Вентиль интегральной логики с диодами шоттки

),1) 1 ОАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ ВИДЕТ СТ ГОСУДАРСТВЕННЫИ НОМИТЕТ СССРПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИЙ(56) Электроника, 198, т. 51,2, с. 3.Мурога С. Системное проектирование сверхбольших интегральных схем. Кн. 1. - Ч.: Мир, 1985 с. 15. рис. 3, 5, 12.а.(57) Изобретение относится к импульсной технике и может быть иснользонано в интегральных схемах. Цель изобретения повышение быстродействия вентиля. Вентиль содержит переключающий п - -р - п.транзистор (Т) 1, диод Шоттки 4 и шунтирую(ций р - п - р Т 6. За счет подключения коллектора (К) рг(р-Т 6 к аноду диода 111 отпи емкость К -- земля и р- и-Т ( учс(,н(;(ется на величину емкости Кбза р и р Т 6 и увеличивается емкостьнод ктод .и(ода Шоттки 4. Схема вентиля родем 1 рин;(ст возможность оснащения р и р-Т 6 донолнитсльными К и введения до(клнительных диодов Шоттки. 1 з. н. ф-лы. 3 ил.11:О)р()и( (Но( ится . к илпч)ьснойгепик, В чзсг)и)сги к логическим вентилям,и может быть цое)ьэовано в интегральныхСХЕ 5(ЯХ,Целью изобрегеция является повышениебыстродействия Вентиля.Ия фиг 1 приведена электрическая схе.мя предлагаемого вентиля; ца фиг. 2 -- тоже. с дополнительными выходами; ня фиг 3 схема соединения вентилей.Вентиль интегральной логики с диодамиШоттки (фиг. 1) солержит переключающийп-. р - -и-транзистор 1, эмиттер которого пол.ключен к ц)ине 2 нулевого потенциала, а бя.за является входом 3 вентиля, лиол Шоттки 4, катод которого полключен к коллектору переключающего транзистора 1, я анодявляется выходом 6 вентиля, шуцтирующийр- -ир-транзистор б, эмиттер и база кото.рого поеключец соответственно к базе иколлектору. переклк)чающего транзистора 1,а коллектор подключен к аноду диода Шотт.ки 4.В вентиле (фиг. 2) шунтирующий транзистор б сизб)жен лополнительцымн коллек.торами и введены дополнительные диодыШоттки 7 (на фиг. 1 один диод), катоды которьх полкл)очены к коллектору переключающего транзистора 1, а анод каждого из(оторых ИвНеСИ соответствующим допол.ЦцтЕЛЬЦЫМ ВЫХОДОМ 8 В(",ГИЛЯ И ПОДКЛЮЕЕЦК СООТ ВЕ ГСТВУЮ)НЕМУ КОЛЛ(.КТОРУ )ЦУИТИРУ 0гцего тра(гзисторя б.Окозядз ющие э 3.е;.)енты, моГут быть1 олключецы кяк к Вхоеьзм 3, гак и к вь ходамб ц (, вентилей, что является эквивалентнь мпо техническим характеристикам фиг 3).П рел(:-.Гяех(ЫЙ В 5 нтиль интегральной лог;ки с лиолпми1 Отткц работает слелующимобразом(,СЛИ Ца ВОЕЕ ) ВЕНТИЛЯ ЧРОВЕНЬ ЛОГИЧЕС.кого О, цер;ке(очающий и- - рии шуцтиру)й р- -и)-б транзисторы закрыты,на выходе б вентиля ч.тацовлец уровень лог )есой 1. Прпи переходе напряжения цаРх,)е(.:, зец)илЯ из О В 1 тококозялающего-,кмецта Й. Вржает входиую емкость вец )л 5 Нри достижении ВхОе)ным напряжениемвеит ил) у ровняпорога переключен"яир и-транзис)о а 1. трацзистор 1 открывается. Напряжениеа е о коллектореуменьшаетсн и только после уменьшения, япр 5кени 5) на В(лхле ) Вентиля От )ровня ло.гнческой 1 до уровня логического О от.Крываегся цу (ру)оцй р ир-транзисгор б, п(гл(е чс) зя счет протеканияизбытиного Вхоъ(ого тока в эмиттер р.пррянзцстера ) чме(ые)аетсЯ ток бязь,и- р -и (О;(из(сор( 1.яким Образом., н". -е(чт)я ця м;. И( Гок базы и р п-тряизис.то 1)я 1 В)т(еско 1 сосп)5 ции прн уровнел)ги(е(. ко:)ш )хое(,), Величина тока4 О 53 элеменга 9 при переходе выходного напряжения от О к 1 перезаряжает выходную емкость вентиля, Таким образом, ц предлагае. мом вентиле ванду инерционности тока коллектора шунтирчющеГО р - ир транзисто ра 6 удается увеличить суммарный ток, г)ерезаряжающий во время переходных пронес. сов выходцуо емкость вентиля, и соот етственно поьысить быстродействие и увеличить крутизну фронтов,Ем кость а иод - катод диода Шотти 4 В поедля аемом вентиле работает как ус)юряющяя: при переходе нагря:кения на Выходе вентиля Отк О зя счет протекания тока прц ЗакрЫтОМ ЛИОВЕ ИоттКИ 4 ЧЕРЕЗ ТЗ(1.О ЕМ- . кость уме(эьшзется врмя перезарядки выходной емкости Вентиляувеличение укаэанной емкос), Ирнвслит к говышению быстродействия. Лоэгому, при подключении коллектораи5).тоацзистора 6 к аноду дис, я Шоттки 4 дости яется дополнительное повышение быстродействия предлагаемого вен. тиля, поскольку при -:том ця Велцчину е: -ости коллектор - база р - -п- - р-транзистора 6 уменНается емкость коллектор - -земля п)рого зависит зялержк вентиля ирц цре.ходе напряжения ня вхоле от О к 1, определяется током токоза ла ющего элемента 9 (каи и в случае отсутствия шуцтиру)ощего транзистора 6), Барьерное напряжение база эм иттер цеуцтиру)г) щего ри - р.тра нзистора 6 выбирается меньше барьерного напряжения базаколлектор переключаюнего и - р - и-транзистора 1, благодаря чему ограничивается насьпнение ир - и транзистора 1, что важно с точки зрения получения малой задержки при переходе входного напряжения от 1 к О.Ири переходе напряжения ца входе вен.тиля от уровня 1 к О рассасывается заряд в базах пр - и -1 и р - и - р транзисторов. При этом, в силу большей инерционности транзистора 6 р - п- - р-типа по сравнению с транзистороми - р - п-типа, а также ввилу того, что большая часть рассасывающеготока поступает( в базу и - р - и-транзистора , после рассасывания заряда в базе ив р - п-транзистора 1 в базе р - п - р-транзистора б рассосется только часть заряда.Соответственно, ток коллектора п в р в птранзисторзскачком уме.(ьц)ится ло нуляи напряжение на выходе 6 вентиля начнет переходить от О к 1, а ток коллектора р - и - р-транзистора 6 продолжает течь (до тех пор, пока заряд в его базе не уменьшится до нуля). В известном вентиле токколле,тора р - и - -р-траз(с) ора 6 протекаетЗО ня, ц)ину 2 земли и це оказывает влиянияна скорость г(ерезарядки выходной емкости вентиля, тогда кзк в предлагаемом техническом рецени) благоларя подключению коллектора р - и - р-транзистора 6 к Виолу диода Шоттки 4 ток коллектора р -и - р-транзистора б совместно с током токозадающего15,53и -р и-транзистораи увеличивается емкость анод - катол лиола Шоттки 4. 1 О Фор)сула изобретения При объединении выходов различных вентилей реализуется функция монтажное И Если вентиль имеет дополнительные выходы В (фиг. 2), то возможна реализация фуцкции монтажное И на кажлом лополнительном выходе 8. 1. Вентиль интегральной логики с диода. ми Шоттки, содержаиий переключающий и - -р - п-транзистор, эмиттер которого полключен к шине нулевого потенциала, база соединена с входом вентиля, катол лиода Шоттки подключен к коллектору переклсочающегося и - р п-тра из и стор а, а а нол соезццец с вс)сходом вентиля, шунтирунцснс. и р грацзистор, эмитгер и база кот)срг цолключеньс соответствес)цо к базс и кс)л лектору цереключающегося п р п.трац зистора, отлпнающийся тем, что, с пельо повысцеция быстродействия, коллектор шуцтирук 1 щего рпр-транзистора подключен к анолу диода Шотткц,2. Вентиль по и. 1, отличающийся тем, что сссусстируюссисс транзистор снабжен лополнительцьсми коллекторами и введены допол.- нительные лиолы Шоттки, катоды которых подключены к коллектору переключающего п- -р - п-транзистора, а анод каждого из которых соединен с соответствующим дополнительным выхолом вентиля и подключен к соответствующему лополцительцому коллектору шунтцрующего р - п- р-транзис- тора