Интегральный усилитель мощности для магнитофона

ОП ИСАНИ Е ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз СоветскихСоциалистическихРеспублик(22) Заявлено 14.06.79 (21) 2770505/18-10 Н 03 Г 3/00 с присоеди цен нем з а я вкц ЛЪ(23) Приоритет Государственный комитет Опубликовано 30.01.82. Бюллетень Ъ 4Дата опубликования описания 05.02.82по делам изобретений и открытий(54) ИНТЕГРАЛЬНЫЙ УСИЛИТЕЛЬ МОЩНОСТИ ДЛЯ МАГНИТОФОНАИзобретение относится к электронным устройствам общего назначения, а именно к интегральным усилителям мощности для магнитофонов.Известен интегральный усилитель мощности для магнитофона, содержаШий входную шину, подключенную к базе первого транзистора, коллектор которого через второй транзистор соединен с базой третьего транзистора, подключенного к выходной шине 11.Известный интегральный усилитель имеет относительно простую конструкцию, однако не позволяет обеспечить достаточно высокий коэффициент усиления.Известен также интегральный усилитель мощности для магнитофона, содержаший входные шины, подключенные к базам первого и второго из транзисторов, эмиттеры которых подсоединены к базам третьего и четвертого транзисторов, а коллекторы - к отрицательной шине питания, соединенной через первый и второй из резисторов с эмиттерами пятого и шестого транзисторов, а через третий и четвертый резисторы - с эмиттерами седьмого транзистора и восьмого транзистора, коллектор которого подсоединен к выходной шине, подключенной к эмиттерам девятого и десятого транзисторов и к коллектору одиннадцатого транзистора, положительную шину питания, соединенную через пятый резистор с эмиттерами двенадцатого и тринадцатого транзисторов и подключенную к эмиттерам четырнадцатого, пятнадцатого и шестнадцатого транзисторов и к коллекторам семнадцатого, восемнадцато О го и девятнадцатого транзисторов, диод,шину смешения и шины частотной компенсации. Этот интегральный усилитель позволяет обеспечить относительно высокий коэффициент усиления 121.Недостаток подобного интегрального усилителя состоит в его малом быстродействии.Цель изобретения - повышение быстродействия интегрального усилителя мощности для магнитофона.Это достигается за счет того, что шина 20 смещения подключена к базам двенадцатого, тринадцатого, четырнадцатого, пятнадцатого и шестнадцатого транзисторов, коллекторы двенадцатого и тринадцатого транзисторов к эмиттерам первого и третьего51015 гр;и:и г(р11, КО,(.:игор 1(Т 1 рн(дц(Того трн- :1 с 1 /) к )м игтра м тц тьеп) и Отпертого Гр( н.(и егоров, кллектор пят)(дцатого транзистор к первойине частотной компенации, к коллектору седьмого транзистора и к базам одиннадцатого и двенадцатого транзисторов, коллектор шестнадцатого транзистора к бзе восемнадцатого транзистора, к коллекгорам двадцать первого и двадцать второго трнзисторов и к базе и коллектору двадцать третьего транзистора, коллектор третьего трнзистора к базе и коллектору пятого транзистора и к оазе шестого транзистор, коллектор четвертого транзистора к колл кторм п(естого и девятого транзисторов, к базе семнадцатого транзистора и ко второй (пине частотной компенсации, коллектор десятого транзистора к коллектору двд(итого транзистора и к базе двадцать четвертого транзистора, коллектор восьмого транзистора к эмиттерам девятнадцатого и двадтого транзисторов и к коллектору двадцать четв( рто(о транзистора, а эмиттеры седьмоо, семнадцатого, двадцать третьего, дндц гь четвертого и одиннадцтого транзисторов соответственно к базам девятого, седьмого, двадцать второго и восьмого транзисторов и к эмиттеру двадцать второп) трап.истора. При эп)м между коллекторами седьмого и девятоп) транзисторов вклю. чен диод,между эмиттерами семнадцатого и Одиннд(тоо транзисторов и базами дев 51 01 О и двдпать второго транзисторов соотвстсгвснно нсстой и седьмой резисторы, ко;лектор десятого транзистора соединен с третьей п(иш)й частотной компенсации и с отр)п(ельной шиной питания соответственно через восьмой и девятый резисторы, коллектор вос(О(О транзисторас базами девятидцатого и двадцать первого транзисторов (оотве) ственно через десятый и одинндптый резисторы, а эмиттер восьмого транзистора с базой десятого транзистора и с эмиттером двадцать четвертого транзистор соо 1 ветственно через двенадцать(й и тринадцатый резисторы.На чертеже показан вариант предлагаемого интегрального усилителя мощности для магнитофона. Интегральный усилитель содержит входные шины 1, подключенные к базам первого и второго транзисторов 2 и 3, эмиттеры которых подсое;(инены к базам третьего и четвертого транзисторов 4 и 5. Коллекторы первого и второго транзисторов 2 и 3 подсоединены к отрицательной шине 6 питания, соединенной через первый и второй резисторы 7 и 8 с эми веерами пятого и шестого транзисторов 9 и 1 О, а через третий и четвертый резисторы 11 и 12 - с эмиттерами седьмого транзистора 13 и восьмого транзистора 14, коллектор которого подсоединен к выходной шине 15. Отрицательная шина 6 питания подключена, кроме того, к .эмиттерам девя 20 5 30 35 40 45 50 того и д(сиОО рнзисторов 16 и 17 и к к(ктору(и(Иопто(О 1 р; н;и т)1)а 18,Предлагаемый интегральный усилитель содержит также положительную шину 19 питания, соединенную через пятый резистор 20 с эмиттерами двенадцатого и тринадцатого транзисторов 21 и 22. Положительная шина 19 питания подключена к эмиттерам четырнадцатого, пятнадцатого и шестнадцатого транзисторов 23, 24 и 25 и к коллекторам семнадцатого, восемнадцатого и девятнадцатого транзисторов 26, 27 и 27. При этом к базам двенадцатого, тринадцатого, четь(рнадцатого, пятнадцатого и шестнадцатого транзисторов 21, 22, 23, 24 и 25 подключена шина 29 смешения, соеиненная с выходо 1 формирователя 30, смешаюцего напряжения, подсоединенного к отрицательной и положительной шинам 6 и 19 питания. В интегральном усилителе коллекторы двенадцатого и тринадцатого транзисторов 21 и 22 подключены к эмиттерам первого и второго транзисторов 2 и 3, коллектор четырнадцатого транзистора 23 -- к эмиттерам третьего и четвертого транзисторов 4 и 5, а коллектор пятнадцатого транзистора 24 к первой Инне 31 частотной компенсации, к коллектору седьмого транзистора 13 и к базам одиннадцатого и двадцатого транзисторов 18 и 32 Коллектор шестнадцатого транзистора 25 )одклк)чн к базе восемнадцатого транзистора 27, к коллекторам двадцать первого и двдцть второго транзисторов 33 и 34 и к базе и коллектору двадцать третьего транзистор 35, коллектор третьего транзистора 4 к базе и коллектору пятого транзистора 9, и к базе шестого транзистора 1 О, а коллектор четвертого транзистора 5- к колл( кторам шестого и девятого транзисторов 10 и 16, к базе семнадцатого транзистора 26 и ко второй шине 36 частотной компенсации. Кроме того, коллектор десятого транзистора 17 подключен к коллектору двадцатого трагзистора 32 к базе двадцать четвертого транзистора 24, а коллектор восьмоО транзистора 14 к эмиттера 1 девятнадцатого и двадцатого транзисторов 28 и 32 и к кол;ектору двадцать четвертого транзистора 37. В предлагаемом интегральном усилителе также эмиттеры седьмого, семнадцатого, двадцать третьего, двадцать четвертого и одиннадцатого транзисторов 13, 26, 35, 37 и 18 подключены соответственно к базам девятого, седьмого, двадцать второго и восьмого транзисторов 16, 13, 34 и 14 и к эмиттеру двадцать второго транзистора 34.В интегральном усилителе между коллекторами седьмого и девятого транзисторов 13 и 16 включен диод 38, между эмиттером семнадцатого транзистора 26 и базой девятого транзистора 16 шестой резистор 39, а между эмиттером одиннадцатого транзистора 18 и базой двадцать второго транзистора 34 - седьмой резистор 40, Коллектор десятого транзистора 17 соединен с третьей шиной 41 частотной компенсации и с отрицательной шиной б питания соответственно через восьмой и девятый резисторы 42 и 43, Коллектор восьмого транзистора 14 соединен с базами девятнадцатого и двадцать первого транзисторов 28 и 33 соответственно через десятый и одиннадцатый резисторы 44 и 45. Эмиттер восьмого транзистора 14 соединен с базой десятого транзистора 17 и с эмиттером двадцать четвертого транзистора 37 соответственно через двадцатый и тринадцатый резисторы 46 и 47.В интегральном усилителе первый, второй, третий и четвертый транзисторы 2, 3, 4 и 5 образуют входной каскад 48, выполненный по дифференциальной схеме, в которой двенадцатый, тринадцатый и четырнадцатый транзисторы 21, 22 и 23 играют роль генераторов тока. Седьмой и семнадцатый транзисторы 13 и 26 образуют промежуточный каскад 49, в котором пятнадцатый транзистор 24 играет роль динамической нагрузки, а шестнадцатый транзистор 25 - генератора тока. Восемнадцатый и девятнадцагый транзисторы 27 и 28 образуют одно плечо двухтактного выходного каскада 50, а восьмой, двадцатый и двадцать четвертый транзисторы 14, 32 и 37 - второе его плечо.Использование изобретения позволяет в значительной степени повысить быстродействие интегрального усилителя мошности для магнитофона.формула изобретенияИнтегральный усилитель мошности для магнитофона, содержащий входные шины, подключенные к базам первого и второго из транзисторов, эмиттеры которых подсоединены к базам третьего и четвертого транзисторов, а коллекторы - к отрицательной шине питания, соединенной через первый и второй из резисторов с эмиттерами пятого и шестого транзисторов, а через третий и четвертый резисторы - с эмиттерами седьмого транзистора и восьмого транзистора, коллектор которого подсоединен к выходной шине, и подключенной к эмиттерам девятого и десятого транзисторов и к коллектору одиннадцатого транзистора, положительную шину питания, соединенную через пятый резистор с эмиттерами двенадцатого и тринадцатого транзисторов и подключенную к эмиттерам четырнадцатого, пятнадцатого и шестнадцатого транзисторов и к коллекторам семнадцатого, восемнадцатого и девятнадцатого транзисторов, диод, шину смешения и ши 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 Источники информации,принятые во внимание при экспертизе1. Патент Японии Хо 51 - 19950,кл. 98 (5) А 7, 976.2. Патент Японии Мо 53 в 322,кл. 98 (5) А 014, 1978 (прототип). ны частотной компенсации, отликавщийся тем, что, с целью повышения быстродейст. вия, шина смешения подклк)чена к базам две надцатого, тринадцатого, четырнадцатого, пятнадцатого и шестнадцатого транзисторов, коллекторы двенадцатого и тринадцатого транзисторов к эмиттерам первого и второго транзисторов, коллектор четырнадцатого транзистора к эмиттерам третьего и четвертого транзисторов, коллектор пятнадцатого транзистора - к первой шине частотной компенсации, к коллектору седьмого транзистора и к базам одиннадцатого и двадцатого транзисторов, коллектор шестнадцатого транзистора - к базе восемнадцатого транзистора, к коллекторам двадцать первого и двадцать второго транзисторов и к базе и коллектору двадцать третьего транзистора, коллектор третьего транзисторак базе и коллектору пятого транзистора и к базе шестого транзистора, коллектор четвертого транзистора - к коллекторам шестого и девятого транзисторов, к базе семнадцатого транзистора и ко второй шине частотной компенсации, коллектор десятого транзистора - к коллектору двадцатого транзистора и к базе двадцать четвертого транзистора, коллектор восьмого транзистора - к эмиттерам девятнадцатого и двадцатого транзисторов и к коллектору двадцать четвертого транзистора, а эмиттеры седьмого, семнадцатого, двадцать третьего, двадцать четвертого и одиннадцатого транзисторов - соответственно к базам девятого, седьмого, двадцать второго и восьмого транзисторов и к эмиттеру двадцать второго транзистора, причем, между коллекторами седьмого и девятого транзисторов включен диод, а между эмиттерами семнадцатого и одиннадцатого транзисторов и базами девятого и двадцать второго транзисторов - соответственно шестой и седьмой резисторы, коллектор десятого транзистора соединен с третьей шиной час. тотной компенсации и с отрицательной шиной питания соответственно через восьмой и девятый резисторы, коллектор восьмого транзистора - с базами девятнадцатого и двадцать первого транзисторов соответственно через десятый и одиннадцатый резисторы, а эмиттер восьмого транзистора - с базой десятого транзистора и с эмиттером двадцать четвертого транзистора соответственно через двенадцатый и тринадцатый резисторы.Составитель Е Розанов Редактор М, Унович екред .А. Войкас Корректор А. Гриценко Заказ 124 5,68 Тираж 953 1 одцисно ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий3035, Москва, Ж 35, Раушская наб., д. 415 Филиал ППП Патент, г Ужгород, ул, Проектная, 4