Патенты с меткой «запоминающий»

Номер патента: 553680

Опубликовано: 05.04.1977

Авторы: Балашов, Водяхо, Тимофеев, Шумилов

МПК: G11C 11/067

Метки: запоминающий, информации, неразрушающим, считыванием, элемент

...сердечник 2, обмотку записи 7, прошитую через сердечники 1 и 2, и разрядную обмотку 8, прошитую через сердечник 2.Состоянию хранения 1 соответствуетнамагниченность сердечников 2 и 3 в направлении по часовой стрелке, а сердечника 1 - в направлении против часовой стрелки. Состоянию хранения О соответствует намагниченность сердечников 1 и 2 по часовой стрелке, а сердечника 3 - против часовой стрелки.Неразрушающее считывание осуществляется действием числового тока 1,. В качестве выходной обмотки используется разрядная обмотка. Из состояния 1 элемент переходит прои этом в состояние п. Во втором такте действием тока 1 осуществляется восстановление считанной информации. Для нормального функционирования элемента необходимо, чтобы сердечник 3...

Номер патента: 553681

Опубликовано: 05.04.1977

Авторы: Балашов, Куприянов, Петров

МПК: G11C 15/00

Метки: блок, запоминающий, логический

...эле. ментов И б третьей группы, одни входы которых соединены с разрядными шинами 7.Один иэ входов первого дополнительного элемента И 8 соединен с управляющей шиной 9 и инверсным входом элемента "Запрет" 10, прямой вход которого и другой вход элемента И 8 соединены с адресной шиной 11. Выход элемента 8 соеди. нен с другими входами элементов И 6, Выход эле. мента "Запрет" 10 подключен к одним входам второго 12 и третьего 13 дополнительных элементов И, другие входы которых подключены к шинам 7, а выходы - ко входам второго элемента памяти 2, выходы которого соединены с одними входами четвертого 14 и пятого 15 дополнительных элементов И. Один вход шестого дополнительного элемента И 1 б подключен к шине 11, другой - к управляющей шине...

Номер патента: 556497

Опубликовано: 30.04.1977

Авторы: Завадский, Иващенко, Манжело, Самофалов, Швыдкий

МПК: G11C 11/22

Метки: блок, запоминающий

...1 из сегнетоэлектоическото материала, обладающего пьезоэлектрическими свойствами в поляризованном состоянии. В середине каждой из сторон пластины 1 расположены один против другого электроды возбуждения 2, 3, На одной стороне пластины 1, например верхней, по краям ее параллельно первому электроду возбуждения 2 нанесены электроды записи 4 информацни. На другой стороне пластины 1 перпендикулярно к второму электроду возбуждения З,нанесены фотарезистивные пленки 5, на которых расположены выходные электроды 6, выполненные из оптически прозрачного электропроводящего материала (например, окиси олова и т, п.). Поляризация между электродами возбуидения 2 и 3 создается приложением электрического поля к этим электродам и в процессе эксплуатации не...

Номер патента: 561221

Опубликовано: 05.06.1977

Авторы: Маковий, Никишин, Петров

МПК: G11C 11/40

Метки: запоминающий, элемент

...с шинами записл 7И 8. Второй коллектор транзистора 1 соединен сбазой транзистора считывания 9 и с коллекторомуправля 1 о 1 цега транзистора 10,Точка соединения коллектора тпанзистара 5 нбазы транзистора 3 падкл 1 очены к коллектору разрешающего транзистора 11, а тачка соединения кал.лектора трацзистара 6 и база транзистора 4 - кколлектору разреша 1 ащега транзистора 12. Базытранзисторов 10, 11 и 12 цадкл 1 ачены к янфарма.цианнбй шине 13, Коллектор транзистора 9 соединен с цп 1 цой счцтывания 14,Положительные пал 1 осы ястачш 1 кав така 15,16, 17, 18, 19, 20, 21 и 22 Включены В базытранзисторов 1, 2, 34, 5, 6, 9 я 11 соответственна,Отрицателы 111 е пал 1 асы упомянутых источников та. жет служить инжектором, паэ 1 аму за 11 амцнающцй...

Номер патента: 562002

Опубликовано: 15.06.1977

Автор: Фирсов

МПК: G11C 11/08

Метки: запоминающий, магнитный, элемент

...стержней и прошитых соответственно обмотками считывания 9 и подготовки 10, На стержне 3 расположена обмотка съема информации 11.При одновременной подаче токов записи одинаковой полярности в обмотки 5 и 6 в потокозадающий стержень 1 записывается магнитный поток, направленный, например, по часовой стрелке. Стержень 1 насыщен, Этот поток проходиг через стержни 2 и 3. Так как геометрия магнитопровода такова, что пути замыкания через эти стеркни одинаковы, то происходит равное распределение потока стержня 1 между стержнями 2 и 3. При подаче в обмотку 10 тока подготовки происходит локальное насыщение материала вокруг отверстий 8. Это приводит к тому, что значение потока в стержне 3 становится равным нулю, но прп этом сохраняется значснис...

Номер патента: 562866

Опубликовано: 25.06.1977

Авторы: Кузовлев, Прошенко, Федонин

МПК: G11C 11/40

Метки: запоминающий, элемент

...коллектор-эмиттер насыщенного р - п - р транзистора,Коллекторный ток р - п - р транзисторов 1 и 2 является базовым током п - р - и транзисторов 3 и 4, соответственно, работающих в инверсном включении.Благодаря наличию перекрестных связей между транзисторами 3 и.4 н при условии идентичности р - п - р транзисторов 1 и 2 базовые и коллекторные токи п - р - п транзисторов 3 и 4 равны между собой и, при условии, что инверсный коэффициент усиления транзисторов 3 и 4 нн,)1, транзисторы 3 н 4 образуют бистабильную триггерную ячейку, в которой один из транзисторов будет открыт, например, транзистор 3, а другой - транзистор 4 - закрыт. На базе открыгого транзистора 3 поддерживается высокий уровень равный 0 адр. ш - Укн, а на базе...

Номер патента: 566266

Опубликовано: 25.07.1977

Автор: Милославский

МПК: G11C 11/08

Метки: запоминающий, информации, магнитный, неразрушающим, считыванием, элемент

...а формепараллелепипеда с двумя отЪерстиями2 и 3, оси которых взаимно ортого 10нальны. Кроме того пластина имеет пер.вый ряд дополнительных отверстий 4,оси которых параллельны оси отверстия 3, и второй ряд дополнительныхотверстий 5, оси которых параллельныоси отверстия 2.Отверстие 2 и отверстия 5 прошитысоответственно разрядной обмоткой 6и дополнительными разрядными обмотками 7. Обмотка 8 выборки по записи проОшивает отверстие 2 и отверстия 5, аобмотка выборки по считыванию 9 - отверстие 3 и отверстия 4, при этом всенечетные дополнительные отверстия прошиты встречно, а четные - согласно по 25отношению к прошивке соответствующимиобмотками отверстий 2 и 3,Работа магнитного запоминающегоэлемента происходит следующим образом.Эапись а...

Номер патента: 568080

Опубликовано: 05.08.1977

Автор: Никандров

МПК: G11C 11/00

Метки: запоминающий, элемент

...возбуждения.Один конец пластин 1,.2 и 3 жесткозакреплен в корпусе 4. К пластинам 1, 2и 3 подключены соответственно электроды М 5, 6 и 7 (направления векторов поляриза 568080ции в пластинах 1 и 3 обозначены стрелками А и Б. К считывающим шинам 8.1 8.2 подключены диоды 9,1 9.4, а входные шинъ 10.1 10.2 и 11.1-11.2 подключены к запоминающим элементам 12.1-12,4,Элемент работает следующим образом.При приложении между электродами 5 и 6 алектрического импульса пластина 1 за счет обратного пьезоэффекта испытывает механическую деформацию. Жесткая связь между пластинами 1 3 вызывает деформа цию пластины 3 и возникновение между алектродами 7 и 6 информационного импульс. са за счет прямого пьезоаффекта, при этом коэффициент трансформации...

Номер патента: 570921

Опубликовано: 30.08.1977

Авторы: Кузовлев, Прошенко, Федонин

МПК: G11C 11/40

Метки: запоминающий, элемент

...- п - р-транзистора,Коллекторный ток р - п - р-транзисторов 1 и 2 является базовым током п - р - д-транзисторов 3 и 4 соответственно, работающих в инверсном включении.Благодаря наличию перекрестных связей между транзисторами 3 и 4 и при условии идентичности п - р - и-транзисторов 1 и 2 ба. зовые и коллекторные тока и - р - гг-транзисторов 3 и 4 равны между собой, если инверсный коэффициент усиления транзисторов 3 и 4 и Вннн)1, транзисторы 3 и 4 ооразуют бистабильную триггерную ячейку, в которой один из транзисторов открыт, например транзистор 3, а другой - транзистор 4 - закрыт.На базе открытого транзистора 3 поддерживается высокий уровень, равный Усл , - Уин, а на базе транзистора 4 - низкий, равныйУсл,ш - У, - У. где сгнн - напряжение...

Номер патента: 585545

Опубликовано: 25.12.1977

Автор: Тимофеев

МПК: G11C 11/08

Метки: запоминающий, магнитный, элемент

...осн симметрии и прошиты разрядной обмоткой, является наиболееблизким техническим решением к предложенному элементу. Этот элемент имеет малый выходной сигнал по причине неглубокой модуляциивыходного напряженно от разрядного тока записи 1),Цель изобретения состодежности элемента путем уго сигнала. Для этого отверстия на пластинежены вдоль одной оси, координатные ообмотка смещения прошиты соответстрез первое и восьмое, четвертое и пятоеи шестое отверстия в противоположнылениях, а разрядная обмотка прошивторое и седьмое отверстия в одинакправлениях.Эти изменения в расположенииприводят к более тесному вэаимодейстхранения информации и зоны опроссамым к увеличению выходного сиги585545 Хр 1 у 3 Тсг/У ЦНИИПИ Закаэ Б 055/42 Тираж...

Номер патента: 586496

Опубликовано: 30.12.1977

Авторы: Балашов, Водяхо, Гессен, Тимофеев, Шумилов

МПК: G11C 11/08

Метки: запоминающий, магнитный, элемент

...5, 6 и 7 в элементе 1 и 8, 9, 10, 11 и 12 в элементе 2, которые расположены вдоль оси симметрии, причем желательно, чтобы расстояние между отверстиями 4 и 6 и отверстиями 6 и 7 было как можно меньше. Числовая обмотка 13 прошита через первое и третье отверстия в противоположных направлениях, разрядная обмотка 14 - через четвертое отверстие, дополнительная числовая обмотка 15 - через второе и третье отверстия, а обмотка восстановления 16 - через пятое отверстие.Считывание информации осуществляется подачей тока считывания 1 оч. по дополнительной числовой обмотке 15. При считывании 1 по полному гистерезисному циклу перемагничивается слой феррита вокруг отверстий 5, 6 и 7. В качестве выходной обмотки используется разрядная обмотка 13. При...

Номер патента: 587503

Опубликовано: 05.01.1978

Автор: Тимофеев

МПК: G11C 11/08

Метки: запоминающий, магнитный, элемент

...запоминающий элемент; на фиг, 2 - используемые магнитные состоянияМагнитный запоминающий элемент (фиг.1) выполнен на участке 1 пластины 2 из материала с прямоугольной петлей гйстереэиса, содержащем 3-8 отверстий, расположенных в ряд и прошитых первой обмоткой выборки 9 через 3 и 8 отверстия в противоположных направлениях, разрядной обмотки 10 через 4 и 7 отверстия в одинаковых направлениях, второй обмоткой выбор58"503 ки 11 через 5 и б отверстия в противоположных направлениях.Подача тока )1 В обмотку 9 приводит к надежному стиранию информации, так как элемент переходит в магнитное состояние С, показанное на фиг.2. В разрядной обмотке 10 наводится импульс напряжения ф 1 или 0 1(о той или другой полярности в завйсимости от...

Номер патента: 593259

Опубликовано: 15.02.1978

Авторы: Даниелян, Казарян, Саркисян, Шорыгин

МПК: H01G 9/22

Метки: запоминающий, резистор, управляемый, электрохимический

...этого Оезпсторя яв тяотся) Заявитель Ордена Лени управления и недостаточно в действие по цепи считывания.Цель изобретения - умен тивления цепи управления и стротдействия ио цепи считываНа чертеже также обозначены выводы электродов В, 9, 10.Электрохииический управляемый запом 1.- нающпй резистор работает следующим ооразо,м.При подаче униполярного тока на электр,оды 3, 5, 6 происходит перенос металла (ртути) в зависимости от полярности тока либо на управляющий электрод 3, либо на один из электродов 5, 6, или на оба (в зависимости от включения резистора в схему). Основное падение напряжения происходит при этом на участке ог электродов 5, 6 до наружной поверхности прорези 7, выходящей в общий объем электролита 2. Падение напряжения,на...

Номер патента: 595791

Опубликовано: 28.02.1978

Авторы: Водяхо, Жмакин, Мусакин, Тимофеев

МПК: G11C 11/08

Метки: запоминающий, магнитный, элемент

...ый е 10 поток з 11. мыкается В ос 1 овпом Вокруг отверстия 2 (фиг. 3). Материал элемента Вокруг отвсрстпя 4 хранит информацию в впдс остаточной намагниченности.Считывание информации (фиг. 2) осуществляется по началу координатных токов 1,. и 1, подаваемых в координатные обмотки считывания 11 и 12. М.д,с. координатных токов содас из)снспис ооа Вокруг Всех Отверстий элемента, так как мд.с. постоянного смс 1 цснпя поддерживаст состояппе па 11 агнпчснностп перемычек 5 и б и препятствует замыканию потока от мд.с. координатных токов 1 х и 1 у через эти пс 1)смычки Вокруг Отверстия 2. ГОток считывания ог 11 баст отверстие 2 В направлении, протиВоположном направления потока от м.д.с. смещения. Пути вокруг разрядного отверстия 4 с левой и с...

Номер патента: 597004

Опубликовано: 05.03.1978

Авторы: Гессен, Котягова, Тимофеев

МПК: G11C 11/06

Метки: запоминающий, магнитный, элемент

...на фиг. 2 - временнаядиаграмма токов и напряжений; на фиг. 3 график переходов элемента.Магнитный запоминающий элемент содержит пластину 1 иэ материала с ППГ с восемью отверстиями, две координатные обмотки 2, 3, обмотку смещения 4 разряднующобмотку 5. Отверстия образуют две группы6, 7 по четыре отверстия в каждой группе.Для выборки элемента должны быть поданы в координатные обмотки 2 и 3 оба координатных тока Э )(, З на фоне тока смею ,5щения 3 (фиг, 2), протекаюшего в обмотке 4, Результирующая положительная МДСУ (фиг, 2) переводит элемент в магнитноесостояние С (фиг. 3). При этом выполняеъся считывание со стиранием информации; в го,разрядной обмотке .,5 наводится импульснапряжения О или О (фиг. 2) в зависимости от предыдущего...

Номер патента: 601761

Опубликовано: 05.04.1978

Автор: Башкеев

МПК: G11C 27/00

Метки: аналоговый, запоминающий, элемент

...к резистору 2).Однако точность работы этого элементанедостаточна из-за нестабильности каскадана полевом транзисторе.Целью изобретения является повышениеточности работы элемента.Для достижения поставленной цели предложенный элемент содержит биполярныйтранзистор, база которого соединена с истоком полевого транзистора, а коллектор - сего затвором.На чертеже предста, принцвпиальнаяэлектрическая схема а вого запоминающего элемента,Аналоговый запоминающий элемент содержит биполярный транзистор 1, конден,"атер2, полевой транзистор 3 и резистор 4,Элемент работает следующим образом, ЗО При подаче на эмиттер тра ложительного напряжения по у база транзистора 1 течет ток, крьпвается, и конденсатор 2 жаться током коллектор а. П продолжается до...

Номер патента: 610173

Опубликовано: 05.06.1978

Авторы: Водяхо, Тимофеев, Трофимчук

МПК: G11C 11/06

Метки: запоминающий, магнитный, элемент

...направлениях,Ассоциативный опрос осуществляется поразрядным обмоткам 8 или 11 токами опроса нуля или единицы (1 о О или 1 опр 1 )В случае совпадения опрашиваемой информации и информации, записанной в ма810173ЭСТВЕННО ПОВЫСИТЬ Эфне меняеТ ного х раа ктера сушен о мации при одэлементе, магнитный элемент не мктивность обработки информаной обмотке, ко- ктивии операционного устсвоего состояния, В выходповременном упрощениипо которой.при(1 , ойства за счет возможноо ст . . ости выполнятьторая ят ), ро ств еменно над несеские Операции ОднО рИясняемая упругими 5 логичми Вн т и накопителя, В преднаводится помеха, о яколькими словамиизменениями потока,:лагаемом элементе р еалиэ ется неразрушаюпад опр ашиваемойШее ма ии что позволяетЙ...

Номер патента: 614467

Опубликовано: 05.07.1978

Авторы: Балашов, Водяхо, Тимофеев, Шумилов

МПК: G11C 11/08

Метки: запоминающий, магнитный, элемент

...предлагаемый элемент.Он содержит ферритовую пластину 1 с отверстиями 2.и 3, расположенными вдоль верти. кальной оси симметрии пластины. Отверстия 4 - 9 расположены вдоль горизонтальной осисимметрично относительно точки пересечения осей. Мервая обмотка 10 прошита через отверстия 2 н 3 в противоположных направлениях, вторая обмотка 11 - через отверстия 6 и 7 в противоположных направлениях, третья обмотка 12 - через отверстия 5 и 8, а четвертая - 13 через отверстия 4 и 9 в противоположных направлениях.По обмоткам 11 н 12 подаются координатные токи выборки 1 и 1 соответственно, по обмотке 13 - постоянный ток смещения.614467 формула изобретения Магнитный запоминающий элемент, содержащий феррнтовую пластинку с тремя парами отверстий, одна...

Номер патента: 615541

Опубликовано: 15.07.1978

Авторы: Кононов, Федоров

МПК: G11C 11/40

Метки: запоминающий, инжекционный, элемент

...построения,Ближайшим по технической сущности является инжекционный запоминающий элементу содержащий триггеру выполненный 15 на двут транзисторах, эмиттеры которых соединены с шиной нулевого потенциала, базы соединены через генераторы тока с шиной нулевого потенциала и первыми коппеиторами соответствующих транзнсторов 20 записи-считывания, эмиттеры которых подключены к шине нулевого потенциала, базы подключены через генераторы тока к ,шине нулевого потенциала, разрядные ши ны и шины выборки 2 2 Недостаткомизвестного элемента является высокая потребляемая мощность.Бень изобретения состоит в снижении мощности, потребляемой элементом.Эта пень достигается тем, что вторые коллекторы транзисторов записи-считывания соединены с шиной выборки, а...

Номер патента: 618792

Опубликовано: 05.08.1978

Автор: Милославский

МПК: G11C 11/18

Метки: запоминающий, информации, магнитный, неразрушающим, считыванием, элемент

...обмоткой считывания и дополнительной обмоткой выборки, а крайнее правое отверстие - обмоткой выборки в направлении, противоположном направлению прошивки данной обмоткой крайнего левого отверстия.На чертеже изображен магнитный запоминающий элемент.Предложенный запоминающий элемент содержит ферромагнитную пластину 1, выполненную в виде параллелепипеда, среднее отверстие 2, крайнее левое отверстие 3, крайнее правое отверстие 4, обмотку считывания 5, обмотку записи 6, дополнительную обмотку выборки по записи 7, обмотку выборки по считыванию 8, внутренние стенки 9, 10 перемычки) между отверстиями 2, 3 и 2 461 8792 15 Формула изобретения 20 ост едактор В, Фельдма аказ 4268/43 екре ираж Совета Министров СССР и открытий ская наб., д. 4/5...

Номер патента: 624293

Опубликовано: 15.09.1978

Авторы: Бурковский, Золотенков, Новиков, Цогоев

МПК: G11C 11/08

Метки: запоминающий, магнитного, модуль, накопителя

...шины или разрушение магнитопровода, то отремонтировать его прак= тически невозможно, так как в большин стве случаев ферритовые запоминающие элементы залиты компаундом.Целью изобретения является повышение надежности модуля.Поставленная цель достигается тем, что устройство содержит дополнительные контакты и ферритовые числовые линей ки, установленные на печатной плате, причем два смежных отверстия средних рядов ферритовых числовых линеек прошиты разрядной шиной, а отверстия крайних рядовчисловой. шиной, начало и конец которой соединены с дополнительными контактами. При возникновении неисправности в одной из ферритовых числовых линеек 4,624293 начало и конец числовой шины 2 отсоединяют от выходного контакта 6 и диоднойсборки 3...

Номер патента: 637865

Опубликовано: 15.12.1978

Авторы: Приходько, Чеснис

МПК: G11C 11/34

Метки: запоминающий, элемент

...элементе это достигается тем, что он содержит наполнитель, например селеновый, размещенный внутри герметичного корпуса. Кроме того, в нем токовые электролы выполнены из физически и химически нейтрального по отношению к селенилу серебра н селену тугоплзвкого ма. териалз, например вольфрама.На чертеже показан прглсложенный за. поминзющий элемент.Он содержит два токовых электроЛа и 2, межлу которыми размещены слои селена 3 и селенида серебра 4, и наполни- тель 5, размещенный внутри герметичного корпуса 6 из изоляционного материала. К электролам 1 и 2 подключены токопронолы 7 и 8.Работа запоминающего элемента осно. вана нз изменении его сопротивления, ко. торое происходит из-за образования илн со. ответственно рззрупгенич пронолншнх кана.ъв...

Номер патента: 658599

Опубликовано: 25.04.1979

Автор: Бережной

МПК: G11C 11/34, G11C 7/00

Метки: записи, запоминающий, информации, мноп-типа, элемент

...- Да (в МНОП-транзисторах энергетическая глубина ловушек вблизи границы окисел-нитрид кремния составляет 0,8 -0,9 эцв) и более глубокими ловушками в объеме диэлектрика Д (энергетическая глубина этих ловушек в пленке нитрида кремниянхарактеризуется спектром уровнеи вблизи1,2 энв, 1,7 эцв, 1,9 энв). При совместномдействии электрического поля, вызываюгцегоинжекцию носителей в диэлектрике Д, и термического воздействия, способствующегоэнергетическому перераспределению инжектированных носителей в диэлектрике Д, основная часть накопленного заряда локализуется на глубоких ловушках. Эффективность такого перераспределения низка и основная часть накопленного заряда (особенно ири относительно толстом диэлектрике Дх5для МНОГ 1-транзисторов, если...

Номер патента: 665327

Опубликовано: 30.05.1979

Автор: Овчаренко

МПК: G11C 17/00

Метки: запоминающий, постоянный, программируемый, элемент

...слое диффузионную эмиттерную область, подключенную к подложке и образующую с диффузионной с истоковой областью МД 11- транзистора биполярный транзистор.На фиг. 1 изображен предлагаемый запоминающий элемент; на фиг, 2 - запоминающий элемент с диффузионной эмиттерной областью в полупроводниковом слое,Запоминающий элемент содержит подложку 1, полупроводниковый слой 2, диэлектрический слой 3, разрядную шину 4, диффузионные стоковую 5 и истоковую б области МДП-транзистора, затвор 7 которого соединен со словарной шиной.В полупроводниковом слое 2 может быть расположена диффузионная эмиттерная область 8 биполярного транзистора, базой которого является полупроводниковый слой 2, а коллектором - диффузионная истоковая область...

Номер патента: 675452

Опубликовано: 25.07.1979

Авторы: Гурьев, Метрик

МПК: G11C 15/04

Метки: ассоциативный, запоминающий, элемент

...ассоциативного запоминающего 1 В режимах "запись" и "считывание"элемента.,-АЗЭ работает так же как известный АЗЭ,Ассоцйативный запоминающий элемент когда на адресную шину 8 подается отсодержит адрэсййе транзисторы 1, ключекрывающий потенциал, вследствие чеговые транзисторы 2, и нагрузочнйе транзио-., оба плеча триггера подключа 1 отся через,торы 3, триггер 4, индикаторные транзио" .Л открытйе адресные транзисторы 1 к разторы 5, транзистор 6 опросафямого йле-. рядным шинам 9 и 10ча, транзистор 7 опроса инверсного плеча, Панйый ассоциативный запоминающийадресную шину 8, прямую разрядную ши- элемент особенно эффективен при испольну 9, ийверсную разрядную шину 10, пер зовании в ассоциативном устройстве, ревую шину 11 сравнения,...

Номер патента: 680049

Опубликовано: 15.08.1979

Автор: Гафаров

МПК: G11C 11/08

Метки: запоминающий, магнитный, элемент

...превосходят сечения перемычек разветвленных участков, обмотку записи 2, секции 3, 4 которой расположены соответственно на переььчках 5, 6 разветвленных участков, образующих источники потока 7, входные 8 и выходные 9 обмоткирасположенные на перемычках 10 разветнленных участков, образующих запоминающие. элементы 11, источник разнополярных импульсов тока 12 и диодный мост,выполненный на диодах 13-16, причемодно плечо моста содержит соединенные параллельно потенциометр 17 и управляемый ключ 18 с выводами 19. Секции 3, 4 обмотки записи 2 через диодный мост подключены к источнику разнополярных импульсов тока 12 таким образом, что при поступлении от последнего отрицательного импульса,они оказываются включенными согласно, а при поступлении...

Номер патента: 680051

Опубликовано: 15.08.1979

Авторы: Коломийцев, Мурашев

МПК: G11C 16/04

Метки: запоминающий, инжекционный, элемент

...Составитель Ю. Ушаков Редактор НКаменская Техред 0 Андрейко Корректор В. БутягаТираж 681 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5Заказ 480 г 48 Филиал ППП Патент, г. Ужгород, ул. Проектная, 4 других аналогичных элементов окислом7 и расположен в подложке 8. (Следуетотметить, что наличие окисных областей 7 является несущественным приз -наком) .Запись, хранение и ситывание операгивной информации в предлагаемыйинжекционный элемент осуществляется по известной методике. При этом,емкость, образованная дополнительнымэлементом - электродом 6, слоем диэлектрики 5 и областью 3, включенапараллельн о ( з апомин ающей ) емкостибазо-коллекторного перехода запоминающего...

Номер патента: 680053

Опубликовано: 15.08.1979

Авторы: Вавилов, Клейман, Коломийцев, Миллер, Мурашев

МПК: G11C 16/04

Метки: долговременный, запоминающий, элемент

...транзистора, сток которого соединен с затвором управляющего транзистора и подключен к разрядной шине.На фиг. 1 показана схема предлагаемого запоминающего элемента; на фиг. 2 - структура запоминающего элемента. Запоминающий элемент содержит программируемый с помощью ионизирующего излучения запоминающий МДП- транзистор 1, управляющий МДП-тран680053 формула изобретения Составитель Ю,. Ушаковая Техред О.Андрейко Корректор В. Бутяг Редактор Н. Ка Тираж 681 ПодписноеЦНИИПИ Государственного комитета СССРпо делам изобретений и открытий3035, Москва, Ж, Раушская наб., д, 4/ Заказ 4802 тент, г. Ужгород,ектная, 4 лиал П.гГ Д 1 ГФФэистор 2,", друрэбваюбай диод 3 числовуюшййу.4 и разрядную шину 5.Запись оперативной информацииосуществляется следуюшим...

Номер патента: 680054

Опубликовано: 15.08.1979

Авторы: Вавилов, Гаврилов, Коломийцев, Миллер, Мурашев, Щетинин

МПК: G11C 16/04

Метки: долговременный, запоминающий, элемент

...которого соединен с эмиттером биполярного транзистора, база которого подключена к числовой шине записи.На фиг. 1 показана схема запоминающего элемента; на фиг. 2 - структура запоминающего элемента,который содержит программируемый с помощью ионизирующего излучения МДП-транзистор 1, биполярный транзистор 2, диод 3, разрядную шину 4, числовые шину записи 5 и шину считывания бЗапись оперативной информации в запоминающий элемент происходит следующим образом: на шину записи б680054 г Составитель Ю. УшаковТехред О, Андрейко Корректор В. Бутяга едактор Н. Каменск Тираж 681 ЦНИИПИ Государственного по делам изобретений 113035, Москва, Ж, РаушЗаказ 4802/ Подписноеомитета СССРоткрытийкая наб., д. 4/ илиал ППП Патент, г. Ужгород, Ул. Проектная, 4...

Номер патента: 684615

Опубликовано: 05.09.1979

Авторы: Глузман, Морозов, Юдин

МПК: G11C 11/56

Метки: запоминающий, многоустойчивый, элемент

...используется истощвкопорного напряжения, Роль, регулируемых элементов в схеме выполняют модуляционныеобмотки,Предложенный элемент работает следующимобразом.В исходо сстояки (при отсутствии вход.ного сигнала) сердечники 11 1 п под действием маг 1 пгтодвижушей силы (МДС) обмо ток 4 насыщены По мере возрастания входного ситтила степень насыщения каждого сердечника изменяется в сторону уменьшения. ЭтоОбъясняется тем, чтО вь 1 есте с ростОм ампли.туды входного сигнала растут.МДС обмоток 5 16 15 а 6 35 36 35 46 45 56 55 управления 5, создающие в каждом сердечникемагнитное поле, действующее навстречу полю,созданному соответствующей обмоткой 4, Принебольших входных сигналах, когда степеньнасыщения сердечников велика, выходныеэлектродвижущие...