Запоминающий элемент
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
ОПИСАНИЕИЗОБРЕТЕНИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Советских Социалистических Республик(23) Приоритет С 11 С 11/40 Государственный комитет СССР ио делам изобретений н открытий(71) Заявитель Таганрогский радиотехнический институт им. В.Д, Калмыкова(54) ЗАПОМИНАЮЩИЙ ЭЛЕМЕНТ Изобретение относится к вычисли тельной технике и предназначено для использования в монолитных интегральных запоминающих устройствах различ" ного назначения.Известны запоминающие элементы статического типа на диодах с % -образной характеристикой (лямбда диод). Диод с % -образной характеристикой представляет собой двухполюсный полупро водниковый прибор с отрицательным сопротивлением, принцип действия которого основан на эффекте поля 111 .Известен запоминающий элемент содержащий диод с % -образной характе ристикой, нагрузочный и управляющий элементы, в качестве которых обычно используются полевые транзисторы 12 .Основной недостаток запоминающего элемента - значительное потребление 20 мощности в статическом состоянии, а также большое количество шин (две шины питания, адресная и разрядная ши" ны).Наиболее близким к предлагаемому 25 по технической сущности является запоминающий элемент статического типа, содержащий диод с-образной характеристикой, нагрузочный и допол.нительный управляющий МДП-транзисто ры. Сток управляющего транзистора со",: единен с анодом диода. с % -образной характеристикой, исток и затвор подключены, соответственно, к разрядной и адресной шинам. В режиме хранения информации на затворе управляющего транзистора поддерживается нулевой потенциал. При записи информации на адресную шину подается импульс положительной полярности, а на разрядной "1" (при записи кода "1") .или н 0" (при записи кода "0"). Считывание информации осуществляется подачей импульса положительной полярности в адресную шину. Такой запоминающий элемент имеет среднее быстродействие порядка 1 мкс и используется для реализации матрйц памяти интегрального запоминающего устройства 131.К недостаткам известного следует отнести то, что он потребляет значительную Мощность в статическом состоянии, имеет большое количество шин (две шины питания, а. также адресную и разрядную, что усложняет управление им, поскольку для нормальной работы необходимо подавать сигналы, совпадающие во времени в адресной нразрядной шинах от двух формирующих устройств.Цель изобретения - снижение потребляемой мощности элементов в статическом состоянии и его упрощение.Поставленная цель достигается тем,что в запоминающем элементе, содержа.щем диод с 9 -образной характеристикой,анод которого соединен со стокомМДП-транзистора, исток МДП-транзистора подсоединен к разрядной шине ик первой шине питания, затвор, МДПтранзистора соединен с адресной шиной, и вторую шину питания, затворМДП-транзистора соединен с катодомдиода с-образной характеристикойи второй шиной питания, разрядная иадресная шины соответственно соединены с шинами питания.На фиг. 1 представлена электрическая схема предлагаемого запоминающего элемента; на фиг, 2 - временная диаграмма его работы.Запоминающий элемент содержит диод 1 с 1 -образной характеристикой 1,МДП-транзистор 2, разрядную шину, соединенную с первой шиной 3. питания,адресную шину, соединенную со второйшиной 4 питания, МДП-транзистор выбран таким образом, что его пороГовоенапряжение больше, чем напряжения отсечки диода с % -образной характеристикой,Запоминающий элемент работает следующим образом,В режиме хранения информации на шине 3 поддерживается положительный потенциал (О фиг. 2 а), величина которого больше напряжения отсечки диода 1, но меньшепорогового напряжения МДП-транзистора 2. Если в запоминающем элементе хранится код "0", то этому соответствует низкий потенциал на аноде диода 1, при этом МДП-транзистор 2 закрыт, а диод 1 открыт, Ток в выходной цепи запоминающего элемента равен остаточному току закрытого МДП-транзистора 2, Коду "1" соответствует высокий потенциал на аноде ди-. ода 1, при этом диод 1 закрыт. Ток в цепи равен току утечки закрытого диода 1, Таким образом, в статических состояниях "0" и "1" ток в выходной . цепи запоминающего элемента практически не протекает, и потребляемая мощность составляет малую величину. При записи кода "1" в шину 3 подается положительный импульс, величина которого превышает пороговое напряженИе МД 1-транзистора 2. Тогда напряжение на аноде диода 1 увеличивается, и при достижении напряжения отсечки ои эакрываегся. При снятии импульса запоминающий элемент сохраняет это состояние. Для записи кода "0" в шине 3 потенциал уменьшается от О до О, при этом диод 1 открывается и на его аноде устанавливается низкий потенциал., Считывание информации осуществляется подачей импульса положительной полярности в шину 3, амплитудаФормула изобретения 40 Запоминающий элемент, содержащийдиод с % -образной характеристикой,анод которого соединен со стокомМДП-транзистора, исток МДП-транзисто" 45 ра подсоединен к разрядной шине и кпервой шине питания, затвор МДП-тран зистора соединен с адресной шиной,и вторую шину питания, о т л и ч,аю щ и й с я тем, что, с целью сни жения потребляемой мощности элементом в статическом состоянии и егоупрощения, в нем затвор МДП-транзистора соединен с катодом диода с %образной характеристикой и второй ши"ной питания, разрядная и адреснаяшины соответственно соединены с шинами питания.Источники информациипринятые во внимание при экспертизе1. "Радиоэлектронйка", том 17, 9 5 40 1974, с. 38-44.2. Заявка Франции М 2290759,Ьл. 6 11 С 11/40, 09.07.76.3. 1 ЕЕЕ Тгапьс 1 опь оп .Е 1 есегопОечсез чос ЕО)Опе, 1 977 65 рр. 751-756. 5 1 О 15 20 25 30 35 которого выбирается из условия неазрушающего считывания О (Опри том в выходной цепи запоминающего элемента потечет большой информационный ток, если хранится код "О", и малый, если хранится код "1" (фиг, 2 б).Таким образом, использование в запоминающем элементе в качестве нагрузки МДП-транзистора, затвор которого соединен с шиной питания и катодом диода 1, позволяет существенно уменьшить потребляемую мощность в статическом состоянии, уменьшить общее количество шин до минимального значения (две шины, включая шины источника), чем достигается упрощение управления и, тем самым, получить положительный технико-экономический эффект.Лабораторные испытания показали устойчивую работу модели запоминающего элемента в широком интервале изменения входных сигналов, При этом в устойчивых состояниях "О" и "1" через элемент протекают только токи утечки МДП-транзистора и диода с Ь -образной характеристикой, и потребляемая мощность практически составляет единицы пиковатт, что на 2 порядка меньше, чем у известного. Уменьшение количества элементов и информационных шин до минимального значения (до двух элементов: диод и МДП-транзистор, до двух шин, включая и шины питания) позволяет при использовании таких запоминающих элементов для построения больших интегральных матриц па.яти уменьшить площадь кристалла в 2-3 раза, снизить паразитные емкости, увеличить быстродействие и надежность в работе.Составитель А. ВоронинЩ "ЗАВОЗ. 92 Е "БИЫ акт з 8361/60 2 дписно ВНИИПИ ГосдУаР СССР по делам иэ й 113035, Москва, Ж Уш д. 4 55 филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4Зака По Тираж 66ственногообретений
СмотретьЗаявка
2687668, 23.11.1978
ТАГАНРОГСКИЙ РАДИОТЕХНИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ ИМ. В. Д. КАЛМЫКОВА
МЕХАНЦЕВ ЕВГЕНИЙ БОРИСОВИЧ, КИЛЬМЕТОВ РАФГАТ СУЛТАНОВИЧ, СУХОРУКОВ АНАТОЛИЙ ИВАНОВИЧ
МПК / Метки
МПК: G11C 11/40
Метки: запоминающий, элемент
Опубликовано: 15.12.1980
Код ссылки
<a href="https://patents.su/3-788174-zapominayushhijj-ehlement.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Запоминающий элемент</a>
Предыдущий патент: Оперативное запоминающее устройство
Следующий патент: Элемент памяти
Случайный патент: Способ измерения поперечных перемещений движущегося ленточного носителя