Запоминающий модуль для постоянных блоков памяти

и 726586 Союз СоветскихСоциалнсткческихРеспублик ИЗОБРЕТЕНИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ(23) Приоритет Опубликовано 05.04 80 Бюллетень,% 13 до делам изобретений и открытийДата опубликования описания 08.04.80(72) Авторы изобретения И. Я. Козырь, В. М. Корсунский и О.А. Петросян Московский институт электронной техники(54) ЗАПОМИНАКНЦИЙ МОДУЛЬ ДЛЯ ПОСТОЯННЫХ БЛОКОВ ПАМЯТИИзобретение относится к области вычислительной техники, в частности к микроэлектронным ЗУ и может быть использовано в устройствах .обработки цифровой информации в качестве памяти подпрограмм, табличных данных, функций, преоб разователей кодов и др. Известен запоминающий модуль для :постоянных блоков памяти, содержащий матричный накопитель с элементами свя зи на диодах ЦИз известных запоминающих модулей для постоянных блоков памяти наиболее близким по технической сущности к изоб-, ретению является запоминающий модуль,содержащий матричный накопитель с эле-, ментами связи на анодах, элементы согласования на резисторах, вентильные элементы на диодах, элементы форсирования исходного состояния на диодах, две дополнительные шины с элементами связи запоминающего модуля на диодах, предназначенные для варьирования раз/ рядности запоминающего модуля, и защитные элементы на диодах 21Недостатками этих запоминающих модулей являются высокий уровень выходного сигнала логического нуля, большая1выходная емкость и отсутствие расшифровки адреса,Это снижает их надежность н ограничивает повышение степени интеграции,Целью изобретения является повышение надежности и степени интеграции запоминающего модуля.Йля достижения этой цели предложенный запоминающий модуль дополнительно содержит первую группу вентильныхэлементов на диодах, адресные шины иадресные элементы связи на диодах, катоды которых подключены к адреснымшинам, а аноды - к разрядным шинамзапоминакзцего модуля, Аноды диодоввентильвых элементов первой группыподключены к кагодам диодов вентильных элементов, а катоды - кюетьим соответствующим выводам726586 рапоминающ его модуля, к которымподключены также аноды соответствую щих диодов элементов форсирования исходного-состояния.При варьировании разрядности дляповышения надежности запоминающиймодуль содержит вторую группу вентильных элементов на диодах..На чертеже представлена электрическая. схема предложенного запоминающего модуля.Запоминающий модуль содержит матричный накопитель 1, разделенный наЮ секций, где и 1- число разрядов двоичных слоев, разрядные шины 2, к которым подключены аноды диодов элементовсвязи 3, элементы согласования на резисторах 4, аноды диодов вентиль,тьтхэлементов 5, аноды диодов элементовсвязи запоминающего модуля 6, предназ Опеченные для варьирования разрядности,и аноды диодов адресных элементов связи 7 адресного блока 8. Вторые выводыэлементов согласования на резисторах 4подключены к соответствующим первымвыводам запоминающего модуля. Числовые шины 9 матричного накопителя 1соедййейы с катодами диодов элементовсвязи 3 и имеют внешние выводы ЪАдресные шины 10 соединены с катодами диодов адресных элементов связи 7 иимеют внешние выводы Ц Вентильные " элемейтьт" на диорах первой группы 11подключены анодами к выходам (катодам)вентильньтх элементов на диодах 5, а катодами - ко входам (анодам) диодовЖемеитов форсирования исходного состоя"ния 12. Дополнительные шины 13 дляварьирования разрядности соединены скатодами диодов элементов связи эапоми 40нающего модуля 6, предназначеннъте дляварьирования разрядности, и с анодомдиодов вентильных элементов второйгруппы 14, Выходы (катоды). последних45соедийены с анодами диодов элементовфорсирования исходного состояния 15.Выходы (катоды) диодов элементов форсирования исходного состояния 12 и 15подключены ко второму общему выводуЬОзапоминающего модуля, а катоды диодоввентильных элементов первой и второйгрупп подключены к третьим и четвертымвыводам запоминающего модуля соответ. ственно.55Запоминающий модуль работает следующим образом.На один из первых выводов запомина-ктцего модуля подается высокий уровень 4напряжения (на остальные первые выводы подается низкий уровень напряжепия). При этом в каждой секции предварительно выбираются те разрядные шины, которые через элементы согласования на резисторах подключены к. тому выводу запоминающего модуля, на который подан высокий уровень напряжения. Выбор одной разрядной шины в каждой секции осушествляется подачей соответствующей комбинации высоких и низких напряженийна входы М,Для выбора необходимого. слова извсех М входов, кроме одного, подаетсявысокий уровень напряжения. При этомвыбраны те элементы связи на диодах,выходы (катоды) которых подключены ктому входу Х, на который подан низкий уровень напряжения. При этом с выхода запоминающего модуля считывается И 1 -разрядное слово.,Таким образом, надежность и степень.интеграции предлагаемого запоминающегомодуля по сравнению с известными повышены,Формула изобретения 1. Запоминающий модуль для постоянных блоков памяти, содержащий матричный накопитель с элементами связи на диодах, аноды которых подключены к разрядным шинам запоминающего модуля, а катодык числовым шинам, элементы согласования на резисторах и вентильные элементы на диодах, аноды которых и одни выводы резисторов элементов согласования подключены к разрядным шинам, а другие выводы - к первому выводу запоминаю щего модуля, элементы форсирования исходного состояния на диодах, катоды которых подключены ко второму общему выводу запоминающего модуля, о т л и:ч а ю щ и й с я тем, что, с целью повышения надежности и степени интеграции запоминающего модуля, он содержит первую труппу вентильных элементов на диодах,: адресные шины и адресные элементы связи на диодах, катоды которых подключены к адресным шинама аноды - к разрядным шинам запоминающего модуля, аноды диодов вентильных элементов первой группы подключены к катодам диодов вентильных элементов, а катоды - к тре-: тьим соответствующим выводам запоминающего модуля, к которым подключены также аноды соответствующих диодов726586 УСоставитель И озыр техина Техред М. Петко Редакто орректор Н, С Тираж 662 ПодГосударственного комитета ССС Рделам изобретений и открытийосква, Ж, Раушская наб., д. 4 38ИИП писно 11303 илиал ППП "Патент, г, Ужгород, ул, Проектная, 4 5элементов форсирования исходного состояния.2. Модуль по и. 1, о т л ичающ и Йс я тем, что онсодержит вторую группу вентильных элементов на диодах, аноды которых подключены к соответствулцим элементам связи запоминающего модуля, а катодык его четвертым выводам. 6 Источники инФормации,принятые во внимание при экспертизе1. Авторское свидетельство СССР 5 Б 312310 ю кл, б 11 С 17/00, 1969.г2. Патент США3671948,кл. 340-174.3, опублик, 1972 (прототип ).