Интегральный усилитель мощности
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
.А. В.Я 8.8 м енных азыочни- етст- транво СССР 1981. тельс Р 1/5 54) (57) ИНОСТИ по ав й ч нФормационной биод ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИ(46) 23.09.85, Бюл. (72) Б.И. Гольдшер,ков, Ю.Б.Рогаткин и (53) 621.375.024 (О (56) Авторское свидВ 1149378, кл. Н 03 РАЛЬНЪЙ УСИЛИТЕЛЬ ИОЩв, 91149378, отлия тем, что, с целью повышения максимальной мощности,отдаваемой в нагрузку, базы первоги второго транзисторов объединенычерез два введенных дополнительныхдатчика температуры, расположенныхот защищаемого элемента на разномрасстоянии и выполненных на третьеи четвертом транзисторах, включпо схеме с общим коллектором, бкоторых подключены к выходу истка смещения, а эмиттеры - соотввенно к базам первого и второгозисторов,1181115 Составитель Н.ДубровскаяТехред А.Бабинец Корректор М.Демчик Редактор М,Бланар Заказ 5948/59 Тираж 871 ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета СССРпо делам изобретений и открытий113035, Москва, Ж, Раушская наб д, 4/5 Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул, Проектная, 4 Изобретение относится к автоматике и импульсной технике и может быть использовано в устройствах управления приборов с зарядовой связью.Цель изобретения - повышение мак - симальной мощности, отдаваемой в нагрузку.На чертеже представлена принципиальная электрическая схема интегрального усилителя мощности. 1 ОИнтегральный усилитель мощности содержит тепловыделяющий элемент 1, пороговый элемент 2, два датчика 3 и 4 температуры, выполненные соответственно на первом 5 и втором 6 тран зисторах, нагрузочный резистор 7, токозадающий резистор 8, источник 9 смещения и два дополнительных датчика 10 и 11 температуры, выполненных соответственно на третьем 12 и чет вертом 13 транзисторах.Интегральный усилитель мощности работает следующим образом.В отсутствии градиента температуры по кристаллу микросхемы, все четыре 25 датчика на транзисторах 5, 6, 12 и 13 нагреваются практически одинаково и температура тепловыделяющего элемента 1, при которой срабатывает пороговый элемент 2, определяется ЗО изменяющимся под действием температуры коэффициентом передачи дифференциальным каскадом на транзисторах 5 и 6 синфазного сигнала, которым является выходное напряжение источника 9 смещения.При возникновении перепада температур, т.е, при относительно быстром энерговыделении в тепловыделяющем элементе 1, все четыре датчи ка на транзисторах 5, 6, 12 и 13 оказываются при разных температурах, и температура тепловыделяющего элемента 1 при которой происходит срабатывание порогового элемента 2,определяется как температурнозависимым коэффициентом передачи дифференциального каскада на транзисторах5 и 6, так и величиной дифферен-циального сигнала, которым являетсяразность падений напряжений на эмиттерных йереходах транзисторов 5,6, 12 и 13, обусловленная разнымитемпературами этих транзисторов.Кроме того, транзисторы 12 и 13могут быть конструктивно выполненыв непосредственной близости оттепловыделяющего элемента 1, например, в той же электрически изолированной области полупроводника,поэтому разность температур транзисторов 12 и 13 при прочих равныхусловиях больше, чем транзисторов5 и 6 в известном, что приводит кболее четкому срабатыванию порогового элемента 2.Использование четырех температурных датчиков, вместо двух, позволяет с меньшей погрешностью аппроксимировать реальную зависимость тем -пературного распределения от скорости энерговыделения в тепловыделяющем элементе 1, т,е. учесть непостоянство градиента распределениятемпературы по кристаллу, что такжеповышает точность схемы защиты иприводит в итоге к увеличению максимальной средней мощности, отдаваемой в нагрузку интегральным усилителем мощности, на 15-207. и увеличению в несколько раз максимальнойимпульсной мощности, что объясняется более полным использованиеммощностных характеристик тепловыделяющего элемента 1, которым, например, является транзистор выходногокаскада интегрального усилителя мощ, ности,
СмотретьЗаявка
3727486, 12.01.1984
ПРЕДПРИЯТИЕ ПЯ А-3562, МОСКОВСКИЙ ИНЖЕНЕРНО-ФИЗИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ
ГОЛЬДШЕР БОРИС ИОСИФОВИЧ, ДИК ПАВЕЛ АРКАДЬЕВИЧ, ЛАШКОВ АЛЕКСЕЙ ИВАНОВИЧ, РОГАТКИН ЮРИЙ БОРИСОВИЧ, СТЕНИН ВЛАДИМИР ЯКОВЛЕВИЧ
МПК / Метки
МПК: H03F 1/52
Метки: интегральный, мощности, усилитель
Опубликовано: 23.09.1985
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-1181115-integralnyjj-usilitel-moshhnosti.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Интегральный усилитель мощности</a>
Логический элемент на полевых транзисторах
Номер патента: 1530058
Опубликовано: 15.09.1994
Авторы: Адамов, Кравченко, Соляков, Хлыбов, Щетинин
МПК: H03K 19/094
Метки: логический, полевых, транзисторах, элемент
ЛОГИЧЕСКИЙ ЭЛЕМЕНТ НА ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРАХ с каналами одного типа проводимости, содержащий источник тока на нагрузочном транзисторе, исток которого соединен с затвором и шиной отрицательного напряжения питания, и последовательно включенные между шинами положительного и отрицательного напряжений питания переключающий транзистор, затвор которого соединен с входом логического элемента, а сток - с шиной положительного напряжения питания, и диоды сдвига уровня выходного напряжения, отличающийся тем, что, с целью повышения быстродействия и коэффициента усиления по напряжению, введены первый дополнительный транзистор, включенный между диодами сдвига уровня и стоком нагрузочного транзистора, и второй дополнительный транзистор, сток которого...
Динамический элемент на мдп-транзисторах
Номер патента: 294252
Опубликовано: 01.01.1971
МПК: H03K 17/66
Метки: динамический, мдп-транзисторах, элемент
...выход 8. 2Устройство работает следующим образом.Пусть в исходном состоянии на входе 7 элемента поддерживается высокий уровень напряжения, достаточный для отпирания транзистора 4 (эпюра 7, фиг. 2). Первый тактовый импульс (эпюра 5, фиг. 2) открывает транзистор 2, и конденсатор 1 заряжается от источника постоянного напряжения питания до потенциала, соответствующего высокому уров ню. По окончании первого импульса на входб подается второй тактовый сигнал (эпюра 6, фиг. 2), который через открытый транзистор 4 воздействует на затвор транзистороа 3 ц отпирает последний. За время действия второго 15 тактового импульса конденсатор 1 разряжается через канал открытого транзистора 3, и на выходе 8 устанавливается низкий уровень напряжения (эпюра 8,...
Запоминающий элемент на моп-транзисторах
Номер патента: 343308
Опубликовано: 01.01.1972
Авторы: Милославский, Паштно
МПК: G11C 11/40
Метки: запоминающий, моп-транзисторах, элемент
...элемента; выходы собирательных схем связаны соответственно с затвором координатного транзистора и с его истоком.На чертеже показана принципиальнаяэлектрическая схема предлагаемого устрой ства.Триггер с непосредственными перекрестными связями образован МОП-транзисторами Т 1 и Те, на объединенные истоки которых подается напряжение от постоянного источника пи тания Е. Одно плечо триггера через проходнойМОП-трапзистор Т, соединено с разрядной шиной 1 (РШ 1), второе в чер проходной МОП-транзистор Т 4 - с разрядной шиной О (РШ 0), Затворы МОП-транзисторов Т, и Т 4 15 соединены с истоком координатного МОПтранзистора Т 5, который по стоку и затвору через две собирательные схемы ИЛИ связан с шинами выборки элемента по координатам Х и У и...
Логический элемент на мдп-транзисторах
Номер патента: 664297
Опубликовано: 25.05.1979
Авторы: Галахтин, Герасимов, Кармазинский, Салгус, Филатов
МПК: H03K 19/08
Метки: логический, мдп-транзисторах, элемент
...транзистора12 и сток транзистора 13 подключены кшине 4 питания, сток транзистора 12 иисток транзистора 13 - к входу 2 выходного инвертора 1, а затворы - квыходу 3 выходного инвертора 1.Логический элемент работает следующим образом.Предположим, что в исходном состоянии на всех входных шинах 9-11 элемен - " та - напряжение логического нуля. Следовательно, транзисторы 6-8 закрыты,Напряжение на входе 2 выходного инвер"тора 1 равно напряжению логической единицы, так как открыт транзистор 12 сканалом р-типа, При этом напряжениена выходе 3 выходного инвертора 1равно напряжению логического нуля.Увеличение напряжения на одной из входных шин элемента, например на шине 9,приводит к отпиранию входного логического транзистора 6. Порог срабатывания...
Устройство для регулирования температуры дифференциальных усилителей постоянного тока
Номер патента: 688897
Опубликовано: 30.09.1979
МПК: G05D 23/19
Метки: дифференциальных, постоянного, температуры, усилителей
...постоянного тока внутри термостатируемой камеры.Устройство с ратуры, источник ле20 25 30 35 40 ния, регулировочный (переменный) резистор 4, первый нагреватель на транзисторе 5, второй нагреватель на транзисторе б.Термостатируемая камера 7 представляет собой матрицу из шести транзисторов, среди которых транзисторы 8 и 9 образуют входной дифференциальный каскад усилителя постоянного тока. В зависимости от положения подвижного контакта резистора 4 большая мощность выделяется на транзисторе 5 или транзисторе б. Поскольку транзистор 5 расположен ближе к транзистору 8, чем к транзистору 9, то при большей рассеиваемой мощности транзистором 5 температура транзистора 8 оказывается выше, чем температура транзистора 9, а при большей...
Предыдущий патент: Синтезатор частот
Следующий патент: Следящий аналого-цифровой преобразователь
Случайный патент: Регулируемое устройство связи