“способ получения кристаллических соединений а1у ву14

17/32 присоединение 3) Приоритет -заяв осударствениый комите СССРяо делам изобретений и открытий 53) УДК 621,315. 59(72) Авторы изо 0 ретен нститут химии АН СССР СОБ ПОЛУЧЕНИЯ КРИСТАЛЛИЧЕСКИХ сОединений А 3 С 5 сится к областических соединенийгут испольэоватьмышленности. Изобретение отно получения кристалли Аф Вкоторые мо ся в электронной про Кристаллические соединения АВфЮ в виде слоев получают методом вакуумного испарения 1Сущность его заключается в том, что в сосуде размещают два испарителя, в один поме щают элемент А 1-, а другой - элемент В" . Сосуд .эвакуируют до давления 10 торр, При нагревании испарителей элементы испаряются, и, конденсируясь на подложке, образуют соеди нение А" В . Таким образом получают ряд двухкомпонентных соединений. К недостаткам следует отнести сложности технологического порядка, необходимость вакуума, подбор темпера тур испарителей с целью получения необходимых скоростей испарения,. Слои, получаемые при вакуумном испарении, пористы, имеют низкую адгезию, Для получения хорошего сцепления с подложкой, необходимо нагревание подложки,.что часто приводит к потерям испарения одного из компонентов. Трудно достигается стехиометричность состава 7 Р В", 30 Кроме того известен способ осаждения слоев иэ паровой Фазы элементоорганических соединений 121,. Сущность его заключается в том, что исходные элементоорганические соединения переводят в парообразное состояние, реагируют на нагретой поверхности подложки с .образованием на подложке не- летучего осажденного соединения. Газообразные продукты удаляют из эоны реакции, К нагретой поверхности подложки подают одновременно пары элементоорганических соединений АИ и Вй , где К и к - органические радикалы, либо их смесь. Разлагаясь на нагретой поверхности подложки, соединения выделяют нелетучее соединение типа Аф Вт; Этот способ позволяет получать плотные с хорошей адгезией слои. К основным недостаткам этого способа следует отнести трудности в регулировании процесса осаждения и пблучении покрытий, стехиометричных по составу.Цель изобретения - улучшение регулирования процессом и повышение стехиометрии получаемого соединения.Для этого в качестве элементоорганического соединения предлагается и пользовать соединение, содержащее ол39 Формула изобретения Составитель В. БезбородоваТехред Э,Чужик Корректор. И, Демчик Редактор Л. Письман Заказ 148/48 Тираж 87 б Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Иосква, ЖРаушская наб., д. 4/5Филиал ППП Патент, г. Ужгород, ул. Проектная, 4 3 5702новременно компоненты А" и Ф, имеющие в молекуле общую химическую связьи общую ФормулуЙ А ВщЧ, гдеЦи 3 - водород или алкилы.С целью получения кристаллическим,эпитаксиальных слоев термическое разложение ведут при осаждении продуктовна кристаллическую нагретую подложку.С целью получения слоев теллуридаалова -Блие в качестве элементоорганического соединения используют соединение общей Формулы ЙЬп"еЙз илиЧ ВпРебп Й- гдето иц - алкилы, 10выбранные из ряда кетил, этил,пропил,бутил, и осаждение ведут на подлокку, нагретую до 250-375 фС,С целью получения нитевидных кристаллов подложку нагревают изотропным 15ИК-светом или направленным излучением со скользящим углом падения наподложку.П р и м е р 1. Для получениякристаллических слоеввпТе берут в качестве исходного соединения бис-триэтилстанилтеллур. Подложкой служитстекло, нагреваемое до 250 С. Давление в реакционной камере 10торр,В результате термического разложенияна подложке получают текстурированныйслой ЬпУе толщиной 2 мкм.П р и м е р 2. Для полученияэпитаксиальных слоев бп Те термическое разложение бис-триэтилстанилтеллура ведут при ЗООРС на монокристал-лические подложки, например ЯаС 8.П р и м е р 3, Для получениянитевидных кристаллов бп Те берут в качестве исходного соединения бис-триэтилстанилтеллур. Подложкой можетбыть сталь нихром, стекло, кремний,слюда, Нагревание подложек осуществляют направленным ИК-излучением, Температура подложки 350-400 С, давлениев камере 10 торр. Получены нитевидные монокристаллы 5 пТе длиной500-1000 мкм.Аналогичным образом получают кристаллические слои Б и 5 с ис поль зованием в качестве исходного, например,бис"триэтилстанилсульфида, слои е Те .из бис-триэтилстанилтеллура или триэтилгермилэтилтеллурида, слои Йеб избис-триэтилгермилсульфида, а также5 Е иэ бис-триэтилсилилселена и другие соединения А ВУ, Кроме того,можно получить крупные нитевидные кристаллы этих соединений. Полученныеслои и нитевидные кристаллы имеют стехиометрический состав, Использованиеодного исходного соединения обеспечивает лучшую регулируемость процесса. 1. Способ получения кристаллических соединений А В термическим разложением элементоорганических соединений, содержащих компоненты Аф иВд, отличающийся тем,что, с целью улучшения регулированияпроцессом и повышения стехиометрииполучаемого соединения, в качествеэлементоорганического соединения используют соединение, содержащее одновременно компоненты Аф и Вд, имеющие в молекуле общую химическую связь,общей ФормулыЯ АУ Вфй, где Я иЧводород или алкил.2. Способ по п. 1, о т л и ч а ющ и й с я тем, что, с целью получе"ния кристаллических, эпитаксиальныхслоев, термическое разложение ведутпри осаждении продуктов на кристаллическую нагретую подложку.3. Способ по п. 1, о т л и ч а ющ и й с я тем, что, с целью получе"ния слоев теллурида олова - бпУе, вкачестве элементоорганического соединения используют соединение с общей Формулой йбпге Я илиЧэбптебп,где й иЧ - алкилы, выбранные из ряда метил, этил, пропил, бутил, иосаждение ведут на подложку, нагретую до 250-375 С,4. Способ по п, 1, о т л и ч а .ющ и й с я тем, что, с целью получения нитевидных кристаллов, осаждениеведут на подложку, которую нагреваютизотропным ИК-светом или направленнымизлучением со скользящим углом падения на подложку.Источники информации, принятые вовнимание при экспертизе1, Разуваев,Г.А. и др, Металлоорганические соединения в электронике,М., Наука, 1972,2,Э.Е 0 ес 1 посЬеп, бас.р 122, Р Зф444-450, 1975,