Корпус интегральной микросхемы

СОЮЗ ССВЕТСНИХСОЦИАЛИСТИЧЕСНИКРЕСПУБЛИН 01 Т. 23/02 КОМИТЕТОТНРЬГИЯМ ГОСУДАРСТВЕННЫПО ИЗОБРЕТЕНИЯМПРИ ГКНТ СССР ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИ АВТОР Изобре.ой технико при конии корпусЦель изежности.На фигыполненияиметру обКорпусержит диэыполненн я к электронь использоваи изготовлеых микросхем. овышение наение относит е и может бы струировании ов интеграль обретения едставлены варианты,а с зазором по пекорпусодкаинтегралектрицое, напр ьной микросхемыское основаниемер, из керамик о(71) Иарийский политехнический инсти тут им, А.и. Горького(56) Гельман А.С. Технология контакт ной сварки. -И.-Л.: Машиностроение,1946, с. 219.Ляшок А.П., Берзина А.И., Вяхирева В.И, Технологицность конструкций корпусов полупроводниковых приборов и интегральных микросхем применитель но к процессу герметизации сваркой и пайкой. - Обзоры по электроннойтехнике. - И., 1981, сер. 7 вып. 11 с. 5 Ь.(51) кОРйус интеГРАльнОИ никр 0 схены(57) Изобретение относится к электронной технике и может быть использавано при конструировании и изготовлении корпусов интегральных микросхе(ИИС). Цель изобретения - повышение надежности. Корпус ИИС содержит диэлектрическое основание, на котором установлен одной своей торцовой стороной металлический ободок, жестко связанный с ним сваркой, а также крь 1 шку, расположенную на противоположной торцовой стороне ободка. Новым является то, что ободок устанав" ливается с образованием с внешней стороны сварочного шва зазора. Зазор выполнен по всему периметру между об ращенными одна к другой поверхностями диэлектрицеского основания и соот ветствующей торцовой стороны ободка. Минимальная ширина зазора составляет0,02-0,1 мм, а минимальная глубина 0,55-0,6 мм. Налицие воздушного зазо ра под ободком позволяет отнести зону сильного термического влияния процесса сварки от металлокерамицес" кого спая и диэлектрического основания, цто предохраняет конструкцию корпуса от появления трещин, 3 ил, 1 табл. ВК, с припаянным к металлокерами ческому спаю 2 с образованием герме тицного шва металлическим ободком 3 из материала 29 НК или 12 Н и крышку 4 из того же материала. Между ободком 3 и основанием 1 по всему периметру ободка со стороны внешней бо" ковой поверхности имеется зазор 5. Кристалл 6 с микросхемой расположен на диэлектрическом основании 1 корп са и соединен с выводами 7 проволоч ными перемычками 81559383 Величина воздушного зазора для материала ободка, ммЙ 2 Н 29 НК 5 10 3 х 10 0,60 0,38 Корпус используется следующим образом,При выполнении в ободке корпуса зазора по его внешнему периметру гер" метизацию производят сваркой крышки к ободку корпуса, При этом возникает температурное поле, распространению которого препятствует зазор В таблице приведены значения величин зазо" 10 ра в зависимости от материала ободка и длительности сварочного импульса Ж,.) .Наличие воздушного зазора под ободком позволяет отнести зону силь 5 ного термического влияния процесса сварки от металлокерамического спая и диэлектрического основания, что поедохраняет конструкцию корпуса от появления трещин, поскольку величина зазора определяется из глубины проникновения максимальных температур при сварке.Конструкция корпуса позволяет за счет снижения термического воздействия процесса герметизации шовной контактной сваркой на спай металл- керамика и диэлектрическое основание корпуса повысить выход годных интег"ральных микросхем по операции герметизации и повысить надежность ихработы при эксплуатации за счет сохранения герметичности корпуса. Формула и зобретенияКорпус интегральной микросхемы, содержащий диэлектрическое основание, установленный на основании одной торцовой стороной ободок из металла, который жестко соединен с основанием по периметру посредством герметичного шва, и крышку, расположенную на другой, противоположной торцовой стороне ободка, о т л и ч а ю щ и йс я тем, что, с целью повышения надежности, ободок установлен с образованием с внешней стороны герметичного шва зазора между обращенными одна к другой поверхностями диэлект" рического основания и соответствую" щей торцовой стороны ободка по периметру, минимальная величина ширины которого равна 0,02-0,1 мм, а минимальная величина глубины - 0,55- 0,6 мм.Составитель С. МанякинТехред Х,Ходаничр Корректор Л. Ратай Редактор 8, Данко Заказ 84 Тираж 447 ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", гУжгород, ул. Гагарина, 101