Пивоненков

Номер патента: 1791782

Опубликовано: 30.01.1993

Авторы: Архарова, Пивоненков

МПК: G01P 15/12

Метки: интегральный, полупроводниковый, тензоаксельрометр

...упругого элемента 5, т, е, в зоне над профилированной областью 7, Тензочувствительная схема 8 преобразует деформацию. в электрический сигнал, при максимальном измеряемом ускорении наступает ограничение перемещения груза; т. е. консоль своим концом касается дна нижней или верхней крышек,В результате нэ профилированные перемычки 7 действует крутящий момент М пары сил. сила инерции Рин и силы ограничения Рогран(см. фиг. 2), который приводит к разрушению балки в области 7. Вибропрочность в этом случае очень низка, а также велика погрешность измерения ускорения из-за значительной неравномерности АЧХ, т. е. тем самым акселерометр-прототип обпадает невысокой точностью.В предлагаемом интегральном тензоакселерометре, выполненном, как показано на...

Номер патента: 1138750

Опубликовано: 07.02.1985

Авторы: Бережнюк, Замылко, Митина, Пивоненков

МПК: G01P 15/12

Метки: полупроводниковый, тензопреобразователь

...нафиг.2 - возможная топологическаяреализация чувствительного элемента;на фиг,3 - конструкция акселерометра,Тензообразователь 1 содержит тен-,зорезисторы 2-5, соединенные в мостУитстона, В два смежных плеча мостапоследовательно с тензорезисторами2 и 3 подключены калибровочные резисторы 6 и 7, от одного из которыхсделан дополнительный отвод. Питание тензопреобразователя 1 осуществляется расположенным во вторичнойаппаратуре 8 источником 9. Переключатель 10 предназначен для выборарежима измерение-калибровка, подключая на вход усилителя 11 либовыходной сигнал, либо сигнал калибровки, Усилитель своим выходомсоединен с регистратором 12. Чувствительный элемент 13 выполненв виде профилированной консоли. Тензорезисторы 2-5...

Номер патента: 1138748

Опубликовано: 07.02.1985

Авторы: Архарова, Круглов, Лукашин, Макаров, Пивоненков

МПК: G01P 15/12

Метки: тензоакселерометр

...тензопреобразователь, выполненный на основе тензочувствительных МДП- транзисторов 9-12, соединенных по мостовой схеме, датчика температуры в виде инвертора на дополняющих МДП-транзисторах 13 и 14 и нагревателя на основе МДП-транзистора 15. Последний электрически связан истокомистоком с входами тензопреобразовате ля и с входами датчика температуры,. а затвор связан с выходом датчика температуры.Устройство работает следующим образом. 2 СПо действием деформации малые изменения токов стока МДП-транзисторов вызывают большие изменения напряжения на выходе из-за большого выходного сопротивления МДП-транзис торов 9-12. Изменения напряжения на стоке регистрируется измерительными приборами на выходе. Параметры МДП-транзистора существенно...

Номер патента: 970227

Опубликовано: 30.10.1982

Авторы: Козлова, Маркин, Пивоненков, Цветков

МПК: G01P 15/12

Метки: акселерометр, тензометрический

...глубиной. На чертеже представлена упрощенная конструктивная схема тензометрического акселерометра.Устройство содержит корпус 1,упругий .элемент-балку 2, жестко закрепленную в корпусе с одного конца,На балке имеются два поперечных паза 3, расположенных на противополож"ных сторонах балки соосно, преобразующий элемент 4, жестко закрепленный над одним из пазов и выполненный в виде интегральной тензосхемы,состоящей из четырех полупроводниковых тензореэисторов, и крышку 5,Тензометрический акселерометрработает следующим образом,Лри наличии измеряемого ускорения Ю происходит деформацияцреобразующего элемента 4, которая вызывает изменение сопротивления тензорезисторов интегральЗаказ 8378/53 Тираж 887 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета...

Номер патента: 954806

Опубликовано: 30.08.1982

Авторы: Дунаевский, Замылко, Пивоненков, Цветков

МПК: G01B 7/16

Метки: полупроводниковый, тензодатчик

...эламент 1, например, в виде консольной балки с грузом на конце,2. На упругомэлементе расположен тензорезистор 3,ориентированный по плоскости 100 и 10выполненный в виде прямоугольника с четырьмя контактами 4-7. При этом стороны прямоугольника расположены в кристаллографическом направлении 1001 и.ориентированы под углом в 45 Ф 5 О к 1оси нагружения упругого элемента. Допуск на размер угла +5 вызван существующими допусками на точность ориентации подложки (3 - 5 ).ОУстройство работает следующим об йразом.При отсутствии воздействия измеряемого параметра сопротивление тензореэистора является изотропным. Поскольку потенциальные контакты 4 и 5 расположены 2симметрично относительно токовых 6 и 7,то при этом выходной сигнал тензореэистора 3...

Номер патента: 871001

Опубликовано: 07.10.1981

Авторы: Бережнюк, Кузьмин, Пивоненков, Суровиков

МПК: G01L 9/06

Метки: давления, датчик

...расположен у границы жесткого центра 3, а другой ( 13) - у границы буртика 4.Датчик работает следующим образом,При воздействии давления, меньшего, чем номинальное, мембрана деформируется, но не касается упора. При этом с тензосхем поступают выходные сигналы, пропорциональные давлению. При больших давлениях упор ограничивает перемещения жесткого центра мембраны, и чувствительность основной тензосхемы резко падает. Чувствительность тензорезисторов 9, 10, 11 мало меняется после касания мембраны жестким центром, поскольку они расположены в центральной области гибкой части мембраны, где деформации, обусловленные воздействием силы со стороны упора, малы. Однако некоторое остаточное изменение чувствительности имеет место, например, из-за...

Номер патента: 783573

Опубликовано: 30.11.1980

Авторы: Архарова, Пивоненков, Семенов

МПК: G03B 7/16

Метки: интегральный, тензодатчик

...7, 8, 9, 10, со. единенных с входами МДП.транзисторов 3-6. Для получения максимальной чувствительности транзисторы одного типа проводимости ориен. гярованы взаимно перпендикулярно, например, по направлениям типа (110) для плоскости (100) (фиг. 1) кремния, Напряжение на вход дах всех четырех транзисторов 3 - 6 задается Целителем напряжения. Для увеличения чувствя. телытости интегрального тензодатчика тенэоре. зисторы расположены в зоне деформации упру3 78357 гого элемента и ориентированных по кристалло графическим направлениям МДП-транзисторов,Устройство работает следующим образом.Под деиствием деформации малые измене ния тока МДП-транзистора вызывают большие5 изменения напряжения на его выходе из-за большого выходного...

Номер патента: 697935

Опубликовано: 15.11.1979

Авторы: Красильников, Пивоненков, Семенов

МПК: G01P 15/12

Метки: тензорезистивный

...ее входе, подается на входы 11,12 и 13, 14 блока 15 деления сигналов, Напряжение с входа тенэосхемыи напряжение, падающее на сопротивлении 6, подается на входы 16, 17 и17, 18 блока 10 терморегулирования,соответственно.Преобразователь работает следующим образом. 20При воздействии измеряемой величины, ускорения, упругий элементвместе с тензореэисторами деформируется, На выходе мостовой схемы 1появляется напряжение, поступающеена входы 11, 12 блока 15 делениясигналов. Величина напряжения длямостовой схемы с коэффициентом тенэочувствительности в равнаш2где Е - величина деформации тензорезисторов;У, - напряжение на входе тензосхемы 1.Блок деления сигналов вырабатывает напряжение 0 э, пропорциональноеотношению сигналов на входеО0 =А" -...

Номер патента: 694454

Опубликовано: 30.10.1979

Автор: Пивоненков

МПК: G01L 1/18

Метки: тензодатчик, термокомпенсированный

...состоянии, Величина этих деформаций обусловлена разориентацией и не меняется с температурой. Величина деформаций, а значит и входной сигнал регу лирующей тензосхемы пропорциональны степени разориентации сапфировой пластины, но при разориентации свыше 15 на пластине вырастает не моно-, а поликристаллический кремний, При разориентации менее 50 3 деформации слишком малы по величине.Устройство функционирует следующим образом. Под действием измеряемого ускорения груз смещается, упругий элемент деформируется, на выходе измерительной тензосхемы появляется выходной сигнал, пропорциональный величине ускорения, чувствительности измерительной схемы и величине питающего ее напряжения. При изменении температуры чувствительность...

Номер патента: 691682

Опубликовано: 15.10.1979

Авторы: Архарова, Маркин, Пивоненков

МПК: G01B 7/16

Метки: интегральных, настройки, тензомостов

...чувствительность тензомоста и попарно разрывают перемычки в смежных плечах моста до достижения требуемой чувс вительности,На фиг. 1 изображено устройство, реализующее предложенный способ; на фиг. 2 - расположение перемычек между тензодатчиками,Устройство содержит интегральный генэсыост, состоящий из тензодатчиков 1, 2, 3, 4, включенные последовательно с тензодатчиками 1 и 2 дополнительные тензодатчики 5 и б, балансировочные и компенсационные резисторы соответственно 7, 8.и 9, 10.5 691682 Формула изобретения Ризл Составитель С.СурковРедактор Н. Аристов а Техред С.Ми гай Коррек то Решетн 00/30ЦНИИПИ 1по де35, Моск Заказ Тираж 866 Подписноеударственного комитета СССРам изобретений и открытийЖ, Раушская наб., д. 4/5 лиал ППП Патент,...

Номер патента: 690393

Опубликовано: 05.10.1979

Автор: Пивоненков

МПК: G01P 15/02

Метки: величин, датчика, интегральный, механических, чувствительный, элемент

...границ 9. Возможно два расположения тенэореэисторов смежных плечмоста, В первом случае тензорезисторы располагаются поперек пазапо диаметру мембраны (резисторы5, 6). Другое возможное выполнениетензореэисторов - вдоль паза, перпендикулярно диаметру мембраны(резисторы 7, 8) . При любом выполнении резисторы располагаютсяпараллельно друг другу, у противоположных границ паза 9, на расстоянии в, не большем трети ширины паза д от них. Оба паза 3 располагаются на равном расстоянииот центрального участка 10 мембраны и края (периферийнойчасти)мембраны 11. Пазы могут быть вы"полненными раздвоенными на две части 12 и 13 проходящие непосредственно над тенэореэисторами 4, в то время как часть 14 мембраны, рдсположенная между резисторами 4, выполнена с...

Номер патента: 647559

Опубликовано: 15.02.1979

Авторы: Ливенцов, Пивоненков

МПК: G01L 1/18

Метки: давления, преобразователя, чувствительный, элемент

...над его центральным участком тензорезисторами 12.В этом чувствительном элементе поперечный паз выполняет роль концентратора напряжения, благодаря чему чувствительностьего больше.Однако диапазон измерения этим элементом при его изготовлении методом групповой технологии мал, так как эта технология предполагает выполнение операции фразделения чувствительных элементов механическим путем. При этом на его боковыхгранях образуются микротрещины, умень.шающие предельно допустимую величину работает следующим образом. енин измеряемой силы Р чувемент 1 деформируется. Макичина деформации будет в инимальной жесткости; т. е. чного паза 2, При помощи3тензорезисторов 4 зта деформация преобразуется в электрический сигнал.Радиус кривизны изгиба...