Способ изготовления пленочных резисторов

Номер патента: 738489

Опубликовано: 30.05.1980

Авторы: Иштван, Петер

МПК: A01F 25/16

Метки: загрузки, кормов, пленочных, формирования, хранилищ

...12 соединен с ней 35 посредством зубчатого или цепного колеса, Противоположные торцы шнеков 13 подсоединены к шарниру 14, установленному на раме 9. Шнеки 13 имеют противоположное направление навивки и установлены с возможностью вращения навстречу друг другу. Над арсчным перекрытием 10 размещен барабан 15 с защитной пленкой 16 для покрытия кормового бурта. На раме 9 по ее обеим сторонам закреплены барабаны 17 с намотанными на них резиновыми шлангами 18 и колеса 19 для Фиксирования шлангов 18 на защитной пленке 16, расстилаемой краями на фундаменте 1. Крепление защитной пленО ки на Фундаменте в исходном положении установки осуществляется грузами 20. В днище сборной емкости имеется питающий шнек 21. Для обеспечения выгрузки кормов из...

Номер патента: 983762

Опубликовано: 23.12.1982

Автор: Косицын

МПК: H01C 10/04

Метки: переменный, пленочный, резистор

...конструкция резистора; на Фиг.215 схемное изображение резистора, нафиг. 3 - возможные конфигурации пле-,ночных компонентов резистора и соответствующие им периодические Функциивыходного напряжения,2 Переменный пленочный резистор содержит високоомний в виде слоя) резистивный элемент 1, подложку 2,низкоомные токоподводящие шины 3,плоскую низкоомную токосъемную шину25 4 с выходным контактом 5, токосъем-,ний контак 6, связанный с осью 7вращения.Резистор работаетслеЛУющимобразом.На токоподводящне шины 3 подаетсяПостоянное напряжение. Потенциал меж 983762ду ними в силу однородности слоя будет изменяться по линейному закону. При вращении оси 7 токосъемный контакт б будет, описывать по поверхности окружность и снимать напряжение,...

Номер патента: 107754

Опубликовано: 01.01.1957

Авторы: Рабодзей, Юхвидин

МПК: C23F 1/04

Метки: металлической, образования, отверстий, применением, травления, фольге, химического

...в.1 я 10- шш 1, Ооою деформировавую зону со сто: ецью деформации, убьваюгцсй Ог центра Отпечатка и псрифсрш.При химическом травлении фольги с отпечатком травление и дефорзцроваццой зоне идет быстрес в пабогСе сильно деформированной оол асти - вершине отпечатка, и ОСете сбывацием степени;1 сформаццп скорость травления равном-р;ю умсцьшасзся к его периферии. Тким образом, за счет поры иеццой . скорости раствореш 1 я цаибо.ее с 1 Пыо деформированных частсц опечатка получается сквозюе отверстие правгы 1 о 1 формы в его вершине.Г связи с тем, что скорость травления отпечатка значительно больше скорости травлеш 1 я цедеформироваццого материала фольги, в течение врсмеци вытравления отверстия олщина фольги практически цс изменяется.При...

Номер патента: 1046208

Опубликовано: 07.10.1983

Авторы: Доброер, Корнатовский, Махонина, Панов, Федоров

МПК: C03C 3/10

Метки: резисторов, стекло, толстопленочных

...подложки иэ Керамики70 10 1/град). 66,0 12,0 11,0 Ы,О РЪОво510В 11 Недостатком известного стекла является высокое значение температурного коэффициента сопротивления (ТКС), измеряемого в,диапаэоне температур (-60) - (+125)фС (400- 1000)10 ьград"ф, и низкая влагостойкость - (2-5). 20Наиболее близким к изобретению по технической сущности и достигаемому результату является стекло (2 1, включающее, нес.:25 60,0-67.,012,0-16,0 4,0-8,0 7,5-12,6 РЬО810АЮОВ 2МЬ 20 нлиЧго илитэ 0 1,.0-10,1 Известное стекло дает возможность получать резисторы с ТКС 150240 -10 1/град и влагостойкостью.0,6Высокий ТКС и низкая влагостойкость резисторов, изготовленных на основе указанного стекла, снижает качество резисторов ввиду недостаточной стабильности и...

Номер патента: 597030

Опубликовано: 05.03.1978

Авторы: Верцнер, Щетнев

МПК: H01J 37/26

Метки: возможностью, изменения, изображения, микроскопа, узел, формирования, электронного, электронов, энергии

...образца 6, высоковольтный ввод 7, изолятор 8, электрод 9 и обмотку возбуждения 10.При подаче через ввод 7 высокого напряжения на башмак 2 между верхним торцом этого башмака и электродом 9 возникает тормозящее электроны электростатическое поле, которое используется для фокусировки освещаемого электронного пучка в плоскости образца. После прохождения через597030 Формула изобретения образец замедленные электроны ускоряютсяэлектростатическим полем, возникающим между торцами башмаков 2 и 3, до первоначальньх энергий, Это поле, совместно с локализованным в этом же зазоре магнитным полем используется как комбинированный объектив, формирующий первичное изображение образца,Узел дает возможность улучшить качество изображения за счет снижения...