Многоустойчивый динамический запоминающий элемент

Союз Советскик Социалистических Республик(23) ПриоритетОпубликовано 3009,80, Бюллетень ЙЯ 36Дата опубликования описания 3009,80 С 11 С 11/40ч Государственный комитет СССР но делам нзобретеннй н открытнй) МНОГОУ ПОМИНАНИЙ и Изобретение относится к вычисли" тельной технике. и может использоваться при построении оперативных заломинаюших устройств.Известны многоустойчивые фазоииульсные запоминающие элементы, содер" жащие запоминающий конденсатор, два диода, узел заряда, разряда .и считывания информации.Недостатками их являются сложность.10 конструкции и невозможность произвольной выборки.Известны другие запоминающие элементы, сод 1 ьряащие полевой транзистор с. двойным затвором; один иэ зат воров является изолированным и служит для хранения заряда, а другой является управляющим. Такая конструкция позволяет хранить заряды различных величин, что повышает информаци онную емкость запоминающего элемента.Этот запоминающий элемент, однако, имеет большое время записи и сложную конструкцию.Наиболее близким техническим решением к предлагаемому изобретению является динамический запоминающий элемент, содержащий информационный транзистор, затвор которого соединен 30 с первым выводом запоминающего конденсатора и с истоком транзисторазаписи, сток информационного транзистора соединеч с истоком транзистора считывания, сток которого соединен со стоком транзистора записии подключен к разрядной шине, затворы транзисторов записи и считыванияподключены соответственно к шинамзаписи и считывания, а второй выводзапоминающего конденсатора и истокинформационного транзистора соединеныс шиной нулевого потенциала.Недостатком этого запоминающегоэлемента является малая информационная емкость, так как он позволяетхранить всего 1 бит. информации.Целью изобретения является увеличение информационной емкости запоминающего элемента за счет обеспечения хранения нескольких бит информацииЭто достигается тем, что в предлагаемый динамический запоминающийэлемент введена шина опорного потенциала, которая соединена с истокоминформационного транзистора.На фиг. 1 приведена электрическаясхема предлагаемого многоустойчивогсдинамического запоминающего элемента;формула изобретения на Фиг. 2 - временная диаграмма процесса считывания ( Ярз - напряжениена разрядной шине Ооп - напряжениенашине подачи опорного напряжения).Иногоустойчивый динамический запоминающий элемент содержит информациойный транзистор 1,транзистор считывания 2,.шину 3 опорного потенциа;ла,транзистор записи 4,запоминающий ,кондейсатор 5,разрядную шину б,шины считывания 7 и записи 8, шину 9 нулевого потенциала.Нормальное функционирование заломинающего элемента обеспечивает" ся при выполнении режимов записи ф информации, хранения информации, считывания и регенерации.В режиме записи информации на шину 7 считывания информации подается низ" кий уровень, на шину 8 записи - высокий уровень, а на разрядную шину б - уровень напряжения, подлежащий записи в ячейку. Транзистор записи 4 открывается, и запоминающий кон.- денсатор 5 заряжается. до уровня, напряжения, соответствующего записы ваемой информации и пропорционального пороговому напряжению транзисторов. По окончании цикла записи на шину 8 записиподается низкий уровень, транзистор записи 4 закрывается и запоминающий элемент переходит в режим хранения информации, который характеризуется также запертым состоянием транзистора считывания 2.В режине хранения информации запоминаюц 1 ий конденсатор 5 изолирован от разрядной шины б и информация хранится в форме заряда, величина которого пропорциональна записанному напряжению. Для восьмиустойчивогб запоминающего элемента на запоминающем конденсаторе 5 хранится один иэ восьми уровней напряжения; например, при хранении первого уровня напряжения его значение равно утро" енному значению порогового напряжения транзисторов. В режиме считывания информацииразрядная шина б предварительно заряжаетсядо высокого уровня, на шину 3 опорного потенциала подается наивысший опорный потенциал, а на шину 7 считывания высокий уровень напряжения. Затем опорный потенциал уменьшается по ступенчатому закону, а информационный транзистор 1 открывается только в момент превышения хранящегося уровня напряжения опор ного потенциала на величину, большуюпорогового напряжения транзисторов.Этот момент Фиксируется усилителем считывания, и информация распознается по промежутку времени, в кото рый открываются транзисторы 1 и 2(см. Фиг.2).В режиме регенерации информации,котОрая осуществляется в два этапа, сначала производится считывание щ хранимой информации, а затем ееповторная запись. Многоустойчивый динамический за-поминающий элемент, содержащий информационный транзистор, затворкоторого соединен с первым выводомзапоминающего конденсатора и с исто- ЗО ком транзистора записи, сток информационного транзистора соединен с истоком транзистора считывания, стоккоторого соединен со стоком транзистора записи и подключен к разрядной З 5 шине, затворы транзисторов записии считывания подключены соответственно к шинам записи и считывания,второй вывод запоминающего конденсатора соединен с шиной нулевого потен циала, о т л и ч а ю щ и й с я тем,что, с целью увеличения информационной емкости элемента, в него введена шина опорного потенциала, соединенная с истоком информационноготранзистора.767839аказ 7211/4 ИИПИираж 662 Подписно илиал ППП Патентжгород, ул. Проектн