Способ отбраковки микросхем памяти

(50 4 С 01 К 31 28 ПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИ СР81. Сл СЬ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССРПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИ 4 К А ВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВ(56) Авторское свидетельство ССВ 1035531, кл, С 01 К 31/00, 19Патент США В 4503538,кл. С 01 В. 31/28, 1982.(54) СПОСОБ ОТБРАКОВКИ МИКРОСХЕМПАМЯТИ(57) Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано для контроля надежности микросхем (МС) памяти. Способ реализуетсяследующим образом. На МС 1 подаютэлектрические импульсы (И) от генератора 2, соответствующие определеннойтестовой последовательности. С помощью блока 3 регистрации контролируется работоспособность МС сравниваниемИ от генератора 2 с выходными сигналами МС. Напряжение питания, подаваемое на МС от источника 4 напряжения,плавно изменяют сверх рабочего диапазона. Фиксируют первое значение напряжения Е питания, при котором отказывает одна ячейка памяти (ЯП). Продолжают изменять напряжение питаниядо уровня Е, при котором отказываетбольшое количество ЯП, например половина. Проверяемая МС признается годной, если разность напряженийЕ-Епо абсолютной величине меньшезаданного значения Ь Е,ил.Формула изобретения На схеме обозначены микросхема 1 памяти, генератор 2 импульсов, блок 3 регистрации числа отказавших ячеек памяти и источник 4 напряжения.На испытываемую микросхему 1 подают электрические импульсы от генератора 2 импульсов, соответствующие определенной тестовой последовательности, Работоспособность микросхемы Составитель В.СтепанкинТехред А.Кравчук Корректор Л.Патай Редактор А.Огар Заказ 188/42 Тираж 31 ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета СССРпо делам изобретений и открытий113035, Москва, Ж, Раушская наб., д, 4/5 Производственно-полиграфическое предприятие, г. Ужгород, ул, Проектная, 431Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано для контроля надежности микросхем памяти.Цель изобретения - повышение достоверности отбраковки микросхем памяти, обладающих повышенной надежностью.Сущность предлагаемого способазаключается в том, что величина Е --Е характеризует однородность накопителя, Чем меньше величина ) Е, -Етем однороднее накопитель запоминающего устройства, т.е, тем меньше различаются между собой по электрическимхарактеристикам ячейки памяти накопителя. Высокая однородность накопителя свидетельствует о высокой однородности материалов и точности воспроизведения технологических процессов,используемых при изготовлении микросхем памяти, и, следовательно, высокой надежности микросхем памяти. Приэтом Е, - первое значение напряженияпитания, при котором отказывает однаячейка памяти, а Е - второе значение напряжения питания, при которомотказывает заданное большое количество ячеек, например половина всех ячеек.На чертеже изображена блок-схемаустройства для реализации предлагаемого способа,О 5 б 2контролируют с помощью блока 3 регистрации, сравнивающего импульсы отгенератора 2 с выходными сигналамимикросхемы 1. Напряжение питания, 5 подаваемое на микросхему 1 от источника 4 напряжения, плавно изменяютсверх рабочего диапазона, При этомфиксируют первое значение напряженияпитания Е, при котором отказываетодна ячейка памяти (адрес отказавшейячейки не запоминают). Напряжение питания продолжают изменять до уровняЕ, при котором отказывает заданноебольшое количество ячеек памяти, например половина всех ячеек. Проверяемая микросхема признается годной, если разность напряжений Е, - Е поабсолютной величине меньше заданногозначения Ь Е.20 Способ отбраковки микросхем памятисостоящий в том, что записываютэталонную информацию в микросхемусравнивают считанную с микросхемы информацию с эталонной, понижают напряжение питания микросхемы памяти, измеряют величину напряжения питания,при котором происходит нарушение соответствия считанной информации эталону, о т л и ч а ю щ и й с я тем,что, с целью повьппения достоверностиотбраковки микросхем памяти, изме ряют первое значение напряжения пита"ния, при котором отказывает однаячейка памяти, измеряют второе значе"ние напряжения питания, при которомотказывает заданное количество ячеекпамяти, и считают микросхему годной,если разность первого и второго напряжений питания по абсолютной величине меньше заданного значения.