Патенты с меткой «интегральной»

Номер патента: 2003207

Опубликовано: 15.11.1993

Автор: Пырченков

МПК: H01L 27/12

Метки: гибридной, интегральной, схемы

...планарной структуры, охлаждают структуру до затвердевания расплава и отделяют промежуточныйноситель. Затем Формируют .ФотолитограФией многослойную коммутацию.В результате погружения кристаллов МС в эвтектический расплав образуется прочное соединение этих элементов между собой и со сплавом, чем достигается высокая механическая прочность многокристальной структуры и надежнрсть ГИС (гибридная интегральная схема). При погружении кристаллов МС в расплав происходит плотное заполнение зазоров между кристаллами, и на стыках кристалл-металл микрорельеф высокого качества за счет приплавления кристаллов, что также новышает надежность устройства.Кристаллы, смонтированные на подложке в застывшем расплаве, находятся в одинаковых условиях для отвода...

Номер патента: 1716925

Опубликовано: 09.01.1995

Авторы: Афонов, Скулкин

МПК: H01L 23/48

Метки: интегральной, корпуса, металлокерамического, микросхемы

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МЕТАЛЛОКЕРАМИЧЕСКОГО КОРПУСА ДЛЯ ИНТЕГРАЛЬНОЙ МИКРОСХЕМЫ, включающий изготовление основания корпуса с металлизированными площадками и выводной рамки из железо-никелевого сплава, нанесение на выводную рамку слоя никеля, совмещение выводов выводной рамки с металлизированными площадками и соединение их пайкой медно-серебряным припоем, отличающийся тем, что, с целью упрощения способа и повышения коррозионной стойкости корпуса, нанесение слоя никеля осуществляют холодным плакированием со стороны, обращенной к металлизированным площадкам, а толщину слоя никеля устанавливают равной 5 - 15% от толщины выводов выводной рамки.

Номер патента: 1759197

Опубликовано: 10.09.1995

Авторы: Желтышев, Коннов, Кутырева, Лупал

МПК: H01L 29/73

Метки: входной, интегральной, планарно-эпитаксиальной, схемы, элемент

ВХОДНОЙ ЭЛЕМЕНТ ПЛАНАРНО-ЭПИТАКСИАЛЬНОЙ ИНТЕГРАЛЬНОЙ СХЕМЫ, содержащий изолированную область с активным элементом, две изолирующие области первого типа проводимости, между которыми расположена третья изолирующая область второго типа проводимости, внутрисхемные соединения и общая шина, отличающийся тем, что, с целью снижения токов утечки, в третьей изолирующей области сформирована дополнительная область второго типа проводимости с концентрацией, превышающей концентрацию третьей изолирующей области, при этом первая и вторая изолирующие области соединены с дополнительной областью и общей шиной.

Номер патента: 1491262

Опубликовано: 10.01.1996

Авторы: Белохвостикова, Дединец, Дубровская, Филатов

МПК: H01L 21/265

Метки: арсенид-галлиевой, интегральной, схемы

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ АРСЕНИД-ГАЛЛИЕВОЙ ИНТЕГРАЛЬНОЙ СХЕМЫ на структурах n+ - n - i - типа, включающий анодное окисление n+ - слоя по всей поверхности пластины за исключением областей истока и стока полевых транзисторов путем маскирования этих областей слоем двуокиси кремния, создание омических контактов на основе металлизации AuGe, формирование изоляции активных областей транзисторов протонной бомбардировкой с использованием в качестве защитного покрытия над активными областями полевых транзисторов фоторезистивной маски, формирование алюминиевых затворов, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных изделий путем улучшения электрических параметров транзисторов, после проведения анодного окисления...

Номер патента: 1093184

Опубликовано: 27.04.1996

Авторы: Манжа, Мирошников, Патюков, Чистяков, Шурчков, Щербинин

МПК: H01L 27/02

Метки: изоляцией, интегральной, комбинированной, структура, схемы, элементов

СТРУКТУРА ИНТЕГРАЛЬНОЙ СХЕМЫ С КОМБИНИРОВАННОЙ ИЗОЛЯЦИЕЙ ЭЛЕМЕНТОВ, содержащая сформированные в кремниевой подложке области с эпитаксиальным и скрытым слоями, боковая изоляция которых выполнена в виде слоев диэлектрика, пересекающих эпитаксиальный и скрытый слои и часть подложки, а изоляция донных участков скрытого слоя с подложкой в виде p n-перехода, отличающаяся тем, что, с целью повышения плотности компоновки элементов и увеличения быстродействия интегральных схем, слои диэлектрика погружены в подложку на глубину не менее ширины области с объединенным зарядом донной части p - n-перехода между скрытым слоем и подложкой.

Номер патента: 1817606

Опубликовано: 10.10.1996

Авторы: Воронин, Красницкий

МПК: H01G 4/00

Метки: интегральной, конденсатора, схемы

...специальной конфигурации первой обкладки, поэтомч эта часть слоя должналегко удаляться в травителях, для этого могут использоваться более рыхлые пленки по сравнению с остальными частями слоя, например, пленки фосфорно-силикатного стекла, скорость травления которых в травителях состава НГ:Н 20 в 3-5 раз вышескорости травления среднетемпературного окисла;средняя часть слоя может использоваться, если нижняя часть слоя все-таки несколькоподтравливается в травителях при удалении верхней части, что будет ухудшать изолирующие свойства, поэтому средняя часть слоя будет служить в качестве стоп-слоя, предотвращающего подтравливание нижней части слоя, для этого используется пленка нитрида кремния, которая устойчива к травителям типа НР:Н...

Номер патента: 1075867

Опубликовано: 27.11.1996

Авторы: Погоцкий, Полякова, Точицкий

МПК: H01L 21/312

Метки: большой, интегральной, оригинала, рисунка, схемы, топологического

Способ изготовления оригинала топологического рисунка большой интегральной схемы, включающий нанесение на прозрачную подложку маскирующей пленки и получение рельефа в маскирующей пленке, содержащего элементы топологического рисунка и реперные знаки, методом фотолитографии с использованием генератора изображения, отличающийся тем, что, с целью повышения точности взаимного расположения элементов топологического рисунка, при получении рельефа в маскирующей пленке формируют часть топологического рисунка и реперные знаки, после чего на подложку наносят дополнительную маскирующую пленку, прозрачную для видимого света, а затем методом контактной или проекционной фотолитографии в дополнительной маскирующей пленке формируют оставшуюся часть...

Номер патента: 1500118

Опубликовано: 20.06.1999

Авторы: Лобанов, Ушаков

МПК: G01T 1/04

Метки: гамма-облучения, дозы, интегральной

Способ определения интегральной дозы гамма-облучения путем измерения оптических параметров дозиметрической жидкости, отличающийся тем, что, с целью расширения диапазона измеряемых доз, в качестве дозиметрической жидкости используют дибутилфталат, определяют зависимость величины пропускания облученного дибутилфталата от волнового числа и по величине пропускания при постоянном волновом числе определяют дозу облучения области малых доз - в интервале до 4 Мрад из градуировочной кривой зависимости дозы облучения от пропускания, а по величине волнового числа при постоянном пропускании определяют дозу облучения в области больших доз - в интервале до 1000 Мрад из градуировочной кривой зависимости...

Номер патента: 1840572

Опубликовано: 20.08.2007

Авторы: Артамонов, Васильев

МПК: G01R 23/175, G01S 13/95

Метки: интегральной, ионосфере, концентрации, фазовый, электронной

Способ измерения интегральной электронной концентрации в ионосфере вдоль траектории луча до произвольной цели, основанный на измерении различных фазовых задержек сигналов на нескольких частотах, отличающийся тем, что, с целью осуществления высокоточного измерения интегральной электронной концентрации вдоль траектории луча без использования дополнительной информации об истинной дальности до цели, производят одновременно измерения разности фазовых задержек сигналов на двух парах частот, имеющих одинаковый разнос, и по разности полученных разностей фазовых задержек определяют интегральную электронную концентрацию.

Номер патента: 699926

Опубликовано: 20.07.2012

Авторы: Бекирев, Емельянов, Кононов, Лаврищев, Маслобоев, Михеев, Полторацкий, Шокин

МПК: G02B 6/00, G02B 6/12

Метки: интегральной, оптики, элемент

Элемент интегральной оптики, волноводные области которого ограничены с двух противоположных сторон слоями структуры, а с двух других сторон - областями с меньшим показателем преломления, отличающийся тем, что, с целью улучшения волноводных свойств элемента при одновременном создании его сложной конфигурации на глубине до 50 мкм, области с меньшим показателем преломления выполнены из собственного термического окисла полупроводникового материала.