубликовано: 25.11.1979

Автор: Гафаров

МПК: G11C 11/08

Метки: запоминающий, магнитный, элемент

...12 и закорочена на диод 7, Выводы потенциометра 9 зашунтированы диодом 8.МЗЭ работает следуюлим образом.На время действия очередного отрицательного импульса, поступающего с источ- ЗО ника 14, подачей сигнала подготовки на выводы 11 открывается ключевой элемент 10. Тем самым отрицательный импульс без ограничения пропускается в секцию 2 обмотки записи и весь сердечник 1 намагничивается до насыщения по часовой стрелке (происходит установка сердечника 1 в исходное состояние). При этом магнитное поле секции 3 не препятствует такому намагничиванию, так как диод 7 по отношению к токам индукции включен в непроводящем направлении, зрСледующий (положительный) импульс источника 14 благодаря шунтирующему диоду 8 также без ограничения пропускается...

Номер патента: 708417

Опубликовано: 05.01.1980

Авторы: Булгаков, Еремин, Лементуев, Сонин

МПК: G11C 15/04

Метки: ассоциативный, запоминающий, мдп-транзисторах, элемент

...нулю.4 оЗапись информации в триггер осуществля. ется путем одновременной подачи логической единицы на шину 1; и на одну из разрядных пщн, в данном случае 16, Другая разрядная ши. яа 15 при этом имеет нулевой по,енциад, При 45 записи происходит одновременно заряд емкости узловой точки 22 через транзисторы 6 и 10 и разряд емкости точки 21 через транзисторы 5 и 9. Поскольку разряд емкости через МЛП. транзистор происходит значительно бьстрее, 50 чем заряд, транзистор 14 быстро запирается, а транзистор 13 только увеличивает скорость разряда емкости точки 21.При маскироьании слова шина 17 имеет нулевой потенциал, транзисторы 5 и 6 закрыты ы и состояние триггера не изменяется. При маски. ровании разряда эбе разрядныс шины 15 и 16 имеют нул ьой...

Номер патента: 716060

Опубликовано: 15.02.1980

Авторы: Ардалионова, Мурнэк

МПК: G11C 5/02

Метки: блоков, запоминающий, модуль, памяти, постоянной, типа, трансформаторного

...вне сепаратора скобой 7. В нижней части сепврвторв установлена подвижная планка 8, на которую опираются П-образные сердечники. В рабочем положении планка 8 стопорится пружинным замком (на чертежах не показан).716060Технико-экономический аффект состоит о-:в том, что в предложенном модуле упрое щается процесс смены информации, возэд можна быстрая замена П-образных сердечот 5 ников и ярм, что повышает ремонтопригод"ность модуля,3В съемной крышке 3 выполнены гнеда фв", в которых установлены ферритвые ярма 9 и вкладыши 10. Ферритовыярма удержйваюФся от выпадания из гнеребром с" крышки и независимо"другдруга поджимаются к соответствующимП-образным сердечникам пружинами 11,закрепленными на крышке,В подвижной планке 8, показанной нафиг....

Номер патента: 726586

Опубликовано: 05.04.1980

Авторы: Козырь, Корсунский, Петросян

МПК: G11C 11/00

Метки: блоков, запоминающий, модуль, памяти, постоянных

...3 и имеют внешние выводы ЪАдресные шины 10 соединены с катодами диодов адресных элементов связи 7 иимеют внешние выводы Ц Вентильные " элемейтьт" на диорах первой группы 11подключены анодами к выходам (катодам)вентильньтх элементов на диодах 5, а катодами - ко входам (анодам) диодовЖемеитов форсирования исходного состоя"ния 12. Дополнительные шины 13 дляварьирования разрядности соединены скатодами диодов элементов связи эапоми 40нающего модуля 6, предназначеннъте дляварьирования разрядности, и с анодомдиодов вентильных элементов второйгруппы 14, Выходы (катоды). последних45соедийены с анодами диодов элементовфорсирования исходного состояния 15.Выходы (катоды) диодов элементов форсирования исходного состояния 12 и 15подключены ко второму...

Номер патента: 733022

Опубликовано: 05.05.1980

Авторы: Кузовлев, Федонин

МПК: G11C 11/34

Метки: запоминающий, элемент

...3 - кинформационной шине 7,Предлагаемый запоминающий элементработает следующим образом.В режиме хранения информации потенциал шины опорного напряжения 5 поддерживается на уровне(-3 оп,щ. (3 юдр.а. (3 ост.где Ьопщ. - напряжение на опорной шине 5,(3 м+щ. - напряжение на адресной шине 4;13, - суммарное падение напряженияна совмещенной структуре, состоящей изтранзистора 1 р-и-р типа и транзистора 2п - 9 - и типа, когда эта структура включена. 4Потенциал на информационной шине 6поддерживается на уровне(3 инф;1 ш. )(-3 ддр.а, - 213 б.э.,где Бщфз, - напряжение на информационной шине 6;Збэ - прямое падение напряжения нар-и переходе база эмиттер и-р-итранзистора.Потенциал на информационной шине 7поддерживается на уровне(3 инФ.д щ. Ф 3 ддр.а. -...

Номер патента: 739648

Опубликовано: 05.06.1980

Автор: Герм

МПК: G11C 11/14

Метки: запоминающий, модуль

...сечений адресной обмотки.При такой конструкции магнитный поток 20запоминающих элементов верхней группыпленок замыкается с магнитным потокомнижней группы пленок через малые воздушные зазоры с обеих сторон адресной обмотки, а магнитодвижушая сила создается одновременно витками обеих половин адреоной обмотки. При атом длина пути магнитного потока по воздуху существенноменьше длины пути в пленКе, что значительно уменьшает магнитное сопротивление З 0и позволяет уменьшить ампер-витки адреоного тока. Кроме того, замыкание магнитного потока между пленками верхней и нижней групп уменьшает проникновение магнитного потока в зону соседних адресных об- З 5моток и позволяет уменьшить шаг размещения адресных обмоток,Для дальнейшего уменьшения...

Номер патента: 739649

Опубликовано: 05.06.1980

Авторы: Аксенов, Свинина

МПК: G11C 11/14

Метки: запоминающий, магнитный, элемент

...в СС состояние положительной остаточной намагниченности,а при считывании кода ф 1 " переключаетего в это состояние. Наведенный при атомза счет обратимого и необратимого изменений потока в СС ток в витке связи 3возвращает ЗС в исходное состояние.Изобретение целесообразно использоватьв полупостоянных ЗУ в алектрической перезаписи.В прототипе восстановление считаннойинформации может быть осуществено путемрегенерации в три такта: считывание, запись, дозапись. В предлагаемом запоминающем элементе неразрушающее считываниеосуществляетсяв два такта: считывание и .восстановление, что дает возможность существенно повысить быстродействие присчитывании. Содержит СС 1 и ЗС 2,охваченныерезиотивным витком связи З,числовую шинузаписи4,согласно...

Номер патента: 746726

Опубликовано: 05.07.1980

Авторы: Кильметов, Механцев, Сухоруков

МПК: G11C 11/40

Метки: запоминающий, элемент

...элемент состоит из двух инверторов, первый из которых выполнен на МДП-гранзисторах 1,2, второй - на МДП-транзисторах 3,4, элемента с напинейчой характеристикой, например стабилитрона 5, шин 6, 7 питания. Транзисторы в инверторах выбирают таким образом, что отношение произведения суммарной проводимости транзистора 4 и шунтирующего его стабилитрона 5 на проводимость транзистора 1 противополо 26 4жного типа в соседнем инверторе к произведению проводимостей двух другихтранзисторов 2 и 3, меньше единицы принапряжении равном или меньше напряжения хранения, в при напряжении равномили большем напряжения записи это отношение больше единицы,Запоминающий элемент работает следующим образом,В режиме храненияинформации на шине 6...

Номер патента: 746728

Опубликовано: 05.07.1980

Автор: Фет

МПК: G11C 15/00

Метки: блоков, запоминающий, матричных, модуль, памяти

...28, а выход элемента И 15 - со вторым входом элемента ИЛИ 21, выход которого подключен к выходу 29. Первый вход элемента ИЛИ 21 соединен с выходом элемента И 16, входы которого соединены соответственно со входом 25 и через элемент НЕ 11 - с шиной настройки 10. Выход элемента И 14 соединен со вторыми входами элементов ИЛИ 17 и 18. Первый вход элемента ИЛИ 17 соединен с выходом элемента И 12, входы которого подключены соответственно ко входу 22 и к шине запрета 8. Первый вход элемента ИЛИ 18 соединен с входом 23, а выход - с выходом 27. Выход элемента ИЛИ 17 подключен к выходу 26, Первые входы элемента памяти 1 подключены к шине записи 7, вторые - к выходу элемента ИЛИ 21, третьи - к шине запрета 8, а четвертые - соответственно к шине...

Номер патента: 752477

Опубликовано: 30.07.1980

Авторы: Алферов, Гладков, Рыбальченко, Щербинин

МПК: G11C 11/40

Метки: запоминающий, элемент

...14, ограничивающая ка752477 1 нал область 15, базовая область 1 б, эмиттерная область 17 и изолирующий слой диэлектрика 18.Введение резистора 5 обеспечивает положительную обратную связь между эмитте ром биполярного транзистора 1 и затвором полевого транзистора 2 за счет падения напряжения на резисторе при протекании тока через коллектор биполярного транзистора, например при положительном импульсе 10 напряжения на его базе, что вызывает уменьшение потенциала на затворе полевого транзистора и увеличение протекающего через него тока. В результате чего оба транзистора переходят во включенное со стояние.Для переключения элемента в непроводящее состояние необходимо на базу биполярного транзистора 1 подать отрицательный импульс или на...

Номер патента: 752480

Опубликовано: 30.07.1980

Авторы: Кибирев, Коняев, Наймарк

МПК: G11C 15/04

Метки: ассоциативный, запоминающий, моп-транзисторах, элемент

...первого 5 и второго 6 транзисторов элемента "Неравнозначность"соединены с шинами 13 и 14 стокис шиной 15, а истоки - со стоками 15третьего 7 и четвертого 8 транзисторов, истоки которых соединены с шиной 12, а затворы - соответственнос выходами триггера, затворы управляющих транзисторов 9 и 10 соединены щс шиной 16, а стоки - соответственнос выходами триггера. Анод фотодиода11 подключен к стоку транзистора 10,катод - к шине 12. Шина 17 соединенас затвором транзистора 3.Элемент работает следующим образом,Для предустановки триггера на разрядные шины 13 и 14 подаются напряжения, соответствующие парафазномукоду бита, который необходимо эапи- З 0сать в триггер по диэлектрическомуканалу. Затем на шину 16 подаетсяразрешающий сигнал и...

Номер патента: 763960

Опубликовано: 15.09.1980

Авторы: Богатов, Усатенко, Чернобай

МПК: G11C 5/00

Метки: запоминающий, модуль

...3 - 5 контактными площадками, на которой размещен доменсодержащий кристалл 6, внутренняя 7 и внешняя 8 вэаимоортогональные катушки, выводные рамки 9, изолирующая полиимидная пленка 10, постоянные магниты 11 и корпус, состоящий из пластмассовых крышек 12 и экранирующего кожуха 13,Коммутационная плата 1, имеющая прямоугольную форму, выполнена, например, по толстопленочной технологии.На плате установлен доменсодержащий кристалл 6, выводы которого приварены к контактным площадкам 2.Поменсодержащий кристалл 6 представляет собой подложку иэ галлий-гадолиниевого граната с выращенной маг нитной эпитаксиальной пленкой, на которую нанесены пермаллоевыеуправляющие аппликации. На плату с кристаллом надета внутренняя катушка 7, выводы которой...

Номер патента: 765885

Опубликовано: 23.09.1980

Автор: Баранцева

МПК: G11C 19/20

Метки: запоминающий, регистра, сдвига, элемент

...разность потенциалов между отражателем 14 и второй сеткой 12 резонатора 13;Х - расстояние от второй сетки 12 резонатора 13, накоторое проникает электрон в область торможения,Расстояние между катодом 11 и первой сеткой 12 резонатора 13 выражается аналогичным соотношением при условии, что О, в этом случае - разность потенциала между величиной тормбэящего СВЧ-поля между сетками 12резонатора 13 и первой сеткой 12 резонатора 13. Приборы с электроннымгистерезисом, применяемые при построении запоминающего элемента длярегистра сдвига, могут быть полученытолько тогда, когда электроны не поглощаются полностью сетками 12 придвижении их от отражателя 14 череззазор между сетками, а вторично отражаются от катода 11 и вновь проходят зазор, создавая...

Номер патента: 767839

Опубликовано: 30.09.1980

Авторы: Стоянов, Хорошунов

МПК: G11C 11/40

Метки: динамический, запоминающий, многоустойчивый, элемент

...опорного напряжения).Иногоустойчивый динамический запоминающий элемент содержит информациойный транзистор 1,транзистор считывания 2,.шину 3 опорного потенциа;ла,транзистор записи 4,запоминающий ,кондейсатор 5,разрядную шину б,шины считывания 7 и записи 8, шину 9 нулевого потенциала.Нормальное функционирование заломинающего элемента обеспечивает" ся при выполнении режимов записи ф информации, хранения информации, считывания и регенерации.В режиме записи информации на шину 7 считывания информации подается низ" кий уровень, на шину 8 записи - высокий уровень, а на разрядную шину б - уровень напряжения, подлежащий записи в ячейку. Транзистор записи 4 открывается, и запоминающий кон.- денсатор 5 заряжается. до уровня, напряжения,...

Номер патента: 773727

Опубликовано: 23.10.1980

Автор: Милошевский

МПК: G11C 11/36, G11C 11/40

Метки: запоминающий, элемент

...работает следующимобразом.Пусть б - гатенциал точки- 7,. 8, 9, 10). Пусть также напрякение обратного пробоя диода 5 меньше напряжений обратного пробоя перехадон сток в подлож транзисто - рон 1 - 4Если разность потенциалов Ч7 достаточна для того, чтобы триггер, состоящий из транзисторов 1-4, имел два устойчиных состояния, но меньше, чем напряжение обратного пробоя диода 5 (режим хранения инФормации), .о ЗЭ может при этом находиться н любач из днух устойчивых состояний . В первом состоянии (пусть оно соответствует, например "О" двоичной инфор.ации транзисторы 4 и 2 закры.сы, а 3 и 1 - открыты, Во второй состоянии( соответствующем "1" двоичной информации) транзисторы 4 и 2 открыты, а 3 и 1 - закрыты. В обоих со"таяниях мощность,...

Номер патента: 773738

Опубликовано: 23.10.1980

Авторы: Кузнецов, Потемкин, Уральский

МПК: G11C 11/36, G11C 11/40

Метки: запоминающий, элемент

...и четвертый МДП-транзисторы 1-4, образующие триггер 5, разрядную шину 6, адресную шину 7, пятый МДП-транзистор 8, диод 9, тактовую шину 10 и шестой МДП-транзистор 11.Устройство работает следующим образом.При записи логической ф 1" в исходном состоянии на шины 6 и 7 подается логическая "1", а на шину 10-"О". За логический "0" принимается нижний уровень напряжения (В), а за логическую "1" - верхний уровень (ь+Е 1 ). В этом случае транзистор 8 закрыт, а транзистор 11 открыт и в триггере 5, состоящем из транзисторов 1-4, хранится информация полученная от предыдущей записи. В следующий момент времени снимается питание триггера 5, т.е, на шину 10 подается "1" и транзистор 11 закрывается. Далее идет перепись "1" с шины 6 в триггер 5, для...

Номер патента: 780044

Опубликовано: 15.11.1980

Авторы: Гал, Куликов, Малютин

МПК: G11C 15/04

Метки: ассоциативный, запоминающий, элемент

...А, соответствующая "1",т.-е. в верхней части канала 1 прйсутствует домен. При проверке АЗЭ насоответствие "1" импульс тока опроса в В подается в проводник б, чтоприводит к зарождению домена в верхней части канала 2. Затем в направлении оси легкого намагничивания " прикладывается продвигающее магнит.ное поле источник этого поля начертеже не показан 3, которое вызы"вает рост доменОв вдоль каналов.При этом продвижение домена по каналу 2 к проводнику 10 будет запрещено элементом Запрет З,т.е. на " него поступает запрещающий домениз канала 1. Домен канала 1 такжене может достигнуть считывающегопроводника 10, поскольку из-за отсутствия импульса тока в проводнике7 закрыт участок 4 с двустороннейуправляемой проводимостью,...

Номер патента: 788174

Опубликовано: 15.12.1980

Авторы: Кильметов, Механцев, Сухоруков

МПК: G11C 11/40

Метки: запоминающий, элемент

...4 питания, МДП-транзистор выбран таким образом, что его пороГовоенапряжение больше, чем напряжения отсечки диода с % -образной характеристикой,Запоминающий элемент работает следующим образом,В режиме хранения информации на шине 3 поддерживается положительный потенциал (О фиг. 2 а), величина которого больше напряжения отсечки диода 1, но меньшепорогового напряжения МДП-транзистора 2. Если в запоминающем элементе хранится код "0", то этому соответствует низкий потенциал на аноде диода 1, при этом МДП-транзистор 2 закрыт, а диод 1 открыт, Ток в выходной цепи запоминающего элемента равен остаточному току закрытого МДП-транзистора 2, Коду "1" соответствует высокий потенциал на аноде ди-. ода 1, при этом диод 1 закрыт. Ток в цепи...

Номер патента: 788177

Опубликовано: 15.12.1980

Авторы: Матвеев, Трусфус

МПК: G11C 15/00

Метки: ассоциативный, запоминающий, элемент

...и входом элемента НЕ 11, выход которого подключен к шине 18. Третий вход элемента И 5 и второй вход элемента И 7 соединены с выходом элемента НЕ 12 и шиной 19. Выходы элементов И 4 и ф подключены соответственно ко вхо- Я ду элемента НЕ 12 и второму входу элемента ИЛИ 9, третий вход которого соединен с выходом элемента И 7. Накопитель ассоциативного эапоми нающего устройства содержит паАЗЭ 20 (фиг. 1 и 2), первые 21, вторые 22 и третьи 23 разрядные шины, соединенные с одноименными АЗЭ 20.Шины 13 и 17 АЗЭ 20 (кроме первых) б 5 подключены к шинам 15 и 16 предыдущих АЗЭ 20 соответственно.В составе накопителя ассоциативного запоминающего устройства АЗЭработает следующим образом.Запись и считывание признаков про"изводится параллельно по словам...

Номер патента: 796906

Опубликовано: 15.01.1981

Авторы: Багян, Калашников, Лаут, Никишин, Штильман

МПК: G11C 5/02

Метки: запоминающий, модуль

...к коммутационным платам 13. Концы про- д водов, выходящих на зту же сторону и имеющих номера 4-3, подсоединяют,ся к платам 11, а проводов с номера- ми 4 п - к платам 12, Каждая двухпроводная линия другого ортогонального направления состоит из разрядного провода 4, проходящего вдоль оснований 1 и 2. Начала проводов 4, проходящих вдоль основания 1 и имеющих номера 4 К-З, 4 К, 4 К, 4 К, где К,2. 128, объединены в группы по четыре и подсоединены к коммутационной плате 6, а концы проводов с этими номерами, расположенных вдоль основания 2, подсоединены к контактам коммутационных плат 7-10 соответственно.Расположение проводов запоминающего модуля в виде двухпроводных линий связи позволяет уменьшить индуктивные сопротивления обмоток...

Номер патента: 836680

Опубликовано: 07.06.1981

Автор: Фурсин

МПК: G11C 11/40

Метки: динамический, запоминающий, элемент

...включаются двумя входами. Наличие только пвух входов у таких матричных динамических эле 15 ментов (МДЭ) приводит к низкомубыстродействию и низкой помехоустойчивости, а также резко усложняет схемы сбрамления, так как по указанным двум вхоцам должны осуществляться питание МДЭ (и регенерация накопленного на его емкостях заряда наличие или отсутствие которого ставят в соответствие записанной в элемент информации - логической 1" или логическому "0) перезапись информации и ее считывание.Известны также МДЭ Эи 4Наиболее близким по технической сущности к изобретению является МДЭ 51 на двух дополняющих биполярных транзисторах, содержащий первый и второй вывоцы питания и управляющий вход, эмиттерМр-и транзистора соединен с первымвходом элемента,...

Номер патента: 842965

Опубликовано: 30.06.1981

Авторы: Иванов, Онищенко, Шагурин

МПК: G11C 19/00

Метки: запоминающий, элемент

...лам изобретений ква, Ж - 35, Рау Патент, г, УжгоРедактор В.Матюхина3 аказ 5119/58ВНИИПИпо д113035, Мофилиал ППП д. 4/5 ктная,го элементов И - НЕ соединены с выходами запоминающего элемента, содержит вторую тактовую шину, соединенную со вторыми входами первого и второго элементов И - НЕ, выходы третьего и четвертого элементов И - НЕ соединены соответственно с выходами первого и второго элементов И - НЕ,На чертеже изображена функциональная схема предлагаемого запоминающего элемента.Запоминающий элемент содержит логические элементы, например, И - НЕ 1 - 4, тактовые шины 5 и 6, информационные входы 7 и 8 и выходы 9 и 10 запоминающего элемента.Запоминающий элемент функционирует следующим образом.На тактовую шину 5 подается сигнал...

Номер патента: 866502

Опубликовано: 23.09.1981

Авторы: Кулемза, Свитенко

МПК: G01R 29/02

Метки: запоминающий, измерением, осциллограф, параметров, сигнала, считанного, цифровым

...с учетом коэффициента делениявходного сигнала.40Измерение перепада амплитуды .электрического сигнала между двумявыбранными точками осциллограмма выполняется аналогично, однако операторкоммуткрует блок 5 коюсутацкк так,что обеспечкваетея вертикальное единичное сканирование потенциальногорельефа. Причем компараторы 8, 9 качала и конца измерения не работают,а фуккцки импульса компаратора 8 на чала измерения выполняет импульс, ге 55 5 86 ными точками осциллограммы (потенциального рельефа), оператор коммутирует блок 4 развертки записи и кадра, обеспечивая подачу пилообразного напряжения развертки записи (в данном режиме эта развертка выполняет функции развертки считывания) на первые входы компараторов 8, 9 начала и конца измерения, Блоком...

Номер патента: 868834

Опубликовано: 30.09.1981

Авторы: Коняев, Наймарк

МПК: G11C 15/04

Метки: ассоциативный, запоминающий, мдп-транзисторах, элемент

...Анод фотодиода подключен кстоку одного из управляющих транзисторов.5При переходе этого элемента из режима оптической эаниси к режиму запоминания коммутируется один иэ нагрузочных НДН"транзисторов, что приводитк несимметричной помехе через паразит- Оный конденсатор, образуемый затвороми стоком транзистора в плечах триггера и снижает фоточувствительность, аследовательно, и надежность элемента.Кроме того, элемент содержит большое число транзисторов, что увеличивает габариты,Цель изобретения - повышение надеж.ности и упрощение элемента,Поставленная цель достигается тем,что в ассоциативный запоминающий элемент на МДП-транзисторах, содержащийуправляющие транзисторы, истоки которых соединены с соответствующими разрядными шинами,...

Номер патента: 871219

Опубликовано: 07.10.1981

Авторы: Арасланов, Васильев, Воропаев, Гессен, Гольдберг, Живулин, Ильмъяров, Котягова, Филимонов, Цогоев

МПК: G11C 11/08

Метки: запоминающий, информации, неразрушающим, считыванием, ферромагнитный, элемент

...разрядной обмотке 4 соответствующего отверстия положительного или отрицательного импу"льса напряжения считываемого сигнала.Записанная информация при этом неразрушается.Таким образом, предложенный ЗЭ имеет повышенную плотность записи информации. Формула изобретения каз 8 й 44/24 Тираж 648 одписное ент", г. Ужгород, ул. Проектная илиал ППП мпаунда, .расположенный на противоположных сторонах пластины по всей ширине ее боковой поверхности, а адресная обмотка расположена по периметру пластины в средней части ее боковой поверхности под слоем ферромагнетика.На чертеже изображен предложенный ЗЭ с иеразрушающим считыванием информации.ЗЭ содержит пластину 1 из феррита с ППГ, первый ряд отверстий 2, второй ряд отверстий 3, разрядные обмотки 4,...

Номер патента: 879647

Опубликовано: 07.11.1981

Авторы: Миклашевич, Мочалов

МПК: G11C 9/00

Метки: запоминающий, элемент

...наличии нулевого сигнала нашине 6 при подаче единичного (запрещающего) сигнала на. шину 5, на 15выходе второго элемента И-НЕ триггера формируется нулевой сигнал, который блокирует информационный сигнал на шине б.Триггер 2 в это время не меняетсвоего состояния, так как его вто рой вход блокирован нулевым потенциалом с выхода запоминающего элемента.Такое состояние запоминающего элемента ( режим хранения информации)может оставаться сколь угодно долго, Я независимо от того, изменится сигнална шине б запоминающего элементаили нет. Если сигнал на шине 5снова обратить в нуль, т.е. прекратить режим хранения информации, тозапоминающий элемент на своем выходелибо сохранит прежний нулевой сигнал,при наличии на шине 6 нулевого.сигнала, либо...

Номер патента: 903980

Опубликовано: 07.02.1982

Авторы: Кильметов, Механцев, Сухоруков

МПК: G11C 11/40

Метки: запоминающий, элемент

...второго транзистора-типа, исток - с шиной 7 питания, а затвор - с шиной 6 питания. Напряжение отсечки третьего транзистора 5 р -типа выбрано таким, что оно превышает сумму напряжений отсечки лары транзисторов 1 и 2 и транзисторов 3 и 4. Запоминающий элемент работает следующим образом.Транзисторы 1 и 2, 3 и 4 образуютпопарно приборы с отрицательным сопро 5 тивлением - Л -диоды, включенные последовательно. Л -диоды выбраны такимобразом, что максимальный ток верхнегодиода больше максимального тока нижнего диода. В режиме хранения информации1 О на шине 6 поддерживается положительныйпотенциал (О хрьн ), величина которогобольше напряжения отсечки Л -диодов,но меньше напряжения отсечки третьеготранзистора 5 р -типа. Если в запоми 15 нающем...

Номер патента: 920839

Опубликовано: 15.04.1982

Авторы: Гловацкий, Зельдин, Смолов, Шумилов

МПК: G11C 11/14

Метки: запоминающий, модуль

...6 ЦМД, дешифратор 7, накопитель 8 с произвольной выборкой информации, ге.- нератор 9 ЦМД, регистр 10 сдвига ЦМД, шины 11 и 12 управления переключателями ЦМД, шина 13 управления репликаторами ЦМД, шины 14 управления дешифратором, разрядные шины 15 накопителя, управляемый переключатель 16 ЦМД и второй аннигилятор 17 ЦМД.Предлагаемый запоминающий модуль функционирует следующим образом.Считывание информации из модуля производится только через накопитель 8, поэтому ничем не отличается от процесса считывания в известном устройстве за исключением того, что вместо генераторов путем подачи тока в шину 13 возбуждаются реплика- торы 5. Процесс репликации в данном случае аналогичен процессу генерации ЦМД в известном устройстве, поскольку в...

Номер патента: 928403

Опубликовано: 15.05.1982

Авторы: Богатов, Усатенко, Чернобай

МПК: G11C 5/00

Метки: запоминающий, модуль

...1 имеет 3 образную форму и вйполнена аластичнойиз полиамваой:пленки. Выводвыа рамки 2 и контактные площадки 3, 4, 5 иВ выполнены методом вакуумного напы 3 928401пения и фотолитографии. На плиту4ус- . пенных изфе итатвновден доменосодержвщий кристалл 7ферр бария, Весь запоминав ыводы которого приварены к конт ктнкристалл 7, ющий модуль помещен в к пор ус 12 и эаактным лит компаундом,площадкам. йоменосодержащий кристалл Тпредставляет собой подложкаким об азомжку из гадлий- между вр, расположение выводовгадодиниевого граната с в3 нутренней и внешней катушкамиата с выращенной маг- "и выполнение книтной эпитвксиадьной пленкой номмутационной платы гибнко, нв ко- кой и монолитной консторую нанесены управляющие структурструкции позволя 8, На...