Патенты с меткой «отбраковки»

Номер патента: 1121722

Опубликовано: 30.10.1984

Авторы: Поляк, Спектор

МПК: H01K 3/00

Метки: ламп, накаливания, отбраковки, полуавтомат

...лоток 15, установленный вокне рычага 13, грузы 16, закрепленные на рычаге 13, две поддержки 17с прорезями для установки выводовлампы, два контакта 18, на которыеподается напряжение от щеток, изолятор 19 для изоляции контактов.Механизм съема отбракованных ламп22, корпус золотника 23. На штоке 22 установлен поршень 24.Механизм съема отбракованных ламп включает также подводимый трубопрбвод 25 отводные трубопроводы 26 и 271 бункер 28 для приема сброшенных ламп, трубопровод 29 для обдува позиции трубопровод с соплами 30 для разгрузки отбракованных ламп, кронштейн 31, на котором устанавли О ваются все элементы механизма, крепящийся к станине 2 несколькими болтами. Механизм съема отбракованных ламп в зависимости от требований технологии...

Номер патента: 1148599

Опубликовано: 07.04.1985

Авторы: Алиева, Аюпов, Мирпаязов, Нигматходжаев, Шакамалов

МПК: A01K 67/04

Метки: коконов, отбраковки, пятнистых

...поверхности анализируемого в зоне анализа кокона, и световод 9, который состоит из множества световолокои, объединенных в специальные жгуты. Световод установлен прямо над зоной анализа. Он служит для восприятия отражаемого от кокона света и передачи светового потока на вход фотоэлемента 13. Структура световода выбирается таким образом, чтобы его нижняя часть, обращенная в сторону кокона, имела попе, чное сечение, достаточное для обхвата максимально возможной длины кокона.Верхняя часть световода, обращенная в сторону фотоэлемента, имеет поперечное сечение, соразмеримое с поперечным сечением фотоэлемента. Такая структура свето- вода выбирается с таким расчетом, чтобы. вся поверхность кокона просматривалась 5 10 15 20 25 30 35...

Номер патента: 1239658

Опубликовано: 23.06.1986

Авторы: Барков, Бражникова, Дмитриев, Знаменская, Каленик, Малков, Молодык, Петров, Сизов

МПК: G01R 31/28, H01L 21/66

Метки: кмоп, ненадежных, отбраковки

...загрязненийявлчются основные операции технологического процесса изготовления МОПструктур. Такую же роль, как и загрязняющие примеси, могут играть различные дефекты кристаллической решетки; пустые узлы, дислокации илиЗО сдвиги, возникающие при деформациикристаллов и т,д,Велгячина обратного теплового токав диапазоне температур 50-70"С, обусловленная загрязнениями кристаллаи окисла, зависит как от концентрациипримесей, так и от величины энергиисоответствующей примесному уровню, т,е, виду примесных атомов, Поэтому по величине обратного тепло 40 вого тока в диапазоне температур 50 о,70 С можно судить о наличии загрязнения кристалла, однако из-за разницы в величине Е трудно судить оконцентрации примесей,При 90-120 С приращение обратного...

Номер патента: 1247774

Опубликовано: 30.07.1986

Авторы: Мороз, Ященко

МПК: G01R 23/16

Метки: зарегистрированных, магнитном, носителе, отбраковки, сигналов, случайных

...широким спектром частот.Па фиг.1 изображена структурная схема устройства для осуществления предлагаемого способа, на фиг.2 - диаграммы, поясняющие работу устройства.Устройство содержит последовательно соединенные блок 1 воспроизведения, анализатор 2 спектра и блок 3 регистрации, блок 4 управления, блок 5 сравнения, первый вход которого соединен с анализатором 2 спектра, а первый выход - с блоком 3 регистрации, блок 6 памяти, соединенный входом и выходом с вторым выходом и вторым входом соответственно блока 5 сравнения, Блок 4 управления соеди-нен со всеми остальными блоками(связи блока 4 не показаны). трические сигналы случайных процессови контрольные сигналы на всех временных интервалах спектрального анализа электрических сигналов...

Номер патента: 1247796

Опубликовано: 30.07.1986

Авторы: Голенкин, Сергеев

МПК: G01R 31/26

Метки: мощных, отбраковки, транзисторов

...источник 3 тока создает токи 1 и 12, протекающие через испытуемый и образцовый транзисторы соответствено, которые включены (фиг. 2) по схеме дифференциального каскада с зазем 5 1 О 15 20 25 зо 35 4 О 45 ленными входами, при этом 12 + 1 = 10 В исходном состоянии источник 11 коллекторного напряжения соединен с коллекторами испытуемого и образцового транзисторов через первый резистор Ят и сопротивления нагрузки И и Я 2 соответственно. Напряжения на коллекторах испытуемого и образцового транзисторов равны соответственноЦкб = Ек - Яг 10 - Р 11,1 Цкб 2 = Ек - Йт 10 - К 2 121причем индексом 1 обозначены величины, относящиеся к испытуемому транзистору. Величины Е, Рт и 10 выбираются такими, чтобы напряжение (Е. - К,10) было по крайней мере в...

Номер патента: 1248042

Опубликовано: 30.07.1986

Автор: Турченков

МПК: H03K 3/281

Метки: конденсаторов, мультивибратор, отбраковки, резисторов

...23 и 22. Кзажимам 21 и 22 подключают соединенные параллельно контролируемый конденсатор 27 и эталонный резистор 25(или наоборот эталонный конденсатор27 и контролируемый резистор 25), ак зажимам 23 и 24 - аналогичные эталонные конденсатор. 28 и резистор 26.Мультивибратор работает следующимобразом.Мультивибратор имеет два устойчивых состояния. В первом состояниитранзисторы 1, 4,5 открыты и находятся в состоянии насыщения, а транзисторы 2, 3, 6 закрыты. При этом формула изобретения 25Мультивибратор для отбраковки конденсаторов и резисторов, содержащий эталонный конденсатор, шунтированный первым эталонным резистором, контролируемый конденсатор, шунтированный вторым эталонным резистором, шесть транзисторов и три резистора, причем эмиттеры...

Номер патента: 1269061

Опубликовано: 07.11.1986

Авторы: Дмитриев, Малков, Петров

МПК: G01R 31/303

Метки: интегральных, кмоп, надежности, отбраковки, схем, уровням

...Ом до момента, пока в результате очередной проверки будет полученсигнал, свидетельствующий о прекращении функционирования микросхемы,Функционирование микросхем контролируют методом функционально-параметрического контроля, при этомконтроль заданного значения параметра производится путем измерениязначения напряжения выходного сигнала через время задержки контроляпосле подачи очередного входногосигнала,Параметр считается соответствующим норме, если выходное напряжение микросхемы через время Т соответствует заданному в технических усло-,виях логическому уровню. Таким образом, контролируемым параметромявляется уровень выходного сигналачерез время г, Микросхема считаетсяправильно функционирующей, если выполняются условия где Б ; - выходной...

Номер патента: 1272373

Опубликовано: 23.11.1986

Авторы: Захаров, Неуструев, Нуров

МПК: H01H 49/00

Метки: отбраковки, реле, электромагнитных

...контактах может быть значительным, и реле, которое имеет достаточное контактное усилие, может быть забраковано как ненадежное.Исследования переключающих характеристик реле типа РЗС 49 показывают. что, если величина напряжения в обмотке для повторного измерения падения напряжения на замыкающих контактах выбирается нз условия Уг = 0,5 Юо, то изменения падения напряжения на контактах не происходит вследствие того, что этого напряжения в об 5 1 О 15 20 25 30 35 4 О 45 50 55 мотке недостаточно для изменения состояния замкнутых контактов.На фиг.1 изображена диаграмма состояний реле; на фиг.2 - кривая зависимости величины, обратной падению напряжения на контактах, от величины напряжения в обмотке; на фиг.3 - схема установки, реализующей...

Номер патента: 1278917

Опубликовано: 23.12.1986

Авторы: Журавин, Рубцов, Семенов, Трошкин

МПК: G08C 19/12

Метки: аномальных, измерительного, отбраковки, отсчетов, сигнала

...реализуется на вакуумном диоде, где 1.)" - выходное напряжение экспоненциального преобразователя. 5 1 О 15 20 25 35 40 45 50 55 Устройство работает следующим образом.Фильтры 1- - 1, выполняют оптимальную фильтрацию входного измерительного.сигнала. Блок 2 сравнивают между собой по амплитуде выходные сигналы с 1, (1 =1,2п) фильтров 1 и выбирает сигнал с максимальной амплитудой с),о, 1 я гп( п. Преробразователи 3 - 3 преобразуют выходные сигналы фильтров 1 - 1 в сигналы в соответствии с выражениями: е" - для измерительного сигнала, параметры которого известны, за исключением информативного параметра, или 1 о(п;) -- для измерительного сигнала с извесной фазой. Блок 4 выбирает максимальный из преобразованных сигналов. Сумматор 5...

Номер патента: 1280649

Опубликовано: 30.12.1986

Авторы: Анитов, Майзельс, Павперов, Филатов, Чуркин

МПК: H01H 11/04, H01H 49/00

Метки: герконов, отбраковки

...выступающих единичных неровностей иликрупных структурных зерен защитногопокрытия, то вероятность миграцииточки раэмыкания и опорного очага дуги резко уменьшается, что на последовательности срабатываний проявляется в большой стабильности моментаразмыкания и меньшем разбросе длительности короткой дуги.Линейное прилегание контакт-деталей представляет собой промежуточныйслучай между двумя описанными и проявляется в промежуточных значенияхконтрольных параметров (т.е. нестабильности момента размыкания и разброса длительности дуги) .1Экспериментально обнаружено, чтопри плоскостном контактировании нестабильность длительности переходногопроцесса (ьС ) достигается 5 мкс, анестабильность момента размыканияотносительно начала спада токовогоимпульса...

Номер патента: 1286355

Опубликовано: 30.01.1987

Авторы: Дубовик, Орлов

МПК: B23D 33/00

Метки: отбраковки, отходов

...образом.Подлежащий резке пруток 18 подается задающим механизмом в отверстие неподвижного инструмента 15. Его передний конец, дойдя до призмы 6, опираясь на нее, перемещается до контакта с подвижным упором 3. Упор 3 под действием подаваемого прутка, перемещаясь в опоре 2 на заданную величина Р, тянет за собой сухарь 7 и вместе с ним призму 6, которая начинает поворачиваться вокруг оси 5 относительно кронштейна 4, растягивая при этом пружину 8. Своим поворотом призма 6 освобождает поджатый задающим механизмом к упору 3 передний конец прутка 18.Другой конец перемещающегося упора 3 воздействует на датчик 10, включающий привод подвижного инструмента 11. Под воздействием нагрузки подвижный инструмент5 1 О 1520 фор мула изобретени 40 45...

Номер патента: 1291602

Опубликовано: 23.02.1987

Авторы: Каган, Кузьмин, Мальцев, Мальцева, Матвеева, Унгер

МПК: C12N 1/00

Метки: легкоиндуцируемых, лизогенных, мезофильных, молочнокислых, отбраковки, стрептококков, штаммов

...плотности облученных культур в зависимостиот времени инкубации. Из представленных графиков видно, что штаммы Б. 1 ас 1 я 94 и Б.сгешог 1 я 49 легко индуцируются, а штаммы 8,1 асс 1 я 350 и 8.1 асЕдя вцЬяр. 61 асеу 1 асдв 625 не индуцируются при данной дозе Уф-излучения, Таким образом, штаммы 8.1 ас 1 я 94 и Б.сгешог 1 в 49 не рекомендуется включать в состав заквасок длясыроделия.П р и м е р 2, Выявление легкоин.дуцируемых лизогенных культур с помощью автоматизированной оптическойустановки, разработанной в Алтайскомфилиале ВНИИИС. Суспенэию клеток исследуемых молочно-кислых стрептококков 8.1 асС 1 я (индивидуальные штаммы 94 и 350), приготовленную и облученную Уф-излучением, как указанов примере 1, смешивают с равным объемом среды...

Номер патента: 1294773

Опубликовано: 07.03.1987

Авторы: Бойко, Гусак, Дякивский, Качалин, Николаев, Притула

МПК: C03B 27/00

Метки: закаленных, изоляторов, отбраковки, стеклянных

...при воздухоструйном охлаждении стеклянных иэделий до температуры их поверхности 240 С, продолжительности воэдухоструйного охлаждения 75 с, после чего изделия погружают в горячую воду с температурой 60, 70, 80, 90 С. Изготовленные стеклодетали подвергают испытанию на. ударную механическую прочность при помощи ударного штока. Удару подвергают внутреннюю часть головки стеклодетали.В процессе изготовления стеклянных деталей отмечается также количество разрушений стеклодеталей на отдельных технологических операциях.Результаты испытаний приведены в таблице.1294773 Режим Велич инаударноймеханической Разрушение стеклодетал в процессе термическойобработки, 7. прочности при отрицате термоударе при положитеклоеталей.абота ель горяче жидкос...

Номер патента: 1310756

Опубликовано: 15.05.1987

Авторы: Григорьев, Поляков

МПК: G01R 31/28

Метки: микросхем, отбраковки, памяти

...г. Ужгород, ул, Проектная, 431Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано для контроля надежности микросхем памяти.Цель изобретения - повышение достоверности отбраковки микросхем памяти, обладающих повышенной надежностью.Сущность предлагаемого способазаключается в том, что величина Е --Е характеризует однородность накопителя, Чем меньше величина ) Е, -Етем однороднее накопитель запоминающего устройства, т.е, тем меньше различаются между собой по электрическимхарактеристикам ячейки памяти накопителя. Высокая однородность накопителя свидетельствует о высокой однородности материалов и точности воспроизведения технологических процессов,используемых при изготовлении микросхем памяти, и, следовательно, высокой...

Номер патента: 1311868

Опубликовано: 23.05.1987

Авторы: Селиванова, Юревич

МПК: B23D 23/00

Метки: концов, немерных, отбраковки, проката, резки, штампу

...19, связан"ним через пружину 20 с верхней плитой штампа, удерживается в вертикальном положении, создавая возможностьудаления концевых отходов через отверстие в нижней плите 1 под столпресса.Задний основной упор 21, установленный на регулируемом корпусе 22,имеет возможность поворачиваться относительно оси. В исходном положении упор удерживается пружиной (непоказана), Гашение удара об упор приподаче прутка осуществляется пружинами 23.Упор 12 подпружинен пружиной 24,а шток 17 установлен в корпусе 25 иподжат пружиной 26, Корпус 9 относительно плиты 1 подпружинен пружиной 27, Для удаления отрезанных заготовок предусмотрен лоток 28,Устройство работает следующим образом,Пруток 29 подающим устройствомавтоматического стеллажа подаетсядо...

Номер патента: 1317493

Опубликовано: 15.06.1987

Авторы: Волков, Храмцов

МПК: H01B 19/00

Метки: изоляторов, испытаний, отбраковки, транспортирования, электрических

...закреплено гнездо 13, имеющее возможность при помоии тяги4 поворачиваться на определенный угол, необходимый для свободного доступа к стержню изолятора 15. 45На позиции разгрузки на рельсовом пути подвесного конвейера жестко закреплены кулачки 16 (фиг. 6), которые цоздействук)т на ролики 17 захвата 3.Установка работает следуюцим образом.Изолятор шапкой вниз подается транспортером на позицию загрузки. При подходе к месту загрузки каретка подвесного конвейера с захватом 3 подает команду механизму подьема, цневмоцилицдр которого, захватив изолятор гнездом 13, цодци.мает его вверх. Дойдя до верхцего положе 2ция, гнездо с изолятором тягой 4 с ограничителем поворачивается ца определенный угол, обеспечивая тем самым свободный доступ захвату 3 к...

Номер патента: 1320776

Опубликовано: 30.06.1987

Авторы: Воинов, Кругликов, Ледовской

МПК: G01R 31/00

Метки: ненадежных, непроволочных, отбраковки, потенциально, резисторов

...отбраковкиприборов по качеству,Измерение спектральной плотностимощности низкочастотного шума на частотах Г, и Г, произведенное на малошумящем резисторе нагрузки К, позЬоляет определить коэффициентследующим образом: Деградация резистора связана с изменением его сопротивления и приводит к допусковому отказу. Соответственно и регистрируемая мощность низкочастотного шума также изменяется по за- кону Соотношение (5) устанавливаетсвязь между скоростью деградации сопротивления испытуемого резистора искоростью изменения мощности шума,вьделяющейся на сопротивлении нагрузки,Исследование выражения (5) наэкстремум позволяет определить величину сопротивления резистора нагрузки, на котором скорость изменениямощности шума, вызванная...

Номер патента: 1322207

Опубликовано: 07.07.1987

Авторы: Воинов, Ледовской

МПК: G01R 31/28

Метки: операционных, отбраковки, усилителей

...в класс элементов повышенного качестваои ("соПод ошибкой второго рода понимают долю элементов повышенного качества, попавших в класс элементов пониженного качества.На чертеже изображена схема устройства для реализации предлагаемогоспособа.Устройство содержит источник 1входного напряжения, испытуемый операционный усилитель 2, первый широкополосный усилитель 3, детектор 4, источник 5 питания испытуемого прибора,преобразователь 6 ток-напряжение, второй широкополосный усилитель 7, первый дифференцирующий блок 8, первыйпороговый блок 9, делитель 10 напряжения, счетчик 11 импульсов, второйпороговый блок 12, второй дифференцирующий блок 13, третий пороговый блок14, генератор 15 прямоугольных импульсов, первый 16 и второй 17 элементыИ,...

Номер патента: 1330063

Опубликовано: 15.08.1987

Авторы: Смирнов, Федосеев

МПК: B65H 7/02

Метки: двойных, листов, отбраковки

...усиления транзистора 1, сопротивления элементов 2, 3, 6, а также индуктивного сопротивления катушки 7, которая включена в цепь нагрузки коллектора транзистора 1.Перед началом работы устройства исполнительный механизм 8 перемещают к сто 10 15 20 25 30 35 пе 11 листов и с помошью захватов 9 производят отделение верхнего листа 10 от стопы. В процессе отделения лист 10 контактирует с торцовой поверхностью катушки.7, через которую протекает ток переменной частоты, вырабатываемой генератором.Так как индуктивность катушки зависит от магнитной проницаемости материала листа, вводимого в ее магнитное поле, наличие в поле катушки листа определенной толщины приводит к установлению соответствуюшего материалу и его толшине индуктивного...

Номер патента: 1332214

Опубликовано: 23.08.1987

Авторы: Бурак, Лахоцкий, Скорык, Яцишин

МПК: G01N 27/02

Метки: накала, отбраковки, тел

...и повышение производитель О ности измерения.На чертеже показана электрическая схема устройства,Устройство содержит стабилизатор .1 напряжения, ключ 2, образцовое соп.ротивление 3 последовательно соедиФненное со стабилизатором 1 напряжения, исследуемым телом 4 накала и ключом 2. Параллельно сопротивлению 3 подключено устройство 5 регистра ции тока тела 4 накала, содержащее последовательно соединенные масштабный усилитель 6, компаратор 7 напряжения, на один из входов которого подается уставка, соответствующая 25 исследуемому параметру, блок 8 управления ивычислительное устройство 9. На синхронизирующий вход устройства 5 регистрации тока подается напряжение с ключа 2. ЗОУстройство работает следующим образом.При подаче напряжения от...

Номер патента: 1337707

Опубликовано: 15.09.1987

Авторы: Степанцов, Чистик, Юсим

МПК: G01M 13/04

Метки: качения, моменту, отбраковки, подшипников, сопротивления

...ин; Н 3 ыл чы;301 ни нни 11 с ццлци(ьн) Оф.к;1 е, 353 1 ир с3) 3 ВЫ 1 ) Л Е,+УТ К 1 11 РС 11111 110.Н)ТС Я ивргик;3,ьный стуц нчдгый лцОк Оклл Ионц.влци мл .Отку 6 ицц и р.О н)сгу ннгцд Нс)ЛКЛ ОЛНОГО И С ИрИЕЛц Х ЛИ ХНИ СЧ)В 7.Г, ццлки црисчнци м( )низчд плцИннин скГьВесЯ В ск(6 л ) 333 ыГе,Ицй10,цвки 8, нзОляшл Ос В,и в)ч исл 0.1130 Л 3,О Ж Е 1133, 13 С Г;1) ВС3(;1 В Ы . В И 1 У В 3313(с 5 0 Гнцс 3 те,ьнц м)61 Л 1 ) с ер + ни 13, нрижди В этц Вр(чя с 3 Очци,н новлкз Ои црлжин 24 к лццру 16 10 си н;)Гл 6 еск 0131;кно 0 Вык,нчдл 18, с;1(1 иксирцс;31313 е 3 0 310 1 Л 11,1(. 1111. 1 С 11 ГЛ ( М(1 ( 11,311 31111 К 1,Н ГЦК Нц(ВЧОЦИ,ИН.(Р 1 .)НОЛ 1011(ЬН) 1 цнц.к; 10 и 0 меИцт нгцк О,к)ге, 1 сцскц032) В Кр 11313(. 113)313(с 11,1)Ж(.3111 е,1...

Номер патента: 898892

Опубликовано: 07.11.1987

Авторы: Андрияшин, Майзельс, Титов, Филатов

МПК: G05B 23/02, H01H 1/66, H01H 11/04 ...

Метки: герконов, отбраковки

...поля, )Й- модуль напряженности переменного магнитного поля, устанавливают скважность наведенногд на концах контакт- деталей сигнала в пределах 1,1 1,2, измерение падения напряжения на замкнутых контакт-деталях прОизводят во всем диапазоне возможных контактных нажатий при условии причем отбор геркона по допустимому уровню величины переходного сопротивления контактов производят с учетом характера изменения величины переходного сопротивления контактов в процессе одновременного воздействия постоянного и переменного магнитных полей.Такое воздействие магнитных полей на контакт-детали геркона приводит к тому, что контактные поверхности контакт-деталей скользят (катятся) отна" сительно друга друга, меняя точки контактирования. Соотношение...

Номер патента: 1350446

Опубликовано: 07.11.1987

Автор: Любарский

МПК: F17C 5/02, F17C 7/02

Метки: баллонов, бытовых, газом, заполнением, отбраковки, сжиженным

...-С20 =щБ -- + Ма -р ЭРГО-щ 2 - -+М2 РНаходит разность дЯ:-2 Г Г, -Р,Щ= -Ц 2=Щ тВ другом крайнем положении (фиг,4,обозначено пунктиром) нагрузки Я,и Я 2 равны (если не учитывать потерьэнергии):Р2 Р 1Я=ща --- + Ф-у2С уЯ =щя - у - + Мд Ф 45 50=13,62 Н. Так как 0,49 с 0,50, то баллон можно заполнятьВеличину Р ,и можно определить кактеоретически, так и прямым измерением. Покажем сначала теоретическое оп 5ределе "ие П наивПусть баллон находится на платформе весов, и в данный момент временижидкость занимает крайнее положение 1(фиг,2), Так как баллон покоится,Рто записывают следующие уравнения моментов сил, действующих в системе,В системе действуют сила тяжести щя,приложенная к центру тяжести жидкости; масса щ жидкого остатка; силатяжести Мя,...

Номер патента: 1350614

Опубликовано: 07.11.1987

Авторы: Бучко, Гусак, Дякивский, Жуков, Качалин, Николаев, Притула

МПК: G01N 33/38

Метки: высоковольтных, дефектных, закаленного, изоляторов, отбраковки, подвесных, стекла

...в течение 15-30 мин и охлаждением до10-20 С в течение 2-10 мин.Составитель М.СлинькоРедактор П.Гереши Техред М.Моргентал Корректор Л.Пилипенко Заказ 5281/4 Ь Тираж 776 ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета СССРпо делам изобретений и открытий113035, Москва, Ж, Раушская наб д, 4/5 Производственно-полиграфическое предприятие, г. Ужгород, ул. Проектная, 4 23506Изобретение относится к области исследования стекла особыми способами, в частности к области исследования высоковольтных изоляторов из стекла. 5Цель изобретения - повышение эффективности отбраковки.Способ осуществляется следующим образом.На гирлянду высоковольтных иэоля торов воздействуют растягивающей силой, равной 40-603 нормированной разрушающей растягивающей силы...

Номер патента: 1365173

Опубликовано: 07.01.1988

Автор: Ердяков

МПК: H01H 49/00

Метки: двухобмоточных, отбраковки, партии, поляризованных, регулировки, реле, электромагнитных

...напряжением переключения по первой обмот ке и напряжением переключения по второй обмотке 25 45где Б, - напряжение переключенияполяризованного реле попервой обмотке при прямой полярности подаваемого напряжения; 50Ц - напряжение переключенияполяризованного реле повторой обмотке при прямой полярности подаваемого напряжения55Затем осуществляют вторую поочередную подачу напряжения на каждую иэ обмоток поляризованного реле, причем полярность подаваемого напряжения противоположена полярности первого подаваемого напряжения и при этом определяют вторую разность напряжения срабатывания де; = Ц, - Ц 2 , где О, - напряжение переключения поляризованного реле по первой обмотке реле при обратной полярности подаваемого напряжения; 0 - напряжение...

Номер патента: 1372423

Опубликовано: 07.02.1988

Автор: Гришаев

МПК: H01K 3/00

Метки: автомат, ламп, накаливания, отбраковки

...пульта 15 управления (фиг. 1)включается электродвигатель 9, который через цепную передачу 8, редуктор7, электромагнитные муфты 6 приводитв непрерывное движение конвейер 2.Через щетки 21 (фиг. 3) напряжениеот шин 10 (фиг. 2) подается по проводам лепесткам 18 и подвижному контакту 19,При подходе держателя 3 ламп кстройству 12 загрузки ламп ролики32 (фиг. 4), обкатывая путевой кулак35 (фиг. 2) с двух сторон, разводят прижимы 29 (фиг. 3 и 4) на ширину, равную диаметру шаровой части лампы.Через штыри 31 приоткрываются захва 5 ты 30 на ширину, равную диаметру горла лампы. Таким образом, при дальнейшем движении шаровая часть лампы проходит через раскрытый прижим 29(фиг,3),а горло лампы через раскрытые 10 захваты 30,которые подхватывают...

Номер патента: 1386865

Опубликовано: 07.04.1988

Авторы: Линкталлер, Машаров, Семенюк

МПК: G01M 19/00

Метки: отбраковки, стеклянной, тары

...стержни 22 в корпусах 23, Последние удерживаются в верхнем положении пластинчатыми пружинами 24, Аиксирующими одновременно корпуса от проворачивания вокруг их вертикальной оси. Верхняя рама 25 служит для крепления копира 26, а нижняя рама 27 - для крепления направляющих 28 для тары, упора 29 и подпружиненных рычагов 30,Таким образом, установка для отбра ковки (Аиг. 6) содержит конвейер 1, механизм 31 испытания горловин на скручивание и механизм 32 испытания горловин тары на раздавливание и удар. При этом механизм 31, приводной стол 6 которого расположен над конвейером соосно с последним, является первым в цикле испытания горловин, а механизм 32, ротор 19 которого расположен тангенциально конвейеру, является заключительным в цикле...

Номер патента: 1394260

Опубликовано: 07.05.1988

Авторы: Копытин, Левченко

МПК: H01H 11/04

Метки: контакта, отбраковки, электрического

...которого меньше или равен номинальному, подвергают дальнейшему исследованию: в обесточенном состоянии размыкают и замыкают, затем снова определяют критический ток. Операцию определения критического тока выполняют статистически значимое число раз, например 1 О, и из полученных десяти значений критического тока выбирают наибольшее. Это значение принимают эа нижнюю границу диапазона эксплуатационных токов, в котором исследованный контакт работоспособный.Таким образом, точность контроля качества электрических контактов слаботочных и средненагруженных коммутационных аппаратов повышается за счет того, что критический ток импульса определяют по снижению контактного сопротивления с уровня, превышающего предельно допустимый при номинальном...

Номер патента: 1411635

Опубликовано: 23.07.1988

Авторы: Добровинская, Литвинов, Мильман, Цайгер, Чугунова

МПК: G01N 3/42

Метки: корунда, механической, монокристаллов, обработке, определении, отбраковки, пригодности

...алмазную пирамиду в поверхность рас,кола.По 10 измерениям определяют среднеарифметический размер отпечатка а и среднеарифметическую величину радиальных тре щин вокруг этого отпечатка С. Направление трещины должно совпадать с направлением диагоналей отпечатка с целью измерения в одинаковых условиях нагружения. При отношениях длины микротрещины к размеру отпечатка в интервале 1,7(С/а(5 нагрузка на индентор составляет порядка 350 г.По величине отношения С/а и функциональной зависимости М = 1(С/а) 1 чертеж) определяют величину коэффициента где а - среднеарифметический печатка; С - среднеарифметическое диальной трещины; Х - экспериментальная величина, определяемая как функция С/а согласно зависимости, изображенной на чертеже;Е - модуль...

Номер патента: 1420558

Опубликовано: 30.08.1988

Авторы: Воинов, Кругликов, Ледовской

МПК: G01R 31/3181

Метки: интегральных, микросхем, нестабильных, отбраковки, потенциально, цифровых

...однократное интегрирование в течение промежутка времени, длительность которого определяется видом контроля. Так, для проведения интегральной диагностики микросхемы устанавливается время интегрирования, равное времени действия заданной тек стовой последовательности, а для обнаружения неисправной цепи минимально устанавливаемое время интегрирования равно сумме времени действия одного входного воздействия и длительности переходного процесса выключения элементов микросхемы.Кроме того, производить контроль надежности микросхем можно параллельно с функциональным контролем, что уменьшает количество необходимых операций и повышает оперативность способа.25 На чертеже представлена схема устройства для реализации предлагаемого...