Способ отбраковки кмоп интегральных схем по уровням надежности

СОЮЗ СОВЕТСКИХСОЦИАЛИСТИЧЕСКИРЕСПУБЛИК 26906 Д 11 4 С 01 К 31/2 БРЕТЕ 17. фЙЫ(54) СПОСОБ ОТБР РАЛЬНЫХ СХЕМ ПО (57) Изобретение ОВКИ КМОП ИНТЕРОВНЯМ НАДЕЖНОСТИ тносится к техниМожет быть исьппения надежносаратуры, построен- схемах. Цель изобческои диагностик ользовано для по нной ап и злек юй а ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССРПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИИ ОПИСАНИ АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛ(71) Московский лесотехнический ин ститут(56) Финкельштейн Е.Я, Обеспечение надежности элементов методами пара метрического контроля. - Рига, Зинатке, 1979,Е 1 ес 1 гопср. 454. 1,еСегз. 1978, Ф 4,ретения - повьпнение отбраковки потенциально надежных КМОП микросхем. На интегральную схему (ИС) подают номинальное напряжение питания и входные сигналы. Измеряют у всех ИС, входящих в контролируемую партию, величину активного сопротивления, включенного в цепь питания ИС, при которой прекращается функционирование (критическое сопротивление Й). Затем определяют значение Крщ , соответствующее максимуму распределения критических сопротивлений в партии ИМС, и отбраковывают ИС по отличию индивидуальных значений Е д, от значения Кд, на величину, превьппающую средиеквадратическое отклонение б . Новым в способе является измерение величины Кри для всех ИС, входящих в партию, иотбраковка ИС по критерию /Вкатит Пкритм / к1 э.п. ф-лы. 1 ил.61 20 25 30 35 схема. 5 О 1 12690Изобретение относится к области технической диагностики и может быть использовано для повышения надежности электронной аппаратуры, построенной на КМОП интегральных микросхем.Целью изобретения является повышение достоверности отбраковки потенциально ненадежных КМОП микросхем,Отбраковка микросхем производится в соответствии с результатами 1 О статистической обработки величин критических сопротивлений в цепи питания микросхем в заданных условиях работы, что позволяет отбраковать, потенциально ненадежные микросхемы, не входящие в область "технологического центра" параметров микросхем в рамках одной технологической партии. На чертеже изображена схема устройства, реализующего способ.Устройство содержит клемму 1 дляподключения питания испытуемой микросхемы, соединенную с первым выводомрезистора 2, второй вывод которогоподключен к вводу питания испытуемоймикросхемы 3, логические входы ивыходы которой подключены к блоку 4функционально-параметрического контроля работоспособности.Способ осуществляют следующимобразом.На блоке 4 функционально-параметрического контроля функционированиямикросхем устанавливают номинальную(в соответствии с техническими усло- .виями) частоту функционирования,последовательно с контролируемоймикросхемой 3 в цепь питания включают переменное активное сопротивление 2Затем, начиная со значенияК=О, проводят проверку функционирования микросхем, увеличивая величину К после каждой проверки на 200300 Ом до момента, пока в результате очередной проверки будет полученсигнал, свидетельствующий о прекращении функционирования микросхемы,Функционирование микросхем контролируют методом функционально-параметрического контроля, при этомконтроль заданного значения параметра производится путем измерениязначения напряжения выходного сигнала через время задержки контроляпосле подачи очередного входногосигнала,Параметр считается соответствующим норме, если выходное напряжение микросхемы через время Т соответствует заданному в технических усло-,виях логическому уровню. Таким образом, контролируемым параметромявляется уровень выходного сигналачерез время г, Микросхема считаетсяправильно функционирующей, если выполняются условия где Б ; - выходной уровень на-ом выходе микросхемы,Бо- заданный в ТУ логическийуровень.Если хотя бы на одном из выходов микросхемы хотя бы одно .из указанных условий не выполняется, формируется сигнал, свидетельствующий о нарушении правильности функционирования.В качестве блока функционально параметрического контроля, реализующего описанный алгоритм проверки функционирования микросхем, может быть использовано серийное устройство "Стенд контроля интегральных мик 11росхем "ПоводВ результате проверок для каждой микросхемы, входящей в контролируе- мую партию, получают определенное значение критического сопротивления, .т.е. того сопротивпения, при котором происходит нарушение правильного функционирования микросхемы. По результатам измерений строят гистограмму распределения значений К , дпя контролируемой партии. По гистограмме находят значение Ккр соответствующее максимуму распределения, после чего отбраковывают микросхемы по степени отклонения значения Кри, для -ой микросхемы от значения К р,. При этом считают, что, чем больше степень отклонения, тем менее надежной является микроФормула. изобретения 1. Способ отбраковки КМОП интегральных схем по уровням надежности, включающий подачу на каждую интегральную схему из контролируемой технологической партии напряжения питания и входных испытательных сигналов, сравнение реакции интегральной схемы с эталонными значениями, отбраковку потенциально ненадежных3 1269061 микросхем, о т л и ч а ю щ и й с я где тем, что, с целью повышения достовер. ности отбраковки, включают в цепь питания интегральной схемы активное сопротивление, значение которогоувеличивают от нуля, фиксируют для каждой интегральной схемы величину критического активного сопротивления в цепи питания, при которой прекращается функционирование интеграль" 10 ной схемы, определяют значение критического сопротивления, соответст-. вующее максимуму кривой распределения критических сопротивлений в контролируемой технологической партии интегральных схем, и отбраковывают потенциально ненадежные интегральные схемы в соответствии с критериемРкрп кРит.и 1 ф к - индивидуальное критическое сопротивление интегральной схемы;Кр - критическое сопротивление ИРИ. Минтегральной схемы,соответствующее максимуму кривой распределения критических сопротивлений;с 1 - численная величина, определяемая. заданным уровнем надежности,2, Способ по п. 1, о т л и ч а ю . щ и й с я тем, что, в качестве количественного показателя .с( в критерии выбора ненадежных интегральных схем используют сверднеквацратическое отклонение распределения критических сопротивлений в партии интегральных схем. Составитель В, СтепанкинРедактор Н, Егорова Техред Л.Олейник Корректор С, Иекм 6 1/48 . Тир ВНИИПИ Государспо делам изоб 113035, Москва Подписноомитета СССРоткрытийушская наб д. 4 ак енного ретении Ж