Динамический запоминающий элемент

Номер патента: 943846

Опубликовано: 15.07.1982

Авторы: Костюк, Прокофьев, Сирота, Смирнов, Таякин

МПК: G11C 11/40

Метки: запоминающий, информации, мдп-транзисторе, способа, хранения, элемент, этого

...соединен с затворомуправляющего транзистора и с тактовой шиной.Кроме того, с целью упрощения управления запоминающим элементом, управляющий транзистор запоминающегоэлемента может быть выполнен совстроенным каналом.В предлагаемом запоминающем элементе конденсатор подключен не к затвору запоминающего МДП-транзистора,а к его истоку. Это, во-первых, устраняет опасность отпирания этого транзистора во время регенерации при нулевом информационном заряде на егозатворе и позволяет заменить управляемый конденсатор постоянным, и,во-вторых, устраняет необходимостьв специальном конденсаторе или элементах, выполняющих в интегральномисполнении его роль, в цепи истока.Все это позволяет упростить запоми"нающий элемент и повысить его...

Номер патента: 1296370

Опубликовано: 15.03.1987

Авторы: Вильсон, Иорданян, Этин

МПК: B23Q 15/00

Метки: диагностики, динамической, замкнутой, системы, спид, элементов

...системы СПИД, в поперечном сечении обработанной гильзы была записана погрешность формы поверхности на кругломере мод. 290 с увеличением 500 и фильтром 6 (15-150 волн/ /об). Сигнал записывался на бумаге шлейфового осциллографа мод. Н 115 в виде осциллограммы. Записанная осциллограмма с помощью преобразователя графиков мод. Ф 014 была преобразована в цифровую форму и записана на магнитную ленту на приборе мод. ЕС 9002. С магнитной ленты данные вводились в ЭВМ (ИВК) и обрабатывались с помощью специальной программы спектрального анализа случайных процессов.Анализ частот собственных колебаний (полученных с помощью виброметра) основ 2ных элементов системы СПИД (суппорт - 100 Гц, шпиндель - 130 Гц, резцеблок - 236 Гц, частота вращения...

Номер патента: 204637

Опубликовано: 01.01.1967

Авторы: Белов, Обухов

МПК: F15B 19/00, F15B 21/12, G01D 5/25

Метки: динамических, испытаний, пневматических, стенд, струйных, элементов

...устройством для периодического включения датчиков для измерения давления, взаимодействующим с кривошипно-шатунным механизмом.Это позволяет получать статические характеристики с нескольких точек пневматического элемента.На чертеже изображена схема предложенного стенда.Стенд содержит пневматические редукторы 1, предназначенные для понижения давления сети до рабочих давлений струйных элементов, ротаметр 2 типа РСЗА для замера расхоздуха через канал питания испытуемого нта, водяной дифманометр 3, механизм, щий импульсы давления, состоящий из ируемого дросселя 4, приводимого в дей.электродвигателем 5 через редуктор б с яемым передаточным отношением.раме задающего механизма укреплен вой переключатель, который срабатыв крайнем положении...

Номер патента: 278172

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Алексеев, Белов

МПК: G01M 19/00

Метки: динамических, испытаний, пневматических, стенд, струйных, элементов

...и давления, дифференцирующую ячейку 15, соединенную с выходом генератора 8 и 5 со входом диодного ограничителя 1 б, на выход которого подключен двухразрядный счетчик 17, переключатели 18 датчиков, усилители 19 ц осциллографы 20.Описываемый стенд работает следующим О образом.Испытуемый струйный элемент устанавливают на универсальную плату 1. Кранами 2 подается воздух на входы пневматических редукторов 4. Включают генератор 8 прямоугольных импульсов одной полярности, например положительной. С частотой генератора 8 работает электропневматический преобразователь 9, Импульсы с этого преобразователя поступают через регулируемый дроссель в пневматическую емкость 10, па выходе которой установлен еще один регулируемый дроссель. Таким образом,...

Номер патента: 1496577

Опубликовано: 20.07.1995

Авторы: Бирюков, Дудкевич, Мухортов, Свиридов

МПК: H01L 41/113

Метки: активный, деформаций, динамических, преобразователя, элемент

АКТИВНЫЙ ЭЛЕМЕНТ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЯ ДИНАМИЧЕСКИХ ДЕФОРМАЦИЙ, содержащий поляризованную сегнетоэлектрическую пленку цирконата-титаната свинца на металлической подложке, отличающийся тем, что, с целью повышения чувствительности при изгибах и после нагревов выше температуры точки Кюри материала, толщина сегнетоэлектрической пленки находится в интервале от 0,07 до 2,0 мкм.