Патенты с меткой «запоминающий»
Тонкопленочный запоминающий элемент
Номер патента: 376805
Опубликовано: 01.01.1973
Автор: Авторы
МПК: G11C 11/14
Метки: запоминающий, тонкопленочный, элемент
...порядка 10, а усредненное по толщине пленки направление легкого намагничивания 10 совпадает с направлением числовой линии. Направление трудного намагничивания, усредненное по толщине пленки,указано стрелкой 11.Предложенный элемент работает следующим образом,Запись.Запись О производится путем возбуждев числовой линии 1 импульса тока, магное поле которого насыщает пленку 4 вравлении трудного намагничивания (11),ле спада импульса числового тока пленка4 остается намагниченной в направлениитрудного намагничивания. Причиной этому376805 Предмет изобретения Составитель Ю, Розенталь Редактор Л. Утехина Техред Т. Курилко Корректоры: Е. Давыдкина и А. НиколаеваЗаказ 1980/2 Изд.497 Тираж 57 б ПодписноеЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий...
Пьезотрансформаторный запоминающий элемент
Номер патента: 377880
Опубликовано: 01.01.1973
Авторы: Авторы, Клочко, Лавриненко, Якименко
МПК: G11C 11/22
Метки: запоминающий, пьезотрансформаторный, элемент
...образом.Запись информации осуществляется подачей на общий вход элемента 15 синусоидального сигнала с частотой Р, соответствующей частоте продольного резонанса по длине 1, которая представляет собой сумму длины пластины 4 и длины части 6 секции управления, а стирание - подачей на тот же вход синусоидального сигнала с частотой Р, соответствующей частоте продольного резонанса по длине 1, представляющей собой сумму длины пластины 4 и длины части 5 секции управления. Так как длины секций управления выбраны различными, то частоты Р и Р также различны между собой.При подаче на вход 15 элемента сигнала записи с частотой Р на выходе части б секции управления появляется переменное напряжение большой амплитуды, которое после выпрямления поступает...
Запоминающий блок
Номер патента: 427381
Опубликовано: 05.05.1974
Авторы: Киреев, Переплётчиков, Страхов, Тер
МПК: G11C 11/14
Метки: блок, запоминающий
...В результате повышедействие запоминающего блока.Изобретение, поясняется чертежо Запоминающий блок состоит из магнитныхматриц с адресными проводниками 1 и разрядным,шлейфом 2, содержащим проводники записи Л и проводники съема 4. Разрядный 5 шлейф выполнен на двустороннем фольгированном диэлектрике, например, стеклотекстолите. Проводники съема 4 имеют перекрестия.,В месте перекрестий разрядный шлейф 2 разделен на симметричные петли и изогнут.10 Между петлями разрядного шлейфа размещензамыкатель магнитного потока 5.,Поверх разрядного шлейфа 2 между перекрестиями проводников съема 4 и магнитной матрицей помещена металлическая пластинка б, например, из алюминиевой фольги, площадь которой пропорциональна величине разрядной...
Многофункциональный логический запоминающий элемент
Номер патента: 430442
Опубликовано: 30.05.1974
Авторы: Балашов, Владимиров, Государственное, Ленина, Ленинградский, Проектированию
МПК: H03K 19/164
Метки: запоминающий, логический, многофункциональный, элемент
...полярностей импульсов токов на противоположные соответственно на первой и второй входных шинах.В качестве примера рассмотрим работу 30 устройства при выполнении им функции логического умножения. Во время первой микрооперации в такте 1, импульсы тока поступают на шины записи и опроса, которые перемагничивают ферромагнитный материал вокруг первого и второго отверстий по направлению часовой стрелки, Импульсы токов на входных шинах отсутствуют, т. е. х=0 и у=О. В следующем такте 1 по шине опроса подается импульс тока, который подтверждает состояние намагниченности вокруг второго отверстия, в шине считывания г сигнал э.д.с. отсутствуетх=О Во второй. микрооперации такт 1, отличается тем, что по первой входной шине поступает импульс тока...
Запоминающий элемент коммутируемой матрицы фотодиодов
Номер патента: 438044
Опубликовано: 30.07.1974
МПК: G11C 11/42
Метки: запоминающий, коммутируемой, матрицы, фотодиодов, элемент
...диода при опросе матрицы,Схема предлагаемого элемента приведенана чертеже.и Элемент состоит из встречно включенныхкоммутиру 1 ощего д 1 Ода 1 и фотоднода 2, анод которого подключен через ши 5 у опроса 3 к формирователю импульсов опроса 4, общему для всех элементов одного столбца матрицы.15 Анод коммутирующего диода 1 через пикнусчитывания 5 подключен к усилителю 6 с пороговым устройством 7, общим для элемсгсов одной строки матрицы. К точке соедипс 1 гпя коммутирующего диода 1 и фотодиода 2 подключен анод дополнительного диода 8, катод которого соединен через шину смещения 9 с источником импульсов смещения 10 и через резисто 1 с источником запира 101 цсго 11 апр 55 ке- ния438044 Предмет изобретения Составитель Р. Яворовская Техред Г....
Магнитоэлектрический запоминающий элемент
Номер патента: 438045
Опубликовано: 30.07.1974
МПК: G11C 11/50
Метки: запоминающий, магнитоэлектрический, элемент
...магнита 2, эла- стичпоЙ подложки 3 и считыВЯ 10 щего контакта 4.Гибкий контакт 1 выполнен в виде отрезка пруго проволоки, один из концов которо- ГО закреплен це 1 Одвижно, я. дрГои закреплен в элястцчцой 1 юдложкс 3, Вследствие подпружицивающего действия со стороны эляс ичпОЙ подложки 3 ца Гиб).ий контакт 1 следций находится в одном из двух устойчивых состояний прогиба в плоскости, перпсц дикулярной силовым линиям магнита 2.3 с 1 Ом 1111 с 1 юп 1 Й элс)1 с 1 Г РЯ бо Гас с,сдГ 10"щцм образом.В м)З 1 сцГ прохождсция 1 срсз Гибкпй коц.ЗаписьВяОц)сг) пм.Льса тока соогвс 1.10 ству 1 о)цсй полярцосп Пя него действует силапо правилу левой руки, Вследствие этого гибкий контакт 1 преодолевает подпрусжинивающее действие эластичной подложки 3 и...
Запоминающий элемент
Номер патента: 439015
Опубликовано: 05.08.1974
Авторы: Балашов, Тимофеев, Шумилов
МПК: G11C 11/08
Метки: запоминающий, элемент
...и дважды в противоположном направлении 2 через центральное малое отверстие, а разрядная выходная обмотка прошита через крайнее малое отверстие трансфлюксора,На фиг, 1 изображен предлагаемый запоминающий элемент; на фиг. 2 - переходы эле мента при записи и при неразрушающем считывании.Запоминающий элемент (ЗУ) содержит трансфлюксор 1 с одним большим и двумя малыми отверстиями, расположенными по 3 одну сторону от большого отверстия, числовую обмотку считывания - записи 2, прошитую в одном направлении через большое и крайнее малое отверстия и дважды в противоположном направлении через центральное отверстие, числовую обмотку восстановления состояния 1 3, расположенную в крайнем малом отверстии н разрядную выходную обмотку - разрядную...
Запоминающий регистр
Номер патента: 439018
Опубликовано: 05.08.1974
Авторы: Константинов, Нетребенко, Новикова
МПК: G11C 23/00
Метки: запоминающий, регистр
...на чертеже) разряды. К сеткам тира- тронов 1 и 4 через конденсаторы подключена входная шина 7, на которую поступают импульсы, соответствующие нулям в принимаемой двоичной информации. К сеткам тиратронов 2 и 5 подключена входная шина 8, импульсы на которой соответствуют единицам впринимаемой информации.Резисторы подготовки 9 и 10 в сеточныхцепях тиратронов 4 и 5 подключены к выхо 5 ду предыдущего разряда - к общему катодному резистору 3. Аналогично включены резисторы подготовки следующих разрядов. Резисторы подготовки 11 и 12 первого разрядаподключены к источнику постоянного смеще 10 ния,Работает устройство следующим образом,Информация поступает на входные шинырегистра в последовательном коде так, что вкаждом такте импульс поступает...
Запоминающий элемент
Номер патента: 439847
Опубликовано: 15.08.1974
Автор: Петров
МПК: G11C 11/22
Метки: запоминающий, элемент
...в объеме сегнетоэлектрической пластины 1 между электродом 2 и пленкой 3, образующими конденсатор 7, На одной сегнето, электрической пластине монтируется ряд запоминающих элементов.Запись информации на запоминающем 2 О элементе осуществляется подачей на электрод2 импульса положительной (запись 1) или отрицательной (запись О) полярности амплитудоц, большей коэрцитивного напряжения сегнетоэлектрика. По цепи записи электроды 4 н 5 н пленка 3 имеют малое сопротив:1 ен 11 с 111 1 сорпус 8 (земло) ) и В пластине 1 происходит поляризация сегнетоэлектрика.После прекращения действия импульса в сегнетоэлектрике длительное время сохраняется ЗО остаточная поляризация Р, направление ко439847 1 Ц Фиг Фиг. Составитель В. РудаковТекред Г, Дворина 1...
Ассоциативный запоминающий элемент
Номер патента: 439848
Опубликовано: 15.08.1974
МПК: G11C 15/00
Метки: ассоциативный, запоминающий, элемент
...домен обратной намагниченности. При проверке АЗЭ на соответствие1, импульс тока опроса подается в проводник 11, что приводит к зарождению домена25 обратной намагниченности в канале 3 Затемв направлении ОЛН (по стрелке 14) прикладывается продвигающее магнитное поле (источник этого поля на чертеже не показан),которое вызывает рост записанных доменовЗО вдоль каналов, но продвижение верхушки до3мена канала 3 к проводникам 12 п 13 запрещается элементом Запрет, так как на него поступает запрещающий домен из канала 2. Таким образом, импульс напряжения в проводнике це наводится,Для проверки АЗЭ ця соответствие О импульс тока опроса подается в проводник 10; в результате чего домены ооратной намагниченности записываются в каналы 1 и 3....
Многоустойчивый запоминающий элемент
Номер патента: 439904
Опубликовано: 15.08.1974
Автор: Башкиров
МПК: H03K 3/29
Метки: запоминающий, многоустойчивый, элемент
...сумматора б соединены через фильтры низкой частоты 7 и 8 с выхода. ми импульсно-фазового и фазового детекторов 9 и 10 соответственно. Работает устройство следующим образом.На вход импульсно-фазового детектора 9 по дается последовательность импульсов, на входфазового детектора 10 - управляющий сигнал, а на их вторые входы - выходной сигнал с генератора 1. В отсутствии управляющего сигнала подстраиваемыи генератор 1, управ ляющий элемент 2, интегратор 4, усилитель 5,сумматор 8 п импульсно-фазовый детектор 9 с фильтром 7 образуют обычную астатцческую систему цмпульсно-фазовой подстройки частоты. При соответствуютцем выборе параметров 25 детектора, интегратора, усилителя и прп соответствующих параметрах импульсов подстраиваемый генератор...
Ассоциативный запоминающий элемент на моп-транзисторах
Номер патента: 441592
Опубликовано: 30.08.1974
Автор: Зосимова
МПК: G11C 15/00
Метки: ассоциативный, запоминающий, моп-транзисторах, элемент
...осуществляется подачей высокого логического уровня напряжения на шину 1 Ф, что приводит к отпиранию по затвору транзистора 7, разреОающаго запись, и к подаче напряжения питания ка стоки транзисторов 8 и 9 при считывании. В 15 20 зо г 41 2Фзависимости от состояния триггера, транзистор 8 или 9 находится в открытом состоянии по затвору. При считывании ток течет из числовой шины 14 через открытый транзистор 8 или 9 в одну из разрядных шин 12 ДЗ, находящихся под низким потайциалом, фиксируя на выходе состояние элемента. В режиме сравнения внешняя информация подается в пароФазной Форме на разрядные шины 42 и 13 так, что в случае несовпадения хранящейся в триггере и внешней информации из соответствующей раз.ридной шины 12 или 15 через юран....
Запоминающий элемент”
Номер патента: 444242
Опубликовано: 25.09.1974
Авторы: Балашов, Тимофеев, Шумилов
МПК: G11C 11/08
Метки: запоминающий, элемент
...5 тока 1 а переводит его в состояние 1. Далеена элемент действуют числовым током считывания 1, на фоне разрядного тока 1 а. На выходной обмотке 4 наводится напряжение неразрушенного О и 1, или неразрушенной 0 1 и 1 ь различающиеся по амплитуде,ого счи Изобретение может быть использовано в запоминающих устройствах вычислительных и управляющих машин.Известен запоминающий элемент, содержащий разветвленный магнитопровод с равными по сечению горизонтальными перемычками и двумя одинаковыми симметрично расположенными отверстиями, через одно из которых проходят числовая обмотка считывания и разрядная выходная обмотка, а через другое - числовая и разрядная обмотки записи. Известный элемент перемагничивается полными тоями и поэтому надежно...
Запоминающий элемент
Номер патента: 444243
Опубликовано: 25.09.1974
Авторы: Сапельников, Старосельский
МПК: G11C 11/36
Метки: запоминающий, элемент
...элемент, содержащ анна и конденсаторы. Однако этосвойственны малый диапазон ус т боты, жесткие допуски на напряж ия и плохая помехозащищенность.В предлагаемом запоминающем элементе последовательно с диодом Ганна включен дополнительный диод Ганна, шунтированный 10 конденсатором, что позволяет расширить область устойчивой работы.На фиг. 1 изображена схема запоминающего элемента; на фиг. 2 - вольтамперная характеристика домена сильного поля. 15Описываемый запоминающий элемент состоит из двух одинаковых последовательно соединенных диодов 1 и 2 Ганна, один из которых зашунтирован конденсатором 3. Диоды подключены к источнику 4 постоянного на пряжения К величина которого превышает удвоенное значение порогового напряжения /, каждого...
Устройство опроса постоянных и односторонних запоминающий устройств
Номер патента: 446104
Опубликовано: 05.10.1974
МПК: G11C 7/04
Метки: запоминающий, односторонних, опроса, постоянных, устройств
...ключены к шине. нулевого потенциала, Первичные обмотки 5, - :5 трансформаторов 4, - :4.,соединены последовательно и подключены к выходу формирователя 6 сигнала опроса. Обмотки 7, - :7,трансформаторов 41 - . 25 - :4, зашунтированы переходами коллектор -эмиттер транзисторных ключей 8, - :8 т 1, управляющие входы которых (в данном случае база и эмиттер) подключены к дешифратору 9 адреса, соединенному по входам с регистром д 0 10 адреса.446104 10 Предмет изобретения Составитель Ю, Авах Техред В. Рыбакова Редактор С. Бычихииа Корректоры: Е. Мохова и 3. ТарасоваЗаказ 1208/9 Изд, Мо 554 Тираж 591 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий Москва, Ж.35, Раушская наб д. 4/5Типография, пр....
Магнитный запоминающий элемент
Номер патента: 446109
Опубликовано: 05.10.1974
Авторы: Балашов, Водяхо, Тимофеев, Шумилов
МПК: G11C 11/08
Метки: запоминающий, магнитный, элемент
...Х-:4 с равными поперечными сечениями.На магнитопроводв размещены обмот ка 5 неразрушающвго считывания, охватывающая в противоположных направлениях перемычки 3 и 4; обмотка б восстановления, охватывающая в противоположных направлениях перемычки 2 и 3; выходная обмотка 7, охватывающая в противоположных йаправлвниях перемычки 2 и 4 (Обмотка записи двоичной информации на фиг.Х нв показана).446109Предлагаемый элемент работаей и О имеет место полное перемагнислелующим образом. чиванив по магнитным путям примерноПростейшими варйант записи - за- одинаковой длины, что приводит кпись с помощью щупа, пропускаемого стабилизации нагрузки на ормирова-:через большое отверстие сердечникэ , тели токов считывания и восстановЧервз щуп подается ток одного...
Запоминающий экран
Номер патента: 449394
Опубликовано: 05.11.1974
Авторы: Елизаров, Кириллов, Мельников, Сощин
МПК: H01J 31/08
Метки: запоминающий, экран
...который представляет собой кристаллический порошок, При облучении его светом с длиной :волны 2537-4600 М или электронным лучом, (энергией 15-20 кв) он интенсивно окрашивается в темно- синий цвет. При этом степень окрашивания моыбдата гадолиния з,начительно превышает степень скраши вания известных фото- и катодо;хромных; материалов.На чертеже представлены кинетические аривые скрашивания фотохромных цатериалов при возбуждении ультрафиолетовым. светом с дпиной волны Л = 3650 Я при плотности возбуждения =50 мвт/сц.Кривая Г соответствует окрашиванию содьлита, кривая 2 - окрашиванию титаната кальция, активированного железом и молибденом, кривая 3 - окрашиванию цолибдата гадолиния.44933Из кривых видно, что коэффициент контрастности...
Запоминающий элемент на мдп транзисторах
Номер патента: 450230
Опубликовано: 15.11.1974
Автор: Тэнк
МПК: G11C 11/40
Метки: запоминающий, мдп, транзисторах, элемент
...считывания и регенерации числовую шину 5 необходимо раз. рядить до пулевого потенциала,Режим считывания. Адрссна на записи 6 подключается к нулевому и а. Баиковеменова корректор Н. Ау едакто Подписио Тираж 591тета Согета Министров ССС1 ий и открытийская наб д, 4/5 аказ 790,2 Типография, пр. Сапунова лу, а на адресную шину считывания 7 подается высокий (по абсолютной величине) готенциал. Если в ЗЭ хранится единица (конденсатор 4 заряжен), то информационный транзистор 2 открыт, и потенциал узла 8 становится равным потенциалу адресной шинысчитывания 7. Далее через открытый транзистор 3 высокий потенциал передается начисловую шину 5, заряжая паразитную емкость 9 числовой шины, Если в ЗЭ хранился 10логический нуль (конденсатор 4 не...
Магнитный запоминающий элемент с неразрушающим считыванием информации
Номер патента: 452034
Опубликовано: 30.11.1974
Авторы: Геворкян, Хананашвили, Чкония
МПК: G11C 11/08
Метки: запоминающий, информации, магнитный, неразрушающим, считыванием, элемент
...полей, содержащий ферромагнитный параллелепипед с отверстием записи, пронизанным шиной записи, с отверстием ойроса;пронизанным шиной опроса и с отверстием считывания, пронизанным шиной считывания. Отверстие записи находится междуотверстиями1 опроса и считывания, причем ось отверстия записи ортогональна осям отверстий опроса и считывания, параллельным между собой. иЦелью изобретения является снижение помех на входе и повышения быстродействия устройства. С этой целью отверстия записи, опроса и считывания предлагаемого запоминающего элемента расположены по тремО взаимно ортогональным осям. 5 то шиной опрошиной записи 6, ой считывания 7 аписи рас жду отверстияеремычка 9. шающ итыва"О" (фиг показаны ремычках 1"; наф б) то гч...
Запоминающий элемент на туннельных криотронах
Номер патента: 452035
Опубликовано: 30.11.1974
Автор: Войтович
МПК: G11C 11/44
Метки: запоминающий, криотронах, туннельных, элемент
...2,и высокоиндуктивной перемычки 6, подключенной параллельно ветви 5, Затвор криотрона 3 включен последовательно с контуром 4, а его вентиль подключен параллельно затвору криотрона 2, При этом индуктив.ность ветви 7 контура 8 значительно меньше индуктивности ветви 9 того же контура,Запоминающий элемент работает следующим образом,Информация копиротсутствием пиркудинаюшем контуре 4.Нтоки/ ивсегда однравления.. м/Я арственного ко о делам изобрет осква, 113035, Заказ ЦНИИПИ Госуд митета Совета Министров ССС и ений и открытий М Раушская наб., 4 рнятне Патент, Москва, Г.59, Бережковская наб мостается незатухающий ток ц, циркуж рующий, например, по часовой стрелке. Такзаписывается "единица",При записи "нуля" подаются то же токи3и о, что и при...
Логический запоминающий элемент
Номер патента: 452857
Опубликовано: 05.12.1974
Авторы: Балашов, Владимиров, Корчагин, Хохлов
МПК: G11C 11/08
Метки: запоминающий, логический, элемент
...Первая 6 и вторая 7 входные шинь пропущены через второе отверстие 3,при этом шина опроса 8 прошита черезпервое отверстие 4,мем наличие сигнала на любой шине, а его отсутствие за О"Предлагаемый логический запоминающийэлемент может ревлиз:вать следующиег аоперации: бахчук=х у, 2=Х у2 Хчд:т, =х у, е =ху .Принцип действия элемента можно проиллюстрировать таблицей, которая приведе 0 на ниже и имеет следующи обозначения:, Операция Пирса То же 2 -- 1 - - - - 1 1 12 1 1 - -- 1 1 1 О, 1 --- 1 2 - - 1 -- - - О 1 1;1 1 - - 1 Запретпо0 1 - О 0 0 2 -- 1 -- - - 0 1 - 0 0,0 2 -1 Я )(е О 0 1 е ее 1е ее е О . 1:. 1 2 Импликация 1 О1 0 - - 1 О 2 - - 1 - " -: 1;"ф1 - 1.1 О- 1- импульс тока на шине опроса;1 - импульс тока на шине записи;1 - импульс тока...
Магнитный запоминающий элемент
Номер патента: 456302
Опубликовано: 05.01.1975
Авторы: Балашов, Водяхо, Тимофеев, Шумилов
МПК: G11C 11/08
Метки: запоминающий, магнитный, элемент
...элемент содержит разветвленньш сердечник 1 флюксорного 25 типа с одним центральным ц двумя крайнцмцотверстиями разного диаметра, На сердечнике 1 размещены обмотка смещения 2, числовая обмотка записи 3, разрядная обмотка заццсц +1 4 и выходная обмотка 5.456302 ХО 1 Считывание информации осуществляется подачей числового тока считывания 1, в ту часгь обмотки 3, которая проходит через крайнее отверстие меньшего диаметра. При совместном действии тока смещения У и числового тока считывания 1 сердечник переходит в состояние О (фиг. 2). Если сердечник находится в состоянии хранения О, то магнитное состояние не изменяется; если сердечник хранил +1 или - 1, то имеет место перемагничивание по контуру вокруг двух малых отверстий. . ак как...
Запоминающий элемент
Номер патента: 459802
Опубликовано: 05.02.1975
Авторы: Лаврищев, Полторацкий, Поспелов, Трутнев
МПК: G11C 11/34, G11C 11/42
Метки: запоминающий, элемент
...Если к структуре, представленной на чертеже, приложить переменное напряжение, то оно распределится обратно пропорционально емкостям участков слоев 3 и 2. В тех местах, где емкость слоя 2 больше (информация записана), напряжение на слое электролюминофора больше и может наблюдаться электролюминесцепция,Таким образом, вся записанная информ ция одновременно воспроизводится в виде св товой картины.Для нормального функцион элемента необходимо, чтобы емк в с записанной информацией отл 5 - 10 раз от емкости соседних у записи. При этом необходимо, сти слоев 2 и 3 были одного пор ий контраст изображения обеспе агодаря большой крутизне вольт-яркостных характеристик электролюминофоров - Уф, где а изменяется от 3 до 30 для разных материалов.,Эти...
Запоминающий трансформатор для накопителя запоминающего устройства
Номер патента: 466547
Опубликовано: 05.04.1975
МПК: G11C 11/02
Метки: запоминающего, запоминающий, накопителя, трансформатор, устройства
...бортика секции расположены по два опорных выступа 10, за которые при намоткезацепляется провод выходной обмотки. Чтобы провод не спадал, секции разделены бортиками. С одной стороны керны не имеют бортиков, и через свободные места переходит провод из секции в секцию, с этой же стороныпроходит желобок, по которому возвращаетсяпровод обмотки.На торце керна расположен со смещениемотносительно центра паз для сердечника, исключающий попадание посторонних предметовмежду сердечниками.В основании стойки выполнены паз длявстречного сердечника, паз для перехода провода обмотки с керна на керн, два паза дляхвостовиков пружин и два фиксирующих выступа от проворота стойки на установочнойплате, Прямоугольный паз и проходное отверстие в основании...
Магнитный запоминающий элемент
Номер патента: 469138
Опубликовано: 30.04.1975
Авторы: Балашов, Водяхо, Тимофеев, Шумилов
МПК: G11C 11/08
Метки: запоминающий, магнитный, элемент
...Магнитный запоминающий элемент (фиг. 1)содержит разветвленный сердечник 1 флюксорного типа из материала с прямоугочьной петлей гистерезиса с одним центральным и двумя крайними отверстиями разных дпамет ров. На сердечнике размещены следующиеобмотки: обмотка 2 смещения; числовая обмотка 3 записи, одна часть которой подключена к источнику импульсов считывания У,ч, а другая часть - к источнику импульсов подготовки У,разрядная обмотка 4 записи сигналов- 1, часть которой подсоединена к источнику записи сигналов 0; выходная обмотка 5.Считывание информации осуществляется пбдачей числового тока считывания 1,в часть обмотки 3. Так как ток У,создает двойные ампервитки по сравнению с током смещения Уто сердечник устанавливается в магнитное...
Запоминающий элемент
Номер патента: 473214
Опубликовано: 05.06.1975
Авторы: Балашов, Лаврентьев, Тимофеев, Шумилов
МПК: G11C 11/06
Метки: запоминающий, элемент
...И 013,Ч С Р (:3 3 с П О М И Ц 1 1 О Ц ОРКИ КНОР:1 ИЦЯТЦЬ3 Ы КОД ий сер С иИН 1црошцту 0 П 1 И Ц Ь 1 13 Ы Й СЦИС ОТЦОСПТС 51 К 00212 СТИ )121 ИТЦ 1 К 3 с 1 П 011 И ц10 ц с цС Т р О С Т 3 112 Т р И ц О. ВЬ 00 ркс 1 ЗЭ 13 ЬНОГН 5 СТС 51 п,ТС)1 Одц 013 рСМСНЦОЙ ЦО;12 Ц 11 ЦТЬГО 3 10 с 1 3 ОРИЗОЦТс 11 Ь- ) 10 И ВС,) И; ЛЦС Со КООР ИЦЯТЦС ЦИ 11,с ПРИ. ЧСМ ОТ;С;1 ЬЦО,Л 51 СЧ И 11132 Ц И 5 Ц ОТДСЛ Ы 0 ДЛ Я записи используется сво;ара коордицатцык шиц.11 аЛИЧИС сСтьрек КООрдццатцЫК Шцц уСЛО)КЦ Я С тЛ С.1 С Ц т.Цель 0 изООрстсни 51 51)лстс 51 уцропсцис ЗЭ.Врс,ля сС.с 01 ЗЭ дЛ 5 ВЫООр(П црп С 1 итЫ ВЯЦИИ И ЗЯ 1 СЦ ИС:ОГЬ:301)с 1 ЦЯ ООИ 12 ЦЯРЯ КООРДИЦЯ 1 Ц 11; ИЦ 1 Ц, КЯИ(25 ИЗ КОТОРЬРОШ- В я ст 0 О 2 к О и и у т 1 сО ц , ц. с с):с 1 ц и к я. Т 2...
Магнитный запоминающий элемент
Номер патента: 473216
Опубликовано: 05.06.1975
Авторы: Балашов, Водяхо, Тимофеев, Шумилов
МПК: G11C 11/08
Метки: запоминающий, магнитный, элемент
...)1 с щс ц 3Я, и то ц р и В 0 дт 1, б 0 л ьОм соцротивл(цию и:3 дчитсльцому расходх моц- цости в цепи смсщсция. Другим Недостатком известного элсмсцтд является сущсствеццая помеха от:астичцо избрдццого элсмсцтд вследствие цеидсальцой прямоугольцости петли гистерсз:Са и упругого измсцсция потока в момсцт о:роса.ЦСЬ 10 ИООРСТСЦИ ЯГ 151 СТСЯ Ц 01 ЬиСЦИС экоцомичцости и помехоустойивости элсмсцта за счет увсличсция допустивОго ддхСтра ЦРОВОДД С)СЦСии 51 Ц МСЦЬИСЦИ 5:10.Си 0 часННо избрццогэгС)ецтд. Зг;1:Сл дости: д(тя тл, что обмоткд смеН(п 5 ц;.остс 5 Нд вторую и Ствсргую:срс)1 Ь К: . , РО)И,30: 0510;К:Ь 1 Х Ц Д) Р 1 Л С : и Х, КО).1:( с Об)О к 1 с 1 тд 5 11110 С 5 т(51 32 5 с; В(ч)т)чо цс;)е)ь( д коордццдНЬ 1 С Об- (.. ( :. .З / 5: .Д 51...
Магнитный запоминающий элемент
Номер патента: 474850
Опубликовано: 25.06.1975
Автор: Тимофеев
МПК: G11C 11/08
Метки: запоминающий, магнитный, элемент
...2 н;прилежащим краем сердечника и перемычки 7 - 9 между огверстнями 2 - 5 сердечника выполнены одинакового сечения, Вертикальная перемычка 10 между четвертым отверстием 5 и прилежащим краем сердечника выполнена вдвое большего сечения, Сердечник прошит обмоткой 11 записи через первое отверстие 2, обмоткой 12 считывания - записи через второе отверстие 3, выходной обмоткой 1 З - через третье отверстие 4 и обмоткой 14 считывания - через четвертое отверстие 5.Элемент работает следующим образом.На фиг. 2 показаны с помощью стрелочной модели состояния хранения О и , проме474850 10 1 жуточное состоянне П и переходы элесмента иод действием импульсов токов. Считывание информации осуществляется одновременной подачей импульса тока 1 в...
Магнитный запоминающий элемент
Номер патента: 478360
Опубликовано: 25.07.1975
МПК: G11C 11/02
Метки: запоминающий, магнитный, элемент
...1 - имуст,пульс установки в исходное состояние.Элемент имеет звукопровод 1 из мат:нитострикционного материала, отверстие2 в звукопроводе, шину.,3 записи.-"ечиуйвания, 10Звукопровод 1 соединен с ультразвуковым преобразователем (на чертеже непоказан), Диаметр отверстия 2 меньшедлины ультразвукового импульса и ширинызвукопровода, Ось отверстия 2 перпенди- цкулярна к оси звукопровода ( направлениюраспространения ультразвукового импульса), Шина 3 записи-считывания пропущеначерез отверстия 2,Предлагаемый элемент работает следу-20ющим образом.В шину 3 записи-считывании подаетсяимпульс тока 1, магнитное круговоеуст.поле которого намагничивает зону вокруготверстия 2 в эиукопроводе 1 в соответствии с направлением 1 Уровень остауст,точной...
Аналоговый диодно-конденсаторный запоминающий элемент
Номер патента: 478364
Опубликовано: 25.07.1975
Автор: Дрожжин
МПК: G11C 27/00
Метки: аналоговый, диодно-конденсаторный, запоминающий, элемент
...питания; Ц, / - напряжение запоминающегоконденсатора и потенциал точки а;ОЦв 1) - соответвтвенно сигналы входа, гашен;я, выхода,Запись сигнала Ц на конденсаторосуществляется через диоды 1, 3 цепизаписи, Истоковый повторитель на полевом транзисторе 7, лиоде нагрузки Я ирезисторе 9 обеспечивает развязку ,еждуконденсатором 5 и выходной (нагрузочнойклеммой 0Выходной уровень Ов через диол 4перелается на общую точку диодов зп 1 си1, 3 и резистора 2, При эом 16 рг 1 ное478364 Аналоговый диодно=конденсаторный запоминающий элемент, содержащий два последовательно включенных диода записи, один электрод первого из которых соединен со входом элемента, другой электрод второго - с затвором МДП = транзислцора истокового повторителя и с одной1из...