Патенты с меткой «интегральной»

Номер патента: 1044203

Опубликовано: 23.04.1988

Автор: Трегубов

МПК: H01L 27/04

Метки: интегральной, микроструктура, полупроводниковая, схемы, тестовая

...слоев. При просмотре в направлении стрелки этого участка в растровом электронном микроскопе можно одновременно визуализировать (сфотографировать) и возможное место разрыва слоя алюминия накраях диэлектрических слоев, а клинтравления этих слоев, который обычно непостоянен по высоте,Неудовлетворительная форма краевэлементов (козырьки, подтравы и т.д.)создающих ступеньки для алюминиевого слоя, является одной из главныхпричин возможных разрывов последнегои отсутствия контакта с подложкойТаким образом, структура, приведенная на фиг,1, позволяет выяснить технологические причины брака в слоях, прикрытых на рабочем участке интегральной схемы другими слоями, а также может использоваться для отработки технологии, межоперационного и 55(другая...

Номер патента: 1190945

Опубликовано: 15.05.1988

Авторы: Кремер, Ломов

МПК: H04J 3/00, H04Q 11/04

Метки: интегральной, информации, коммутационной, передачи, приема, пространственно-временной, системе

...кодовая комбинация канала поступает на вход коммутационного поля1 и вход блока управления 8 На входа1блока управления 8, который подключен к выходу первого ключа 5 цепипередачи канала, информация поступает из цепи. передачи для блокированиясрабатывания блока управления 8 от. воздействия информации, поступающейна вход Ъ через согласующий усилитель7 из цепи передачи канала 2. Блок управления 8 освобождается от"блокирования при отсутствии информации в кодовой комбинации канала, поступающейна вход а блока управления 8.После установления соединения между выбранными каналами, которые оказываются физически соединенными между собой через коммутационное поле 1,на вход Ь блока управления 8 поступает также информация, циркулирующая в выбранных...

Номер патента: 1401595

Опубликовано: 07.06.1988

Авторы: Коробейников, Кузьмичев, Фурсин

МПК: H03K 19/091

Метки: вентиль, диодами, интегральной, логики, шоттки

...тока4 О 53 элеменга 9 при переходе выходного напряжения от О к 1 перезаряжает выходную емкость вентиля, Таким образом, ц предлагае. мом вентиле ванду инерционности тока коллектора шунтирчющеГО р - ир транзисто ра 6 удается увеличить суммарный ток, г)ерезаряжающий во время переходных пронес. сов выходцуо емкость вентиля, и соот етственно поьысить быстродействие и увеличить крутизну фронтов,Ем кость а иод - катод диода Шотти 4 В поедля аемом вентиле работает как ус)юряющяя: при переходе нагря:кения на Выходе вентиля Отк О зя счет протекания тока прц ЗакрЫтОМ ЛИОВЕ ИоттКИ 4 ЧЕРЕЗ ТЗ(1.О ЕМ- . кость уме(эьшзется врмя перезарядки выходной емкости Вентиляувеличение укаэанной емкос), Ирнвслит к говышению быстродействия. Лоэгому, при...

Номер патента: 1408424

Опубликовано: 07.07.1988

Авторы: Свердлов, Соскин

МПК: G05F 1/56

Метки: интегральной, подложки, смещения, схемы

...соединен с обидней шиной 5, а затвор - с его стоком, вход инвертора соединен с первой шиной 6 управляющих импульсов, сток транзистора 4 заряда - с подложкой 7 ИС через МДП- транзистор 8 разряда, затвор которого соединен с второй шиной 9 управляющих импульсов, второй вывод конденсатора 3 - с эмиттером биполярного транзистора 1 О, коллектор и база которого соединены,с подложкой 7 интегральной схемы. При реализации в виде ИС конденсатор 3 образован обкладками из поликристаллического кремния и диффузионного (например, п)слоя, от которых сделаны отводы в схему устройства, а вокруг диффузионной обкладки конденсатора расположена диффузионная шина, отделенная от конденсатора участком подложки,Устройство работает следующим образом.Во время...

Номер патента: 1365630

Опубликовано: 07.09.1988

Авторы: Войтенков, Редько

МПК: C03C 21/00

Метки: интегральной, оптики, элементов

...методом создания неоднородного поля может служить профилирование катодной поверхности подложки, например вышлифовывание на ней цилиндрической канавки,ленин, перпендикулярном от линии,осуществляют прнзменкым методом нагониометре 15 путем сканированияузкого светового пучка (1 0,633 мкм)по плоскости контакта подложки спризмой. Результат измерения длякаждой иэ мод, поддерживаемых волноводной линзой, представлен нафиг. 2. Иэ фиг.2 видно, что профильпоказателя преломления является параболическим на уЧастке, составляющем 80-907 ширины линзы. Иирокий па-.раллельный пучок света, вводимый вторец линзы или с пОмощью призмыв зоне, расположенной под расширенным участком катода 2 на Фиг. 1, Фо"кусировался на оси линзы. На фиг.Зприведены...

Номер патента: 1422273

Опубликовано: 07.09.1988

Авторы: Горин, Кирсанов, Павлычев

МПК: H01R 13/62, H01R 24/00

Метки: большой, интегральной, нулевым, соединитель, сочленения, схемы, усилием

...предстоящему процессу сочленения контактных пар, т.е. прохождению между шариками соответствующего вывода БИС,Легкое воздействие на БИС пальцаруки (фиг. 3), преодолевающее противодействие пружины 22 в штоке 23,вызывает перемещение платформы 19вниз,Касание БИС окантовки зоны 18маркировки означает окончание сопровождения процесса сочленения контактных пар с нулевым усилием и начало 25формирования условия замка сочленения. При снятии усилия с БИС шток 23остается в статическом положении независимо от воздействия пружины 22,так как электропроводящие шарики 6, 30размещенные в сепараторной части контакта, не препятствуя свободному перемещению вывода БИС по каналу центрального отверстия 5, при незначительной его подвижке вверх, заклини...

Номер патента: 1453378

Опубликовано: 23.01.1989

Авторы: Брискин, Синдаловский, Черницкий

МПК: G05F 1/10

Метки: интегральной, питания, стабилизатор, схемы, часовой

...подключен к айшей шине, первые вывозы падстраечцага конденсатора резистора обратной связи и кварцецага резанатара И,е,01 цецы ц 145337 ется таким образам, чтобы действие подзапирающега напряжения распространялось на цесколько периодов генерируемой частоты 1 = КС = (5-50) Т5 так, чтобы в промежутках между выходными импульсами потенциал на затворе транзистора 14 существенно не менялся,Повышение потенциала на стоке транзистора 14 приводит к быстрому подэаряду емкости 11 через нагрузочный резистор 12 и диод 13 утечки, включенный в прямом направлении. П-канальный транзистор 10 п дэапирается, что приводит к понижению напряжения на шине, подключенной к истоку этого транзистора, а следовательно, к уменьшению амплитуды выходного сигнала...

Номер патента: 1472852

Опубликовано: 15.04.1989

Авторы: Голова, Зайцев, Темников

МПК: G01R 31/28, H03G 1/04

Метки: импульсных, интегральной, нелинейности, усилителей

...вход которого соединен с вьгходом сигналя синхронизации генератора 1.Способ реализуется следующим образом.Устанавливают амплитуду генератора 1 импульсов стабильной амплитуды, равную максимальному значению линейного диапазона выходных сигналов усилителя 3. Сигналы с выхода генератора 1 импульсов стабильной амплитуды поступают на аттенюатор 2 и первый вход ключа 4. После ослабления с коэффициентом ослабления, равным коэфФициенту усиления исследуемого усилителя 3, сигнал с аттенюатора 2 поступает на вход усилителя 3, с выхода которого усиленный сигнал поступает на второй вход ключа 4, на третий управляющий вход ключа 4 поступает сигнал управления сканированием с блока 7 управления, вход которого управляется выходным сигналом синхронизации...

Номер патента: 1518835

Опубликовано: 30.10.1989

Авторы: Гончаров, Томашпольский

МПК: H01L 23/00

Метки: интегральной, корпус, схемы

...2, выполненный ввиде металлического ободка, припаянного к полупроводниковому кристаллу3 и металлическому теплоотводу 1 посредством никелевой пористой прокладки 4 и припоя ПОС 2,5, Полупроводниковый кристалл 3 электрически соединен проводниками 5 с металлическимивыводами 6, лежащими на металлическом теплоотводе 1 изолированно отнего посредством диэлектрическойпленки 7,Полупроводниковый кристалл 3,проволочные проводники 5 заключены в расположенный на теплоотводеучасток герметизирующего слоя 8,отделены двумя канавками 9, перпендикулярными продольной оси корпуса,от участков 1 О и 11 этого слоя.Благодаря тому, что канавки 9 выполнены глубиной до металлических выводов 6, образованы три участка 8,1 О и 11...

Номер патента: 1557475

Опубликовано: 15.04.1990

Авторы: Белов, Громов, Леднев, Стерхов, Чапайкин

МПК: G01N 1/22

Метки: газа, интегральной, отбора, пробы

...содержания примесей, после чего оставшийся газ откачивали в транспортный трубопроводдо остаточного давления в течение1 ч и накопительный объем вновь подключали на заполнение. Сравнение результатов определениясреднего содержания примеси в газе,прошедшем по трубопроводу за две недели, с усредненными результатами анализов, выполнявшихся в этот же период времени каждые два часа, показалосовпадение результатов в пределах относительной ошибки методики анализа+53.Предлагаемый способ эфФективен приопределении соответствия готовой продукции техническим условиям.Непрерывность наполнения накопительной емкости обуславливает то,что газ усредняется за период отборапробы. Влияние Флуктуаций концентрации различных компонентов газа не приводит к...

Номер патента: 1559383

Опубликовано: 23.04.1990

Автор: Маланкин

МПК: H01L 23/02

Метки: интегральной, корпус, микросхемы

...конструкцию корпуса от появления трещин, 3 ил, 1 табл. ВК, с припаянным к металлокерами ческому спаю 2 с образованием герме тицного шва металлическим ободком 3 из материала 29 НК или 12 Н и крышку 4 из того же материала. Между ободком 3 и основанием 1 по всему периметру ободка со стороны внешней бо" ковой поверхности имеется зазор 5. Кристалл 6 с микросхемой расположен на диэлектрическом основании 1 корп са и соединен с выводами 7 проволоч ными перемычками 81559383 Величина воздушного зазора для материала ободка, ммЙ 2 Н 29 НК 5 10 3 х 10 0,60 0,38 Корпус используется следующим образом,При выполнении в ободке корпуса зазора по его внешнему периметру гер" метизацию производят сваркой крышки к ободку корпуса, При этом возникает...

Номер патента: 1574890

Опубликовано: 30.06.1990

Авторы: Киктенко, Сандомирский, Строков, Шержуков

МПК: F02M 65/00

Метки: впрыска, интегральной, топлива, форсункой, характеристики

...топлива через рабочую полость 13 в мерную емкость 14, для чего при впрыскивании топлива соседней секцией ного принимают давление, равное давлению в цилиндре в начале впрыска, ав качестве заданного - давление, равное давлению в цилиндре двигателя вконце впрыска топлива, 2 с.п.ф-лы,2 ил. топливного насоса 1, соединенной суправляющей полостью 15,шток 11 подпружиненного поршня 12 освобождаетзапорный элемент 8, Давление в камере 3 впрыска уменьшается до давления,на которое затянута пружина 9 регулируемым упором 10,Таким образом, изменяя затяжкупружины 9 регулируемым упором 10, давление топлива в камере впрыска к на -чалу впрыска приводят в соответствиес давлением в цилиндре двигателя вмомент начала впрыскивания.При следующем впрыске...

Номер патента: 1597804

Опубликовано: 07.10.1990

Авторы: Дубовис, Исмаилов

МПК: G01R 31/316

Метки: диапазона, интегральной, параболического, регулировки, сигнала, схемы

...входом формирователя 12 опорного напряжения, выход которого соединен с вторым входом первого компаратора 16./Устройство работает следующим образом.При включении устройства с выхода формирователя 2 на вход Установка в 0 триггера 7 поступает импульсный сигнал, сдвинутый относительно запускающего кадрового синхроимпульса на -, где Т - период следования кадровых синхроимпульсов (фиг. 2).В исходном состоянии под воздействием блока 10 управления ключ 6 замкнут и шунтирует резистор 19, вход частотомера 9 через селектор-мультиплексор 8 соединен с прямым выходом триггера 7. С выхода контактного блока 5 на вход формирователя 12 опорного напряжения, вход усилителя 13, вход интегрирующего фильтра 14 поступает напряжение параболической формы,...

Номер патента: 1605281

Опубликовано: 07.11.1990

Автор: Стыврин

МПК: G11C 29/00

Метки: блоках, интегральной, обнаружения, оперативной, ошибок, памяти

...5, наличие ошибки при поразрядном сравнении, циклы проверкипамяти (записи-считывания и чтения),прямой или инверсный код контрольноготеста и код текущего адреса проверяемой ячейки памяти,Таким оЬразом, повышается достоверность обнаружения неисправностей в 05281 6блоках интегральной оперативной памяти, что позволяет осуществлять функционально-технологический контроль,диагностику и наладку блоков памятипри изготовлении и ремонте, а такжевходной функциональный контроль БИСполупроводниковой оперативной памятив автономном режиме на их рабочихчастотах.Указанные преимущества обусловлены реализацией режимов многократногообращения (циклы записи-считывания)по адресу яцейки памяти с ошибкой,двукратного обращения по каждомуадресу ячеек памяти при...

Номер патента: 1647482

Опубликовано: 07.05.1991

Авторы: Анисимов, Бутенко, Крикун

МПК: G01R 35/00

Метки: автоматической, измерительных, интегральной, поверки, приборов

...интегратор 8 соединен с входом регистратора 9Работу устройства рассмотрим на примере поверки вольтметров постоянного тока. Источник 1 линейно изменяющегося напряжения формирует линейно возрастающее (убывающее) напряжение Овх(т) (фиг,2 а), которое поступает на вход поверяемого прибора 2 и на вход блока 7 временной задержки, Так как источник 1 линейно изменяющегося напряжения и поверяемый прибор характеризуются наличием погрешностей, то выходной сигнал Оных(т) поверяемого прибора 2 в каждый момент времени отличаемся от номинального Овых,н на величину Ь-, равную алгебраической сумме погрешности й формирования линейно изменяющегося напряжения и погрешности Ьп поверяемого прибора 2, т,е, Ь= А + Ь 1(фиг,2 б),Выходной преобразователь 3...

Номер патента: 1202493

Опубликовано: 23.07.1991

Авторы: Елин, Клейменов, Самров, Усов

МПК: H05K 3/00

Метки: интегральной, схемы

...выполняют егооксидирование на глубину 0,1-0,15 о)гпервоначальной его толщины с последующей термообработкой слоя при температуре 130-150"С в течение 15 -20 мин, а после оксидирования навсю глубину незащищенных участковслоя алюминий-медь проводят дополтельную термообработку при температуре 200-300 С в течение 1,5-2 ч,следовательно нанесены слои 2 докиси кремния, слой 3 раэвсщки изсплава алюминий-медь, на поверхносткоторого сформирован слой 4 окисиалюминия, маска 5 из фоторезиста,маска 6 из окиси алюминия, схема 7разводки, слой 8 двуокиси кремния,магнитопленочные аппликации 9 иэ пермаллоя.П р и м е р. На подложку 1 с доме. носодержащей структурой наносят слой 2 двуокиси кремния ппаэмохимическим осаждением в ВЧ разряде, На-пыпяют слой 3...

Номер патента: 1673984

Опубликовано: 30.08.1991

Авторы: Заикин, Кушнир, Морозов

МПК: G01P 5/00

Метки: интегральной, скорости, течения

...плавучего средства - контейнер(5-4), "Корма плавучего средства - контейнер" (6-4) и "Нос-корма плавучего средства"(5 - 6). Управление парами излучателей - приемников производится в последовательные моменты времени кодом, значения которого генерируются блоком 21 синхронизации.По окончании измерительного цикла в каждой ветви управляющий код вместе с измерительной информацией через блок 22 интерфейса вводится в вычислитель 23, после чего сбрасывается и заменяется новым значением,Пуск системы производится управляющим сигналом в момент времени 1 о при выполнении оперэции ручного пуска, При этом в регистр состояния блока 21 синхронизации зэписывается управляющий код, активизирующий пару излучатель- приемник измерительной ветви 5 - 4. По...

Номер патента: 1674294

Опубликовано: 30.08.1991

Авторы: Агеев, Зайцев

МПК: H01L 21/48, H01L 21/60

Метки: интегральной, монтажа, носитель, схемы

...относится к микроэлектронике, в частности к носителям для монтажа интегральных схем,Цель изобретения - повышение надежности и снижение трудоемкости.На чертеже представлена конструкция носителя.Носитель содержит диэлектрическое основание 1 с окном 2 и парами противолежащих плоских металлических выводов 3, выполненных в виде единой токоведущей полоски,Носитель работает следующим образом.Носитель накладывают на поверхность кристалла диэлектрическим основанием 1 так, чтобы контактные площадки кристалла расположились в окне 2, а металлические выводы 3 проходили над контактными площадками. Металлические выводы присоединяют ультразвуковой сваркой к контактным площадкам кристалла.Выполнение плоских металлических выводов 3 в виде единой...

Номер патента: 1691912

Опубликовано: 15.11.1991

Авторы: Чернышов, Эгнер

МПК: H01L 23/12

Метки: двухкристальной, интегральной, корпус, схемы

...и сверху соответственно.Корпус двухкристалльной ИС содержит металлокерамические крышку 1 и основание 2, соединенные герметичным паяным швом 3, в основании 2 имеются выемки 4, расположенные с двух сторон основания, выводы 5 от металлокерамической крышки 1 расположены между группами выводов 6 от.Я 21691912 А 1 крышка и основание со смонтированн кристаллами проходят проверку парэ ров и соединяются в одну конструкц образованием общего герметичного об так, что кристаллы располагаются один другим. В основании имеются выемки, положенные с двух сторон основания воды от металлокерамической кры расположены между группами вывод основания. Металлокерамическая кр имеет по сравнению с основанием б длинные выводы, которые проходят на те выемки в...

Номер патента: 1702975

Опубликовано: 07.01.1992

Авторы: Нефедьев, Трофимец

МПК: A01H 1/04

Метки: болезней, вирусных, интегральной, картофеля, отбора, оценки

...а пос " находят следующим образом: приле уборки учитывали урожайность кар Ч(.14,34 К = 2, при 14,34 Ч 18,34тофеля.: К =3, при 18,34 Ч 21,01 К =. 4,Исследование проводили на сорте при ЧЬ 21,01 К = 5.Резерв (масса клубней 10-60 г, ис- Следует отметить, что в партияхпользуемая частота 10 кГ )астота 1 О кГц). клубнеи картофеля, используемых длячКаждую группу высаживали в трех исследований, отсутствовали грибныекратной повторности по 100 клубней. и бактериальные болезни. ГрибныеБыло установлено, что чем больше . болезни хорошо выявлялись визуально,зараженность партии клубней, тем наособенно при проращивании под возбольшее число групп она разделяется. действием света, и отбраковывались,Однако в пределах полевого сезона ди а как показали...

Номер патента: 1707655

Опубликовано: 23.01.1992

Авторы: Автономов, Корсаков, Мишачев, Седунов, Уздовский

МПК: H01L 21/44

Метки: интегральной, схемы, элемент

...образом.На первый металлический электрод 2,расположенный на полупроодниковой подложке 1, подается импульсное напряжениеО, например, значением до 5 В, за счетемкостной связи между электродами 2 и 4подложки 1 и платы 5 на втором металлическом электроде 4 платы 5 возникает импульсное напряжение, значение которогоопределяется отношением емкостей, однаиз которых является паразитной емкостьюэлектродом 4 платы 5 и землей (С 2), а вторая- емкость между электродами 2 и 4 (С). Всостав емкости С", входит и входная емкостьприемника сигала, например затвораМОП-транзистора, подсоединенного к элекРоду 4 платы 5,Значение напряжения на электроде 4платы 5 (О 2) равноЧ 1О 21+В реальных устройствах отношение емкостьюне превышает единицы, поэтомуСО 2...

Номер патента: 1711273

Опубликовано: 07.02.1992

Авторы: Гончарук, Сухоставец

МПК: H01L 23/00

Метки: интегральной, сборки, схемы

...20 статическом поле и без него, а также другие,где создается аэродинамическое воздействие на коммутационные проводники, малопригодны в технологии массовогопроизводства ИС, так как необходимо мак 25 симально локализбвать область распыленияи одновременно исключить давление накоммутационные проводники.В основе способа лежит свободное рассеяние электризованных частиц порошка в30 непосредственной близости над защищаемой поверхностью, Фторопласты, обладаявысоким электрическим сопротивлением,очень хорошо электризуются при интенсивном перемешивании, Для реализации пред 35 лагаемого способа в бункер виброситазагружают тонкодисперсный порошокфторполимера и возбуждают колебания,причем частота и форма колебаний таковы,что обеспечивается...

Номер патента: 1712907

Опубликовано: 15.02.1992

Авторы: Жук, Омельченко, Разлом

МПК: G01R 31/04, G01R 31/303

Метки: выводов, интегральной, контактирования, схемы

...ключ:11 не срабатывает, светодиод 12 не выключается, сигнализируя о соответствующей причине отказа, с выхо да элемента И 14 команда начала измерения и установки устройства в исходное состояние не поступает.Генератор имйульсов работает в составе устройства следующим образом.55 ГеНератор, собранный на элементах 1820 и конденсаторе 26, начинает работать, как только на схему устройства подается напряжение питания. Импульсный сигнал подается на один из входов элемента 23 и через элемент 2 И-НЕ 21. выполняющийфункцию инвертора, на один из входов элемента 22, то есть на входах элементов 22 и 23 присутствуют противофазнце импульсные сигналы,После запуска. устройства формирова тель сигналов . правления 5 на вход генератора импульсов 6 подает...

Номер патента: 1714556

Опубликовано: 23.02.1992

Авторы: Князев, Репин, Свириденко, Тимонина

МПК: G02B 6/30

Метки: волоконного, интегральной, оптической, световода, соединения, схемы

...конструкцию, содержащую, кроменеобходимых ИОС, ВС и корпуса, дополнительные дорогостоящие детали - опорныеэлементы ВС,35 Известное устройство имеет высокуютрудоемкость изготовления и юстировкиопорных элементов и недостаточнуюточность выполнения.канавок в опорныхэлементах, так как для оборудования, обес 40 печивающего изготовление шаблонов, прецизионные линейные перемещениянармируются только погрешностью шага,т,е, погрешностью от пуска до остановкикоординатного перемещения. Набегающая45 погрешность увеличивается при этом с каждым новым каналом, и изготовление многоканальныхсборок ИОС - ВС таким образомведет к снижению точности стыковки сопрягаемых каналов, Таким образом, высокая50 трудоемкость сложных прецизионныхюстиравочных устройств...

Номер патента: 1723683

Опубликовано: 30.03.1992

Авторы: Сконечный, Спокойный, Трофимов

МПК: H01L 23/34, H05K 7/20

Метки: интегральной, охлаждения, схемы

...ИНТЕГРАЛЬНОЙ СХЕМЫ(57) Изобретение относится к радиоэлектронной аппаратуре, в частности к устройствам охлаждения интегральных схем, Цель изобретения - повышение эффективности охлаждения - достигается тем, что в устройстве, включающем радиатор с тупиковыми полостями между его ребрами, тупиковые полости выполняются глубиной, не превышающей расстояния между ребрами радиатора. 4 ил,этого из сопл воздуховода происходит истечение струй воздуха в тупиковые полости ребристого радиатора, что обеспечивает отвод тепла, которое поступает к радиатору от интегральной схемы.В устройстве радиатор изготавливается из алюминиевых сплавов литьем под давлением или из проката соответствующего профиля. Воздуховод с соплами может быть изготовлен из жести...

Номер патента: 1742971

Опубликовано: 23.06.1992

Авторы: Брискин, Грудников, Синдаловский, Черницкий

МПК: H02M 7/537

Метки: интегральной, источник, питания, схемы, часовой

...18, затвор и сток транзистора 17 объединены и также подключены к выходу ГСТ. а истоки этих транзисторов подключены к общей шине 13, сток транзистора 15 подключен к аноду диода утечки б, а сток транзистора 16 к затвору и-канального транзистора 10,Кварцевый генератор (фиг, 3) содержит р-канальный транзистор 19, и-канальный транзистор 20, резистор обратной связи 21, кварцевый резонатор 22, входной конденсатор 23 и выходной конденсатор 24,Источник питания (фиг.1) работает следующим образом, При включении напряжения питания по шинам 13 и 12 на затвор р-канального транзистора 8 через развязывающий резистор 9 подается опорное напряжение, сформированное на и-канальном транзисторе 10 в диодном включении. Величина этого напряжения определяется...

Номер патента: 1774192

Опубликовано: 07.11.1992

Автор: Аксенов

МПК: G01J 5/02

Метки: излучательной, интегральной, поверхности, способности

...охлаждения каждого образцаможет и не совпадать,Для любого одинакового значения температуры 1 поверхностей охлаждаемых образцов справедливы следующие уравнения:15- 6 с =еп 1 Со 0011+273)бЪ4бх- (0,01 то+2,73) ) Е+Ок 1 (1)20- 6 с = е и 2 Сс( 0,01 т + 2,73 )б 124бГ- ( 0,01 1 о + 2,73 ) ) Е + О к 2 (2) Здесь 6 - масса образца, кг;с - приведенная массовая теплоемкостьобразца, Дк/кг, К;Со = 5,67 Вт/м К - коэффициент излучения абсолютно черного тела;30 ь - температура поверхности экранов,Е - площадь теплаатдающей поверхности образцов, м;2,Ок 1 и Ок 2 - конвективные и кондуктив 35 ные тепловые потоки ат образцов к экранам, Вт;Приведенные излучательные способности первой и второй системы(Еп 1 ИЕп 2 ) ВЫРажаЮтСЯ фОРМУЛаМИ:40 1 1 ЕЕп 1 =14 -...

Номер патента: 1786412

Опубликовано: 07.01.1993

Авторы: Мезиков, Панфилович, Сагадеев

МПК: G01N 25/34

Метки: излучательной, интегральной, металлов, способности

...излучения, Измерение расстояния5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 температуры, преимущественно предлагаемого устройства иллюстрируется приведенмежду поверхностью металла 5 и интегрального приемника 6 теплового излуения осуществляется устройством 7 измерения расстояния, Выход устройства 7 измерения расстояния подсоединен к входу устройства 8 перемещения термопары и интегрального приемника теплового излучения, Устройство измерения интегральной излучательной способности металлов помещено в вакуумную камеру, нагрев исследуемого металла осуществляется индукционным способом (на схеме не показано),Устройство работает следующим образом,Подложку 1 вместе с термопарой 4 заполняют исследуемым металлом 5 и нагревают с последующим охлаждением, После...

Номер патента: 1812578

Опубликовано: 30.04.1993

Авторы: Александров, Ильюк, Молчанов, Пенцак, Сарапин

МПК: H01L 21/60

Метки: интегральной, коммутационный, проводник, схемы

...дорожек 1, разме- рядка(1.2) 10 Н м . Поэтому предлагается щенных между защитным покрытием 2 и для компенсации этих напряжений пере- изолирующей пленкой 3, расположенной на мычки располагать попеременно с каждой полупроводниковой подложке 4, Соседние стороны токопроводящей дорожки, т.е, в дорожки соединены токопроводящими пе-шахматном порядке,ремычками 5, При количестве дорожек 1 бо- . Предложенную конструкцию прбводнилее двух перемычки 5 расположены в ка целесообразно использовать для комму- шахматном порядке, Токопроводящие дотации наиболее нагруженных элементов рожки 1 соединяюткоммутируемыеэлемен- интегральной схемы. При этом перемычки ты А и В (фиг,2). при наличии дефектных повышают надежность проводника, кото- областей С...

Номер патента: 2000279

Опубликовано: 07.09.1993

Авторы: Билодид, Бобровников, Кондратьев

МПК: C03C 27/00, C03C 8/24

Метки: интегральной, корпуса, микросхемы, монтажной, площадке, преимущественно, стеклопокрытия

...стеклопокрытия, подвергают оплавлению до соединения с деталью. Тонкий припоечный материал получают в виде стеклянной пластины, что увеличивает трудоемкость и не обеспечивает качественного покрытия для посадки кристалла. 2000279 С5 10 15 20 25 30 35 40 45 р;", ляют пластичную пленку при помощи :ц,;ляного пгиспособления на пластин;, ,ог сдимой формы, размещают в углубч м н усэ в зоне монтажа кристалла, ,1,;": до полного прилегэния к монтаж.";в и пппэвляют до соединения с:,", ".дпвэгот с растворителями - этанол .лГ,; э;вг м и плэстификэтором - дибут фгээ,ом до полного оэстворения. В поптчен гей биндер веодяг порошок легкое: пр:;ое вюго стекла С-1, Емкость с.и, сустанавл впюг чэ магнитнуюсуществ пяк перемешивэние ;1 "; ;нич одноргдной с...