Способ получения твердого материала из поликристаллического бора

Номер патента: 251089

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Коркина, Яковлев

МПК: H01J 9/32

Метки: алюминия, высокого, газоразрядных, давления, ламп, металлов, оболочке, окиси, парами, поликристаллической, припаивания, титановых, токовводов, щелочных

...керамической трубкой; на фпг. 2 - лампа, изготовленная по предлагаемому способу.25 Детали, соответствующим образом промытые н предварительно отожженные в вакуумепомещают в кварцевую ампулу 1 так, как показ ано н а фиг, 1.Вольфрамовый электрод 2 з30 отверстии титанового колпачкагорячей посадки или, что попроще, заклинивают в отверстии несколькими ударами кернера вокруг электрода. Керамическую трубку 4 вставляют в колпачок 3 так, что между ними обеспечивается скользящая посадка третьего,класса точности.В кольцевой конический паз между колпачком и трубкой, помещают кольцо 5 припоя (медь или никель). На дне колпачка рас,положена плоская прокладка б из того же материала, что и кольцо припоя, служащая для уменьшения взаимодействия паров...

Номер патента: 1364966

Опубликовано: 07.01.1988

Авторы: Вишняков, Жуков, Петрухин, Урусов, Фирер, Цыганков

МПК: G01N 27/30

Метки: ионоселективных, мембран, поликристаллических, твердых, электродов

...перемешивании с последующим охлаждением, При плавлении смеси в присутствии серы в количестве 5 или 10 мас.7. электрод имеет худшую электродную функцию и предел обнаружения, а также большее время установления равновесного потенциала.Мембраны изготавливают следующим образом.Смесь порошков сульфидов серебра и соответствующего металла получают совместным соосаждением сульфидов из 0,1 М растворов (соотношение 1:1) нитрата серебра и нитрата свинца, Например, осаждение проводят О, 1 М раствором сульфида натрия, причем осадителя берется 5-107 избыток, Полученные осадки тщательно отмываются раствором азотной кислоты и затем дистиллированной водой до отрицательной реакции на сульфид-ионы и сушатся при 80 С. Высушенные осадки помещаются в...

Номер патента: 1453299

Опубликовано: 23.01.1989

Авторы: Вишняков, Жуков, Капин, Краснощеков, Урусов, Фирер, Цыганков

МПК: G01N 27/30

Метки: ионоселективных, мембран, поликристаллических, твердых, электродов

...мВ. Данные по селективности приведены в таблице,Время установления оавновесногопотенциала от 30 с до 2 мин в течениедлительного времени (до б мес ),Таким образом, способ получениямембран позволяет повысить стабильность потенциала ионоселективныхэлектродов . Способ получения поликристаллических твердых мембран ионоселективных электродов путем сплавления суль.фидов серебра с сульфидами тяжелыхметаллов в атмосфере инертного газа,о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, сцелью повышения стабильности потенциала электродов и окислительной устойчивости, сплавление производят вприсутствии графита, полученногопредварительным пиролизам углеродсодержащего растворителя,Электрод/К На БРеСД РЪМп, 10-4 5, 10- 3 100 10-3 Сц-СЭ Мешает 5,5 10 5,7 10 5 10 1,1...

Номер патента: 521005

Опубликовано: 15.07.1976

Авторы: Верещагин, Кузин, Садков, Семерчан

МПК: B01J 3/04

Метки: аппарат, высокого, давления, многопуансонный

...является повышение предель.ного давления в рабочем аппарате и повышение надежности и стабильности его работы,С этой целью на боковых гранях пуансонов, параллельно их основаниям, выполнены кольцевыеуглубления, в которых расположены уплотняющиепрокладки, имеющие преимущественно поперечноесечение с чередующимися уплотнениями н сужениями.На чертежа показан аппарат, поперечный разрез,Аппарат содержит рабочий объем.1, пуансоны 2, 1 Ов которых выполнены углубления 3, и уплотняющиепрокладки 4,Рабочий объем в виде правильного многогранникаограничен поверхностями малых оснований пуансонов,выполненных в виде усеченных пирамид и расположенных в пространстве так, что их оси пересекаютсяв общей точке, Число пуансонов аппарата определяет.ся...

Номер патента: 1304673

Опубликовано: 20.08.1996

Авторы: Дмитриев, Зайцев, Нечаев, Чернявский, Швецов

МПК: H01L 21/477

Метки: класса, пластин, полупроводниковыми, структурами, термообработки

1. Способ термообработки пластин с полупроводниковыми структурами класса A3B5, включающий размещение пластин и источника компоненты B5 в контейнере, герметизацию контейнера, нагрев контейнера в потоке неокисляющего газа до температуры термообработки и выдержку при этой температуре, отличающийся тем, что, с целью улучшения электрофизических параметров полупроводниковых структур, их воспроизводимости и технологичности обработки, герметизацию контейнера осуществляют в процессе нагрева при 450 - 550°С.2. Устройство для термообработки пластин с полупроводниковыми структурами класса A3B3, включающее контейнер и герметизирующую крышку, отличающееся тем, что в торцевой части стенок...