Способ обработки кристаллических элементов кварцевых резонаторов

ОП ИСАЙИ Е ИЗОБРЕТЕН ИЯ443457 Союз Советских Социалистицеских Республик(61) Зависимое от авт. свидетельства -22) Заявлено 17.01.73 121) 187922626с прцсосд 1 шсццсм заявки-асударственный комитетСовета Министров СССРпе делам изобретенийи открытий 2) ритет 53) УД 372 4. С. Мошковски 171) Заявитель 54) СПОСОБ ОБРАБОТКИ КРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ЭЛЕМЕНТОВ КВАРЦЕВЫХ РЕЗОНАТОРОВ2 Изобрете 1 ис относится к области электроники и может быть использовано при производстве пьезоэлектрических резонаторов, в полупроводниковой и оптической технике.Известны способы обработки кристаллических элементов кварцевых резонаторов, основанные на их шлифовании и полировании с изменением частоты в процессе обработки.Однако известные способы не позволяют обрабатывать заготовки толщиной менее 50 мкм, тем самым ограничивают предельную частоту кристаллических элементов величиной 30 - 50 мГц. Более тонкие пластины не удерживаются на колодке при шлифовании и полировании ца станках с односторонней обработкой и в гнездах кассеты, при шлифовании и полировании ца станках с двухсто.ронцей обработкой,С целью повышения частоты кристаллических элементов кварцевых резонаторов по предлагаемому способу после окончательной обработки одной цз поверхностей кристалл(в ческого этемсцта наносят распылеием в вакууме последовательно слой металла, например хрома, с высокой а.1 гезцонной способцост 1 цо, металла с малым удельным электрическим сопротивлением, например слой серсора и золота, прижимают кристаллический элемент металлизировац ной поверхностью к плоской поверхности технологической подлоккц с предварцте,По цацссецць 1 мп ца цсс слоями металла с высокой адгезцонцой способностью к материалу подложки металла с малым удельным электрическим соцротцвле 5 цием слоя олова, нагревают полученную заготовку до температуры плавления олова, после чего шлифуют и полируют протцзоположную поверхность кристаллического элеицта до задаццоц толщины, соответствую 1 О щей раз 110 стцой 1 астоте криста.члпчес 11 огоэлемента.Г 1 рсдлагаемый способ иллюстрируетсячертежом.Технологичсская подложка 1 содержиткристаллические элементы 2, которые первоначально обрабатывают одним из известных способов, чтобы иметь одну точную окончательно обработанную плоскую поверхность.Под;Ожка цз кварца илц др;гого материала оо с таким жс ка(т 1 варна коэффициентом лц, сйцого расширения имеет одну плоскую устацовочц)ю поверхность, обработанную под точную плоскость, ца последней устацавлцва 1 от крцсталлцчсскцс элс 11 сцт 1.25 Криста,1 цсскцс элементы оПП 1 а(ог, цац 1 лякг в ьакууме црц разряжении 1.10 в " мм рт. Ст, ца окончательно Обработанную поверхность слой хрома плц титана толщиной до 0,01 мкм ц слой серебра, мели зо или другого металла с маль 1 м удельным со3противлением толщиной до 0,2 мкм, Мсталлизированную поверхность кристаллически элементов покрывают слоем золота толщиной до 0,01 мкм любым нз известныгалы 1 аничсских способов.Очищают технологическую подложку и напыляют 13 Вакме па установочну 10 поверхность слой рома или титана толщиной до 0,01 мкм, слой меди или серебра толщиной до 0,2 мкм илн другого металла с малым удельным электрическим сопротивлением и слой олова толщиной до 1 мкм,Кристаллические элементы устанавливают металлизированной поверхностью на металлизированную поверхность подложки, прижимают с усилием до 0,2 кг/см, помещают в печь, медленно нагревают до температуры, равной или выше температуры плавления олова, выдерживают в течение 10 мин и охлаждают до комнатной температуры.Шлифуют поверхности кристаллических элементов на шлифовально-полировальном станке с припуском на полировку, а затем полируют.Предварительный контроль толщины кристаллическиэлементов производят микрометром. На этапе окончательной обработки частоту кристаллических элементов измеряют генератором с частотомером, для чего один вывод генератора подсоединяют к пленке на подложке, а другой - к электроду, который помещают на обрабатываемую поверхность контролируемого кристаллического элемента. 4434574Кристаллические элементы снимают сподложки погружением в соляную кислоту.По предлагаемому способу были изготовлены кристаллические элементы для кварцевых резонаторов на 1111 стоту 100 мГ 11 по основноп гармонике.Предмет изобретенияСпособ обработки кристаллических элеО ментов кварцевых резонаторов, основанныйна их шлифовании и полировании с измерением частоты в процессе обработки, отлача 1 о.1 цийся тем, что, с целью повышения частоты кристаллических элементов кварцевых резо 15 1 аторов, после окончательной обработки одной из поверхностей кристаллического элемента, на нее наносят последовательно слой металла, например хрома, с высокой адгезионной способностью, металла с малым удель ным электрическим сопротивлением, например слой серебра и золота, прижимают кристаллический элемент металлизированной поверхностью к плоской поверхности технологической подложки с предварительно нане сенными на нее слоями металла с высокойадгезионной способностью к материалу подложки, металла с малым удельным электрическим сопротивлением и слоя олова, нагревают полученную заготовку до температуры плавления олова, после чего шлифуют и полируют противоположную поверхность кристаллического элемента до заданной толщины, соответствующей резонансной частоте кристаллического элемента.Заказ 2643 Изд, в 1091 Тпракк 811 Подписное Ц 1-1 ИП 1 1 Государственного комитета Совета Министров СССР по делаи изобретений и открытий Москва, Ж, Раушская паб., д. 4/5