Интегральный эсл-элемент

(53) 621.374 (088.8 тся повышение быстродеального ЭСЛ-элемента.я поставленной цели вЛ-элемент, выполненныи ствия интегя дос ижеьный и ни ЭС тегр а ше.П.Сахаро рах дополнида 12, 18 и 1917 с сответстыми связями, Заи входного узла напряжения на(56) Алексе Микросхемот 1982, с. 25Агаханян И.И,и свя А,Г., Шагурин ка. М.: Радио рис. 7.8 (а) . ,М, Интегральные ергоатомиздат, 1 7.29 кохни ьф икр 3, хемы. М,: 301, рис переключениилемента поущественно ожет бь кросхе ОСУДАРСТВЕКНЫЙ КОМИТЕТ СССРПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ ВТСРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ(57) Изобретение относится к импульсной технике. Целью изобретения являтранзисторах и резист тельно введены три ди и два диода Шотки 16 вующими функциональн счет уменьшения емкос и небольших изменений базе транзистора 1 при схемы время включения инвертирующему выходу снижается, Изобретени использовано при пост ЭСЛ-типа. 1 ил.20 1 135Изобретение относится к импульсной технике и может быть использовано при построении микросхем ЭСЛ-типа,Целью изобретения является повышение быстродействия.На чертеже приведена принципиальная схема предлага мого интегральногоЭСЛ-элемента,Интегральный ЭСЛ-элемент содержитпервый и второй транзисторы 1 и 2,коллекторы которых подключены к выходам 3 и 4 и соответственно черезпервый и второй элементы 5 и 6 нагрузки - к шине 7 питания, эмиттеры - к коллектору третьего транзистора 8, база которого соединена сколлектором и базой четвертого транзистора 9, база транзистора 1 соединена с эмиттером пятого транзистора1:О, база которого соответственно через первый резистор 11 и первый диод12 соединена с шиной 7 питания ивходом 13, коллектор через второйрезистор 14 - с шиной 7 питания,эмиттер - с коллектором пятого транзистора 15 и через последовательновключенные два диода Шоттки 16 и 17с анодом второго диода 18, катод которого соединен с базой транзистора2 и через третий диод 19 - с базамитранзисторов 4 и 5, эмиттеры транзисторов 8, 9 и 15 соединены с общейшиной, анод диода 18 через третий резистор 20 соединен с шиной питания 7.Интегральный ЭСЛ-элемент работаетследующим образом.При подаче на вход 13 напряжениявысокого уровня ("1") ток через диод12 прекращается и происходит зарядвходной емкости узла, образованногоанодом диода 12, базой транзистора10 и выводом резистора 11 до напряжения в узле, равном 3 О, +, Ь , гдеП- падение напряжения на переходебаза-эмиттер транзистора 10, а Ьвеличина превышения напряжения, необходимая для отсечки тока через ранееоткрытый транзистор 2 (0,15-0,2) В.Как видно из схемы, транзисторы 15и 9 образуют так называемое "токовоезеркало", т,е. ток, протекающий поцепи: шина питания - резистор 20диод 18 - диод 19 - коллектор - эмиттер транзистора 9 - общая шина и поцепи: шина 7 питания - резистор 11база - коллектор транзистора 10коллектор - эмиттер транзистора 15 -общая шина, вместе с током, проте 99022кающим по цепи: шина 7 питания - резистор 14 - коллектор - эмиттер транзистора 10 - коллектор - эмиттертранзистора 15 - общая шина, равныи определяются из условия напряжение питания,падение напряжения на переходе база-эмиттер припрямом смешении,величина резистора 20.ки Б.4 выбираются из услогде Ь - величина превышения напряжения (0,15-0,2) Вр1 - ток, задаваемый "токовымзеркалом"При этом транзистор 1 открывается,и за счет протекания коллекторноготока, который нормирован на элементе 5 нагрузки, создается падениенапряжения, приводящее к снижениюнапряжения на выходе 3.Если на вход 13 подано напряжениенизкого уровня ("0"), то транзисторы10 и 1 закрыты, причем, если на базетранзистора 10 при этом напряжение, 3 Б равное где П(0) - входное напряжение ло 40 гического нуля, то на базе транзистора 1 происходит нормированное снижение напряжения 4 б что позволяет при подаче на вход 13напряжения " 1" быстро (после зарядаемкости входного узла) включить этоттранзистор.В этом состоянии схемы транзистор2 открыт, и за счет протекания нормированного, но в 2 раза меньшего,чем в первом случае тока на элементе6 нагрузки падает напряжение, кото-рое приводит к снижению напряженияна выходе 4.Таким образом, за счет. уменьшенияемкости входного узла и небольшихизменений напряжения на базе транзистора 1 при переключении схемы время9902 формула изобретения Составитель А.ЯновТехред И.Попович Редактор Т.Парфенова Корректор М,Максимишинец Заказ 6164/56 Тираж 900 ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета СССРпо делам изобретений и открытий113035, Москва, Ж, Раушская наб д; 4/5 Производственно-полиграфическое предприятие, г. Ужгород, ул. Проектная, 4 3135включения элемента по инвертирующемувыходу существенно снижается. Интегральный ЭСЛ-элемент, содержащий шесть транзисторов, три резистора, коллекторы первого и второго транзисторов подключены к выходам и соответственно через первый и второй элементы нагрузки - к шине питания, эмиттеры соединены с коллектором третьего транзистора, база которого соединена с коллектором и базой четвертого. транзистора, база первого транзистора соединена с эмиттером пятого транзистора, первый вывод первого резистора соединен с шиной питания, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью повышения быстродействия, введены три диода и два диода Шоттки, второй вывод первого резистора соединен с базой пятого транзистора и через первый диод - с входом, коллектор пятого транзистора через второй резистор соединен с шиной питания, эмиттер - с коллектором шестого транзистора и через два последовательно соединенных диода Шоттки подключен к аноду второго диода, катод которого соединен с базой второго транзистора и анодом третьего диода, катод которого соединен с базами-;четвертого и шестого транзисторов, эмиттеры которых соединены с общей шиной и эмиттером третьего транзистора, анод второго диода че, рез третий резистор соединен с шинойптаия.