Патенты с меткой «интегральный»

Номер патента: 1453162

Опубликовано: 23.01.1989

Авторы: Драгунов, Ильенков

МПК: G01B 7/16

Метки: интегральный, тензочувствительный, элемент

...примерно в середине переходной области передаточной характеристики. В той же области своей передаточной харак 40 теристики находится и рабочая точка инвертора 2. Под воздействием, например, деформации растяжения сопротивления каналов МДП-транзисторов 3 и 6 уменьшаются, а МДП-транзисторов 4 и 5 увеличиваются. Приращение напря 45 жения ДБ, на выходе инвертора 1, обус" ловленное изменением сопротивлений каналов МДП-транзисторов 3 и 4, ослабляется в 1/1+К ) раз за счет 1007-ной отрицательной обратной свя-зи. Это приращение напряжения поступает на инвертор 2, где усиливается в К раз и суммируется с изменением напряжения на его выходе ДБ, обусловленным изменением сопротивлений каналов МДП-транзисторов 5 и 6. Суммарное изменение напряжения на...

Номер патента: 1471094

Опубликовано: 07.04.1989

Авторы: Бритвин, Ваганов

МПК: G01L 9/04

Метки: давления, интегральный

...элементе в виде прямоугольной профилированной мембраны 9, плоскость которых совпадает с плоскостью (100), расположены в центре и на периферии мембраны в середине ее длинной стороны .так, что оси 8, проходящие от эмиттера к коллектору, у обоих тенэотранзисторов 1 и 2 параллельны, эта ось параллельна близлежащему краю мембраны и параллельна направлению (110).Преобразователь работает следующим образом.При воздействии на преобразователь измеряемого давления происходит ,деформация упругого элемента преобразователя, при этом в местах расположения тензотранзисторов 1 и 2+Гюо) Составит Полев ехред М.Дидык актор ека рректор М,Васильева Заказ 1601/45 Тираж 788 ПодписноеНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям 113035, Москва, Ж,...

Номер патента: 1074345

Опубликовано: 15.05.1989

Автор: Фурсин

МПК: H01L 27/10

Метки: интегральный, нейрон

...на возбуждающих входах 4 а (д=,М) и на тормозящих входах.5 Ь;(=,И) отрицательное напряжение относительно шины нулевого потенциала принимают лишь два значе- . ния - логического "0", либо логической "1", На выходах 2 и 3 си.налы определяются следующими фуйкциями::Е. (а, -Ь; ) с; Ц=1 10 О, если если где М и Г - число возбуждающих итормозящих входов 4 и 5 соответственно; А, В, С - пороги срабатываниявторого, третьего и первого суммато ров, определяемые сопротивлениямишунтирующих резисторов 30 (либо дополнительным управляющим током положительной или отрицательной полярности, подаваемым на базовые р-области 2 Б 8, 9, и 7 выходных транзисторов)Пороги срабатывания выбираются в пределах А 5 Му сВБ 1 СМ; 1 ЦМ. Сигналам С, С и Сз соответствует...

Номер патента: 1483442

Опубликовано: 30.05.1989

Авторы: Драпкин, Кирюхин, Наградова, Халикеев

МПК: G05F 1/613

Метки: интегральный, низковольтный, прецизионный, стабилитрон

...на диодах 14 и 15;20Ц9 - напряжение эмиттер-базатранзисторов 18 и 19, при"эб 9 Д 4 Дэв 16кТ ТэВ связи с тем, что Б = - 1 п -25зь 1 1 (где Т- ток насыщения), Т 9 =Т 14ЯД 44В данном случае = Т = А Т (где А - коэффициент про 18порциональности; Т - абсолютная тем пература).Требуется обеспечить независимость от температуры тока 1 э,в. Если это условие выполняется, то Т э,9 = ВТ (где В - коэффициент пропорциональности) .ТЬ= Т, +та1 Х 1 Т мэдЧ КФ Тэавозрастает с ростом температуры, Т я =40 0 э 89т.е. падает с ростом темпеКоратуры.11 ри надлежащем подборе сопротив-, лений резисторов 20,21 К , и К, 45 сумма 1 и Хздне изменяется сотемпературой, Зто требование обеспечивается при условии-Е +О +-.-(. --+1) +1 К 20=0,КТ К 20Оф эв ч К 2 9 50 тично...

Номер патента: 1495563

Опубликовано: 23.07.1989

Авторы: Калмыков, Чубриков, Шум

МПК: F17D 5/00

Метки: жидкости, интегральный, потока, прекращения, сигнализатор

...реверсивного счетчика, на второй (суммирующий) вход которого подаются импульсы частотой Р с первого выхода задающего генератора 5., Частота У является постоянной вели 6чиной для каждого конкретного случая применения сигнализатора и определяет время усреднения входного напряжения5 149 уменьшений Пи связанных с ними уменьшений частоты Г .В накопительном реверсивном счетчике 4 за время е накапливается чисоло импульсовои =(Р, - Р, ),, - Р)й,огде Р , - средняя частота Г захвремя Со .При нормальном режиме работы трубопровода, т.е. при нормальном протекании жидкости в трубе в устройстве устанавливается динамическое равновесие Р, Ро и и ( Б. Следовательно, на выходе сигнализатора сигнал отсутствует, При этом уменьшения Б) за счет Гзд...

Номер патента: 1499449

Опубликовано: 07.08.1989

Авторы: Гольдшер, Дик, Лашков, Стенин

МПК: H03K 5/01

Метки: импульсов, интегральный

...эмиттерныхпереходов транзистора 41 и соответствующего транзистора в блоке 13 получаем выходные токи блока 13 токораспределения, пропорциональные току 1 35(выход 16), либо 1/о (выходы 14и 15), причем практически независимоот температуры кристалла ИС и абсо.лютного разброса коэффициентов усиления транзисторов интегрального 40преобразователя импульсов, Стабильность режимов токов, задаваемых навходы 10-12 задания режима блока 1формирования выходных уровней способствует повышению стабильности временных характеристик интегрального преобразователя, поскольку времена перехода с уровня на уровень и задержки переключения обратно пропорциональны соответствующим режимным токам,В конкретной реализации интегрального преобразователя импульсов блок...

Номер патента: 1515082

Опубликовано: 15.10.1989

Авторы: Белозубов, Ескин

МПК: G01L 9/04

Метки: давления, интегральный

...л 1 ел 1 брацы и соединенных междусобой высоколегироваццыми перемычками,фиг. 1),Интегральный преобразователь давления работает следующим образом.Измеряемое давление воздействуетна мембрану со стороны, противоположной плацарной. В мембране возникаютнапряжения и деформации. Тензорезисторы воспринимают деформации и ихсопротивление меняется пропорционально измеряемому давлению. Причем, таккак сопротивление тензорезисторов К 1и К 3 увеличиваются, а тензорезисторовК 2 и К 4 уменьшаются с увеличением,давления, при этом тензорезисторы соединены в мостовую схему, то на выходесхемы формируется выходной сигнал,пропорциональный сумме измерений сопротивлений отдельных тензореэисторов.При изменении температуры окружающейсреды терморезистор...

Номер патента: 1520365

Опубликовано: 07.11.1989

Авторы: Белозубов, Жучков, Павлов, Тельпов

МПК: G01L 9/04

Метки: давления, интегральный

...1-4. При этом тензочувствительная мостовая схема, сформированная на мембране из монокристаллического полупроводникового материала,используется одновременно в качестве45тензочувствительного, термочувствительного и нагревательного элемента,Выходной сигнал снимается с измерительной диагонали мостовой схемы 5и делится на напряжение с диагоналипитания этой схемы в блоке 11 деленияПри этом в зоне воздействия изменяющейся температуры измеряемой среды могут находиться только тензорезисторы измерительной мостовой схемы 5, а остальные элементы 6-11 мо - гут быть расположены в зоне умеренного изменения температуры.Благодаря совмещению функций термочувствительных и нагревательных элементов в тензорезисторах 1-4 уменьшается количество...

Номер патента: 1527526

Опубликовано: 07.12.1989

Авторы: Козин, Михайлов

МПК: G01L 9/04

Метки: давления, интегральный, полупроводниковый

...1 О, чаще всего алюминиевые, и слой 810 защищает упругий элемент от воздействия измеряемойсреды. Расстояние выбирается иСХодяиз следующего: Аронт диАФузии накраю маски цМеет сАерическую Форму срадиусом, равным " Ь ,поэтому легиион,1 нная область по одну и другую сторону от маски в сумме расширяется на,-2,Поэтому, чтобы не было смыканий областей 7 и тензорезисторов 4 и проводящих шин 5, расстояние д необходимо выбрать из условря .а, 2 ЬПолупроводниковый преобразователь работает следующим образом. При воздействии на утоньшенную активную часть 3 упругого элемента 1 измеряемого параметра, в частностидавления Р, он деАормируется, подвергаются деформации и сАормированные в его теле тензорезисторы 4. Благодаря тензорезисторному эффекту...

Номер патента: 1531209

Опубликовано: 23.12.1989

Авторы: Ботвиник, Полупан

МПК: H03K 19/086

Метки: интегральный, эсл-элемент

...Ток через транзистор 4 определяется генерато 1531209ром тока, выполненном на транзисторе 8 и резисторе 9. Напряжение на базе транзистора 8 постоянно и равно 2 У , где 0, - прямое. падение напряжения на переходе база - эмиттер, при этом величина тока генератора будет равна10что позволяет легко рассчитать величину резисторов 1 и 2 для получения заданного перепада напряжений на выходах 6 и 7.15При достижении на базе транзистора 4 напряжения 40 транзистор 18 открывается и избыточная часть базового тока транзистора 4 по цепи: шина 3 питания, резистор 11, коллектор О эмиттер транзистора 18, диоды 16 и 17, общая шина 10, протекает по цепи 4 юрмирования опорного наряжения на базе транзистора 5.При этом напряжение на базе транзистора 4 не...

Номер патента: 1539834

Опубликовано: 30.01.1990

Авторы: Андрианов, Лебедев, Рыбалко, Таргоня, Шинкар

МПК: G11B 20/24

Метки: интегральный, магнитофона, шумоподавитель

...находятся практически под одним и тем же потенциалом (в силу высокого усиления операционного усилителя и глубокой обрат"ной связи), такое же напряжение устанавливается и на истоках дополнительных полевых транзисторов 19 и 25На выходах операционных усилителей 18 и 24 не связанных с нимизатворах основных и дополнительных полевых транзисторов (4 и 19 для звена 2 и 5 и 25 для звена 3) в ре" зультате устанавливается напряжение (начальное напряжение смещения полевых ранзисторов 4 и 5 перестраиваемого фильтра 1), которое определяет начальную частоту среза шумоподавителя, Знак и величина этого напряжения определяются видом использованных полевых транзисторов (встро 15398345 1 О 15 20 25 30 40 45 50 55 ецн 1 й цли индупрова 1 Й канал) Так,...

Номер патента: 1547044

Опубликовано: 28.02.1990

Авторы: Гольдшер, Дик, Лашков, Стенин

МПК: H03K 5/01

Метки: импульсов, интегральный, формирователь

...режимным токам.В рассматриваемом случае блокформирования выходных уровней работа ет при пониженных режимных токах, достаточных для поддержания с необходимой точностью уровней напряжения на выходной клемме 11, заданных логическими сигналами на входной клемме 8 выбора уровней, Так, при нулевом логическом сигнале на входной клемме8 выбора уровней выходной сигнал определяется напряжениемна первом выводе питания блока 1 формирования выходных уровней, а при единичном логическом сигнале - напряжением на втором выводе питания блока 1 формирования выходных уровней. Быстродействие блока 1 формирования выходных уровней определяется режимными токами и оказывается невысоким.При переключении сигнала на входной клемме 15 управления режимом...

Номер патента: 1552366

Опубликовано: 23.03.1990

Авторы: Андреев, Гинзбург, Лебедев

МПК: G05B 1/01, H03K 5/24

Метки: интегральный, кмоп-транзисторах, компаратор

...каскадам компаратора;У - напряжение на входе 18 врежиме настройки,Конденсатор 5 заряжается до напря- жения где Б - напряжение на первом входе38 устройства.В момент сравнения транзисторы коммутаторов 6, 7, 9 и 10 закрываются, а коммутаторы 8 и 11 открываются. При этом разрывается обратная связь с выхода второго дифференциального усилителя на вход второго, а затвор и сток транзистора 16 размыкаются. Первые обкладки конденсаторов 4 и 5 . меняют свое подключение, при этом на входе 17 получают напряжение 0 щ - Жа - 0) (4)Таким образом, на входы второго дифференциального усилителя подается разностное напряжение Из выражений (3), (4) и (5) видно,что результирующее напряжение, подаваемое на входы второго дифференциального усилителя 2, не зависит...

Номер патента: 1573453

Опубликовано: 23.06.1990

Авторы: Соловьев, Шароватов

МПК: G05F 1/56

Метки: двухполюсный, интегральный, стабилизатор

...одинаковыми), либо путем использования транзисторов 5 и 6 с одинаковыми площадями эмиттеров, но приразличных токах (при этом значениесопротивления резистора 9 выбираетсябольшим, чем значение сопротивлениярезистора 10), либо комбинированнымспособом.Напряжение, выделяемое на резисторе 7, создает ток через эмиттерный переход транзистора 6, пропорциональный абсолютной температуре. Токи баэ транзисторов 1, 3, 4 и 5 можно не учитывать, так как по величине они значительно меньше коллекторных (эмиттерных) токов и, как противоположно направленные, взаимокомпенсируются.Транзисторы 1 и 2 выполняют функцию токового зеркала, отражая ток .транзисторов 1, 4 и 6 в цепь транзисторов 2,3,5 с коэффициентом пропорциональности, определяемым...

Номер патента: 1580190

Опубликовано: 23.07.1990

Авторы: Белозубов, Жучков, Красильникова

МПК: G01L 9/04

Метки: давления, интегральный

...большейстороны терморезистора выбрано в соответствии с предлагаемым соотношением. 25Интегральный преобразователь давления работает следующим образом.Измеряемое давление воздействуетна мембрану со стороны, противоположной планарной, В мембране возникаютнапряжения и деФормации. Тензорезисторы воспринимают деФормации и их сопротивления изменяются пропорциональноизмеряемому давлению, Причем, таккак сопротивления тензорезисторовК 1 и ЕЗ увеличиваются, а тензорезисторов К 2 и М уменьшаются с увеличением давления, а тензорезисторы соединены в мостовую схему, то на выходе схемы Формируется Выходной сигнал40пропорциональный сумме изменений сопротивлений отдельных тензорезисторов. При изменении температуры окружающей среды терморезистор также...

Номер патента: 1106366

Опубликовано: 15.08.1990

Авторы: Ковальчук, Михайлов, Михеев

МПК: H01L 29/94

Метки: интегральный, конденсатор, регулируемый

.... .стрт;с)т)к) 1 351В заврсрмос 1 И ат 1 , Ки(Ф . пгг";Рс)Д т.)1 - КГ)К 1 РНГ;ТГ)РГ 1 1;З;г гГ-т, т.Г;СКСИИ) Можно )ОЛ)ГгИТГ тптт.тгтат)нс:трт 1(:йнсгк); ткс гь ОСе Вьт:ОНгг .5О.ЕРАПИР ПОта 1)а 1 КИ ; т"НгГ Кап гн".И П(тл(РС ИК:; - ..:, тСТ );) ;" тт ОО З г 1 Кс 1 тМ Лг З Р,:.:Ь.1; .5 ;) ГтгситИЕ "т( 5 ттнтХ ттгттттг" ",тт " Ргр; СнттС 15 гМО; О -с)рГтг ГОЗ: )ттггтт(жс Ь1 г я СтОй тттттгГ г Ка.: НОГО .1 СргЕБ, с тт тт)Нт, г рБгяэ с)гСсрр)с . 1 Гт с) Ет )г т;)(р5.ю.51 си 5)3 ттгсс ".стт 1 .ктстм и 5,. т г тттс,. Нис,;,тт агу СМ 1;1 (т;1,т Г)тт стар". "Г Э С . 1 С.:ттИг,Пс)ПС)гс 1 КЫг)Э-тР ". ." РИт ЭБт ".Пс Ч ." Г Г:Кз ":1 СРС т(," Г "Г дс.) атд Оккн; га -,тк.,- ТГ -Е, П:С)1 СЭ ОТК сЮг;:1 .)д)1 ОЙ ИЗ Сгк с(й ,:я фЬ г,5срОг 5 гГБССЬя 1...

Номер патента: 1598238

Опубликовано: 07.10.1990

Авторы: Серебренников, Яшин

МПК: H05K 1/14, H05K 7/02

Метки: высокочастотный, интегральный, модуль

...структурах, и работает на частотах, переходных от СВЧ к КВЧ диапазону.В ВИМОФ по фиг. 6 пространственная передача и обработка сигналов КВЧ-диапазона(частоты свыше 50-70 ГГц) выполняются с помощью ФУ, выполненных на основе диэлектрических и полупроводниковых элементов (кристаллов) 34, контактирующих друг с другом по виртуальным границам 37.Для создания контактов между элементами в ВИМОФ по тракту передачи СВЧ (КВЧ)-сигналов простого механического контакта недостаточно, например, между металлическими элементами и полупроводниковыми кристаллами (в различных их сочетаниях) можно испольэовать контактирующие прослойки из жидких металлических композиций.На фиг. 7 показано сечение одного из четырех идентичных каналов (позиция 38 - зона...

Номер патента: 1610243

Опубликовано: 30.11.1990

Авторы: Драгунов, Ильенков

МПК: G01B 7/16

Метки: интегральный, тензочувствительный, элемент

...тензочувствительный элемент работает следующим образом.В отсутствие деформации напряжение на стоках МДП-транзисторов 3 и 4 практически равно половике напряжения питания. При деформации напряжение на 35этих стоках изменяется на величинуаЕ О 1. 0,75 Е - Б пор,рИ= Аг2 1 + О 0,5 Е опор.п"Р" (1-) 40 где А - коэффициент, зависящий оттензочувствительности МДПтранзисторов 1-4 и механического напряжения;Ф,Е - напряжение источника 5 питания;.М - отношение крутизны характеристик МДП-транзисторов 1-4;Пр- пороговое напряжение МДПтранзистора 4 с и-каналом;р- пороговое напряжение МДПтранзистора 3 с р-каналом.Это изменение напряжения усиливается инвертором из МДП-транзисторов 1 и 2 и суммируется с изменением его55 выходного напряжения при...

Номер патента: 1613888

Опубликовано: 15.12.1990

Авторы: Меньшиков, Пономаренко

МПК: G01L 9/04

Метки: давления, интегральный

...нагрузке показывают, что в зоне пересечения биссектрис напряжения на 5-10больше, чем в центре, Тензорезисторы соединены в мостовую схему.Составитель О,СлюсаревТехред М.Моргентал Корректор Н.Корол Фиг 1едактор С.Лисина Тираж 4 б 7 Подписноеосударственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Раушская наб., 4/5 аказ 3887 ВНИИП оиэводственно-издательский комбинат "Патент", г. Уж 1 од, ул. Гагарина имеют место уже при - = 1,75, а при = 2а, ав вимеет место незначительное их увеличение,которое сравнимо со значением прогиба изгибающих момейтов (напряжений) привДальнейшее сравнение относительныхвеличин прогиба, изгибающих моментов показывает, что в случае пластинки с весьмавытянутым прямоугольным...

Номер патента: 1640551

Опубликовано: 07.04.1991

Авторы: Евстратенко, Чубриков, Шум

МПК: G01F 1/38

Метки: газожидкостной, интегральный, потока, сигнализатор, смеси, трехпозиционный, трубе

...4, В нем эавремя со накапливается число импульсовсои= Х, (Р. - Рх)а=(Г. - Гр) сгде Рх,р = Кс Ь Овх, - средняя частота Рхза время со.Итак, пусть после продолжительной остановки скважину запускают и поток в трубевозобновляется, В исходном состоянии, перед возобновлением потока, блоки сигналиэатора находятся в следующем положении;напряжение Овх на выходе источника 1 сигнала близко к нулю (мало), блок 6 компенсации и блок 8 задания производительности внулевом положении, при котором О = О и1 Ад =0; блок 9 прерывания сигнала отключен и на выходе блока 7 формирования сигнала имеется непрерывный сигнал опрекращении потока. При этом Гх=О и в реверсивном счетчике 4 происходит суммирование импульсов частотой Го,При возобновлении потока...

Номер патента: 1647305

Опубликовано: 07.05.1991

Автор: Козин

МПК: G01L 9/04

Метки: давления, интегральный, полупроводниковый

...чувствительного элемента 35с планарной стороны 5 и с непланарной стороны 6 имеет идентичные слои,в ней отсутствуют начальные механические напряжения, которые в противном случае приводили бы к статическому изгибу мембраны и снижению чувствительности при подаче измеряемогодавления на уже изогнутую мембрану,Одновременное легирование с двухсторон обеспечивает одинаковое распределенне примеси в тензорезисторах. от поверхности в глубину мембраны исимметрию слоев тензорезисторов относительно середины толщины мембраны,исключая неидентичность параметровслоев на противоположных сторонах мембраны.Интегральный полупроводниковыйгреобразователь давления содержитпрофилированный кристалл из кремниямарки и типа, ориентации (1 ОО) смембраной...

Номер патента: 1648897

Опубликовано: 15.05.1991

Авторы: Драгунов, Ильенков

МПК: C01B 7/16

Метки: интегральный, тензочувствительный, элемент

...Раях, 4 ъе Составитель Е.ЩелинаРедактор М,Недолуженко Техред М;Моргентал Корректор Т.Малец Заказ 1496 Тираж 393 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Раушская наб., 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г, Ужгород, ул.Гагарина, 1 ся и полезный сигнал на выходе мостовой схемы пропорциональный деформации, практически не ослабляется обратной связью, создаваемой резисторами 7 и 8. На фиг.3 приведены беэмасштабные графики, причем график 1 соответствует исходному состоянию элемента, график 2 - изменению напряжений при увеличении температур, но без учета обратной связи, график 3 - то же. но с учетом обратной связи, график 4 - при воздействии деформации...

Номер патента: 1656683

Опубликовано: 15.06.1991

Авторы: Агрич, Арсеньев

МПК: H03M 1/66

Метки: интегральный, цифроаналоговый

...в первом (старшем) разряде определяет запас на возможное уменьшение порогового напряжения при изменении условий окружающей среды в процессе эксплуатации цифроаналогового преобразователя. При этом в случае коммутации напряжений, близких к нулю, переключающие свойства МОП-транзисторов ограничиваются токами утечки иззэ низкого эффективного порогового напряжения и малого обратного напряжения смещения истока МОП -транзистора относительно подложки. Это приводит к ухудшению достоверности результатов преобразования (понижению надежности). Введение дополнительного МОП-транзистора 4 с каналом Р-типа проводимости включ первого разряда снимает необходимость иметь низкое значение пороговогонапряжения для коммутации напряжений,приближающихся к...

Номер патента: 1672244

Опубликовано: 23.08.1991

Автор: Зеленцов

МПК: G01L 1/22

Метки: интегральный, тензопреобразователь

...их сопротивлений увеличиваются (имеют положительную чувствительность) В резистивных участках Ки Ктенторов Ри Кф возникают деФормации сжатия, в результате чего величины их сопротивлений уменьшаются (имеют отрицательную чувствительность), На периферии 3 мембраны 2 вдоль короткой оси Х будут действовать продольные напряжения 5а= - 0,49 -- ц и поперечные напмамряжения= - 0,09 , - с 1НаЬм периферии 3 мембраны вдоль длинной оси У будут действовать продольныеЪм напряжения (;) = - 0,012 ви иЬ поперечные напряжения С= - 0,064 Ьм-т и. В центре мембраны 2 будет Ъчдействовать разность напряженийЬ 2Ьб = 0,046 Ь Ч. При возникновеМнии в мембране 2 механических напря жений суммарные относительные изменения сопротивлений резистивных участков...

Номер патента: 1673894

Опубликовано: 30.08.1991

Авторы: Асланов, Кулиев, Пашаев

МПК: G01L 9/04

Метки: давления, интегральный

...чувствительности.На чертеже схематично изображен преобразователь. Интегральный преобразователь давления содержит четыре тензореэистора 1 с контактными площадками 2, Тензорезисторы размещены на мембране 3, выполненной в виде равностороннего треугольника, Одна пара тензорезисторов 1 размещена вдоль высоты треугольника так, что один тензореэистор иэ этой пэры расположен на расстоянии 0,52 а, а другой - на расстоянии 0,35 а от основания. Другая пара тензореэисторов 1 размещена на линии, параллельной основанию треугольника и отстоящей от него на расстояние 0,1 а, причем каждый тензорезистор этой пары расположен на расстоянии 0,25 а от вершины близлежащего угла треугольника. Величина а равна длине стороны %гГтреугольника.Интегральный...

Номер патента: 1700789

Опубликовано: 23.12.1991

Авторы: Лауфер, Никитин, Рожнев, Яшин

МПК: H05K 7/02

Метки: высокочастотный, интегральный, модуль, съемный

...поле ДС,На фиг.5, 7 и 8 показаны компоновка 4, 5, 6-го уровней пакета ДС с фрагментом топологии на ДС 7 (35 - ДС в рамке 12; 36 и 37 - ДС и рамка 6-го уровня), Рамка 12 не имеет перемычки 15 (фиг.1), так как ее ДС расположена по ДС 7 большей ширины и перемычка препятствовала бы продолжению топологического поля из основной зоны расположения ППЭ 8 на обратной стороне ДС 7 в зону выступа 38; в последней к ППЭ 8 подсоединены НЭ 14(39 - полосковый элемент высокочастотного объемного перехода согласования с распределенной емкостью).На фиг.5 показаны основное топологическое поле 40 с границей 41 ДС 7 и дополнительное (изолированное от основного) топологическое поле 42 с границей 43 зоны выступа лицевой стороны ДС 7, ППЭ на последнем...

Номер патента: 1707652

Опубликовано: 23.01.1992

Авторы: Белесев, Гераскин, Голубев, Казаченко, Кузнецов, Лобашев, Овчинников, Парфенов, Секачев, Солодухин, Спивак, Титов

МПК: H01J 49/44

Метки: интегральный, спектра, частиц, электростатический, энергетического

...плоскости спектрометра направлены параллельно оси спектрометра, так же, как и сигоеые линии электрического поля, Одноерел 1 енное с выстраиванием торможение электронов распределенным электрическим полем, создаваемым потенциальными электродами 8-10, позволяет сократить длину, на которой происходит выстраивание импульсов электронов, Для электрического поля неоднородность в медианной плоскости составляет -1 ц отн.ед,-6Максимальный угол между импульсом частицы и магнитной силовой линией, а следовательно, и электрической силовой линией в медианной плоскости, составляет%вкс . ( - гт - ) . Энергия, связанная в попоперечной компонентной импульса в меди- анной плоскости определяют абсолютное энергетическое разрешение спектрометра. После...

Номер патента: 1747776

Опубликовано: 15.07.1992

Автор: Шариков

МПК: F16H 21/10

Метки: интегральный, механизм, шарнирно-рычажный

...4пружиной 7 между упорами 8 и 9, которые могут фиксироваться в различных положениях по длине кулисы. Кулиса 4 может занимать многовэриантные фиксируемые положения на коромысле 3 как путем поворота вокруг оси В, так и путем разворота кулисы на противоположные направления, Шатун 6, выполненный с возможностью рэздвижения и фиксации по длине, одним 10 концом шарнирно соединен с ползуном 5, э другим - с кривошипам 10 В зависимости от назначения подготовку механизма к работе осуществляют следующим образом 15 Вначале задается нужная, кинематика механизма путем установки коромысла 3, закрепления нэ ней под нужным углом кулисы 4, выборэ длины шатунэ 6, Затем устанавливается определенное поджатие пружины 7 путем перемещения и фиксации упоров...

Номер патента: 1748223

Опубликовано: 15.07.1992

Авторы: Баранаускас, Иванов, Юодвалькис

МПК: H01L 27/10, H03F 3/26

Метки: интегральный, мощный, транзистор

...(Ок 4 ). Приняв усилители 5 и 6 за идеальные, из-за отрицательной обратной связи через дополнительный эмиттер дополнительногд транзистора 2 можно считать, что дополнительный транзистор 2 открывается настолько, чтобы падение напряжения Ощ было равно Овз . При этом напряжение Овз из-за отрицательной обратной связи через коллектор дополнительного транзистора 2 устанавливается такой величины, чтобы коллекторный ток этого транзистора был равен току, поступающему на вход устройства. Тогда для устройства в целом можно записать:Об-зо- Об-эд, = Об-эо - Об-эдв (1) ГДЕ Од-эо, Об-зо НаПРЯжЕНИЯ баэз-ОСНОВ- ной эмиттер основного и дополнительного транзисторов 1 и 2;Об-зд Об-зд, - напРЯжениЯ база-допол 15 нительный эмиттер основного и дополнительного...

Номер патента: 1749731

Опубликовано: 23.07.1992

Авторы: Белозубов, Михайлов, Ульянов

МПК: G01L 9/04

Метки: давления, интегральный

...формирова- пенсация осуществляется с высокой точнония базового слоя транзистора Т итензоре- стью и, следовательно, повышается-зисторов В - Вд. Средняя линия 9 точность измерений давлений в условияхпрямоугольных областей базы 7 совпадает 20 быстроизменяющейся температуры измесо средней линией расположения тензоре- ряемой среды,эисторов Йф-Ви, равноудалена от сторон 4 Кроме того, в конструкции базытранэимембраны 2 и параллельна сторонам 4, стора Т одна прямоугольная область базы 7Эмиттер 8 и -типа проводимости располо- испытывает положительйые напряжения, ажен в центре области примыкания прямо другая прямоугольная область, располоугольных областей базы 7. На одинаковомженная под прямым углом к первой области,: .расстоянии...