Патенты с меткой «отжига»

Номер патента: 728593

Опубликовано: 15.12.1993

Авторы: Загоруйко, Тиман, Файнер

МПК: H01L 21/66

Метки: диффузионного, неразрушающего, отжига, полупроводников, процесса

...нанесенными на поверхность 25 исследуемого. образца. В этом способе ток проходит по образцу перпендикулярно диффузионному потоку, По скорости изменения во времени тока определяют коэффициент диффузии, по которому судят о процессе 30 диффузии во время диффузионного отжига.Недостатком эого способа является его недостоверность из-за отсутствия возможности контролировать глубину диффу+ зионного фронта и его непригодность для 35 контроля процесса диффузии в образцах, имеющих большую толщину в направлении диффузии.Целью изобретения является повышение достоверности контроля диффузии ак цепторной примеси в полупроводники п-типа проводимости путем определения положения диффузионного фронта. 45параллельном диффузионному потоку примеси,в качестве...

Номер патента: 1839168

Опубликовано: 30.12.1993

Авторы: Абромавичюс, Вайчиконис, Запяряцкас

МПК: C03B 35/00

Метки: конусов, отжига, перегрузки, печи, транспортера, трубок, электронно-лучевых

...схватами52 (фиг. 1).7 ля повышения производительности перегрузки, которая должна соответствовать производительности печи 5 отжига, на направляющей 2 может быть дополнительно установлен второй робот :3 идентичной конструкции (фиг, 1), при этом каждый из роботов обслуживает свою половину транссвязанные посредством тяг 24 с рычагом 25, расположенным перпендикулярно оси симметрии клещевого схвата (фиг. 5), Механизм смыкания захватных рычагов помимо ры чажного механизма включает также закрепленный на кронштейне 20 пневмоцилиндр 26, в котором установлен поршень 27 с манжетой 28, связанный со стержнем 29. охваченным пружиной 30. В нижней части "0 кронштейна 20 концентрично оси симметрии схвата установлены стакан 31. пружина 32 и палец...

Номер патента: 1153588

Опубликовано: 15.02.1994

Авторы: Епифанов, Звягинцев, Коневский, Литвинов, Суздаль

МПК: C30B 15/20

Метки: кристаллов, отжига

УСТРОЙСТВО ДЛЯ ОТЖИГА КРИСТАЛЛОВ, содержащее датчик предплавильной температуры, подключенный через программно-временной блок к одному из входов сумматора, к другому входу которого подключена термопара, а выход связан через измерительный и регулирующий блоки с исполнительным блоком, отличающееся тем, что, с целью повышения качества кристаллов за счет более точного поддержания температуры отжига, оно дополнительно содержит блок компенсации переколебаний температуры, входы которого соединены с выходом термопары и вторым выходом программно-временного блока, а выход подключен к одному из входов сумматора.

Номер патента: 1253380

Опубликовано: 30.03.1994

Авторы: Веригин, Красик, Крючков, Лопатин, Погребняк

МПК: H01L 21/263

Метки: дефектов, кремнии, отжига

СПОСОБ ОТЖИГА ДЕФЕКТОВ В КРЕМНИИ , включающий облучение импульсами заpяженных частиц наносекундной длительности, отличающийся тем, что, с целью улучшения кpисталлической стpуктуpы, облучение пpоводят сильноточным пучком ионов с плотностью энеpгии в импульсе 0,5 - 0,9 Дж/см2.

Номер патента: 1515719

Опубликовано: 30.04.1995

Авторы: Павлов, Панжинский, Савельева

МПК: C21D 9/56

Метки: ленты, отжига, протяжная, светлого, электропечь

ПРОТЯЖНАЯ ЭЛЕКТРОПЕЧЬ ДЛЯ СВЕТЛОГО ОТЖИГА ЛЕНТЫ, преимущественно фольги, содержащая корпус с установленными по вертикали направляющими роликами, термоизлучатели, устройство охлаждения, газоподвод, отличающаяся тем, что, с целью повышения производительности и КПД, термоизлучатели установлены между направляющими роликами, устройство охлаждения выполнено в виде контактной дугообразной пластины, расположенной под нижним направляющим роликом, при этом верхний ролик выполнен полым с патрубком для подачи газа и радиальными отверстиями, расположенными по рабочей поверхности ролика в шахматном порядке.

Номер патента: 1762555

Опубликовано: 27.05.1995

Авторы: Заверюха, Казаджан, Ковалевский

МПК: C21D 8/12

Метки: анизотропной, высокотемпературного, отжига, стали, толщиной, электротехнической

СПОСОБ ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНОГО ОТЖИГА ЭЛЕКТРОТЕХНИЧЕСКОЙ АНИЗОТРОПНОЙ СТАЛИ ТОЛЩИНОЙ 0,15 0,30 ММ, содержащей, мас. Si 2,8 3,3; Cu 0,1 0,6; Al 0,015 0,030; Ti 0,003 0,012; N 0,004 0,015; железо остальное, включающий многоступенчатый нагрев с изотермической выдержкой при 1150oС в течение 20 ч, отличающийся тем, что, с целью улучшения магнитных свойств стали за счет уменьшения содержания азота, дополнительно проводят изотермическую выдержку при 1170 10oС в течение 10 ч.

Номер патента: 1512397

Опубликовано: 10.11.1997

Авторы: Годник, Двуреченский, Кашников, Кучерявый, Потемкин

МПК: H01J 3/04

Метки: импульсного, отжига, пластин, полупроводниковых

Устройство для импульсного отжига полупроводниковых пластин, содержащее установленные в вакуумной камере катод с размещенными на нем искровыми источниками плазмы, сетку и анод, генератор высоковольтных импульсов и конденсаторную батарею, отличающееся тем, что, с целью повышения качества при отжиге пластин большого диаметра, оно содержит высоковольтный переключатель с системой фотоконтроля, выполненный в виде одного или нескольких неподвижных дисков с установленными на них контактами и соосных с ними подвижных дисков с выполненными в них радиальными пазами и снабженных пружинными контактами, причем число контактов неподвижного диска равно числу радиальных пазов подвижного диска, а каждый источник плазмы подключен к высоковольтному...

Номер патента: 884498

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Герасименко, Кибалина, Придачин

МПК: H01L 21/423

Метки: отжига, полупроводник-диэлектрик, структур

1. Способ отжига структур полупроводник-диэлектрик, включающий операцию импульсного облучения подложки с нанесенной на нее диэлектрической пленкой, отличающийся тем, что, с целью предотвращения повреждений структур, облучение проводят излучением, равномерно поглощающимся и в пленке, и в подложке.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что облучение проводят электронами с энергией 5 - 10000 кэВ.3. Способ по п.1, отличающийся тем, что облучение проводят протонами с энергией 10 - 2500 кэВ.4. Способ по п. 1, отличающийся тем, что облучение проводят ионами с энергией 15 - 1000 кэВ.5. Способ по п.1, отличающийся тем, что облучение проводят фотонами с энергией E в диапазоне...

Номер патента: 1028202

Опубликовано: 20.11.1999

Авторы: Васильев, Герасименко, Ободников

МПК: H01L 21/477

Метки: ионно-легированных, отжига, полупроводников

Способ отжига ионно-легированных полупроводников, включающий импульсный СВЧ-нагрев, отличающийся тем, что, с целью упрощения процесса термообработки и повышения однородности отжига ионно-легированных слоев полупроводников с малой величиной проводимости, нагрев полупроводников проводят импульсом СВЧ-излучения со следующими параметрами: длительность импульса СВЧ-излучения 10-6 - 102С, основная частота СВЧ-излучения 950 Мгц - 10 ГГц, плотность поглощенной энергии СВЧ-импульса рассчитывают по формулеE T(Cndn+2

Номер патента: 1436767

Опубликовано: 20.09.2001

Авторы: Аверьянова, Верин, Генералов, Зимаков, Зыканова, Коршунов, Прохоров, Сазонов, Соловьев, Старикова

МПК: H01L 21/268

Метки: ионно-имплантированных, отжига, пластин, полупроводниковых, слоев

Способ отжига ионно-имплантированных слоев полупроводниковых пластин, включающий формирование поглощающего лазерное излучение слоя и нагрев его лазерным излучением, отличающийся тем, что, с целью увеличения степени однородности свойств отожженного слоя, поглощающий лазерное излучение слой формируют внутри или на обратной стороне полупроводниковой пластины путем легирования, толщину и концентрацию примеси в указанном слое выбирают из условия выделения в поглощающем слое максимальной части энергии лазерного излучения, облучение проводят лазером на CO2 в импульсно-периодическом режиме с мощностью излучения, обеспечивающей температуру подложки от 0,55 Tпл до...

Номер патента: 1393232

Опубликовано: 20.09.2001

Авторы: Аверьянова, Астахов, Белотелов, Верин, Генералов, Зимаков, Зыканова, Камушкин, Коршунов, Петровнин, Прохоров, Соловьев, Старикова, Шестериков, Щербина

МПК: H01L 21/268

Метки: ионолегированных, отжига, полупроводниковых

Способ отжига ионолегированных полупроводниковых материалов, включающий нагрев пластин из полупроводниковых материалов излучением CO2-лазера в импульсно-периодическом режиме до температуры T, лежащей в диапазоне 0,55 Tпл T Tпл, где Tпл - температура плавления материала, отличающийся тем, что, с целью повышения эффективности отжига за счет снижения количества дефектов и дислокаций в пластинах, легированных дозами ионов примеси, не вызывающими аморфизацию имплантированного слоя, нагрев ведут импульсами миллисекундной...

Номер патента: 1170926

Опубликовано: 20.09.2001

Авторы: Генералов, Зимаков, Коршунов, Соловьев, Тихонова

МПК: H01L 21/268

Метки: ионно-имплантированных, отжига, полупроводниковых

1. Способ отжига ионно-имплантированных полупроводниковых материалов, включающий облучение полупроводника излучением CO2-лазера с длиной волны, лежащей вне полосы собственного поглощения полупроводника, отличающийся тем, что, с целью упрощения технологии при одновременном улучшении параметров и повышении производительности, облучение ведут в импульсно-периодическом режиме с длительностью импульса 1,5 10-6 - 1 10-4 с и количеством импульсов 5 - 900 при температуре облучаемой поверхности не меньше 0,55 т.пл., но меньше...

Номер патента: 1023817

Опубликовано: 20.12.2001

Авторы: Красноселов, Мельдер, Прохоров

МПК: C21D 1/26, G21C 19/08

Метки: отжига, реактора, сборок, тепловыделяющих, чехлов, ядерного

Устройство для отжига чехлов облученных тепловыделяющих сборок ядерного реактора, содержащее кожух, заполненный теплоносителем, крышку с отверстиями, рабочую камеру, расположенную внутри кожуха, подводящий и отводящий патрубки, отличающееся тем, что, с целью повышения качества чехлов, рабочая камера выполнена с вертикальными открытыми сверху каналами, сообщенными между собой сверху и снизу, а в одном из каналов установлен электронагреватель, при этом подводящий патрубок размещен над верхней кромкой рабочей камеры, а отводящий - над верхним торцом электронагревателя.