Интегральный инжекционный логический элемент

(51):Н 03 К 19/09 ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИ ОПИСАНИ БРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВ ТЕЛЬСТВ(56) 1, Патент Франции Р 22884кл. Н 03 Г 3/317, 1976.2. Патент Франции Р 2627574кл. Н 03 К 19/08, 1981 (прототи озов ский ЕГРАЛЬНЫЙ ИНЖЕКЦИОННЫЙ ЛЕМЕНТ, содержащий мноый о-р-и транзистор, басоединена с коллектором стора и входом устрой-п-р и эмиттер многокол-р-и транзисторов соединулевого потенциала, р транзистора соединен ния, о т л и ч а ю щ и й о, с целью расширения ых возможностей, в него,Я 0104693 введены уиравляющие о-р-и транзисторы, и-р-и транзисторы связи, выходные п.-р-п транзисторы и инжектирующий многоколлекторный р-и-р транзистор, база которого соединена с эмиттерами управляющих и-р-и транзисторов и с шиной питания, база многоколлекторного п-р-п транзистора соединена с коллекторами и-р-и транзисторов связи, эмиттер каждого иэ которых соединен с соответствующим коллектором многоколлекторного и-р-п транзистора и эмиттером выходных и-р-и транзисторов, коллекторы которых соединены с выходом устройства, базы о-р-и транзисторов связи и выходных о-р-и транзисторов. соединены с коллектбромсоответствующего управляющего п-р-и транзистора и соответствующим коллектором инжектирующего многоколлекторного р-и-р транзистора, база каждого из управляющих и-р-и транзисторов подключена к соответствующей шине управления.1046933 0 15 го первого транзистора объединены с вхо-дом устройства Г 1 . 2,.на к соответствующей шине управления.На фиг. 1 приведена электрическаяпринципиальная схема интегральногоинжекционного логического элемента;на фиг, 2 - функционально-технологическая схема.Устройство состоит из р-и-р транзистора 1, многоколлекторного л-. р-и 1,транзистора 2, и-р-о транзисторов 3связи, выходных и-р-и транзисторов 4,З 5 управляющих .и-р-и транзисторов 5,инжектирующего многоколлекторногор-и-р транзистора б,Эмиттер р-и-р транзистора 1 со 40 ной потенциала, а коллектор объединен с входом устройства, базой много.коллекторного и-р-и транзистора 2 и коллекторами п-р-и транзистора 2 свя зи, коллекторы многоколлекторногои-р-и транзистора 2 соответственно соединены с эмиттерами и-р-и транзисторов 3 связи и выходных и-р-и транзисторов 4, коллекторы выходных 50 о-р-п транзисторов 4.объединены с выходом устройства, базы и-р-и транзисторов связи 3 и выходных 4 соответственно соединены с коллекторами управляющих и-р-и транзисторов 5 и соответстнующими коллекторами инжектирующего многоколлекторного р-и -р транзистора б, эмиттер которого соединен с шиной питания, а база объединена с эмиттерами управляющих о-р-и транзисторов 5, шиной нулево го потенциала и эмиттером многоколлекторного и-р-и транзистора 2На Фиг. 2 показана функциональнотехнологическая схема заявляемого устройства, причем на функциональной 65 СХеме показаны лишь п-р-и транзисто что приводит к неидентичности коэффиЦель изобретения - увеличение фунИзобретение относится к цифровой технике и системам управления и может быть использовано при построении больших интегральных схем обработки информации.Известно устройство, содержащее .четыре р-и-р транзистора, причем эмиттеры первого и второго транзисторов соединены с первой шиной питанияа их базы объединены с эмиттеромтретьего р-и-р транзистора, коллектор которого соединен с эмиттеромчетвертого транзистора, коллекторпоследнего соединен с второй шиной питания, база четвертого и коллектор второго транзисторов соединены с выходом, а база третьего и коллектор К недостаткам устройства следует отнести относительную сложность практического исполнения, малые Функциональные воэможности, так как устройство имеет всего лишь один коэффициент трансформации, После изготовления схемы нет возможности корректировать коэффициент передачи схемы.Известно устройство, содержащее многоколлекторный и-р-и транзистор и р-и"р транзистор, являющийся источником порогового тока. Коллектор р-п-р транзистора объединен с входом устройства, первым коллектором и базой и-р-о транзистора 23.Многоколлекторный и-р-л транзистор является токовым повторителем, коэффициент передачи которого можно менять от коллектора к коллектору путем изменения соотношения площадей коллекторных областей,Практически получить коэффициентпередачи токового повторителя с необходимой точностью затруднительноиз-за случайного отклонения от рассчетного значения коэффициента передачи по току и-р-и транзистора ( р)и площадей коллекторных областей,циентовпередачи токовогоповторителя от коллектбра к коллектору, Поэтому при проектиионании аналоговых и цифровых устройств на основе токовыхповторителей необходимо применять минимальное количество коллекторов, что в свою очередь снижает функциоЪнальнье ноэможности устройства,кциональных возможностейинтегрального инжекционного логического элемента.Для достижения поставленной цели в интегральный иижекционный логическийэлемент, содержащий многоколлекторный о-р-и транзистор, база которогосоединена с коллектором р-п-р транзистора и входом устройства, базар-о-р-и эмиттер многоколлекторного и-р-и транзисторов соединены с шинойнулевого потенциала, эмиттер р-л-ртранзистора соединен с шиной питания,введены управляющие п-р-и транзисторы, и-р-и транзисторы связи, ныходныеи-р-л транзисторыи инжектирукщий многоколлекторный р-и-р транзистор, базакоторого соединена с эмиттерами упранляющих и"р-п транзисторов и с шиной питания, база многоколлекторногои-р-и транзистора соединена с коллекторами и-р-и транзисторов связи, эмиттер каждого из которых соединен ссоответствующим .коллектором многоколлекторного п-р-и транзистора и эмиттером выходных и-р-и транзисторон,коллекторы которых соединены с выходомустройства, базы п-р-и транзисторовсвязи и выходных о-р"и транзисторовсоединены с коллектором соотнетствующего управляющего и-р-и транзистораи соответствующим коллектором инжектирующего многоколлекторного р-п-ртранзистора, база каждого из управляющих п-р-и транзисторов подключеединен с шиной питания, база - с ши 1046933, Составитель А. Яновско Техред В.Далекорей, Корректор,О, Тнгор одписноеССР аз оектная, 4 Филиал ППП "Патент", г. Ужгоро 752/56 Т НИИПИ Госуда по делам и 035, Москва,аж 936 П твенного комитета С бретений и открытий -35, Раушская наб.