Патенты с меткой «интегральный»

Номер патента: 1003140

Опубликовано: 07.03.1983

Авторы: Андрианов, Доля, Рыбалко, Таргоня

МПК: G11B 27/34

Метки: индикатора, интегральный, магнитофона

...базе и коллектору первого транзистора 2 и к базе второго транзистора 3, коллектор четырнадцатого транзистора 24 - к коллектору второго транзистора 3 и к базе четвертого транзистора 8, а коллектор третьего транзистора 4 - к коллектору седьмого транзистора 12 и к базам пятнадцатого и шестнадцатого транзисторов 25 и 26. Коллектор шестнадцатого транзистора 26 подключен к базе и коллектору пятого транзистора 9 и к базе шестого транзистора 10, коллектор шестого транзистора 10 - к коллектору и базе одиннадцатого транзистора 19, к базе двенадцатого транзистора 20 и к коллектору транзистора 25. Коллектор двенадцатого транзистора 20 подключен к базе и коллек. тору семнадцатого транзистора 27 и к базе девятого транзистора 14, шина 28 смещения - к...

Номер патента: 1005273

Опубликовано: 15.03.1983

Авторы: Павлов, Рыжов

МПК: H03H 15/00

Метки: интегральный, программируемый, фильтр

...вательно сдвигается и в каждой ячей- входы коммутаторов 11-1 и 13-1. Стро- ке 4-1, , 4-й значение кода появбирующий импульс (фиг. 2 е) поступает ляется на отводах, Если, например,. на стробирующий вход коммутатора 15 в первой ячейке 4-1 на первом отводе 11-1 с шины 27, а на стробирующий потенциал соответствует "1 ф, то на вход коммутатора 13-1 - с шины 29. втором - "0" В результате .этого Под воздействием этих импульсов открываются транзисторы 5-1 и 9-1, оба коммутатора замыкаются, в резуль- Ъ транзисторы 6-1 и 8-1 закрыты. По- тате чего затвор транзистора 7-1 20 этому под воздействием стробирующе" подключается к первому входу ячей- го импульса (фиг. 2 ж), поступающего ки (шине 23), а исток - к первому с шины 28, коммутатор 12-1...

Номер патента: 1012199

Опубликовано: 15.04.1983

Авторы: Бирман, Котлер, Шиб, Широколова

МПК: G05B 11/50

Метки: интегральный, пневматический, регулятор

...регулято, ре, содержащем пятимембрвнный элемент сравнения, первые плюсовая и минусовая камеры которого связаны с каналами параметра и задания, вторая минусовая камера непосредственно, а вторая плюсо 35 ввя камере и емкость через переменный дроссель соединены с выходом пятимембранного элемента сравнения, дополнительно установлены трехмембранный элемент сравнения, дроссель и задатчяк опорного давления, выход которого связан с первой плюсовой камерой трехмембрвнного ,элемента сравнения, вторая плюсоввя и первая минусовая камеры соединены со 45 ответственно с емкостью и с каналом задания, прочная камера сообщена непосредственно с выходным каналом регулятора и через дроссель с каналом питания, а сопло - с атмосферой.На чертеже изображен...

Номер патента: 1027549

Опубликовано: 07.07.1983

Авторы: Беклемишев, Ваганов

МПК: G01L 9/04

Метки: давления, интегральный

...взаимную изоляцию контактных.площадок с присоединенными к ним электрическими выводами и поэтому должно ,быть достаточно большим, чтобы исключить смыкание последних в процессе микропайкиЦель изобретения - уменьшение пбперечных габаритов преобразователяПоставленная цель достигаетсятем, что на поверхности крышки, прилегающей к пластине, со сторонынаружной боковой поверхности выполнены глухие канавки соответственночислу контактных площадок с выводами, причем полости канавок заполнены связующим материалом.В предлагаемой конструкции минимальное расстояние между краями со- О седних контактных площадок определяется минимальной толщиной стеноккрышки, разделяющих полости, и может составлять всего несколько де-,сятков микрон. Это позволяет умень...

Номер патента: 1027550

Опубликовано: 07.07.1983

Авторы: Беклемишев, Ваганов

МПК: G01L 9/04

Метки: давления, интегральный

...направлений семейства(11% Мостовая схема тензореэисторов р-типа размицена в центральной части мембраны так, что тенэорезисторы образуют квадрат со сторонами, параллельными сторонам30 мембраны (2 ),Недостатками известного преобразователя являются низкое,значение чувствительности, которое объясняется неоптимальным с точки зрения полу 35 чения максимально возможной для данного упругого элемента .чувствительности расположением тензорезисг .торов на мембране,и относительно большие геометрические размеры пре О обраэователя, т.е. неаозможносхь уменьшения этих размеров при сохранении чувствительности.Цель изобретения - увеличение чувствительности и уменьшение геометрических размеров интегрального преобразователя давления.Поставленная цель...

Номер патента: 1046933

Опубликовано: 07.10.1983

Авторы: Рогозов, Самойлов

МПК: H03K 19/09

Метки: инжекционный, интегральный, логический, элемент

...схема заявляемого устройства, причем на функциональной 65 СХеме показаны лишь п-р-и транзисто что приводит к неидентичности коэффиЦель изобретения - увеличение фунИзобретение относится к цифровой технике и системам управления и может быть использовано при построении больших интегральных схем обработки информации.Известно устройство, содержащее .четыре р-и-р транзистора, причем эмиттеры первого и второго транзисторов соединены с первой шиной питанияа их базы объединены с эмиттеромтретьего р-и-р транзистора, коллектор которого соединен с эмиттеромчетвертого транзистора, коллекторпоследнего соединен с второй шиной питания, база четвертого и коллектор второго транзисторов соединены с выходом, а база третьего и коллектор К...

Номер патента: 1052848

Опубликовано: 07.11.1983

Авторы: Полтавченко, Сафонов

МПК: G01B 7/16

Метки: интегральный, тензопреобразователь

...имеет нелинейность градуировочной характеристики, связанную сналичием в плечах моста дополнительных резисторов, что снижает точностьизмерения механических параметровтаким устройством.Цель изобретения - повышение точности измерений. ПОставленная цель достигается тем, что интегральный тенэопреобразо. ватель, содержащий мембрану из кремния одного типа проводимости, мост из .тенэорезисторов, выращенных на мембране и имеющих проводимость противоположного типа, и токовыводы, соединенные с вершинами моста, снабжен изоляционнйм слоем, нанесенным поверх. одного иэ тензорезисторов, металлической пластиной, эекрепленной на изоляционном слое, и дополнительным токовыводом, соединенным с пластиной.На фиг. 1 представлен интегральный...

Номер патента: 1068748

Опубликовано: 23.01.1984

Авторы: Борщев, Малков, Спалек, Супрун

МПК: G01L 9/04

Метки: давления, интегральный, полупроводниковый

...площади упругого элемента ко всей его площади имеет незначительную велищщу, Кроме того, в кольцевом концентраторе между оправами суммируются местные на. пряження, создаваемые закреплением внеш ней оправы к основанию, с напряжениями, создаваемыми измеряемой величиной - давлением, Так как площадь, ограниченная кольцевым концентратором и включащая в себя его площадь, больше площади мембраны, то 40 при равенстве толщин дна кольцевого концентратора и мембраны верхний предел из. меряемого давления будет снижен во столько раз, во сколько максимальные напряжения в кольцевом концентраторе больше соответствующих напряжений в мембране,частью и размещенными на нем чувствнтель. ными элементами и концентраторами, мемб. ранный упГугий элемент...

Номер патента: 1078263

Опубликовано: 07.03.1984

Авторы: Кулапин, Мартяшин, Фролов, Чернецов

МПК: G01L 3/24

Метки: измеритель, интегральный, мощности

...на входе нагружающего устройства, а другая - на выходе, преобразователь состоит иэ двух усилителей, вычитающего устройства, моду"лятора, генератора пилообразноготока, выпрямителя и интегратора,причем выводы термопар через усилители подключены к входам вачитающего.устройства, которое последовательно через модулятор и генераторпилообразного тока подключено квходу трансформаторного дифференцигде Ь- количество воды, протекающей через тормоз в течениеР1, и 1 О - соответственно температура воды на входе и вы 6 ЬК40 ходе;К=С/б 32 - коэффициент пропорциональности (С - теплоемкостьводы),Устройство работает следующим45 образом.Выходные напряжения термопар 2и 3, пропорциональные температуре,поступают на усилители 8 и 9, азатем на входы...

Номер патента: 1081667

Опубликовано: 23.03.1984

Авторы: Вернер, Козырь, Миминошвили

МПК: G11C 11/34, G11C 17/00

Метки: запоминающих, интегральный, памяти, постоянных, репрограммируемых, устройств, элемент

...кремния, развязывающий диод с р- и п-областями, нижний металлический электрод, изолирующий слой, запоминающий слой из аморфного материала, первый барьерный слой из кристаллического теллура, второй барьерный слой из молибдена или титано-фольфрамового сплава и верхний электрод из алюминия 2.Недостатком известнсго ЭП является сложная конструкция, что заключается в многослойной структуре барьерного слоя,Цель изобретения - упрощение элемента памяти.Поставленная цель достигается тем, что в интегральном элементе памяти для репрограммируемых постоянных запоминающих устройств, содержащем полупроводниковую подложку, на которой расположена токопроводящая шина из легированного кремния и развязывающий диод с п- и р-областями, на поверхности...

Номер патента: 1097893

Опубликовано: 15.06.1984

Авторы: Гелецян, Лепорский

МПК: G01B 7/16

Метки: интегральный, тензодатчик

...что интегральный тензодатчик, содержащий четыре последовательно соединенных тензорезистора, образующих мост, набор балансировочных резисторов с перемычками и четыре токовывода, три из55 которых соединены е общими точками соответственно каждых двух смежных тензорезисторов, снабжен контактными площадками, одна иэ которых соединена со свободным токовыводом, две другихсо свободными выводами тензорези торов, а остальные соответственно с одним из концов каждого балансировоц ного резистора, перемычки выполнеы наввсными с возможностью присоединения к любым двум контактным площадкам при регулировке, а балансировочные резисторы соединены между собой последовательно.На чертеже представлена электрическая схема интегрального тензодатчика при одном из...

Номер патента: 1100719

Опубликовано: 30.06.1984

Авторы: Ерохин, Пономарев

МПК: H03K 3/29

Метки: интегральный, триггер, четырехзначный

...выходы пятнадцатого вентиля - с входами девятого, четырнадцатого и семнадцатого вентилей, соответствующие выходы семнадцатого вентиля - с его входом/ ;с входом двенадцатого вентиля и выходной шиной выход двенадцатого вен"lтиля - с входом семнадцатого вентиля, дополнительный выход седьмого вентиля соединен с его входом.На чертеже приведена принципиальная схема интегрального четырехзначного Э -триггера.Интегральный четырехзначный Э- триггер содержит вентили с инжекционным питанием, входная и тактовая шины 1 и 2 соединены с входами пер- вого и второго вентилей 3 и 4 соответственно, соответствующие выходы первого вентиля 3 - с входами третьего и четвертого вентилей 5 и б, выход третьего вентиля 5 - с входом пятого вентиля 7,...

Номер патента: 1181115

Опубликовано: 23.09.1985

Авторы: Гольдшер, Дик, Лашков, Рогаткин, Стенин

МПК: H03F 1/52

Метки: интегральный, мощности, усилитель

...смещения и два дополнительных датчика 10 и 11 температуры, выполненных соответственно на третьем 12 и чет вертом 13 транзисторах.Интегральный усилитель мощности работает следующим образом.В отсутствии градиента температуры по кристаллу микросхемы, все четыре 25 датчика на транзисторах 5, 6, 12 и 13 нагреваются практически одинаково и температура тепловыделяющего элемента 1, при которой срабатывает пороговый элемент 2, определяется ЗО изменяющимся под действием температуры коэффициентом передачи дифференциальным каскадом на транзисторах 5 и 6 синфазного сигнала, которым является выходное напряжение источника 9 смещения.При возникновении перепада температур, т.е, при относительно быстром энерговыделении в тепловыделяющем элементе 1, все...

Номер патента: 1205295

Опубликовано: 15.01.1986

Авторы: Ботвиник, Сахаров

МПК: H03K 19/086

Метки: интегральный, эсл-элемент

...ЭСЛ-элемента.Интегральный ЭСЛ-элементсодержит три транзистора 1, 2 и 3, пять диодов 4-8 и шесть резисторов 9-14, коллекторы первого и второго транзисторов 1 и 2 соединены соответственно с первым и вторым выходами 15 и 6 устройства и соответственно через первый и второй резисторы 9 и 10 подключены к шине питания, а эмиттеры соединены с коллектором третьего транзистора 3, эмиттер которого через третий резистор 11 подключены к общей шине, база первого транзистора 1 через четвертый резистор 12, соединена с шиной питания и подключена к аноду первого диода 4, катод которого подключен к входу 17 устройства, база первого транзистора 1 соединена с анодом второго диода 5, катод которого подключен к базе второго транзистора 2 и через...

Номер патента: 1210076

Опубликовано: 07.02.1986

Авторы: Борщев, Волков, Малков, Спалек, Супрун, Харенко

МПК: G01L 9/04

Метки: давления, интегральный, полупроводниковый

...с упругим элементом или независимо и служит для жесткого закрепления упругого элемента.На мембране 2, имеющей плоскости:имметрии, выполнены ребра 3 жесткости в форме балок, также имеющиеплоскости симметрии, так, что плоскости симметрии мембраны 2 и ребер 3 совпадают, образуя плоскостьсимметрии упругого элемента 1, соз,цавая конструкцию упругого элемен 35та 1, в которой мембрана 2 и ребра 3жесткости поц действием входнойвеличины (давления) Р деформируются(изгибаются) совместно, причем ребра 3 жесткости в Форме балок входной40величиной Р нагружаются осесимметрично,Устройство работает следующимобразом,4Под действием осесимметричногонагружения балки испытывают плоскийизгиб, при котором реализуется линейная зависимость между...

Номер патента: 1211854

Опубликовано: 15.02.1986

Авторы: Попова, Свердлов

МПК: H03K 3/284, H03K 3/353

Метки: импульсов, интегральный, формирователь

...потенциал высокое напряжение) . Транзисторы 2 и ч инверторов открыты, конденсатор 6 разряжен, на выходнойшине 10- нулевой потенциал (низкоенапряжение) . Отрицательный перепаднапряжения на шине 5 вызывает запирание транзисторов 2 и 4 инверторов. Начинается формирование выходного импульса единичного потенциалана выходной шине 10, длительностьфронта которого определяется временем заряда выходной емкости черезтранзистор 1 первого инвертора,Одновременно начинается заряд конденсатора 6 через транзистор 3 второго инвертора. Когда напряжение наконденсаторе 6 достигнет пороговогонапряжения транзистора 8, он переходит в активный режим и потенциал.11 Р 5.его стока и соответственно истокатранзистора 7 начинает понижаться,Одновременное дальнейшее...

Номер патента: 1224563

Опубликовано: 15.04.1986

Автор: Бушланов

МПК: G01B 7/16

Метки: интегральный, тензопреобразователь

...общийвид,Интегральный тензопреобраэовательсодержит подложку 1, тензорезисторы2 - 9, принадлежащие одному плечумоста, тенэореэисторы 10 - 17, принадлежащие смежному с первым плечумоста, и токопроводящие дорожки 18,соединяющие тензорезисторы 2-17 между собой последовательно, Тензоре-зисторы 2-17 размещены на подложкес чередованием по крайней мере водном направлении (на чертеже -в двух направлениях).Интегральный тензопреобраэователь работает следующим образом. При деформации подложки изменяются сопротивления тензореэисторов 2-17 в соответствии с их индивидуальными тенэочувствительностями, Поскольку сигналы тензорезисторов 2-9, входящих в одно плечо моста, и сигналы тензорезисторов 10-17, входящих в другое плечо моста, соответственно...

Номер патента: 1099323

Опубликовано: 30.04.1986

Авторы: Андрианов, Лебедев, Рыбалко, Таргоня

МПК: G11B 5/02

Метки: интегральный, магнитофона, шумоподавитель

...генератор тока, затвор первого полевого транзистора первого повторителя напряжения связан через резисторы со стоком и истоком первого управляемого .полевого транзистора, затвор первого полевого транзистора второго повторителя напряжения связан че.ез резисторы со стоком и истоком второго управляемого полевого транзистора, сток второго полевого транзистора каждого повторителя напряжения через параллельно соединенные третий генератор тока и переход база-коллектор транзистора р-п-р-типа комплементарной пары подключен к отрицательной шине питания, эмиттер транзистора р-и-ртипа этой же пары с базой другого транзистора и-р-и-типа связан непосредственно, с положительной шиной питания - через четвертый генератор тока, затвор согласующего...

Номер патента: 1265466

Опубликовано: 23.10.1986

Авторы: Архарова, Кальпус, Круглов, Лукашин

МПК: G01B 7/16

Метки: интегральный, тензопреобразователь

...11 и 12 - сзатворами МДП-транзисторов 13-16.МДП-транзисторы 13-17 на упругомэлементе 1 выполняются методамипланарной технологии в едином тех 5 О 15 20 25 ЗО 35 40 50 55 нологическом цикле 1 используется дляих изготовления стандартная КМОПтехнология) и располагаются на немв зоне деформации, а именно в областях 2 и 3.Тензочувствительная схема из МДПтранзисторов 13-17 изготавливаетсяна плоскости кремния с ориентацией(100) . Каналы 1 ЩП-транзисторов 1316 ориентированы вдоль взаимно перпендикулярных направлений типа 110.Такой выбор ориентации каналов делается с целью получения максимальной чувствительности. Размеры каналов определяются заданным выход-ным сопротивлением схемы, Остальныеразмеры соответствуют стандартнымтребованиям к топологии...

Номер патента: 1268967

Опубликовано: 07.11.1986

Авторы: Беднягин, Петухов

МПК: G01K 3/04

Метки: варианты, его, индикатор, интегральный, температурно-временной

...цепей. Внешняя цепь состоит из нескольких, например трех тепловых реле 3 - -5 (биметаллических, ртутных и т. и.) и постоянных или переменных резисторов 6 и 7. Количество тепловых реле может быть любым. Индикатор работает следующим образом.Каждое из тепловых реле индикатора настраивается на заранее определенные пороги различных температур, критичных для препаратов. Например, при контроле условий хранения коревой вакцины эти пороги температур 43, 20 и 4 С. На срабатывание при 43 С настраивается реле 5, а на срабатывание при других температурах соответственно реле 4 и 3. Изменением величины резисторов 6 и 7 подбиранэт соответствующие токи разряда источника тока.Индикатор работает по принципу опре. деления величины потери...

Номер патента: 1217125

Опубликовано: 07.11.1986

Авторы: Гуляев, Гутман, Елинсон, Захаров, Морозов, Шевченко

МПК: G02F 1/03

Метки: интегральный, каналов, переключатель, световодных

...ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Иосква, Ж, Раушская наб., д. 4/5Производственно-полиграфическое предприятие, г. Ужгород, ул. Проектная, 4 1 12171Изобретение относится к интегральной оптике, в частности к волоконнооптической связи, и может быть использовано в устройствах коммутации свето- водных каналов. 5Цель изобретения - уменьшение вносимых оптических потерь и перекрестных помех между коммутируемыми свето- водными каналами,Конструкция переключателя свето О . водных каналов представлена на чертеже. Устройство содержит световедущий элемент 1 в виде тонкой пластины, вы-, полненной из электрооптического материала, канальных .электродов 2., расположенных симметрично на противоположных...

Номер патента: 1297007

Опубликовано: 15.03.1987

Автор: Дорауш

МПК: G05B 11/40

Метки: интегральный, регулятор

...сигналами задания, Зтй задача решается с помощью особого расположения измерителя рассогласования1,1, управляемого интегратора 1,2, 20переключателя 1.3, однотактных детекторов 1.4, 1.5, 1.6, 1.7, сумматоров 1.8, 1.9, интеграторов 1.10,1.11,пороговых блоков 1, 12, 1. 13 и элемента ИЛИ 1. 14,В процессе регулирования на входы измерителя рассогласования поступают сигнал задания и текущее значение регулируемого параметра. Если сигнал30 рассогласования, т.е. разница между сигналом задания и текущим значением регулируемого параметра, превышает зону нечувствительности одного из двух однотактных детекторов 1,4 или 1.б,то к включенному за ним интегратору 1.10 (или 1.11) подводится сигнал, одновременно интегратор другой ветви регулирования 1.11...

Номер патента: 1328700

Опубликовано: 07.08.1987

Авторы: Беклемишев, Бритвин, Ваганов

МПК: G01L 23/18

Метки: воздействия, интегральный, механического

...контакты 13 - 17.Эмиттерный контакт 3 тензотранзистора 1 соединен дорожкой 12 с эмиттерным контактом 3 тензотранзистора 2 и входным контактом 13. Базовые контакты 4 тензотранзисторов 1 и 2 через тензорезисторы 11 и 8 соответственно соединены с входным контактом 14, коллекторные контакты 5 тензотранзисторов 1 и 2 через тензорезисторы 9 и 10 соответстенно - с входным контактом 15, а коллекторный контакт 5 тензорезистора 2 соединен дорожкой 12 с выходным контактом 16, коллекторный контакт 5 тензотранзистора 1 - с выходным контактом 17.Вся схема изготовлена на кремниевом упругом элементе 6 в теле кремниевой пластины 7.Преобразователь работает следую 1 цим образом.Тензочувствительность коэффициентаусиления тока базы тензотранзисторов...

Номер патента: 1338012

Опубликовано: 15.09.1987

Авторы: Ерохин, Рогозов, Чернов

МПК: H03K 19/091, H03K 3/29

Метки: д-триггер, интегральный, четырехзначный

...до прихода тактового импульса. Изменение входногосигнала не влияет на состояние триггера,С приходом тактового импульса устройство переходит в режим записи,Подача на транзистор 6 сигналавысокого логического уровня приводитк его отпиранию.С отпиранием транзистора 6 черезвремя задержки, равное времени срабатывания транзисторов 1 и 7 (транзистор 11 здесь выполняет функциюэлемента задержки, назначение которого будет пояснено ниже), происходитэапирание транзисторакоторый уже не отбирает с эмиттеровтранзисторов 8,9,10 токи, токи с40 эмиттеров указанных транзисторов отбираются через коллекторы входноготранзистора 5; так как транзистор 6насыщен, то происходит запирание всехтранзисторов 12-17 бистабильных ячеек,Обязательным условием...

Номер патента: 1359902

Опубликовано: 15.12.1987

Авторы: Ботвиник, Сахаров

МПК: H03K 19/086

Метки: интегральный, эсл-элемент

...видно из схемы, транзисторы 15и 9 образуют так называемое "токовоезеркало", т,е. ток, протекающий поцепи: шина питания - резистор 20диод 18 - диод 19 - коллектор - эмиттер транзистора 9 - общая шина и поцепи: шина 7 питания - резистор 11база - коллектор транзистора 10коллектор - эмиттер транзистора 15 -общая шина, вместе с током, проте 99022кающим по цепи: шина 7 питания - резистор 14 - коллектор - эмиттер транзистора 10 - коллектор - эмиттертранзистора 15 - общая шина, равныи определяются из условия напряжение питания,падение напряжения на переходе база-эмиттер припрямом смешении,величина резистора 20.ки Б.4 выбираются из услогде Ь - величина превышения напряжения (0,15-0,2) Вр1 - ток, задаваемый "токовымзеркалом"При этом транзистор...

Номер патента: 1368621

Опубликовано: 23.01.1988

Авторы: Демин, Зиновьев, Песков, Тихоненков

МПК: G01B 7/16

Метки: интегральный, мост, настройки, тензометрический

...тензорезистор с температурным коэффициентом сопротивления, который при увеличении сопротивления тензорезистора уменьшает это изменение, например тензорезистор 2, 20Разрывают ближайшую к выявленному тензорезистору перемычку, например 1 б, и включают вместо нее в то же плечо моста переменный резистор, например резистор 18, В нормальных температурных условиях изменяют сопротивление переменного резистора 18 до получения выходного сигнала моста, равного начальному выходному сигналу при заданной температуре. Измеряют это сопротивление и отключают переменный резистор. 18. Рассчитывают величину сопротивления дорабатываемого тензорезистора 2 по формуле ь К ь.;Кх1 ЫЫХгде К и К - сопротивления тенХ Хзорезисторов в выявленном плече моста;М; и М...

Номер патента: 1075096

Опубликовано: 07.02.1988

Авторы: Ваганов, Носкин

МПК: G01L 9/04

Метки: давления, интегральный

...(00 1), а стороны ориентированывдоль взаимно перпендикулярных кристаллографических направлений с 011),На мембране методом диффузии сформированы четыре тензорезистора р-типа,объединенные в мостовую схему.Основным недостатком этого преобразователя является низкое значениечувствительности, Это объясняетсяпрактической невозможностью увеличения выходного сигнала за счет повышения напряжения питания, что связаносо значительным мощностным саморазогревом тензорезисторов,Целью изобретения является повышение чувствительности при сохранениидопустимого уровня рессеиваемой мощности и температуры транзорезисторов,Поставленная цель достигается тем,что в преобразователе давления, содержащем мембрану иэ монокристаллического кремния, плоскость...

Номер патента: 1425487

Опубликовано: 23.09.1988

Авторы: Белозубов, Васильев, Ульянов

МПК: G01L 9/04

Метки: давления, интегральный

...измеряемого давления, он расположен симметрично направлениям минимальной тензочувствительности (100)или (010), а длина полосок 1,и Е иширина полосок Ь и Ъ выбраны одинаковыми,Резистивные полоски расположеныперпендикулярно прилегающим сторонаммембраны для облегчения разработки и изготовления фотошаблонов. Кроме того, резистивные полоски расположенына мембране до пересечения с границей 8 раздела мембраны и опорногооснования для идентификации тепловыхусловий термореэистора и тензореэистора, а также для расположения контактных площадок на опорном основании, так как в случае расположенияконтактных площадок на мембране онаможет повредиться при разводке выводных проводников. Вследствие симметричности характеристик мембраны...

Номер патента: 1435967

Опубликовано: 07.11.1988

Авторы: Ваганов, Пряхин

МПК: G01L 9/04

Метки: давления, интегральный, тензопреобразователь

...направлений семейства (110 7. Тензорезисто ры 2 одного знака чувствительности расположены на периферии мембраны в середине ее длинных сторон, а тензорезисторы 3 противоположного знака чувствительности расположены в цент ральной части мембраны, приэтом все они ориентированы вдоль длинных сторон мембраны. На всей площади мембраны 1 выполнено углубление 4 с образованием двух идентичных прямо угольных выступов 5, расположенных параллельно длинной стороне мембраны 1, Тензорезисторы 2 расположены по периферии мембраны 1 у длинной стороны, а тензорезисторы 3 расположены между выступами 5. Интегральный тенэопреобразовательработает следующим образом.При действии давления на мембрану с углублением 4 и выступами 5 последняя...

Номер патента: 1437698

Опубликовано: 15.11.1988

Авторы: Белозубов, Зеленцов, Козин, Михайлов

МПК: G01L 9/04

Метки: давления, интегральный, температуры

...элемента,Тензосхема и термочувствительныйэлемент соединены с внешней схемойпосредством выводных проводников 7.Упругий элемент жестко заделан вдержатель 8. На той же поверхностинанесены пленка изолятора 9 и пленочный отражающий экран 1 О с отверстием11, открывающим термочувствительныйэлемент,Преобразователь работает следующим образом.При воздействии на упругий элемент 1 измеряемого давления Р ондеформируется, деформация передаетсятензорезисторам 2, которые изменяютсвое сопротивление. Термоэлемент 5расположен под углом 45 О к кристаллографическим осям 11 О, в соответствии с чем продольный и поперечныйпьезорезисторные эффекты в немуравновешиваются и его сопротивлениене изменяется от деформации,Воздействие измеряемой темпера"туры 1...