Патенты с меткой «интегральный»

Номер патента: 529701

Опубликовано: 30.01.1979

Авторы: Ержанов, Кокин, Кремлев, Любимов, Манжа

МПК: H01L 27/04

Метки: интегральный, транзистор

...2 часток .э может оыть открыт или за529701 г з перт расширившимся слоем объемного заряда р - и-перехода подложка 1 - коллекторная область 2.Интегральный транзистор в качестве инвертирующего работает следующим об разом.Подложку 1 и эмиттерную область 4 заземляют; коллекторную область 2 через нагрузочный резистор подключают к источнику питания. При высоком положи тельном напряжении на коллекторной области транзистора соединительный участок Б заперт слоем объемного заряда р - п-перехода подложка 1 - коллекторная область 2. Базовая область 3 не соединяет ся с подложкой 1 транзистора; весь ток является его базовым током.Предлагаемый интегральный транзистор работает так же, как и его аналоги.При понижении напряжения на коллек О торной...

Номер патента: 645124

Опубликовано: 30.01.1979

Авторы: Григорьев, Кодесс

МПК: G05B 11/30

Метки: интегральный, регулятор, цифро-аналоговый

...10схема управляемого делителя,Предлагаемый цифроаналоговый регулятор содержит регистр 1 кода, преобразователь 2 код - частота, задающий генератор 3,блок 4 согласования, реверсивный регистр 155, управляемый делитель 6, преобразователь 7 код в напряжен, выходной усилитель 8, объект 9 регулирования, преобразователь 10 напряжение - частота.Управляемый делитель 6 содержит суммирующий двоичный счетчик 11, элемент 12сравнения кодов и регистр 13 кода делимого.Регулятор работает следующим образом.Сигнал с выхода преобразователя 2 код - 25частота и сигнал с выхода преобразователя10 напряжение - частота с частотой следования, пропорциональной значению регулируемого параметра, подаются на вход блока 4 согласования и затем поступают на...

Номер патента: 602056

Опубликовано: 30.01.1979

Авторы: Кокин, Кремлев, Лубашевский, Назарьян

МПК: H01L 27/00

Метки: инвертор, интегральный

...транзисторы имеют каналы 9 и 10 соответственно. 5Инвертор работает следующим образом. К электроду б прикладывается положительное напряжение, величина которого может составлять несколько десятков долей вольта. При этом если электрод б заземлен, то ток источника питания (на чертеже не показан) протекает через сток нагрузочного полевого транзистора к электроду 8. В этом режиме затвор переключательного транзистора находится под потенциалом, 15 равным потенциалу земли и, следовательно, канал 10 переключательного транзистор а перекрыт слоем объемного заряда, При этом переключательный транзистор закрыт для токов по цепи исток 2 - сток 3, 20 Если на электроде б имеется положительный потенциал (или электрод б оборван), то ток...

Номер патента: 619066

Опубликовано: 15.03.1979

Авторы: Кокин, Кремлев, Манжа, Назарьян

МПК: H03K 19/02

Метки: интегральный, логический, элемент

...транзистор 1 с тремя затворами, биполярный гори зонтальный нагрузочный транзистор 2 с тремя коллекторами, входные шины 10 3, 4, 5, выходную шину 6, соединенную со стоком транзистора 1, плюсовую шину 7 напряжения питания, соединенную с эмиттером транзистора 2, общую шину 8, соединенную с истоком )5 транзистора 1, с базой транзистора 2, с катодами дополнительных вентильных двухполюсников 9.Каждая их входных шин 3, 4, 5 подключена к одному иэ затворов 20 транзистора 1, к одному из коллекторов транзистора 2 и к одному из анодов вентильных двухполюсников 9. Последние должны иметь напряжение открывания (или прямое падение напряжения) меньшее, чем напряжение открывания р-л-переходов, которые образуют затворы транзистора 1 и...

Номер патента: 652544

Опубликовано: 15.03.1979

Автор: Яковлев

МПК: G05F 1/56

Метки: интегральный, постоянного, стабилизатор

...13 и 14 соответственно, ВАХ НЭ 12 учитывает также ток нагрузки, Теперь предположим, что между Еи точкой 1 О (фиг, 2) встроен генератор тока 15, величина тока которого жестко связана с током. 1 НЭ 11, т.е. 1;- й 11, где Ь - положительное число, обязательно большее единицы(если 1(1, система уверенно будет "скатываться" к нулевым значениям то- ков). Тогда баланс токов (первый закон Кирхгофа) в точке 10 будет выражаться условием 1 =( и- 1 ), Графичесикое решение этого условия показано на фиг. 3 пересечениемкривых 13 и 112 Ь-) в точке 16. Как видно из фиг. 3, напряжение О равновесного, устойчивого состояния вообще не зависит от напряже ния источника питания, а определяется только ВАХ нелинейных элементов и коэффициентом И, т,е. такая...

Номер патента: 656021

Опубликовано: 05.04.1979

Авторы: Аязян, Давыдов, Пуховский, Раутенштейн

МПК: G05B 11/50

Метки: интегральный, пневматический, регулятор

...близким техническим решением к данному является пневматический интегральный регулятор, содержащий интегратор, включающий элементсравнения с дросселем и емкостьюв обратной связи, связанный с входными каналами регулятора, блок формирования Функции переключения, выход которого подключен к управляющейкамере реле 21.Оба эти ус Учить лучшее ктехнслогическ изобре динамич ятора. остигае уляторе емкост ты реле трсйства позволяют полачество регулированияих параметров по сравнению с линейным интегральным регулирующим устройством, но в целом рядеслучаев этого улучшения оказываетсянедостаточно,Целью настоящего тенияявляется улучшение ескиххарактеристик регулУказанная цель д тся тем,что в известном рег установлена дополнительная ь, подключенная через...

Номер патента: 690393

Опубликовано: 05.10.1979

Автор: Пивоненков

МПК: G01P 15/02

Метки: величин, датчика, интегральный, механических, чувствительный, элемент

...границ 9. Возможно два расположения тенэореэисторов смежных плечмоста, В первом случае тензорезисторы располагаются поперек пазапо диаметру мембраны (резисторы5, 6). Другое возможное выполнениетензореэисторов - вдоль паза, перпендикулярно диаметру мембраны(резисторы 7, 8) . При любом выполнении резисторы располагаютсяпараллельно друг другу, у противоположных границ паза 9, на расстоянии в, не большем трети ширины паза д от них. Оба паза 3 располагаются на равном расстоянииот центрального участка 10 мембраны и края (периферийнойчасти)мембраны 11. Пазы могут быть вы"полненными раздвоенными на две части 12 и 13 проходящие непосредственно над тенэореэисторами 4, в то время как часть 14 мембраны, рдсположенная между резисторами 4, выполнена с...

Номер патента: 734642

Опубликовано: 15.05.1980

Авторы: Алексеев, Осмоловский, Полянин

МПК: G05F 1/56

Метки: двухполярный, интегральный, стабилизатор

...входом20 регулирующего элемента, а также два делителя напряжения, один из которых входами включен между выходными выводами стабилизатора, а выходом подключен к одному из входов усилителя сигна 25 ла рассогласования положительного канала, а другой входами включен между общей шиной и отрицательным выходным выводом стабилизатора, а выходом соединен с одним из входов усилитепя сигнала рассогласования отрицательного канала, и опорный стабилитрон, соединенный с токозадаюшим элементом, причем второй вход усилителя сигнала рассогласования положительного канала через резистор35 соединен с обшей шиной, введен эмиттерный повторитель с делителем напряжения. в цепи эмиттера, при этом свободный зажим этого делителя напряжения соединен с отрицательным...

Номер патента: 758485

Опубликовано: 23.08.1980

Авторы: Бургомистров, Гребнев, Лубочнов

МПК: H03K 3/286

Метки: интегральный, симметричный, триггер

...эмиттерных резисторов, а их эмиттеры подключены к общей шине.15На чертеже представлена схема триггера.Интегральный симметричный триггерсодержит два ключевых транзистора 1, 2 и-р-и типа, которые выполнены многоэмиттерными, с коллекторными нагрузочными резисторами 3, 4, подключенными к плюсо вой клемме исто. ника питания 5, две цепи,состояшая каждая из последовательно соединенных транзисторов 6 или 7 эмиттерного повторителя, коллекторы которого подсоединены к плюсовой клемме источника пита758485 ОРьм ОА Состав ител ь Тсхред К. Ш Тираж 995 арственного к зобретений и- 35, Раушс т, г. УжгороРедактор Л. ЛашковЗаказ 5652/49 ЦНИИПИ Госудпо делам и13035, Москва, Ж лиал ППП Патен ния 5, нагрузочного резистора 8 или 9 в его эмиттере и...

Номер патента: 783573

Опубликовано: 30.11.1980

Авторы: Архарова, Пивоненков, Семенов

МПК: G03B 7/16

Метки: интегральный, тензодатчик

...7, 8, 9, 10, со. единенных с входами МДП.транзисторов 3-6. Для получения максимальной чувствительности транзисторы одного типа проводимости ориен. гярованы взаимно перпендикулярно, например, по направлениям типа (110) для плоскости (100) (фиг. 1) кремния, Напряжение на вход дах всех четырех транзисторов 3 - 6 задается Целителем напряжения. Для увеличения чувствя. телытости интегрального тензодатчика тенэоре. зисторы расположены в зоне деформации упру3 78357 гого элемента и ориентированных по кристалло графическим направлениям МДП-транзисторов,Устройство работает следующим образом.Под деиствием деформации малые измене ния тока МДП-транзистора вызывают большие5 изменения напряжения на его выходе из-за большого выходного...

Номер патента: 790333

Опубликовано: 23.12.1980

Авторы: Болдырев, Савотин, Сухопаров, Шкроб

МПК: H03K 19/08

Метки: «и-не, интегральный, логический, элемент

...транзистора 1 можно устанавливать отношением резисторов- ф . для кривой 11 он равен 1 дляа1кривой 12 - 0,9 для кривой 130,8.ЗО Из графиков следует, что с помощью величины отношения резисторов-ф можно так же менять порогйвыключения логической схемы, а вместе с тем и ширину петли гистереэиЗ 5 са. При включении транзистора 1ток коллектора за счет цели обратной связи равенЕ -2 Чо, (6)кл, Оо,ьк йТок базы этого транзистора обес 40 печивается током коллектора р п-ртранзистора 8, Поэтому для токабазы р-и-р транзистора 8 можно записатьол, ВьВл(т)45 Ю- (.ргде 9 р - коэффициент усиления р-п-ртранзистора 8,Ток базы Э 4 определяется током5 О коллектора транзистора б, который,в свою очередь, так же, как и токколлектора транзистора 5 фиксируется...

Номер патента: 809558

Опубликовано: 28.02.1981

Авторы: Пономарев, Фомичев

МПК: H03K 13/20

Метки: двоичный, интегральный, код, преобразовательуровней

...и четвертом и-р-птранзисторах, эмиттеры которых соединены с общей шиной, а коллекторы.второго и Четвертого и-р-и транзисторов соединены соответственно с первой и второй выходными шинами, первый одноэмиттерный и второй двухэмиттерный р-и-р транзисторы, эмиттеры которых соединены с шиной питания,базы - собщей шиной, а коллекторы -с базами соответственно второго и четвертого п-р-в транзисторов, а такжевходной двухколлекторный р-и-р транзистор, эмиттер которого соединен совходной шиной, база - с общей шиной,а коллекторы соединены с базами соответственно первого н третьего и-р-итранзисторов, введены третий и четвертый одноэмиттерные и пятый двухэмиттерный р-о-р транзисторы, базыкоторых соединены с общей шиной,эмиттеры третьего и...

Номер патента: 819860

Опубликовано: 07.04.1981

Авторы: Аникин, Борщенко, Бурмистров, Воробьев, Дшхунян, Науменков, Немеровский, Поветин, Тесля, Чичерин, Шкарапут

МПК: H01L 27/04

Метки: двунаправлен-ный, интегральный, линий, связи, твердотельный, усилитель

...а на другой - высокого или наоборот, на выходе входного элемента (ИЛИ в ), на вход управления которого подан высокий потенциал, устанавливается низкий потенциал, запирающий выходной инвертируюший вентиль и передача информации в этом направлении будет запрещена. Передача информации будет разрешена только через входной элемент (ИЛИ - НЕ), на вход управления которого подан низкий потенциал. Такая комбинация пОтенциалов на входах управления 9 и 10 соответствует синхронному режиму работы, При подключении обоих входов управления к шине с низким потенциалом, например к шине земли, передача информации будет разрешена в обоих направлениях и осуществляется в том направлении, которое имеет приоритет во времени. Такая комбинация потенциалов на...

Номер патента: 819935

Опубликовано: 07.04.1981

Авторы: Дьяконов, Ремнев

МПК: H03K 3/28

Метки: интегральный, таймер

...8 и 9, стробируемые входы 1 О - 11 компараторов, выход 12 компаратора, разрядный транзистор 15, резистор 16, ТТЛ-вентили 17 и 18.Рассмотрим работу таймера, предполагая, что на оба входа 5 и 6 сдвоенного компаратора подан сигнал 11 вк . При изменении 11 н от 0 до некоторого порогового напряжения 3 па компаратора 8, поданного на вход 4, выходной сигнал вентиля 18 равен напряжению логического 0. Это напряжение является запрещающим работу компаратора 9. На стробирующем входе 10 напряжение логической 1.89935 Формула изобретения ых 14 Фиг ЬхЮЯ Составитель И. Радькоехред А. Бойкас Ккраж 988 П Редактор Е. ГончарЗаказ 1117/34ВНИИ ПИ Госудпо делам н113035, Москва,филиал ППП Патен рректор С. ЩомодпнсноеР С тнйарственного комитет зобретеннн...

Номер патента: 840767

Опубликовано: 23.06.1981

Авторы: Грязнов, Мусин

МПК: G01R 29/02

Метки: измеритель, импульсов, интегральный, парамет-pob

...параметры которых необходимо измерить, поступают на вход диференцирующего блока 1. Длительностипервого и второго продифференцированныхимпульсов равны длительности фронта исреза исследуемого импульса измереннымна уровнях 0,1-0,9 от амплитудного значения, при этом амплитуды первого, и второго продифференцированных импульсовпропор циональны скорос тям,нар астания и снижения импульса,30Первый продифференцированный импульс(фиг. 1 и 2) проходит через коммутатор5 и поступает на входы интегральных пресбраэователей 2, после чего блок 6 управпения вырабатывает сигнал управления35коммутатором 5, отключающегО входыпреобразователей 2 от выхода дифференцирующего блока 1, вследствие чего вторые продифференцировенные импульсы навход...

Номер патента: 851379

Опубликовано: 30.07.1981

Авторы: Венцюс, Копустинскас, Яшинскис

МПК: G05F 1/58

Метки: интегральный, источник, термостабильноготока

...с общим выводом.На чертеже представлена электрическая схема интегрального источникатермостабильного тока.ЪИнтеГральный источник тераостабильного тока содержит регулируежй составной биполярный транзистор 1, включенный по схеме Дарлингтона, к коолектору которого подключена нагрузка 2,диодные цепочки 3, бйполярный регулирующий составной транзистор 4, включенный по схеме Дарлингтона, и полупроводниковый резистор 5, включенныйк общей точке источникатока и кэмиттеру составного регулируемоготранзистора 1, база .которого и коллектор составного регулирукщего тран,зистора 4 подключены к средней точкедиодной цепочки 3, к одному концу ко.торой подключен источник питакщегонапряжения Е, а к дрУгому - базасоставного регулирующего транзистора4,...

Номер патента: 858102

Опубликовано: 23.08.1981

Авторы: Игнатенко, Кузовлев, Либерман, Федонин, Чернихов, Черняк

МПК: G11C 11/34

Метки: интегральный, памяти, элемент

...то вРемЯ как к анодУ тиристора 17 сброса приложено только импульсное трапецеидальное напряжениеОп , т.е. в каждом периоде напряженйя Оимеется интервал времени,когда оно было равно нулю,В интервале времени, когда напряжение питания Оп. равно нулю, а напряптжение У - номинальному значению и внэлемент памяти не занесена информация,транзистор 28 препятствует протеканиютока по цепи: О д- резистор 18-диод20-резистор 16- Оп , в результатечего в интервале времени между сбросоми записью информации элемент не потребляет мощности.Устойчивость тиристора 1 записи ксамопроизвольным включениям из-за эффектав выключенном состоянииаообеспечиьается подачей на- базуэтого тиристора через резистор 5 идиод 4 в проводящем направлении постоянного напряжения для...

Номер патента: 860315

Опубликовано: 30.08.1981

Авторы: Казеннов, Кремлев, Стороженко

МПК: H03K 19/091

Метки: инжекционный, интегральный, логический, элемент

...выполнения.Логический элемент содержит выходной и-р-и транзистор 1, эмиттер которого соединен с общей шиной, коллектор - с выходной шиной 2, база подключена к коллектору инжектирующеготранзистора 3 через последовательносоединенные между собой и с транзистором 3 дополнительные транзисторы4 и 5, Базы транзисторов 3-5 соединены с общей шиной, эмиттер транзистора 3 подключен к шине б питания,база транзистора 1 - к входной шине7, эмиттеры транзисторов 4 и 5 - кдополнительным входным шинам 8 и 9соответственно.Логический элемент работает следующим образом.Если на одно ес 1 то низкий потен ю,860315 Формула изобретения Составитель Л, ДарьинаКовальчук Техред М. Голинка Корректор Ю. Макаренк 73/86 Тираж ВНИИПИ Государст по делам изоб 113035,...

Номер патента: 902205

Опубликовано: 30.01.1982

Авторы: Андрианов, Рыбалко, Таргоня

МПК: H03F 3/00

Метки: интегральный, магнитофона, мощности, усилитель

...2 и 3, коллектор четырнадцатого транзистора 23 -- к эмиттерам третьего и четвертого транзисторов 4 и 5, а коллектор пятнадцатого транзистора 24 к первой Инне 31 частотной компенсации, к коллектору седьмого транзистора 13 и к базам одиннадцатого и двадцатого транзисторов 18 и 32 Коллектор шестнадцатого транзистора 25 )одклк)чн к базе восемнадцатого транзистора 27, к коллекторам двадцать первого и двдцть второго транзисторов 33 и 34 и к базе и коллектору двадцать третьего транзистор 35, коллектор третьего транзистора 4 к базе и коллектору пятого транзистора 9, и к базе шестого транзистора 1 О, а коллектор четвертого транзистора 5- к колл( кторам шестого и девятого транзисторов 10 и 16, к базе семнадцатого транзистора 26 и ко второй шине...

Номер патента: 902261

Опубликовано: 30.01.1982

Авторы: Громов, Смирнов

МПК: H03K 19/088

Метки: интегральный, логический, транзисторно-транзисторный, элемент

...коллектора двухколлекторного транзистора 5 ответвляется в насыщенный фазорасщепляющий транзистор 2, на коллекторе которого устанавливается низкий уровень напряжения, недостаточный для отпирания верхнего транзистора 3 и диода 10. На выходе элемента формируется выходной уровень логического "0" (напряжение насыщения О. нижнего транзистора 4).При поступлении напряжения логи, ческого 0" на один из информацион50 ных входов (В) напряжение на базе входного многоколлекторного транзистора 1 уменьшается, фаэорасщепляющий 2 и нижний 4 транзисторы сложного выходного инвертора запираются. Ток второго коллектора двухколлекторного транзистора 5 переключается в базу верхнего транзистора 43 и открывает его, При этом двухколлекторный транзистор 5 по...

Номер патента: 906005

Опубликовано: 15.02.1982

Авторы: Гайворонский, Левонюк, Самойлов

МПК: H03K 19/08

Метки: динамический, интегральный, элемент

...1 и 4 за- . крыты по эмиттерам, Однако уровни напряжения на коллекторах трвнзис" торов различны. Диод 5 Фиксации ограничивает напряжение на коллекторах транзисторов 2 и 3. Образуются пути токов: шина 13, резистор 6, база транзистора 2 диод 5, шина 14, а также шина 13, резистор В база, коллектор транзистора 3, диод 5 шина 14. Данные токи создают в базах транзисторов 2 и 3 неравновесный избыточ-ный заряд и при окончании действия импульса на шине 15 данные транзис" торы открываются, что приводит к удержанию многоэмиттерных транзисторов 1 и 4 в закрытом состоянии. На выходах устройства устанавливаются логическая на выходе 11 и логический "0" на выходе 12. 4Если при наличии высокого уровня напряжения (импульса) на шине 5 хотя бы на одном из...

Номер патента: 922545

Опубликовано: 23.04.1982

Авторы: Заседателев, Яковлев

МПК: G01L 1/22

Метки: интегральный, тензометрический

...относительныеприращения сопротивлений тенэорезисторов при действии измеряемой нагрузки.Цель изобретения - увеличение чувствительности преобразователя,Поставленная цель достигается тем,что в известном устройстве канавкивыполнены по обеим сторонам каждоготенэорезистора и примыкают к его контуру по всей рабочей длине,На чертеже представлен гримерконструктивного выполнения устройс 1.вэ,3 92254Преобразователь содержит консоль" ный упругий элемент 1, на поверхности которого перпендикулярно линии крепления элемента выполнены канавки 2 глубиной На Иежду канавками расположены диффузионные тензореэисторы 3-6, толщина которых л а ф, Тенко" резйсторы включаются в измерительную схему.При действии нагрузки Р тензо о резисторы 3 и 4 растягиваются,...

Номер патента: 865081

Опубликовано: 23.08.1982

Авторы: Галузо, Матсон

МПК: H01L 29/73

Метки: биполярный, интегральный, транзистор

...рекомбинациопных и инжекционных составляющих тока базы,При малых напряжениях на эмиттерйом переходе, что равносильно режиму малых токов, доля рекомбинационных составляющих в суммарном токе базы становится более существенной, чаще всего бывает больше инжекционной, Последнее вызывает уменьшение коэффициента передачи тока,Наличие в устройстве по изобретению дополнительного слоя 8, отделяющего пассивную зону базы от поверхности, снижает вероятность процесса рекомбинации поскольку в этом случае исключается возможность встречи на поверхности кристалла основных и неосновных носителей заряда (электронов и дырок), Для обеспечения непосредственного контакта к базе дополнительный слой покрывает всю поверхность пассивной базы за исключением ее...

Номер патента: 953730

Опубликовано: 23.08.1982

Авторы: Кремлев, Стороженко, Струков, Шетинин

МПК: H03K 19/08

Метки: инжекционный, интегральный, логический, элемент

...транзистор 1 насыщен, т.е,на выходе выдается низкий потенциалблизкий к нулю. При этом диоды 11 и12 закрыты, а транзисторы 3-5 открыты и обеспечивают базовый ток выходного транзистора 1. Напряжение на базах транзисторов 3-,5 равно удвоенному прямому падению напряжения на диоде. Если на один из входов 9 или 10,или на оба входа. подается низкий потенциал, близкий к нулю, то диод 11 15или 12, или соответственно оба отрываются и отводят коллекторный токтранзисторов 1 или 5, или 1 и 5 наземлю. В результате базовый ток транзистора 1 уменьшается и он закрывается, что соответствует логической единице на выходе.Таким образом, логический элементвыполняет логическую функцию И-НЕдля логических переменных: "О" - низкий потенциал, "1" - высокий...

Номер патента: 959192

Опубликовано: 15.09.1982

Авторы: Взятышев, Подковырин, Якухин

МПК: H01P 3/16

Метки: волновод, диэлектрический, интегральный

...интегрального диэлектрического волновода; на фиг. 2 - то же, другой вариант..Интегральный диэлектрический волновод содержит диэлектрическую плас. тину 1, металлическую подложку 2 .и выступ 3, при помощи которого диэлектрическая пластина закреплена на металлической подложке.Устройство работает следующим образом.Область диэлектрической пластины, расположенная над выступом, имеет большую эффективную , диэлектрическую проницаемость, чем область, расположенная над зазором; В результате .осуществляется концентрация энергии рабочей волны в области диэлектрической пластины, расположений над выс- тупо В интегральном диэлектрическом волноводе обрабатываемые поверхность диэлектрика перпендикулярные подложке малы, что снижает потери...

Номер патента: 997012

Опубликовано: 15.02.1983

Авторы: Осмоловский, Полянин

МПК: G05F 1/58

Метки: выходным, интегральный, источник, напряжением, питания, разнополярным

...запуска ведомого стабилизатораныполнен на транзисторах 48-50, стабилитроне 51, резисторах 52-55 и вклю 445чен между нходным выводом ведомогостабилизатора и общей шиной источника. Узел защиты от перегрузки состоит из реэистивного датчика тока 56делителя напряжения на резисторах57 и 58 и транзисторе 59, шунтирующимуправляющий вход составного регулирующего транзистора.Цепь питания узла запуска ведущего стабилизатора на транзисторах 26и 27, а также генераторы тока на тран.55зисторах 8 и 39, коллекторные нагрузки одних транзисторов усилителей сиг-,налов рассогласования; подключены кбазе проходного транзистора 56 ведомого стабидизатора, напряжение кото Орой превышает выходное напряжениена величину прямого падения напряжения на...

Номер патента: 1000804

Опубликовано: 28.02.1983

Автор: Яковлев

МПК: G01L 9/04

Метки: варианты, давления, датчик, его, интегральный, термокомпенсированный

...составляет не более0,5 сЯНагревательные резисторы 5 р -типапроводимости орентированы в плоскости мембраны 2 в направлении минимальной тензочувствительности (100 ),чем обеспечивается их невосприимчивость к деформации мембраны, расположены в центральной области мембраны на участке площади, центр которой совпадает с центром мембраны, и линия контура 10 которой эквидйстантна линии контура мембраны в заделке 9, а расстояние с от центра мембраны до линии контура 10 указанной площади равно с=0,2 сВ качестве монокристаллическогоматериала мембраны 2 по второму варианту используется кремний р-типа проводимости с плоскостью кристаллографической ориентации (100), На мембране 2 расположены термочувствительные 3, тенэочувствительные 4 и...

Номер патента: 1002825

Опубликовано: 07.03.1983

Автор: Яковлев

МПК: G01B 7/16

Метки: интегральный, тензопреобразователь

...на всю поверхность упругого элемента и на внешние поверхности тензорезисторов и токоведущих дорожек.На чертеже представлен интегральный тензопреобразователь, общий вид. 25Интегральный тензопреобразователь содержит упругий элемент 1, выполненный из монокристаллического кремния, изоляционный слой 2, нанесенный на верхнююповерхность упругогоэлемен та 1, изоляционный слой 3, нанесенный на нижнюю поверхность упругого элемента 1, полупроводниковые тензорезисторы 4 (на чертеже условно показан один тензорезистор и токоведущие дорожки 5 и 6, а также изоля 35 ционный слой 7, нанесенный на внешнюю поверхность тензорезисторов 4 и токоведущих дорожек 5 и 6, Изоляционные слои 23 и 7 соединяются между со 40 бой так, что они образуют герметичную...

Номер патента: 1003138

Опубликовано: 07.03.1983

Авторы: Андрианов, Павук, Рыбалко, Таргоня

МПК: G11B 5/02

Метки: аппаратуры, записи, интегральный, магнитной, стереофонической, усилитель

...схемы. Между базами транзисторов 18 и 19 выходного каскада и выходом промежуточного каскадавведены две пары транзисторов, последовательно соединенных первого 22 со вторым 23 и третьего 24 О с четвертым 25 транзисторов с одинаковым в паре типом проводимости (р-и-р в первой паре - транзисторы 22 и 23 и и-р-и во второй паре - транзисторы 24 и 25), Точка соединения транзисторов 22 и 23. первой пары подключена к базе транзистора 18, а транзисторов 24 и 25 - к Газе транзистора 19, коллекторы - к соответствующим шинам 26 и 27 питания, базы го второго 23 и третьего 24 транзисторов соединены с выходом промежуточного каскада 5, переход база - эмиттер транзистора 22 подсоединен параллельно пепеходу база - эмиттер транзистора 15, а транзистора...

Номер патента: 1003139

Опубликовано: 07.03.1983

Авторы: Андрианов, Петров, Рыбалко, Таргоня

МПК: G11B 5/02

Метки: воспроизведения, интегральный, магнитофонов, стереофонических, усилитель

...резисторов 18 и 19 через резистор 20 подключена к режимному резистору 14 входного каскада, а через вывод 21 ИС - к внешему онденсатору 22 фильт-зо ра. Резисторы 14, 19 и 20 образуют цепь параллельно-последовательной ООС, охватывающей входной 3 и промежуточный 4 каскады усилителя, между которыми дополнительно введены пер 35 вый 23 и-р-и-типа, второй 24 и третий 25 р-и-и типа транзисторы,Коллектор транзистора 23 соединен с базами транзисторов 24 и 25, а. чеюо рез резистор 26 - с эмиттером транзистора 24 и нагрузкой 16 транзис-. тора 15. Эмиттер транзистора 23 и коллектор транзистора 24 через резистор 27 подключен к точке соединения45 резисторов 18-20, а база - к коллектору транзистора 7. Коллектор транзистора 25 подключен к...