Патенты с меткой «запоминающий»

Номер патента: 1702430

Опубликовано: 30.12.1991

Авторы: Верцимаха, Максимчук, Мельничук

МПК: G11C 11/42

Метки: запоминающий, оптоэлектронный, элемент

...и величиной равной или немного больше ее значения.1 Щ 2430 Зависимость Основных параметров ОптОэлектрОнного запомиьаОЦЯГО элемента- ФОТОЭДС р и постоянной времени спада т ат толщине слоя пентацена гСоставитель АнуФриевРедактор М,Кобылянская Техред М,Моргентал Корректс р О,ципле Заказ 4546 Тираж ПОдписО. ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и Откаытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж 35, Раушская наб., 4/5 Производственно издательский комбинат Патент", г. ужгород, ул. агарина. 101 Пример изготовления ззпоминаюьцего элемента,На стеклянную подложку с прозрачным проводящим слоем Зп 02 (изготавливается серийно в заводских условиях) наносили термическим испарением в вакууме 10 Па слой органического полупроводника - пентзцена...

Номер патента: 1714681

Опубликовано: 23.02.1992

Авторы: Котов, Назаров

МПК: G11C 11/16

Метки: запоминающий, элемент

...материала порошка для переменного поля,При больших внешних постоянных по 20 лях Но 10 кЭ магнитная восприимчивостьсоставляет величину порядка 0,3-0,4, а дляполя Но - 100-2000 Э, в которое помещенизвестный ЗЭ, магнитная восприимчивостьдля переменного поля у ферромагнетиков25 может достигать величины порядка 1-10 иболее. Тогда для известного ЗЭ изменение.внутрейнего поля ЬНь в 2-10 раз меньшеизменения внешнего поля ЬНех.Целью изобретения является увеличе 30 ние чувствительности и снижение энергопотребления ЗЭ за счет созданияоднородного магнитного поля в катушке индуктивности и уменьшения переменногоразмагничивающего поля образца,З 5 Поставленная цель достигается тем, чтоЗЭ, содержащий магнитный носитель в видеферромагнитного порошка,...

Номер патента: 1730681

Опубликовано: 30.04.1992

Автор: Никоненко

МПК: G11C 11/14

Метки: запоминающий, инфомрации, неразрушающим, считыванием, элемент

...должна быть не менее 30 нм, а ширина не мере 1,5 мкм, так как за этими границами теряется устойчивость магнитного состояния элемента. Устойчивое хранение информации в таких элементах невозможно, Если толщина элемента более 60 нм, наблюдается снижение продольного сигнала.На фиг. 1 схематично показан запоминающий элемент, разрез; на фиг. 2 - то же, вид сверху; на фиг, 3 - осциллограмма сигнала с запоминающего элемента; на фиг, 4 - графин зависимости приведенного сигнала элемента от его ширины для магнитострикционного сплава пермаллой состава 89;11 и сплава состава 81:19 с околонулевой магнитострикцией (толщина элементов 50 нм); на фиг. 5 - временные диаграммы токов записи и выборки в режиме записи (а) и выборки (б). На...

Номер патента: 1012701

Опубликовано: 15.07.1992

Авторы: Камбалин, Кольдяев

МПК: G11C 7/00

Метки: записи, запоминающий, информации, мдп, структурах, элемент

...подложки. Поскольку растекание заояда в таких структурах происходит по направлениюк полевому электроду, то и время хракения его уменьшится пои повышении темпе ратуры, при которой прои сходит запись. Это является недостатком известного способа записи инФормации в запоминающий элемент на ИЛП-транзисторах.Целью изобретения является повышение надежности записи за счет увеличения времени хранения записанной инФормации,Цель достигается тем, что в способе записи инФормации в запоминаю" щий элемент на ИЯП-структурах ос" нованном на инжекции основного заряда путем подачи напряжения на диэлектрик ИРП-транзистора, осуществляют дополнительную инжекцию заряда путем подачи напряжения на диэлектрик ИДП- транзистора, создающего заряд 1 О з =...

Номер патента: 1047326

Опубликовано: 27.11.1996

Авторы: Романова, Сурмач, Точицкий

МПК: H01J 21/10

Метки: активный, вакуумный, запоминающий, элемент

Вакуумный запоминающий активный элемент, содержащий размещенные в вакуумированном корпусе источник электронов, сегнетоэлектрическую пленку и нанесенные на ее поверхности металлические электроды, отличающийся тем, что, с целью повышения быстродействия запоминающего элемента, в сегнетоэлектрической пленке-электроде, обращенном к источнику электронов, выполнены соосные отверстия, а источник электронов размещен соосно с этими отверстиями.

Номер патента: 1240237

Опубликовано: 27.07.2007

Авторы: Гук, Коленников, Малаховский, Паперно, Пилипович

МПК: G11C 11/22

Метки: запоминающий, транспарант

Запоминающий транспарант, содержащий сегнетоэлектрическую керамическую пластину, общий электрод, изолирующие параллельные слои, нанесенные на поверхность сегнетоэлектрической керамической пластины, адресные электроды, нанесенные на изолирующие слои, отличающийся тем, что, с целью увеличения контрастности изображения транспаранта, в него введены дополнительные изолирующие слои, нанесенные изолированно один от другого на поверхность сегнетоэлектрической пластины в направлении, перпендикулярном направлению изолирующих слоев, а общий электрод нанесен на дополнительные изолирующие слои и поверхность сегнетоэлектрической пластины.