Интегральный тензопреобразователь давления

Номер патента: 1179116

Опубликовано: 15.09.1985

Автор: Лобанов

МПК: G01L 7/04

Метки: давления, датчик, датчика, формообразования, чувствительного, элемента

...оборудованию для производства чувствительных элементов,Целью изобретения является повы.шение точности измерения и получениезаданной формы из колпачкового чувствительного элемента.На фиг. 1 показан датчик давления(в двух проекциях); на фиг. 2 - уст Оройство для формообразования чувствительного элемента (в двух проекциях),Рабочая профилированная частьчувствительного элемента 1 посередине имеет овальное .поперечное сечение 15А. К дну В и основанию С это сече ние переходит в цилиндрическое. Тензорезисторы 2 наклеены симметрично1 на профилированной части поверхности.Устройство для формообразованиячувствительного элемента состоит изоправки 3 с глухим отверстием для установки и фиксации чувствительногоэлемента 1 между...

Номер патента: 1693065

Опубликовано: 23.11.1991

Авторы: Горишняк, Кравцов

МПК: C12Q 3/00

Метки: гидростатического, давления, диэлектрическую, мембрану, стабилизации, упругую

...ограничения на регулируемый объем.На чертеже изображена блок-схема предлагаемого устройства,Устройство содержит ячейку 1, заполненную электролитом 2, который разделен на две части мембраной 3, С каждой частью электролита контактируют электроды 4. а в одной из частей электролита погружена нижняя часть поршня 5, Своей верхней частью поршень 5 соединен с блоком 6 вертикальных колебаний, функцию которого выполняет переменное сопротивление и электродинамическая акустическая головка (не показано), подвижная катушка которой соединена последовательно с переменным сопротивлением, причем выходом блока вертикальных колебаний является подвижная часть диффузора, а оставшиеся после соединения катушки с переменным сопротивлением их свободные концы...

Номер патента: 1433172

Опубликовано: 27.12.1995

Авторы: Белозубов, Козин, Ульянов, Шпилев

МПК: G01L 9/04

Метки: давления, интегральный

1. ИНТЕГРАЛЬНЫЙ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ ДАВЛЕНИЯ, содержащий квадратную мембрану из монокристаллического кремния n-типа проводимости, выполненную за одно целое с опорным основанием, плоскость которой совпадает с основной кристаллографической плоскостью (001), а стороны ориентированы вдоль взаимно перпендикулярных направлений <110> и расположенные по периферии по осям ее симметрии тензорезисторы в виде резистивных полосок, соединенных в измерительный мост, причем полоски двух тензорезисторов параллельны двумя противоположным сторонам мембраны, а полоски двух других тензорезисторов перпендикулярны двум другим сторонам мембраны, отличающийся тем, что, с целью повышения точности измерения при воздействий нестационарной температуры измеряемой...

Номер патента: 1075096

Опубликовано: 07.02.1988

Авторы: Ваганов, Носкин

МПК: G01L 9/04

Метки: давления, интегральный

...(00 1), а стороны ориентированывдоль взаимно перпендикулярных кристаллографических направлений с 011),На мембране методом диффузии сформированы четыре тензорезистора р-типа,объединенные в мостовую схему.Основным недостатком этого преобразователя является низкое значениечувствительности, Это объясняетсяпрактической невозможностью увеличения выходного сигнала за счет повышения напряжения питания, что связаносо значительным мощностным саморазогревом тензорезисторов,Целью изобретения является повышение чувствительности при сохранениидопустимого уровня рессеиваемой мощности и температуры транзорезисторов,Поставленная цель достигается тем,что в преобразователе давления, содержащем мембрану иэ монокристаллического кремния, плоскость...

Номер патента: 1394074

Опубликовано: 07.05.1988

Авторы: Белозубов, Красильникова, Кремнев

МПК: G01L 9/04

Метки: давления, тензометрический

...трехполоскового меандра в связи с тем, что однополосковый резистор не удовлетворяет номиналу, а двухполосковый и четырехполосковый имеют большой разброс из-эавозможного несовмещения реэистивныхи соединительных слоев фотошаблоновТермореэистор расположен. в одном иэуглов прямоугольной мембраны для того чтобы и еть по костью замкнутый 50мост с односторонним расположениемсоединительных областей,Резистивные полоски 6 направленывдоль направления (110). Реэистивныеполоски соединены между собой перемычками 7, причем одна иэ реэистивных полосок и соединенная с ней перемычка расположены на периферии мембраны и касаются границы 8 раздела мембраны и опорного основания, Вследствие симметричности характеристикимембраны тензорезистор может...