Патенты с меткой «интегральный»

Номер патента: 1822245

Опубликовано: 30.04.1995

Автор: Егиазарян

МПК: G01B 7/16

Метки: деформаций, егиазаряна, интегральный

...шагом участками выпуклых и вогнутых кривых. Вог нутые кривые имеют в точках, максимальноприближенных к заданной оси Х, один и тот же минимальный допустимый из условий прочности для данного материала и расстояния между этими точками радиуса кривиз ны. Этот радиус определяютэкспериментально при изготовлении пробных преобразователей.После нанесения маски подвергаюттравлению на всю глубину его залегания незащищенные участки поверхности тенэочувствительного материала. Затем известными методами вскрытия окон в защитной маске с последующим нанесением слоя металла формируют токовыводы, и интегральный преобразователь деформаций может 5 10 15 20 25 30 35 ориентированного осью максимальной тензочувствительности вдоль заданной оси Х...

Номер патента: 1628826

Опубликовано: 30.04.1995

Автор: Егиазарян

МПК: G01L 1/10, H03H 9/15

Метки: изгибных, интегральный, колебаний, резонатор

...электрод 11.Резонатор работает следующим образом,При протекании тока через пленочный металлический электрод 11 возникает сила электродинамического воздействия, пропорциональная квадрату тока и длине взаимодействующих противоположных сторон пленочного металлического электрода 11 и обратно пропорциональная расстоянию между этими сторонами, Под действием этой силы происходит отклонение балки 2 от основания 1, При подаче на контактные площадки 8 и 9 импульсного сигнала с частотой следования импульсов, равной собственной Формула изобретения ИНТЕГРАЛЬНЫЙ РЕЗОНАТОР ИЗГИБНЫХ КОЛЕБАНИЙ, содержащий основание с консольно закрепленной в нем балкой из монокристаллического полупроводникового материала, на одной из главных граней которой в...

Номер патента: 1831966

Опубликовано: 10.05.1995

Авторы: Дворников, Любый

МПК: H01L 29/72

Метки: биполярный, интегральный, транзистор

1. ИНТЕГРАЛЬНЫЙ БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР, содержащий полупроводниковую подложку первого типа проводимости с изолированными областями второго типа проводимости, в которой сформированы области базы, коллектора и эмиттера с омическими контактами, коммутирующие шины, отличающийся тем, что, с целью обеспечения программируемости параметров для аналоговых схем, эмиттер выполнен в виде (m n + 1) дискретных областей, где m 1,2,3,n 1,2,3, одна из которых расположена в центре, а остальные по n-радиальным направлениям симметрично относительно центра эмиттера, к каждой из которых сформированы омические контакты, и между ними по радиальным направлениям расположено не менее n омических...

Номер патента: 1835913

Опубликовано: 10.09.1995

Авторы: Евдокимов, Папков, Смыслов, Суровиков

МПК: G01L 9/04

Метки: давления, интегральный, полупроводниковый

...Разделение облегчается, еслина месте границ между будущими преобразователями в первой и второй пластинахбыли сделаны незамкнутые прорези иликанавки (в т,ч. замкнутые). В этом случаеразделение может быть выполнено оазмыванием, ибо деформацией при размэлывании не передэдутся нэ прогибные части и невыведут их из строя, так как они защищеныжесткими рамками 2,Этим способом можно изготавливатьпрофилированные мембраны других форм, 35например, с жестким центром, с жесткими"островками" и т,д,Изготовление упрощается, если заготовки 1-й и 2-й пластины вырезают в изотропкой плоскости (в плоскости (0001) для 40сапфира); в этом случае отпадают все последующие операции кристаллографическойориентации, даже для тензорезисторов 4,ибо эпитаксиальный...

Номер патента: 1667574

Опубликовано: 27.10.1995

Авторы: Астахов, Коноплев, Фомичев

МПК: H01L 27/085

Метки: базовый, интегральный, логический, элемент

БАЗОВЫЙ ИНТЕГРАЛЬНЫЙ ЛОГИЧЕСКИЙ ЭЛЕМЕНТ, содержащий подложку первого типа проводимости, стоковые и истоковые области нагрузочного и ключевых МОП-транзисторов, металлическую шину питания, расположенную над стоковой областью нагрузочного транзистора, и соединенную с ней металлическую общую шину, расположенную над областями стоков, истоков и затворов, соединенную с истоковыми областями ключевых транзисторов, полупроводниковый слой встроенного канала нагрузочного транзистора, слои подзатворного диэлектрика, на которых расположены поликремниевые входные шины, и выходную металлическую шину, соединенную со стоковыми областями ключевых транзисторов, затвором и истоковой областью нагрузочного транзистора, отличающийся тем, что, с целью уменьшения...

Номер патента: 1433172

Опубликовано: 27.12.1995

Авторы: Белозубов, Козин, Ульянов, Шпилев

МПК: G01L 9/04

Метки: давления, интегральный

1. ИНТЕГРАЛЬНЫЙ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ ДАВЛЕНИЯ, содержащий квадратную мембрану из монокристаллического кремния n-типа проводимости, выполненную за одно целое с опорным основанием, плоскость которой совпадает с основной кристаллографической плоскостью (001), а стороны ориентированы вдоль взаимно перпендикулярных направлений <110> и расположенные по периферии по осям ее симметрии тензорезисторы в виде резистивных полосок, соединенных в измерительный мост, причем полоски двух тензорезисторов параллельны двумя противоположным сторонам мембраны, а полоски двух других тензорезисторов перпендикулярны двум другим сторонам мембраны, отличающийся тем, что, с целью повышения точности измерения при воздействий нестационарной температуры измеряемой...

Номер патента: 1676395

Опубликовано: 10.02.1996

Авторы: Астахов, Коноплев, Фомичев

МПК: H01L 27/04

Метки: интегральный, логический, элемент

ИНТЕГРАЛЬНЫЙ ЛОГИЧЕСКИЙ ЭЛЕМЕНТ, содержащий четыре входные и две выходные шины, шину питания, общую шину и три шины опорных напряжений, три резистора, диод и десять биполярных n - p - n - транзисторов, причем входные шины соединены с базами первого, второго, пятого и шестого транзисторов, две выходные шины соединены с анодом и катодом диода, общая шина соединена с первым выводом первого резистора и коллекторами четвертого, восьмого и девятого транзисторов, шина питания соединена с первыми выводами второго и третьего резисторов, первая шина опорного напряжения соединена с базами третьего и десятого транзисторов, вторая шина опорного напряжения соединена с базой седьмого транзистора, третья шина опорного напряжения соединена с базами...

Номер патента: 1316538

Опубликовано: 10.01.1997

Авторы: Гольдшер, Кусков, Лашков, Стенин

МПК: H03K 5/15

Метки: импульсов, интегральный, формирователь

1. Интегральный формирователь импульсов, содержащий три триггера, три элемента И НЕ, шины установки, выходные шины и шину тактовых импульсов, соединенную с тактовыми входами триггеров, прямые выходы которых подключены к первым входам соответствующих элементов И НЕ, при этом первый I-вход и прямой выход первого триггера соединены соответственно с инверсным выходом и первым I-входом второго триггера, прямой выход которого подключен первому I-входу третьего триггера, отличающийся тем, что, с целью повышения быстродействия, надежности и расширения функциональных возможностей, в него введены дополнительные триггер и элемент И НЕ, а также элемент НЕ, четыре блока задания перекрытия импульсов и дешифратор, входы которого соединены с шинами...

Номер патента: 1316539

Опубликовано: 10.01.1997

Авторы: Гольдшер, Кусков, Лашков, Стенин

МПК: H03K 5/15

Метки: импульсов, интегральный, фазовых, формирователь

1. Интегральный формирователь фазовых импульсов, содержащий три триггера, три элемента И НЕ, шины установки, выходные шины и шину тактовых импульсов, соединенную с тактовыми входами триггеров, прямые выходы которых подключены к первым входам соответствующих элементов И НЕ, при этом первый I-вход и прямой выход первого триггера соединены соответственно с инверсным выходом и первым I-входом второго триггера, отличающийся тем, что, с целью повышения быстродействия и надежности, в него введены элемент НЕ, три блока задания перекрытия импульсов и дешифратор, входы которого соединены с шинами установки, а выходы подключены раздельно к вторым I-входам и первым К-входам триггеров, причем инверсный выход первого триггера соединен с первым I-входом...

Номер патента: 698454

Опубликовано: 10.06.2001

Авторы: Басов, Гладков, Кокин, Кремлев, Манжа, Чистяков

МПК: H01L 27/12

Метки: инвертор, интегральный

1. Интегральный инвертор инжекционного типа, содержащий переключательный n-p-n-транзистор с эпитаксиальной базой и инжектирующий p-n-p-транзистор с инжектором-подложкой, отличающийся тем, что, с целью повышения коэффициента усиления n-p-n- и p-n-p-транзисторов, эмиттеры n-p-n-транзистора выполнены в виде локальных n+ скрытых слоев, а под пассивной частью базы n-p-n-транзистора расположен высокоомный слой n-типа проводимости, служащий базой p-n-p-транзистора, толщина которого меньше диффузионной длины неосновных носителей заряда, и частично перекрывающий локальный n+ скрытый слой.2. Способ изготовления интегрального инвертора по п.1, включающий операции...