Патенты с меткой «интегральный»

Номер патента: 1758449

Опубликовано: 30.08.1992

Авторы: Белоус, Полуянов

МПК: G01K 5/62

Метки: интегральный, термометр, цифровой

...после многоканального усилителя-формирователя 2 логических двоичных единиц и многоканального преобразователя 3 код Грея - двоичный код поступает новая кодовая комбинация цифровых сигналов, соответствующая новому значению измеряемой температуры, На других входах двоичного сумматора 4 присутствует кодовая комбинация суммарного цифрового сигнала текущего измерения температуры, На разрядных выходах двоичного. сумматора 4 будет присутствовать сумма новой кодовой комбинации и кодовой комбинации суммарного цифрового сигнала текущего. измерения температуры. Эта новая сумма присутствует на разрядных входах запоминающего блока 5. Перед началом работы после подачи напряжения питания на цифровой интегральный термометр с выходов датчика 1...

Номер патента: 1758918

Опубликовано: 30.08.1992

Авторы: Плотникова, Прохоров, Яшин

МПК: H05K 7/00

Метки: высокочастотный, интегральный, модуль, объемный

...высоко- и низкочастотной коммутации, выводы вйсоко- и низкочастотных сигналов, соединенные с, пленочными элементами,корпус выполнены в виде соединенных цилиндрической части и части в виде усеченного конуса, на меньшем основаниикоторого выполнено цилиндрическое углубление, а пакет выполнен конусообразныМ и составлен из набора узлов, выполненных в виде полых цилиндрических пальцеобразных сопряженных по скользящей посадке оправок, на которьх с помощью наружных кольцевых фиксаторов закреплены с натяжением гибкие диэлектрические платы, причем наружный кольцевой фиксатор каждого узла сопряжен по диаметру с внутренней оправкой соседнего узла большего диаметра, и при этом наружный кольцевой фиксатор наибольшего диаметра сопряжен с...

Номер патента: 1764195

Опубликовано: 23.09.1992

Авторы: Емельянов, Иванаев, Майорова, Яшин

МПК: H05K 7/02

Метки: высокочастотный, интегральный, модуль, объемный

...ВОИМ приведен на фиг.5,6, где показан ППМ АФАР, содержащий полтора-два десятка ФУ типа излучателей, ферритовых вентилей и циркуляторов, умножителей частоты и т,п, В данном ППМ использованы широкополосные щелевые излучатели Вивальди, наиболее эффективно адаптируемые к конструкции модуля и не увеличивающие габаритные размеры ВОИМ, а также адаптируемые к технологии изготовления по описанному выше способу. На фиг,6 приведена компоновка данного модуля в АФАР.Лента-носитель 26 и ПП 20 соответственно с толщинами 6080 мкм и 40 мкм изготовлены из полиимидной пленки марки "Картоп - Н", заменитель-пленка марки ПМ по ТУ 6-19 - 102 - 78 основные характеристики:щд=0,0030,008 прис=20 С на частоте 1 ГГц; г = 3,13,8, рабочая температура до 220 С). В...

Номер патента: 1765730

Опубликовано: 30.09.1992

Автор: Пономаренко

МПК: G01L 9/04

Метки: давления, интегральный, тензопреобразователь

...к закреплению. Эпюра значений вэтом сечении может быть выражена с достаточной точностью параболой и поэтому нанекотором среднем участке (вблизи центральных линий) напряжения не изменяются20 (фиг.2 в, г, фиг,Зб),Расчет(см.фиг.2 а, б, в, г, фиг.За, б), показал, что напряжение в точках зоны защемления достигают значений такого жепорядка по величине, что и для ряда внут 25 ренних точек, т.е, точек в зоне центральныхлиний и которые имеют отрицательные значения противоположные внутренним. точкам,Таким образом, напряжения, как в про 30 дольном направлении пластины, так и в поперечном (например, вдоль центральныхлиний), изменяясь, проходят через нулевыезначения и принимают отрицательные значения на границе защемления, Поэтому,35 можно...

Номер патента: 1778571

Опубликовано: 30.11.1992

Авторы: Ваганов, Пряхин

МПК: G01L 1/22, G01L 9/04

Метки: воздействия, интегральный, механического, тензопреобразователь

...компонентам представляет из себя метал1178571 5 10 2025 30 35 40 .45 50 55 лизированные контактные площадки 7, расположенные внутри канавок массивной части кристалла преобразователя 8.На фиг. 2 изображена последовательность операций для изготовления интегральных механоэлектрических преобразователей.Использовали полированные с двух сторон кремниевые пластины и-типа проводимости с ориентацией поверхности вплоскости Г 100).Выращивали термический окисел 1 толщиной 0,7 мкм при Т = 1200 С на двух сторонах пластины 2 в высокотемпературнойпечи марки СДО 125-4 А,Проводили фотолитографию для того,чтобы вскрыть окна 3 в двуокиси кремния вместе расположения внешних выводов.На установке УВПМ наносили слойплаэмохимического нитрида...

Номер патента: 1783331

Опубликовано: 23.12.1992

Авторы: Бабичев, Гузь, Жадько, Козловский, Романов

МПК: G01L 9/04

Метки: давления, интегральный

...диффузией 5 в пластине кремния 1 для определения р-типа с выращенным нэ ней эпитаксиальным слоем п-типов. На краях базовой области расположены высокопроводящие площадки 2. Их ориентация относительно кристаллографических осей такая же как и в предыдущем случае, В пределах заряда в пластине кремния с биполярной электропроводностью в условиях одноосной деформации. Перераспределение носителей заряда происходит в направленииперпендикулярном направлению протеканию тока.Схематично процесс возникновения этого эффекта показан на фиг.1, 2, Сечение поверхностей равной электропроводностиизображены на фиг.1, 2 пунктиром, и - механическое напряжение, Там же.показаны кристаллографические направления, вдолькоторых пропускается электрический ток и...

Номер патента: 1783332

Опубликовано: 23.12.1992

Автор: Зеленцов

МПК: G01L 9/04

Метки: давления, интегральный, полупроводниковый

...в форме прямоугольной ф ЛВ ной чувствительностью ( - О); Вг, В 4 -Вбалки, плоскость симметрии которой совпадает с плоскостью симметрии упругой мембраны, и тензорезисторы мостовой схемы, резистивные участки тензарезисторов Вг и тензарезисторы мостовой схемы размеще В 4 с отрицательной чувствительностью элемента 1 сформированы контактные площадки 7 и 8, а для снятия выходного сигнала - контактные площадки 9 и 10, Отношение ширины ребра жесткости к размеру стороны профилированной мембраны выбрано в диапазоне 0,18-0,22, Участки тензорезисторов расположены в особых точках профилированной мембраны 2 и ариентрованы с учетом требуемого знака тензочувствительности каждого из тензорезисторов. Положительный эффект; благодаря размещению...

Номер патента: 1783401

Опубликовано: 23.12.1992

Авторы: Безручко, Березкин, Грабчак, Качуровский, Мишачев

МПК: G01N 27/12

Метки: водорода, интегральный, концентрации, первичный

...- десорбции водородаЦелью изобретения является увеличение долговечности и стабильности работыпервичного преобразователя концентрации 20водорода.Цель достигается тем, что в интегральном первичном преобразователе концентрации водорода, содержащем МДП-структуру с .палладиевым электродом (чувствительный элемент), диффузионный резистор(нагреватель) и диод (датчик температуры),указанные элементы выполнены. на частиполупроводниковой (и/п) .подложки, которая образует консоль по отношению к и/и 30подложке вне области размещения интегрального первичного преобразователя. Толщина консоли составляет не менее двухтолщин ОПЗ, что обеспечивает возможность создания УДП-структуры, Размещение .первичного преобразователя наконсоли позволяет...

Номер патента: 1784846

Опубликовано: 30.12.1992

Автор: Зеленцов

МПК: G01L 1/00

Метки: интегральный, тензопреобразователь

...поясняется фиг. 1 - 4 тензорезисторы Я 2 и Я 4 - из уччс Яс тков 2 иа фиг. -3 обозначены: 1 - упругий 40 Я 4, Резистивные участки Я и Яз располоэлемент иэ полупроводникового материала жены соответственно вдоль внешнего кони плоскостью ориентации(001); 2 - профи- тура 4 профилпрованной мембраны 2 лированная мембрана упругого элемейта; 3 вблизи его середины (вблизи точок А и А 1 на - жесткий центр; 4 - внешний контур про-, пересеч чии осей симметрии Х и У с виешфилированной мембраны; 5 - внутренний 45 ним контуром) и перпендикулярно внутренконгур профилированной мембраны; 6 - то- нему контуру 5 мембраны (вблизи жесткого коведущие коммутационные дорожки; 7,3 - центра 3) вблизи егс середины (вблизи точек контактные площадки для...

Номер патента: 1791782

Опубликовано: 30.01.1993

Авторы: Архарова, Пивоненков

МПК: G01P 15/12

Метки: интегральный, полупроводниковый, тензоаксельрометр

...упругого элемента 5, т, е, в зоне над профилированной областью 7, Тензочувствительная схема 8 преобразует деформацию. в электрический сигнал, при максимальном измеряемом ускорении наступает ограничение перемещения груза; т. е. консоль своим концом касается дна нижней или верхней крышек,В результате нэ профилированные перемычки 7 действует крутящий момент М пары сил. сила инерции Рин и силы ограничения Рогран(см. фиг. 2), который приводит к разрушению балки в области 7. Вибропрочность в этом случае очень низка, а также велика погрешность измерения ускорения из-за значительной неравномерности АЧХ, т. е. тем самым акселерометр-прототип обпадает невысокой точностью.В предлагаемом интегральном тензоакселерометре, выполненном, как показано на...

Номер патента: 1436794

Опубликовано: 15.02.1993

Авторы: Вербицкий, Рыжиков, Селегенев, Силин

МПК: G01T 1/20, H01L 31/0296

Метки: детектор, излучений, интегральный, ионизирующих, полупроводниковый

...эцс ггий лццицской вычислительцсй тол грдфии,эффективность регистрации вьппе цд20-307 чем ожидаемая, Более лс тдцьное исследование показало, что повышение чувствительности связдно свк.цдлом самого фотоприемцикд в преобразование энергии цоциэируюпцгоизлучения в электрическую, т.е. гетероцереход работает кдк полупроводниковый детектор ионизирующих излучений.При нанесении фотоприемццкд в виде оболочки Фотоприемник одцонременно работает как детектор и ионизирующего, и светового излучения.Приэтом повышение фоточувствительцостифотоприемника превьппдет ожидаемое втом случае,если приемник используется только как полупроводниковый детектор излучений. Специально проведенные исследования на фотоприемниках показали, что при одинаковой(по срдяцению...

Номер патента: 1795541

Опубликовано: 15.02.1993

Авторы: Асташкин, Кремлев, Меликов

МПК: H03K 19/0175

Метки: интегральный, фотоэлектрический

...управляющим р-и-переходом, 2 - дополнительный нормально- закрытый полевой транзистор с управляющим р-п-переходом, 3, 4. - шины,соединяющие выходы инверторов инжекционного типа с затворами полевых транзисторов, 5, 6 - первый и второй инверторы, 7, 8 - шины, содержащие прямой и инверсный выходы генератора прямоугольных импульсов со входами первого и второго инверто-.1795541 5 10 15 20 25 30 40 45 ров, 9 - генератор прямоугольных импульсов, 10, 11 - шины, соединяющие стоки основного и дополнительного нормально-закрытого полевого транзистора с управляющим р-и-переходом с первым и вторым входом сумматора по модулю два, 12 - сумматор по модулю два, 13 - выход сумматора по модулю два, который является выходом фотоэлектрического преобразователя;...

Номер патента: 1441973

Опубликовано: 23.02.1993

Авторы: Берент, Васин

МПК: G21C 1/08

Метки: интегральный, пара, перегрева, реактор

...2, Отделившийся ат кипящего теплоносителя насыщенный пар в сепараторе 7 накаплиВается в его верхней части, а затеипоступает В перегревяющую активнуюзону 6, перегревается и отводитсяк пароперегревателю 5, где отдаетсвое тепло перегрева пару Второгоконтура, конденсируется и сливаетсяВ опускной участок 9 контура многократной циркуляции. Количество пара, отделенное в сепараторе 7, которое прошло якгивную зону 2, и параперегреватель 5, Возвращается в видеконденсата на вход в кипящую активную зону 2. Контур многократной циркуляции переносит тепло активной зоны в парогенератор 4, а паровой контур переносит тепло от перегревающей активной зоны 6 в пяроперегревятель 5. Оба контура взаимосвязаны и цир" кулирувт параллельными потоками,ГВ 1111...

Номер патента: 1796929

Опубликовано: 23.02.1993

Автор: Зеленцов

МПК: G01L 9/06

Метки: давления, датчик, интегральный

...травлением сформирована крестообразная мембрана 2, Отношение короткой стороны ам креста к егодлинной стороне Ь выбирается из интервала0,55 - 0,65 (оптимальным является 0,6), Выборсоотношения сторон крестообразной мембраны из представленного интервала позволяет обеспечить в центре 0 мембранымаксимальную разность продольных охо ипоперечных оуо полезных механических напряжений. А зто, в свою очередь, позволяетрасполагать в центре крестообразной мембраны резистивные участки тенэорезисторов, Отношение же длины основания креста3 - б,р к его длинной стороне Ьм выбирается в интервале 0,2 - 0,3 (оптимальнымявляется 0,25) и определяет максимальную разность полезных продольных оХ ипоперечных оу механических напряжений,возникающих в...

Номер патента: 1099791

Опубликовано: 07.03.1993

Авторы: Агрич, Иванковский

МПК: H01L 29/78

Метки: n-канальный, интегральный, моп-транзистор

...эффекты, если и- канальный транзистор используется в КМОП структуре, а также более эффективно, т,е. с уменьшением потерь, передавать потенциал подложки между транзисторами в интегральных схемах.При этом, поскольку зона с повышенной концентрацией акцепторной примеси удалена от областей стоков, повышение концентрации в ней не приводит к ухудшению таких параметров, как токи утечки и пробивные напряжения, а также емкостей стоковых переходов, а это ведет к снижению потребляемой мощности, повышению надежности и быстродействия интегральных схем, использующих и-канальные транзисторы с заявляемой конструкцией.В соответствии с изобретением была изготовлена К-МОП ИС, включающая выполненные в кремниевой подложке КЭЭ 4,5 с ориентацией поверхности...

Номер патента: 1575850

Опубликовано: 07.03.1993

Авторы: Агрич, Сульжиц

МПК: H01L 27/04

Метки: дифференциальный, интегральный, к-моп, усилитель

...входных синфазных сигналов, зисторов и режима работы ДУ, при этом использование изобретения позволяет 0 и 0 д - напряжения положительного повысить коэффициент усиления ДУ за сси отрицательного питания; С- ем счет повьппенной концентрации примеси кость затворного диэлектрика МОП- , в подложке входных транзисторов, и транзисторов, Б- пороговое напря- следовательно, повышение дифферен" жение нагрузочных МОП-транзисторов; циального сопротивления сток-исток 1 - постоянный ток генератора тока входных транзисторов, особенно еслио 23дифференциального усилителя; К , Кп, они имеют короткие каналы. В отличие К - удельная крутизна МОП-транзисто- от известных ДУ при таком повьппенниЙров генератора тока, входных и нагру- концентрации примеси в...

Номер патента: 1805447

Опубликовано: 30.03.1993

Автор: Негода

МПК: G05B 11/40

Метки: интегральный, негоды, регулятор

...текущего значения, или сигналу среднего текущего значения управляющего сигнала - при положительных отклонениях. 25 30 35 40 45 50 55 Емкостные токи конденсаторов 19 и 20 пропорциональны производным от выходных напряжений соответственно устройства выделения положительных отклонений и устройства выделения отрицательных отклонений, Масштаб дифференцирования сигналов отклонений пропорционален величине конденсаторов 19 и 20, Проводимость диодов 21 и 22 выполнена такой; что емкостные токи этих конденсаторов проходят в сторону инверсного входа операционного усилителя 3 только при нарастании во времени модуля отклонения управляющего сигнала от уровня сигнала его среднего текущего значения, При всяких приближениях управляющего сигнала к...

Номер патента: 1812455

Опубликовано: 30.04.1993

Авторы: Зеленцов, Ульянов

МПК: G01L 9/04

Метки: давления, датчик, интегральный, полупроводниковый

...стороне мембраны 2, являющийся дополнительным концентратором механических напряжений, Каждый тензорезистор в мостовой измерительной схеме выполнен из двух резистивных участков с разнополярной чувствительностью, Пэры разнополярных тензорезисторов расположены продольно на ребрах жесткости 5, Так, тензорезисторы с отрицаЬВ тельной чувствительностью ( с 0 ), например В 1 и Вз, выполнены из резистивных участков В 1 и Вз соответственно, которые расположены вдоль осей симметрии Х и У перпендикулярно внешнему контуру 7 мембраны 2, А тензорезисторы с положительной чувствительноЬВстью ( ) О ), например В 2 и В 4 выполнены из резистивных участков В 2 и Ва соответственно, которые расположены1вдоль осей симметрии Х и У перпендикулярно...

Номер патента: 1813220

Опубликовано: 30.04.1993

Авторы: Абдуллаев, Касимов, Кириллов, Королев, Рагимов, Стоялов

МПК: H01H 13/02

Метки: интегральный, кнопочный, переключатель

...относится к бесконтактным коммутирующим устройствам с использованием магниточувствительных элементов и может быть использовано в устройствах ручного ввода информации а Э ВМ, а также в различных системах автоматики,Цель изобретения - упрощение конструкции коммутирующего устройства,На чертеже показан предлагаемый кнопочный переключатель. Переключатель состоит из корпуса 1, имеющего вид прямоугольной втулки, на одном конце которой имеется фланец для крепления к основанию; полого штока 2, внутри которого помещается постоянный магнит 3, вектор намагниченности которого перпендикулярен продольной оси штока; стальной скобы 4 и магниточувствительного элемента 5..Под действием магнитного поля подвижный магнит располагается внутри металлической...

Номер патента: 1827531

Опубликовано: 15.07.1993

Авторы: Ваганов, Пряхин

МПК: G01B 7/16

Метки: интегральный, тензопреобразователь

...По сравнению с чувствительностью мостовой схемы, состоящей изтензорезисторов, расположенных на дрототипе, чувствительность мостовой схемы, состоящей из тензорезисторов, расположенных напредлагаемом тензопреобразователе, увеличивается в 10,89 раза. Результаты проведенного сравнения относятся к случаю 40. одинаковых геометрических размеров мембраны прототипа и предлагаемого тенэопреобразователя,Другим важным обстоятельством, которое связано с увеличением чувствительности. является возможность при сохраненийпервоначальной чувствительности уменьшить внешние размеры преобразователя.Так для нашего случая возможность увеличить чувствительность прототипа в 10,89 раза позволяет, не изменяя значениячувствительности уменьшить ширину мембраны в 3,3...

Номер патента: 1827532

Опубликовано: 15.07.1993

Авторы: Ваганов, Пряхин

МПК: G01B 7/16

Метки: интегральный, тензопреобразователь

...элементасвязано с увеличением чувствительности.По сравнению с чувствительностью мостоьой схемы, состоящей из тенэорезисторов,расположенных на прототипе,чувствительность мостовой схемы, состоящей из тенэорезисторов, расположенных напредлагаемом тензопреобразовэтеле, увеличением в 10,89 раза. Результаты проведенного сравнения относятся к случаюодинаковых геометрических размеров мембраны прототипа и предлагаемого тенэопреобрээователя.Другим важным обстоятельством, которое связано с увеличением чувствительности, является возможность при сохранении первоначальной чувствительности уменьшить внешние размеры преобразователя, Так кэк вашего случая возможность увеличить чувствительность прототипа в 10,89 раза позволяет не изменяя значения...

Номер патента: 1830470

Опубликовано: 30.07.1993

Авторы: Китманов, Цыганов, Шакиров

МПК: G01L 9/04

Метки: давления, интегральный, полупроводниковый

...дополнительные измерительные мосты, количество которых составляет п, причем все тензорезисторы сформированы на поверхности полупроводниковой пластины в Области границ углублений. 1 ил. ные мосты, количество которых составляет п, причем все тенэорезисторы сформиро ваны на поверхности полупроводниковой пластины в области границ углублений,На чертеже изображен интегральный полупроводниковый преобразователь давления.Устоойство содержит упругий элемент 1, тензорезисторы 2, углубления 3.Тензорезисторы и углубления создаются на полупроводниковой пластине методом микроэлектронной технологии. реобразователя осуществляетм образом, При подаче измеряния Р на упругий элемент 1 оспринимает зто давление и пеорезисторам 2, которые преобэлектрический...

Номер патента: 1545877

Опубликовано: 15.02.1994

Авторы: Афанасьев, Бритвин, Ваганов, Червяков

МПК: G01L 9/04, H01L 29/84

Метки: интегральный, тензопреобразователь

...контактах 4-7 устанавливается напряжение, приблизительно равное половине напряжения питания. При отсутствии механических напряжений в области контактов возникающее при подведении питания электрическое поле обладает зеркальной симметрией относительной осей, проходящих от центрального контакта 3 к контактам 8-11. и при этом контакты 4-7 оказываются лежащими на одной эквипотенциальной линии. Следовательно, выходной сигнал преобразователяравен нулю. При приложении к упругомуэлементу 1 измеряемого воздействия в области контактов возникают механические5 напряжения, приводящие к возникновениюанизотропии проводимости кремния, Первоначальная симметрия электрического поля нарушается. В зависимости отнаправления приложения измеряемого воз 10...

Номер патента: 1482480

Опубликовано: 28.02.1994

Авторы: Бритвин, Ваганов

МПК: G01L 1/22, H01L 29/84

Метки: интегральный, тензопреобразователь

ИНТЕГРАЛЬНЫЙ ТЕНЗОПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ, содержащий однородную полупроводниковую пленку, нанесенную на всю поверхность упругого элемента тензопреобразователя, и электрические контакты к пленке, расположенные рядами вдоль направления максимальной тензочувствительности пленки в узлах гипотетической ортогональной сетки с квадратными ячейками, отличающийся тем, что, с целью увеличения чувствительности и уменьшения величины и температурного дрейфа разбаланса, тензопреобразователь содержит не менее трех рядов контактов и трех контактов в ряду.

Номер патента: 1389412

Опубликовано: 28.02.1994

Авторы: Беклемишев, Бритвин, Ваганов

МПК: G01L 9/04

Метки: давления, датчик, интегральный

ИНТЕГРАЛЬНЫЙ ДАТЧИК ДАВЛЕНИЯ, содержащий кремниевую мембрану, на периферии которой установлены два p-h-p-тензотранзистора, отличающийся тем, что, с целью увеличения коэффициента преобразования, тензотранзисторы размещены так, что ось симметрии, проходящая от эмиттера к коллектору, у одного тензотранзистора параллельна, а у другого - перпендикулярна кристаллографическому направлению < III >, при этом плоскость мембраны совпадает с кристаллографической плоскостью (110).

Номер патента: 1393265

Опубликовано: 28.02.1994

Авторы: Беклемишев, Бритвин, Ваганов

МПК: H01L 29/84

Метки: интегральный, тензочувствительный

ТЕНЗОЧУВСТВИТЕЛЬНЫЙ ИНТЕГРАЛЬНЫЙ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ, содержащее упругий элемент и расположенную на нем мостовую схему, включающую две пары комплементарных МДП-тензотранзисторов, включенные в смежные плечи мостовой схемы стоковыми выводами, и четыре тензорезистора, включенных по одному между истоком и затвором каждого из МДП-тензотранзисторов, отличающийся тем, что, с целью увеличения чувствительности, в мостовую схему дополнительно введены два МДП-тензотранзистора, включенных по одному между затворами МДП-тензотранзисторов составляющих противоположные плечи моста, причем затвор и сток каждого из дополнительных МДП-транзисторов соединены между собой, а знак тензочувствительности дополнительных МДП-тензотранзисторов совпадает со знаком...

Номер патента: 1473637

Опубликовано: 28.02.1994

Авторы: Бритвин, Ваганов

МПК: G01L 1/22, H01L 29/84

Метки: интегральный, тензопреобразователь

ИНТЕГРАЛЬНЫЙ ТЕНЗОПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ, содержащий упругий элемент с тензорезистивной структурой в виде квадратной ячейки с электрическими контактами, тензорезисторы которой расположены симметрично относительно центра упругого элемента и ориентированы вдоль взаимно перпендикулярных направлений максимальной тензочувствительности, отличающийся тем, что, с целью уменьшения величины и температурного дрейфа разбаланса, тензорезистивная структура выполнена в виде регулярной ортогональной сетки с квадратными ячейками, содержащей по каждой из координат не менее двух ячеек, причем тензорезисторы, расположенные по внешнему периментру сетки, выполнены в два раза уже остальных, а электрические контакты сформированы к каждому узлу сетки.

Номер патента: 1438404

Опубликовано: 15.03.1994

Авторы: Бабичев, Брегман, Бритвин, Ваганов, Жадько, Ошкадерова, Романов, Сердега, Случак

МПК: G01L 9/04

Метки: давления, интегральный

ИНТЕГРАЛЬНЫЙ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ ДАВЛЕНИЯ, содержащий выполненную за одно целое с основанием кремниевую мембрану, ориентированную в плоскости (100), зеркально-симметричную относительно каждой из двух плоскостей семейства (110), проходящих через центр мембраны и перпендикулярно ее плоскости, тензоэлемент, расположенный на мембране и выполненный в виде интегрального тензорезистора с двумя вводами для тока и двумя выводами для снятия напряжения, причем вводы для тока ориентированы в направлении < 100 >, а выводы перпендикулярны вводам, и токоведущие дорожки, отличающийся тем, что, с целью повышения точности преобразования деформации в электрический сигнал, тензоэлемент расположен в центре мембраны, причем токоведущие дорожки к токовым...

Номер патента: 1575894

Опубликовано: 09.02.1995

Авторы: Игнатьева, Копытин

МПК: H02K 7/18

Метки: интегральный, привод-генератор

ИНТЕГРАЛЬНЫЙ ПРИВОД-ГЕНЕРАТОР,содержащий два взаимно центрируемых и соединенных корпуса, в одном из которых смонтированы подвозбудитель генератора и привод постоянных оборотов, включающий входной вал, связанный с ним дифференциал с выходным валом на подшипниковой опоре, и соосные гидравлические машины постоянной и переменной производительности с блоками цилиндров, валы которых кинематически связаны с дифференциалом, а в другом - безщеточный генератор, включающий возбудитель и основной генератор, роторы которых установлены на валу, жестко связанном с выходным валом привода в зоне расположения подвозбудителя, отличающийся тем, что, с целью уменьшения массогабаритных показателей в широком диапазоне выходной мощности, подвозбудитель генератора...

Номер патента: 1104980

Опубликовано: 20.02.1995

Авторы: Иноземцев, Когтев, Копытин

МПК: F16H 47/04

Метки: интегральный, привод-генератор

ИНТЕГРАЛЬНЫЙ ПРИВОД-ГЕНЕРАТОР, включающий гидравлическую и дифференциальную передачи, систему охлаждения, генератор и механизм отключения привода - генератора от вала двигателя, содержащий неподвижную и подвижную полумуфты, последняя из которых взаимодействует с винтовым пальцем через винтовую гильзу, и возвратную пружину, отличающийся тем, что, с целью сокращения габаритов привода, возвратная пружина и подвижная полумуфта размещены внутри водила дифференциальной передачи, в последней выполнены диаметрально противоположные пазы, а винтовая гильза снабжена радиальным пальцем, установленным в этих пазах с зазором, равным величине свободного хода механизма отключения.