Патенты с меткой «мощных»

Номер патента: 1806269

Опубликовано: 30.03.1993

Авторы: Баранов, Мельников, Сагиев, Уразов

МПК: E21C 41/22

Метки: залежей, мощных, разработки, рудных

...чему он проника трещины, затвердевает в них и таким о зом повышает устойчивость массива.В другом варианте реализации тросы 3 в скважинах 2 перед заливкой или нагнетанием в них твердеющего раствора 4 подвергают предварительному натяжению, что обеспечивает впоследствии уменьшение деформаций кровли выработок, упрочненной этими тросами.На нижележащем подэтаже по мере проходки буродоставочных выработок обнажающиеся концы тросов 5 соединяют между собой, получая таким образом тросовое разделяющее перекрытие, Отбойку руды в зажиме производят из подэтажных выработок вертикальными или наклонными веерами скважин 6. При выпуске руды из забоя тросовое перекрытие разделяет отбитую руду и обрушенные породы и препятстРеда кто Заказ 9 Тираж...

Номер патента: 1809059

Опубликовано: 15.04.1993

Авторы: Агарков, Головкова, Ковалев, Кшуманев, Маслов, Фукс

МПК: E21C 41/18

Метки: выработанного, закладкой, крутых, мощных, пластов, пожароопасных, пространства, разработки

...500-850 мм.С подзтажных штреков 2 пройденных у кровли и почвы пласта 1 под межгоризонтным целиком 4 расположенным под углом естественного откоса ф, в целиках выбуриваются скважины 7, герметизируются и в них подается вяжущий раствор для упрочнения межгоризонтного цели ка 4. Затем в верхней половине этажа подэтажными штреками 2 под межгоризонтным целиком 4 и подэтажными штреками 2 у кровли пласта 1 угольной пилой прорезается монтажная щель Вимонтируется гибкое перекрытие 9, Кроме того дополнительно в верхней половине этажа у почвы пласта 1 прорезается Монтажная щель 8 и мои. ируют гибкое перекрытие 9, которое соединяют с гибким перекрытием 9 смонтированным у кровли пласта 1 и под межгоризонтным целиком 4, образуя П образный контур из...

Номер патента: 1200646

Опубликовано: 15.04.1993

Авторы: Гектин, Птицын, Розенберг

МПК: G01J 5/50

Метки: лазерных, мощных, пространственных, пучков, сфокусированных, характеристик

...и размерахпоперечного сечения пучка, а также о егоместоположении в данном способе не искажаются,Таким образом, способ применим длямощных лазеров практически любой мощности и любого размера поперечного сечения пучка излучения.Для данной мощности лазерного пучкавремя экспозиции, плотность островков иих размер в зависимости от вещества подбираются экспериментально. В частности,изменения плотности островков и их размера можно добиться, в первую очередь, варьированием толщины осаждаемого слояматериала, При этом для всех материаловнижний предел изменения толщины островковой пленки определяется размером островков, необходимым для отчетливогонаблюдения процесса коалесценции, а верхний предел определяется переходом от островковой пленки к...

Номер патента: 1812309

Опубликовано: 30.04.1993

Авторы: Андриенко, Красько, Розенбаум, Украинский

МПК: E21C 41/18

Метки: мощных, пластов, разработки, самовозгорающихся, угольных

...по почве пласта конвейерный и вентиляционный штреки. Сечение выработок 8 м, крепление - металлические арки,густанавливаемые через 0,8 м, Затяжка кровли и блоков сплошная. Пласт намечается отрабатывать механизированным комплексом ЖМ, Мощность каждого слоя в соответствии с типоразмером комплекса принимается равной 3 м. Тогда количество слоев составит 12: 3 = 4, т,е. пласт необходимо отрабатывать в 4 слоя, После монтажа механизированного комплекса начинают отработку первого слоя с подвиганием механизированного комплекса по почве пласта. По мере подвигания забоя пластовые выработки позади лавы заполняют углем и льдом. Осуществляют зто следующим образом. На расстоянии 2 м по длине выработки закладывают ее ледяными блоками, Ледяные блоки...

Номер патента: 900759

Опубликовано: 15.07.1993

Автор: Глущенко

МПК: H01L 21/331

Метки: вч-транзисторов, мощных

...базовый слой 4 ( 0,9 мкм) полученный термической диффузией из эпитаксиального слоя, Для более глубокой подразгонки базового диффузионного слоя используют отжиг в окислительной и нейтральной (азотной) средах при температуре 1373 - 1423 К.Далее фотогравировкой в диэлектрическом слое 5 вскрывают окно 6, через которое загонкой бора из борного ангидрида (В 20 з) при температуре 1323 К с последующей термической обработкой в комбинированной среде сухого и увлажненного водяными парами кислорода(Т"1223 К) формируют эмиттерную область 7 с маскирующим ее диэлектрическим покрытием двуокиси кремния 8, При этом область эмиттера 7 входит в диффузионный базовый слой 4, полученный диффузией из высоколегированного эпитаксиального слоя 3. Толщину...

Номер патента: 1163763

Опубликовано: 15.07.1993

Авторы: Гальцев, Глущенко, Котов

МПК: H01L 21/331

Метки: мощных, свч, транзисторов

...кон11637 60 55 центрацией тока на периферии амит"терногп перехода.В данном способе устойчивость квторичному пробою зависит от велицинц общего сопротивления цели пассив-ной базы транзистора. Поскольку этосопротивление мало, ему соответствует малая максимальная мощность рассеяния, ограниченная шнурованием 10тока. Устойчивость транзистора квторичному пробою из-за отсутствияпадений напряжения на пассивной базеи на эмиттерном переходе также минимально 151 елью изобретения является улучшение электрических параметров транзисторов за счет повышения устойчивости транзистора к вторичному пробоюпри прямом смещении эмиттерного перехода.Поставленная цель достигается тем,цто в способе изготовления мощныхВЦ и СВЧ транзисторных структур,...

Номер патента: 1018543

Опубликовано: 15.07.1993

Авторы: Глущенко, Красножон

МПК: H01L 21/331

Метки: кремниевых, мощных, транзисторов

...с образованиемокисного покрытия 11 в условиях глубокого окисления поверхности кремния в области активной базы 10, изменившей свой профиль вслерствие эФ"йекта сегрегации примеси на границераярела двуокиси кремния - кремний,при этом область контакта 7 сомкнулась с областью базы 10, йиг, чподложка 1 после удаления окисногопокрытия 11 с области активной базы10 и проведения в то же окно диФФузии ронорной примеси в змиттернуюобласть 12, Фиг,5 - подложка 1 после вскрытия контактных окон к области змиттера и базы и создания двухслойной токопроводящей разводки кзмиттеру и однослойной к базе наоснове высоколегированного поликристаллического кремния 13 и слояалюминия 14,Контакт к области коллектора осуществляют с рругой стороны подложки.При этом...

Номер патента: 705924

Опубликовано: 30.10.1993

Авторы: Глущенко, Красножон

МПК: H01L 21/02

Метки: мощных, структур, транзисторных

...теле, например, и-типа проводимости, - подложке 1, создают маскирующее покрытие 2. затем через окно 3, вскрытое в этом покрытии, формируют диффузионную контактную область 4 с типом проводимости, противоположным типу проводимости подложки,В процессе диффузии на поверхности окна выращивают или осаждают закрытое покрытие 5. Далее, фотогравировкой открывают окно 6. имеющее перекрытие 7 с окном 3. Через окно 6 последовательно с помощью диффузии формируют основную базовую область 8 и эмиттерную 9. Затем создают (возмокно - в процессе дифФузии) изолирующее покрытие 10, Далее вскрывают контактные окна 11 и 12 и проводят диффузию подлегирования с образованием области 13 в контактной области 4 с последующим созданием контактной...

Номер патента: 1487774

Опубликовано: 30.06.1994

Авторы: Брылевский, Грехов, Ефанов, Кардо-Сысоев, Смирнова, Шендерей

МПК: H03K 3/53

Метки: генератор, импульсов, мощных, наносекундных

ГЕНЕРАТОР МОЩНЫХ НАНОСЕКУНДНЫХ ИМПУЛЬСОВ, содержащий последовательно соединенные между первой и общей шинами источник постоянного тока, зарядный элемент, первый ключ, первый индуктивный накопитель и первый размыкающий элемент, выход зарядного элемента подключен через первый конденсатор к общей шине источника постоянного тока, второй индуктивный накопитель последовательно соединен с вторым размыкающим элементом, который подключен к общей шине источника постоянного тока, отличающийся тем, что, с целью расширения функциональных возможностей за счет обеспечения возможности регулирования частоты следования импульсов, в него введены третий и четвертый индуктивные накопители, второй и третий конденсаторы, разделительный диод, второй и третий...

Номер патента: 1294126

Опубликовано: 30.09.1994

Авторы: Андреев, Бойко, Евстигнеев, Ремнев

МПК: G01T 1/29

Метки: детектор, заряженных, мощных, пучков, регистрации, частиц

ДЕТЕКТОР ДЛЯ РЕГИСТРАЦИИ МОЩНЫХ ПУЧКОВ ЗАРЯЖЕННЫХ ЧАСТИЦ, содержащий цилиндр с облучаемой поверхностью в виде конической выемки, отличающийся тем, что, с целью повышения точности измерений за счет уменьшения доли обратно рассеянных детектором частиц и увеличения срока службы за счет перераспределения части энергии пучка на боковые стенки, на облучаемой поверхности детектора выполнены концентрические ребра с треугольным осевым поперечным сечением, внешний диаметр которых последовательно уменьшается с шагом 2 отD до 2 , где D - максимальный диаметр выемки детектора, так, что совокупность ребер образует в...

Номер патента: 1570179

Опубликовано: 09.02.1995

Автор: Бабич

МПК: B23P 6/00

Метки: базовых, восстановления, гидропрессов, мощных, поверхностей, рабочих, узлов

СПОСОБ ВОССТАНОВЛЕНИЯ РАБОЧИХ ПОВЕРХНОСТЕЙ БАЗОВЫХ УЗЛОВ МОЩНЫХ ГИДРОПРЕССОВ путем обработки их с помощью переносной металлорежущей установки, отличающийся тем, что, с целью снижения затрат и продолжительности простоев при ремонте на месте, рабочую поверхность боковых узлов разделяют на зоны, имеющие ширину, одинаковую с шириной узла, обрабатывают ее в каждой зоне на глубину, определяемую по наибольшей величине износа в данной зоне, а разницу в глубине обработки зон компенсируют различной толщиной примыкающих горизонтальных плит, при этом рабочие поверхности этих плит после монтажа на прессе находятся в одной плоскости.

Номер патента: 1630564

Опубликовано: 20.10.1995

Авторы: Асессоров, Велигура

МПК: H01L 21/18

Метки: балластными, многоэмиттерных, мощных, резисторами, свч-транзисторов

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МОЩНЫХ МНОГОЭМИТТЕРНЫХ СВЧ-ТРАНЗИСТОРОВ С БАЛЛАСТНЫМИ РЕЗИСТОРАМИ, включающий создание в многокристаллической кремниевой пластине диффузионных областей баз и эмиттеров, формирование покрытия из диоксида кремния, нанесение на покрытие тонкопленочного резистивного слоя, создание резистивных элементов, вскрытие контактных окон к областям базы и эмиттера, формирование металлизации, наращивание защитного диэлектрического покрытия, травление окон в защитном диэлектрическом покрытии в области контактных площадок металлизации, отличающийся тем, что, с целью улучшения энергетических характеристик транзисторов, одновременно с созданием резистивных элементов изготавливают тестовый резистор, измеряют его сопротивление, по значению...

Номер патента: 1544044

Опубликовано: 27.12.1995

Авторы: Вершинин, Классен, Махонин, Толпыго

МПК: G02B 27/48

Метки: лазеров, мощных, оптических, элементов

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ОПТИЧЕСКИХ ЭЛЕМЕНТОВ ДЛЯ МОЩНЫХ CO2 -ЛАЗЕРОВ, включающий прессование при температуре 200 300oС заготовки из материала, прозрачного в рабочей области спектра, отличающийся тем, что, с целью повышения лучевой стойкости и срока службы элементов, в процессе прессования заготовки ее одновременно запрессовывают по перимету в оправу, предварительно изготовленную из металла с механической прочностью, превышающей прочность материала прессуемой заготовки, и заложенную вместе с заготовкой между матрицей и пуансоном, причем на поверхности оправы, контактирующей с поверхностью прессуемой заготовки, предварительно выполняют по крайней мере одно соосное с оправой углубление с радиусом R кривизны, лежащим в...

Номер патента: 1804271

Опубликовано: 27.06.1996

Авторы: Грехов, Ефанов, Кардо-Сысоев

МПК: H03K 3/53

Метки: генератор, импульсов, мощных, наносекундных

...З 1 (б)Как следует из вышесказанного в предлагаемом изобретении ДДРВ 1 является не только размыкающим элементом, но и промежуточным накопителем энергии, которая в дальнейшем расходуется на формирование выходного импульса, Следовательно, потери накопительной энергии непосредственно в самом ДДРВ 1 должны быть малы, Это требование обеспечивается, если толщина базовой области ДДРВ 1 ж равна или меньше ширины области объемного заряда в ней ю, т,е, чю Максимальные потери составляют 250 от накопленной энергии, При ю1 эти потери еще меньше. Указанное условие может быть приведено к виду (7) иЕе(7)Кроме того, должны быть малы потери и в дополнительном диоде 9, который выполняет функции ключа. Основная доля энергии, рассеиваемой в диоде 9,...

Номер патента: 1290869

Опубликовано: 10.12.1996

Авторы: Козлов, Рабодзей, Синкевич

МПК: G01R 31/26

Метки: биполярных, импульсных, мощных, однородного, работы, режимах, тепловой, токораспределения, транзисторов, устойчивости

Способ контроля тепловой устойчивости однородного токораспределения в импульсных режимах работы мощных биполярных транзисторов, включающий задание эмиттерного тока и напряжения между коллекторным и базовым выводами контролируемого транзистора, регистрацию изменения напряжения между выводами эмиттера и базы контролируемого транзистора, отличающийся тем, что, с целью повышения достоверности контроля, эмиттерный ток задают в виде последовательности импульсов с заданной амплитудой, длительностью и периодом следования, а напряжение между коллекторным и базовым выводами контролируемого транзистора подают одновременно с подачей одного из импульсов эмиттерного тока в виде импульсов со ступенчато возрастающей амплитудой, причем длительность каждой...

Номер патента: 923281

Опубликовано: 27.12.1996

Авторы: Квурт, Миндлин, Нечаев, Рубаха, Синкевич

МПК: G01R 31/26

Метки: мощных, однородности, структуры, транзисторов

1. Способ контроля однородности структуры мощных транзисторов, включающий импульсный разогрев структуры при постоянной амплитуде тока эмиттера и регистрацию изменения во времени прямого падения напряжения на переходе эмиттер база, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных, разогрев осуществляют подачей прямоугольного импульса напряжения на переход коллектор база, амплитуда которого превышает напряжение образования шнура тока в структуре для статического режима и длительность фронта которого значительно меньше тепловой постоянной времени полупроводникового кристалла, причем импульс разогрева прерывают в момент, когда происходит увеличение скорости изменения во времени модуля приращения регистрируемого параметра, а однородность...

Номер патента: 1245094

Опубликовано: 20.05.1999

Авторы: Горюнов, Сергеев, Широков

МПК: G01R 31/26

Метки: мощных, отбраковки, транзисторов

Устройство для отбраковки мощных транзисторов, содержащее клемму для подключения эмиттера испытуемого транзистора, соединенную с выходом стабилизатора тока, клемму для подключения базы испытуемого транзистора, соединенную с общей шиной, клемму для подключения коллектора испытуемого транзистора, вольтметр, измерительный вход вольметра соединен с выходом генератора линейно нарастающего напряжения, а вход синхронизации вольтметра подключен к последовательно соединенным формирователю импульсов и дифференцирующей цепи, отличающееся тем, что, с целью повышения достоверности отбраковки транзисторов, в него введены аналоговый сумматор, генератор низкой частоты, усилитель низкой частоты в...

Номер патента: 1045667

Опубликовано: 27.07.1999

Авторы: Блеч, Губин, Егорочкин, Петров, Шешеня

МПК: E21C 41/22

Метки: мощных, разработки, рудных, тел

1. Способ разработки мощных рудных тел, включающий выемку полезного ископаемого секциями по простиранию наклонными нисходящими слоями навстречу друг другу в пределах панели, формирование доставочных и закладочно-вентиляционных выработок, буровзрывную отбойку руды и послойную закладку выработанного пространства твердеющими смесями, отличающийся тем, что, с целью повышения интенсивности выемки полезного ископаемого, в каждом слое в кровле доставочных выработок оформляют рудный целик, а в стенках этих выработок образуют буровые ниши, затем из ниш слои разбуривают скважинами и отбивают их под углом самотечного перемещения отбитой руды к доставочным выработкам одновременно с рудным целиком над...

Номер патента: 1378713

Опубликовано: 10.06.2000

Авторы: Беляева, Дученко, Майзанов, Митин, Потапчук, Фомичев

МПК: H01L 21/324

Метки: n-n+-структур, кремниевых, мощных, полупроводниковых, приборов, создания

Способ создания кремниевых n-n+-структур мощных полупроводниковых приборов, включающий операции одностороннего наращивания сильнолегированного n+-слоя на подложку n-типа, механического снятия части n-слоя и последующей термообработки при температуре 1220 - 1250oC, отличающийся тем, что, с целью упрощения технологического процесса изготовления n-n+-структур с заданными параметрами слоев и улучшения параметров приборов на их основе за счет достижения оптимальных профилей распределения примеси, термообработку ведут в течение 20 - 80 ч с последующим травлением n-слоя n-n+-структур в полирующем травителе на глубину 20 - 100 мкм.

Номер патента: 1151148

Опубликовано: 10.06.2000

Авторы: Асина, Кузнецов, Сурма

МПК: H01L 21/263

Метки: быстродействующих, мощных, тиристоров

Способ изготовления быстродействующих мощных тиристоров, включающий облучение тиристорных структур, выполненных из бестигельного кремния, электронами с последующим термоотжигом, отличающийся тем, что, с целью оптимизации параметров тиристоров, облучение проводят дозой (4 - 10) 1014 см-2 и термоотжиг проводят при температуре 425 - 440oC в течение 2 - 3 ч.

Номер патента: 1243591

Опубликовано: 20.06.2000

Автор: Лисин

МПК: H03K 3/53

Метки: высоковольтных, генератор, импульсов, каскадный, мощных

Каскадный генератор мощных высоковольтных импульсов, содержащий зарядный блок и в каскадах конденсаторы, соединенные между собой последовательно, причем параллельно конденсаторам четных каскадов включены перезарядные цепи, каждая из которых выполнена в виде последовательно соединенных катушки индуктивности, перезарядного вентиля и разрядника, зарядные элементы, зарядные вентили, каждый из которых подключен соответственно одним из электродов к одному из выводов конденсатора соответствующего каскада, причем зарядные вентили включены через зарядные элементы согласно с зарядным блоком, соединенным с общей шиной, отличающийся тем, что, с целью повышения удельной мощности, в него введен первый...

Номер патента: 1523010

Опубликовано: 27.06.2000

Авторы: Бучнев, Дмитриев, Зайцев, Рюмшин, Сизова, Смыслов

МПК: H01L 21/58

Метки: кремниевых, мощных, полупроводниковых, приборов, термокомпенсатор

Термокомпенсатор мощных кремниевых полупроводниковых приборов, содержащий графитовое основание с приповерхностным слоем из карбида кремния, отличающийся тем, что, с целью расширения технологических возможностей термокомпенсатора за счет увеличения его смачиваемости алюминием и сплавами на основе алюминия, приповерхностный слой дополнительно пропитан кремнием с концентрацией по привесу 1 10-3 - 2,5 10-2 г/см2 поверхности.

Номер патента: 970928

Опубликовано: 27.09.2000

Авторы: Бабич, Гребенщиков, Михайлов, Фабричнов, Фролов, Холин

МПК: E21C 41/22

Метки: мощных, разработки, рудных, тел

1. Способ разработки мощных рудных тел, включающий выемку руды слоями, проведение заходок в слое методом недозаряжания скважин с оставлением недозаряженных отрезков скважин в целиках между заходками, последующую отбойку целиков после достижения необходимой прочности ранее заложенного массива, отличающийся тем, что, с целью повышения эффективности разработки путем снижения разубоживания руды закладкой, снижения затрат на буровзрывные работы и повышения полноты закладки, отработку целика, прилегающего к заложенному массиву, производят из незаложенной заходки при двух обнаженных плоскостях.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что закладку выработанного пространства осуществляют через...

Номер патента: 1802633

Опубликовано: 10.04.2001

Авторы: Веревкин, Герцен, Жариков, Котюргин

МПК: H01J 9/02

Метки: молибденовых, мощных, поверхностей, приборов, рабочих, электровакуумных, электродов

Способ обработки рабочих поверхностей молибденовых электродов мощных электровакуумных приборов, включающий формирование электродов и электрохимикомеханическую полировку рабочих поверхностей электродов, отличающийся тем, что, с целью повышения электрической прочности электродов, после электрохимикомеханической полировки проводят проплавление поверхностного слоя рабочей поверхности электрода на глубину 0,15 - 0,8 мкм лазерным пучком до образования мелкокристаллической или квазиаморфной структуры поверхностного слоя.

Номер патента: 1536987

Опубликовано: 27.08.2002

Авторы: Буренина, Дмитриев, Пиганов, Чернобровин

МПК: G01R 31/26

Метки: мощных, отбраковки, транзисторов

Устройство для отбраковки мощных транзисторов, содержащее клемму для подключения коллектора испытуемого транзистора, клемму для подключения эмиттера испытуемого транзистора, соединенную с выходом стабилизатора тока и входом дифференцирующей цепи, выход которой подключен к входу блока формирования импульсов, клемму для подключения базы испытуемого транзистора, соединенную с общей шиной, клемму "Пуск" и блок индикации, отличающееся тем, что, с целью повышения достоверности отбраковки, оно снабжено генератором тактовых импульсов, двоичным счетчиком, цифроаналоговым преобразователем, усилителем мощности, двоично-десятичным счетчиком, блок индикации выполнен с дополнительными входами, причем...

Номер патента: 1839804

Опубликовано: 10.05.2005

Авторы: Иванников, Куликов, Олетин, Чупраков

МПК: G01J 5/20

Метки: излучения, измеритель, импульсных, лазеров, мощных, энергии

Измеритель энергии излучения мощных импульсных лазеров, содержащий болометрический элемент в виде проволочной решетки, и измерительный мост, отличающийся тем, что, с целью повышения точности измерения за счет уменьшения влияния на результаты измерений частиц пыли и аэрозоля, осаждающихся на проволочную решетку, и увеличения надежности, в него введены пылеосадительная камера с диэлектрическими стенками, источник высоковольтного напряжения и устройство управления, причем на внутренних противоположных стенках пылеосадительной камеры размещены две пары коронирующих и заземленных электродов, а устройство управления содержит два блока управления, два размыкателя, замыкатель, резистивный делитель напряжения, компаратор и блок синхронизации,...