Интегральный преобразователь механического воздействия
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 1328700
Авторы: Беклемишев, Бритвин, Ваганов
Текст
СОЮЗ СОВЕТСКИХСОЦИАЛИСТИЧЕСКИРЕСПУБЛИК 19) (11) А 01 1. 23/ ПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕН ий инатель ЗОВА ТВИЯ преоб ханиГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССРПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИ ВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛВСТ(54) ИНТЕГРАЛЬНЫЙ ПРЕОБРАТЕЛЬ МЕХАНИЧЕСКОГО ВОЗДЕЙС(57) Изобретение относится к тензоразователям давлений, сил и других м ческих воздеиствии. Цель изобретения - увеличение коэффициента преобразования. Преобразователь содержит транзисторы 1 и 2 с эмиттерными 3, базовыми 4 и коллектор- ными 5 контактами, изготовленными в упругом элементе 6 кремниевой пластины 7, тензорезисторы 8 - 11 соединительные дорожки 12 и контакты 3 - 17. Для упругих элементов различных форм и ориентаций в кристаллографических плоскостях одновременный выбор расположения тензотранзисторов и ориентации их осей приводит к тому, что тензочувствительность коэффициента усиления тока базы и пассивного сопротивления базы транзисторови 2 максимальны и противоположны по знаку. Этим определяется увеличение коэффициента преобразования. 2 ил.,ф ф СоставительТехред И. ВереТираж 776комитета СССР па, Ж - 35, Раушическое предприят Изобретение относится к измерительной технике, в частности к тензопреобразователям давлений, сил и других механических воздействий.Целью изобретения является увеличение коэффициента преобразования.На фиг,. 1 представлена топология преобразователей, изготовленных на упругих элементах различной формы; на фиг. 2 интегральный преобразователь, изготовленный на квадратном упругом элементе, общий вид.Преобразователь содержит и-р-и-тензотранзисторы 1 и 2 с эмиттерными 3, базовыми 4 и коллекторными 5 контактами, изготовленные в упругом элементе 6 кремниевой пластины 7, тензорезисторы 8 - -11, соединительные алюминиевые дорожки 12 и входные и выходные контакты 13 - 17.Эмиттерный контакт 3 тензотранзистора 1 соединен дорожкой 12 с эмиттерным контактом 3 тензотранзистора 2 и входным контактом 13. Базовые контакты 4 тензотранзисторов 1 и 2 через тензорезисторы 11 и 8 соответственно соединены с входным контактом 14, коллекторные контакты 5 тензотранзисторов 1 и 2 через тензорезисторы 9 и 10 соответстенно - с входным контактом 15, а коллекторный контакт 5 тензорезистора 2 соединен дорожкой 12 с выходным контактом 16, коллекторный контакт 5 тензотранзистора 1 - с выходным контактом 17.Вся схема изготовлена на кремниевом упругом элементе 6 в теле кремниевой пластины 7.Преобразователь работает следую 1 цим образом.Тензочувствительность коэффициентаусиления тока базы тензотранзисторов зависит от расположения тензотранзистора на упругом элементе, а тензочувствительность Редактор О. ЮрковенкаяЗаказ 347745ВНИИПИ Государственного113035, МосквПроизводственно. полиграф пассивного сопротивления его базы зависит от направления базового тока, т. е. от ориентации оси, проходящей от эмиттерного к базовому контакту относительно кристаллографической плоскости, в которой ориентирована кремниевая пластина. Для упругих элементов различных форм и ориентаций в кристаллографических плоскостях одновременный выбор расположения тензотранзисторов и ориентации их осей приводит к тому, что тензочувствительность коэффициента усиления тока базы и пассивного сопротивления базы тензотранзисторов максимальны и противоположны по знаку. Этим определяется увеличение коэффициента преобразования в целом.Оси тензотранзисторов ориентируют, например, следующим образом. Они направлены вдоль кристаллографического направления 11 О) для упругих элементов, поверхность которых ориентирована в кристаллографической плоскости 100 При ориентации поверхности в кристаллографической плоскости с 1 О оси ориентируют в направлении 11. Интегральный преобразователь механического воздействия, содержащий кремниевый упругий элемент с изготовленными в нем планарными п-р-п-тензотранзисторами, расположенными в центре упругого элемента и на его периферии, отличающийся тем, что, с целью увеличения коэффициента преобразования, оси периферийного и центрального тензотранзисторов, проходящие от эмиттерных к базовым контактам, параллельны между собой, причем у периферийного тензотранзистора эта ось перпендикулярна ближайшему краю упругого элемента. В. Шестакс Корректор Г. РешетниПодписное делам изобретений и открытийкая наб д. 4/5с, г. Ужгород, ул. Проектная, 4
СмотретьЗаявка
3998173, 24.12.1985
МОСКОВСКИЙ ИНЖЕНЕРНО-ФИЗИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ
БЕКЛЕМИШЕВ ВИТАЛИЙ ВИКТОРОВИЧ, БРИТВИН СЕРГЕЙ ОЛЕГОВИЧ, ВАГАНОВ ВЛАДИМИР ИВАНОВИЧ
МПК / Метки
МПК: G01L 23/18
Метки: воздействия, интегральный, механического
Опубликовано: 07.08.1987
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-1328700-integralnyjj-preobrazovatel-mekhanicheskogo-vozdejjstviya.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Интегральный преобразователь механического воздействия</a>
Предыдущий патент: Преобразователь пневматических сигналов
Следующий патент: Способ контроля герметичности заполненных пробным газом замкнутых изделий с упругими стенками
Случайный патент: Способ выявления трещинных коллекторов в карбонатном разрезе