Корпус интегральной схемы

СОЮЗ СОВЕТСНИХСОЦИАЛИСТИЧЕСКИРЕСПУБЛИК П 9 1)4 Н 01 Ь 23/О Я ЛЬСТВУ Томашп ий 53) 6 56) А ой те аздел НИИ "( 21,382 (08 ( рский В,Н.н хинке, Сер р "Корпус", Ц ЭлектроникПатент США У кл. Н 01 Ь 23/28 (54) КОРПУС ИНТЕ 8.8)Обзоры по7, выпускс. 12-18.а", 1981,4012768,1977.ГРАЛНой СК лектрон 1(767) тносится к электронолее конкретно к мик Цель изобретения -жности путем устранекротрещин.На фиг,1 изображен ышение н обрываИэобретени ной технике, роэлектронике вано при прои ожет быть испольэо одстве интегральных с мощностью рассеи- Вт, металлическиевыступают с двух прооран от продольной пус интеги; нана фиг.34 " разрезразрез Б-Б хем в корпуса вания более 1, выводы которых тивоположных с си корпус ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОЧНРЫТИЯМПРИ ГКНТ СССР ОПИСАНИЕ ИЗОБР К АВТОРСКОМУ С 8 И(57) Изобретение относится к микроэлектронике, в частности к интегральным схемам в корпусах с мощностьюрассеивания более 1,5 Вт,металлические выводы которых расположены сдвух противоположных сторон от продольной оси корпуса, Цель - повышениенадежности путем устранения обрываи микротрещин, Корпус содержит рас"положенный вдоль продольной оси корпуса металлический теплоотвод, накотором установлен металлический кристаллддержатель с полупроводниковымкристаллом, электрически соединенным с металлическими выводами, лежащими на металлическом теппоотводе изопирой ванно от него, а полупроводниковый кристалл, его электрические соединения с металлическими выводами и металлический теплоотвод соединены со слоем пластмассы, иэ которого выступают друг против друга с двух противоположных сторон от продольной оси металлического теплоотвода металлические выводы, причем слой пластмассы разделен на три участка прямоугольной формы перпендикулярными продольной оси кор- пуса канавками глубиной до метаплических выводов, расположенными с двух противоположных сторон от полупровод- а никового кристалла вне зоны его электрических соединений между выступающими друг против друга из участков слоя пластмассы соседними металлическими выводами, причем канавки размещены между теми из соседних металлических Ф выводов, которые наименее удалены от зоны электрических соединений, Изобретение позволяет повысить надежность интегральных схем за счет исключения микротрещин ,в герметизирующем слоеппастмассы. 5 ил. 00 ральной схемы, вид спередфиг.2 - то же, вид сверхто же, вид сбоку; на фигА-А на фиг,2; на фиг.5 -на фиг.4Корпус интегральной схемы имеетрасположенный вдоль продольной осикорпуса металлический теплоотвод 1,на котором установлен металлическийкристаллодержатель 2, выполненный ввиде металлического ободка, припаянного к полупроводниковому кристаллу3 и металлическому теплоотводу 1 посредством никелевой пористой прокладки 4 и припоя ПОС 2,5, Полупроводниковый кристалл 3 электрически соединен проводниками 5 с металлическимивыводами 6, лежащими на металлическом теплоотводе 1 изолированно отнего посредством диэлектрическойпленки 7,Полупроводниковый кристалл 3,проволочные проводники 5 заключены в расположенный на теплоотводеучасток герметизирующего слоя 8,отделены двумя канавками 9, перпендикулярными продольной оси корпуса,от участков 1 О и 11 этого слоя.Благодаря тому, что канавки 9 выполнены глубиной до металлических выводов 6, образованы три участка 8,1 О и 11 герметиэирующего слоя.Канавки 9 расположены с двух противоположных полупроводниковому кристаллу 3 сторон за пределами проволочных проводников 5 и между выступающими из слоя 8 и участков 10 и11 соседними выводами 12 и, 13 и 14и 15Корпус имеет 40 металлическихвыводов, расположенных с двух противоположных сторон от продольнойоси металлического теплоотвода 1 икорпуса,При увеличении длины корпуса количество канавок, разделяющих герметиэирующий слой пластмассы на отдельные участки, может быть увеличено.Канавки, перпендикулярные продольной оси корпуса, глубиной до металлических выводов разделяют герметизирующий слой пластмассы по крайней мере на трн отдельных участка, в реэультате чего достигается исключениемикротрещин в каждом из них, в том числе в участке герметиэирующегослоя пластмассы, соединенного с по. лупроводниковым кристаллом, его электрическими соединениями с металлическими выводами и металлическимтеплоотводом,Расположение каналов между выступающими из участков гсрметизирующего слоя пластмассы соседними выводами надежно закрепляет их в пластмассе.Изобретение позволит повысить надежность интегральных схем за счет исключения микротрещин в герметизирующем слое пластмассы,Формула и з о б р е т е н и яКорпус интегральной схемы, содержащий расположенный вдоль продольнойоси корпуса металлический теплоотвод,на котором установлен металлическ 1 йкристаллодержатель с полупроводниковым кристаллом, электрически соединенным проводниками с металлическими выводами, лежащими на металлическом теплоотводе изолированно от него, а полупроводниковый кристалл ипроводники заключены в расположенный на теплоотводе герметизирующийслой пластмассы, из которого гыступают с двух противоположных сторонот продольной оси металлическоготеплоотвода изолированно от него металлические выводы, о т л и ч а ющ и й с я тем, что, с целью повышения надежности путем устраненияобрыва проводников и микротрещин,герметизирующий слой выполнен в виде участков, отделенных друг от друга канавками, при этом один из участков расположен в зоне кристалла,включающей соединение кристалла с45 проводниками, причем канавки расположены с двух противоположных сторонот полупроводникового кристалла эапределами его электрических соединений между выступающими из участковгерметизирующего слоя пластмассы соседними выводами,едакто селонс кая ака м город, ул. Гагарина, 1 О Производственно-и зда тел ьс кий комбинат "Патент",6608/54 Тираж Государственного комитета по113035, Москва, ЖФиг.1 11эобретен Раушска това Корректор В, Кабаций Подписноеоткрытиям при ГК д, 4/5