H03K 19/09 — резисторно-транзисторные логические схемы

Номер патента: 203730

Опубликовано: 01.01.1967

Авторы: Берг, Симонов, Старое

МПК: H03K 19/09, H05K 10/00

Метки: логический, резервированием, транзисторный, элемент

...порога включения транзиторов, реализуется логическая функция ИЛИ. В коллекторе транзисторов получается инвертированный сигнал относительно базового.Таким образом, при подаче на входы 9 и 10 сигналов в прямом коде, на выходе 11 получают функцию ИЛИ - НЕ от входных сигналов, Предполагается, что уровню 1 соответствует высокии отр нциал, а уровню О - пот куровню земли,Базы резервируемых транзисторов 1 и 25 раздельны, олагодаря этому схема нормальнофункционирует при любом единичном обрывевыводов транзисторов ц прц любом нарушении контакта одного цз резисторов. При обрыве коллекторного вывода одного цз трац 10 зисторов, получающийся диод база-эмцттерне подключен непосредственно в параллельс входным резистором оставшегося транзистора....

Номер патента: 263669

Опубликовано: 01.01.1970

Автор: Мешечкин

МПК: H03K 19/09

Метки: логический, универсальный, элемент

...2.В коллекторную цепь транзистора 2 включен мост из резисторов 4 - 6, диода 7, причем в диагональ моста включен эмиттерно 10 базовый переход транзистора 1, коллектор которого образует выход 8.Схема работает следующим образом.Значение сигнала на выходе 8 определяетсятоком 1 протекающим в коллекторе транзи стора 2.На фиг. 2 и 3 представлены графики зависимостей соответственно напряжения С/лвэмиттерно-базового перехода от коллекторного тока 1, и выходного напряжения 20 от тока нагрузки 1.Управляющие напряжения 1/Ав на эмиттерно-базовом переходе транзистора 1 в зависимости от тока 1 лежат как в отрицательной,так и в положительной области напряжений: 25 1 АБ (О при 1 к (11 АБ)0 при 1 )1Следовательно, с ростом тока утечки дозначения...

Номер патента: 333705

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Изоб, Институт, Максимов, Телемеханики

МПК: H03K 19/09, H05K 10/00

Метки: логический, резервированный, элемент

...появления на одном (любом) из двух выходов элемента ложной 1, если на обоих выходах должен быть О, так как такая ошибка будет исправлена в каждом из последующих аналогичных элементов.Элемент остается работоспособным в соответствии с,принятым критерием при любых единичных отказах своих компонентов, так как состояния выхода 1, О являются допустимыми.Изменения режима работы элемента,при отказах учитываются при расчете элемента и включаюгся в критерий работоспособности.Контроль работоспособности компонентов осуществляется следующим образом.Устанавливается определенная .последова, тельйость реЖймов проверок, например как в таб,яйце 2, Напряжеция коллекторного пита ния на выводах 21, 22 и смещения на выводах 23, 24 выбираются равными...

Номер патента: 818015

Опубликовано: 30.03.1981

Авторы: Золотаревский, Некрасов, Сидоренко, Ткачук

МПК: H03K 19/09

Метки: мдп-интегральными, согласования, схемами, ттл-схемс

...выход 3 первого инвертора, точку 14 соединения двух последовательно соединенных транзисторов, шину 15 источника отрицательного напряжения (-Е ), шину 16 первого источни ка положительного напряженйя (+ Е ), шину 17 второго источника положительного напряжения (+ Ез ) 17, шину 18 нулевого потенциалаВходной транзистор 1 предназначен для повышения уровня логической 1 на входе устройства.Устройство работает следующим образом.Пусть в исходном состоянии уровень на входе 10 устройства соответствует логической .1. При этом транзистор 3 закрыт, а транзистор 9 открыт. В точках 13 и 14 установятся значения напряжений, близкие к. напряжениям -Е и +Ез соответственно. Эти напряжения прикладываются к затворам транзисторов 4 и 6, которые находятся...

Номер патента: 1046933

Опубликовано: 07.10.1983

Авторы: Рогозов, Самойлов

МПК: H03K 19/09

Метки: инжекционный, интегральный, логический, элемент

...схема заявляемого устройства, причем на функциональной 65 СХеме показаны лишь п-р-и транзисто что приводит к неидентичности коэффиЦель изобретения - увеличение фунИзобретение относится к цифровой технике и системам управления и может быть использовано при построении больших интегральных схем обработки информации.Известно устройство, содержащее .четыре р-и-р транзистора, причем эмиттеры первого и второго транзисторов соединены с первой шиной питанияа их базы объединены с эмиттеромтретьего р-и-р транзистора, коллектор которого соединен с эмиттеромчетвертого транзистора, коллекторпоследнего соединен с второй шиной питания, база четвертого и коллектор второго транзисторов соединены с выходом, а база третьего и коллектор К...

Номер патента: 1138942

Опубликовано: 07.02.1985

Авторы: Громов, Касаткин, Лавров, Смирнов

МПК: H03K 19/09

Метки: согласования

...устройства согласования с тремя устойчивыми состояниями.Поставленная цель достигается тем, что в устройство согласования, содер жащее каскад управления, входной двухколлекторный транзистор, эмиттер которого соединен с общей шиной, база - с первым входом, первый коллектор - с базой первого транзистора 50 выходного каскада, эмиттер которого соединен с общей шиной, второй коллектор входного транзистора соединен через резистивный, делитель с шинбй питания, средняя точка резистивного 55 делителя подключена к базе второго транзистора .выходного каскада другого . типа проводимости, эмиттер которого соединен с шиной питания, коллекторпервого транзистора выходного каскада с выходной шиной, дополнительно введены двухэмиттерный и...

Номер патента: 1223357

Опубликовано: 07.04.1986

Авторы: Баринов, Ковалдин, Онацко

МПК: H03K 19/09

Метки: логический, элемент

...параметров исРследуемого ЛЭ, где К - коэффициент объединения по входу ЛЭ в реальной логической схеме.Поскольку к шинам питания могут подключаться как генераторы тока, так и генераторы напряжения, возможны четыре различных режима питания ЛЭ: когда обе шины питания подключены к генераторам тока: когда одна из шин питания подключена к генератору тока, а другая - к генератору напряжения, когда обе шины питания подключены к генераторам напряжения,.Рассмотрим режим, когда обе шины питания подключены к генераторам тока (фиг.З). Если исследуемый ЛЭ 16 находится во включенном состоянии,то транзисторы 1,5 и 7 работают в насыщенном режиме. При этом потенциал на входе 4 соответствует высокому логическому уровню (уровню логической "1") и равен...