Патенты с меткой «диэлектрической»

Номер патента: 2003991

Опубликовано: 30.11.1993

Авторы: Буданов, Евич, Калмыкова, Суслов

МПК: G01R 27/04, G01R 27/26

Метки: диэлектрической, проницаемости

...угла образца, Таким образом,физически одноплечая антенна за счет отраф жателей в эквиваленте становится двупле 20 чей.Отличительные признаки заявляемогоустройства отсутствуют в прототипе и аналогичных технических решениях в данной и, смежной областях техники и обеспечиваютему соответствие критериям "новизна" и"существенные отличия".На чертеже приведена схема,устройст. ва для определения диэлектрической проницаемости,30 Устройство содержит генератор 1 СВЧ,выход которого подключен к соединенномус механизмом 2 перемещения и отсчета излучателю. Излучатель выполнен из отрезкадиэлектрического волновода 3, располо-.35 женного параллельно одной иэ граней исследуемого образца 4, имеющего прямойдвуграннцй угол, с зазором и...

Номер патента: 1568817

Опубликовано: 15.02.1994

Авторы: Мороз, Урицкий

МПК: H01L 21/76

Метки: диэлектрической, изоляции, создания

СПОСОБ СОЗДАНИЯ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ИЗОЛЯЦИИ, включающий формирование пористого кремния электролитическим анодированием в плавиковой кислоте, окисление пористого кремния, отличающийся тем, что, с целью повышения качества диэлектрической изоляции за счет снижения величины встроенного заряда, пористый кремний формируют толщиной, не менее чем на 100 нм большей необходимой толщины изоляции, а окисление пористого кремния проводят в парах воды при давлении (5 - 15) 105 Па и температуре 750 - 950oС.

Номер патента: 1686982

Опубликовано: 15.02.1994

Авторы: Брюхно, Шер

МПК: H01L 21/76

Метки: диэлектрической, изоляцией, микросхем, элементов

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МИКРОСХЕМ С ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ИЗОЛЯЦИЕЙ ЭЛЕМЕНТОВ, включающий формирование на поверхности кремниевой подложки основной защитной пленки, вскрытие в ней окон под области боковой изоляции, вытравливание в окнах изолирующих канавок, удаление основной защитной пленки, формирование на вскрытой поверхности подложки высоколегированного n+-слоя, выращивание пленки оксида кремния путем окисления подложки, вскрытие окон к кремниевой подложке над участками под высоковольтные транзисторы, осаждение поликристаллического кремния, удаление материала кремниевой подложки до вскрытия дна изолирующих канавок и формирование во вскрытых областях кремния низковольтных и высоковольтных транзисторов, отличающийся тем, что, с целью...

Номер патента: 1690512

Опубликовано: 15.02.1994

Авторы: Сероусов, Черный

МПК: H01L 21/76

Метки: диэлектрической, изоляцией, структур

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СТРУКТУР ИС С ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ИЗОЛЯЦИЕЙ, включающий формирование в кремниевой подложке изолирующих канавок, создание диффузионной области под "скрытый слой", формирование изолирующей пленки оксида кремния, нанесение слоя порошка ситаллового стекла, соединение кремниевой подложки со стороны изолирующих канавок с дополнительной подложкой, на поверхности которой сформированы пленка оксида кремния и слой ситаллового стекла, термообработку при температуре кристаллизации ситаллового стекла и удаление материала кремниевой подложки до вскрытия дна изолирующих канавок, отличающийся тем, что, с целью снижения трудоемкости за счет сокращения количества технологических операций и повышения выхода годных за счет увеличения прочности...

Номер патента: 1471901

Опубликовано: 15.02.1994

Авторы: Брюхно, Громов, Добровичан, Коновалов, Опалев, Шер

МПК: H01L 21/82

Метки: диэлектрической, изоляцией, интегральных, компонентов, кремниевых, структур, схем

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КРЕМНИЕВЫХ СТРУКТУР С ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ИЗОЛЯЦИЕЙ КОМПОНЕНТОВ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ, включающий формирование на кремниевой монокристаллической подложке диэлектрического слоя, изготовление из этого слоя маски с окнами для вытравливания разделительных канавок, вытравливание в подложке разделительных канавок, формирование маски с окнами для вытравливания подложки при получении монокремниевых участков с уменьшенной толщиной, формирование монокремниевых участков с уменьшенной толщиной вытравливанием подложки через окна маски, заращивание окон этой маски оксидом кремния, осаждения на полученный рельеф опорного слоя поликремния, удаление части подложки до вскрытия монокремниевых участков с уменьшенной и увеличенной толщиной,...

Номер патента: 1480683

Опубликовано: 15.02.1994

Авторы: Прокофьев, Урицкий, Шаталов

МПК: H01L 21/82

Метки: диэлектрической, изоляцией, интегральных, компонентов, кремниевых, структур, схем

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КРЕМНИЕВЫХ СТРУКТУР С ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ИЗОЛЯЦИЕЙ КОМПОНЕНТОВ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ, включающий вытравливание в кремниевой подложке рельефа, формирование на рельефе слоя изолирующего оксида кремния, осаждение легированного слоя поликремния, наращивание опорного слоя поликремния, удаление части подложки с вскрытием монокремниевых участков, отличающийся тем, что, с целью улучшения электрических характеристик интегральных схем за счет уменьшения и стабилизации заряда в слое изолирующего оксида кремния, слой легированного поликремния осаждают толщиной 0,5 - 2,0 мкм, а в качестве легирующего элемента используют бор с концентрацией в слое поликремния 1017 - 2

Номер патента: 1702826

Опубликовано: 28.02.1994

Авторы: Брюхно, Лазина, Шер

МПК: H01L 21/76

Метки: диэлектрической, изоляцией, структур, транзисторных

...пленку окисла и проводят осаждение поликристаллического кремния для формирования подложки. снижает напряжения пробоя сформированныхтранзисторных структур, а следователь- Одновременно с выполнением этих но, и выход годных структур. операций, которые осуществляются при температуре 1180-11200 С в течение 4 ч,Целью изобретения является повышение выхода годных структур по напряжению на них диэлектрического слоя, наращивание на него поликристаллической 15кремнйевой подложки, вскрытие монокристаллических карманов, формирование вмонокристаллических кремнйевых карманах транзисторных структур, Одновременно с высоколегированными слоями на 20исходной монокристаллической пластине(или до образования высоколегированныхскрытых слоев)...

Номер патента: 1405629

Опубликовано: 30.03.1994

Авторы: Жеребцов, Легейда, Максименко, Черный

МПК: H01L 21/02

Метки: диэлектрической, изоляцией, кремниевых, структур

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КРЕМНИЕВЫХ СТРУКТУР С ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ИЗОЛЯЦИЕЙ , включающий фоpмиpование pельефа на повеpхности кpемниевой подложки, нанесение слоя диэлектpической изоляции, наpащивание слоя поликpисталлического кpемния, теpмообpаботку стpуктуpы пpи одновpеменном пpиложении к ней с обеих стоpон давления величиной от 5 105 Па до 106 Па, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных стpуктуp, после наpащивания поликpисталлического кpемния, его сошлифовывают до получения плоской повеpхности, теpмообpаботку осуществляют путем выдеpжки стpуктуpы пpи 1323 - 1423 К в течение 3 - 5 мин и охлаждения до 1173 - 1223 К, а давление создают с одной...

Номер патента: 1108966

Опубликовано: 15.04.1994

Авторы: Данцев, Комаров, Шер

МПК: H01L 21/76

Метки: диэлектрической, изоляцией, кремниевых, структур, транзисторных

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КРЕМНИЕВЫХ ТРАНЗИСТОРНЫХ СТРУКТУР С ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ИЗОЛЯЦИЕЙ, включающий формирование на монокристаллической кремниевой подложке первой пленки двуокиси кремния, вскрытие в ней локальных областей, вытравливание первой группы разделительных канавок, удаление первой пленки двуокиси кремния, формирование скрытого слоя в разделительных канавках первой группы, формирование второй пленки двуокиси кремния, вскрытие в ней локальных областей, вытравливание второй группы разделительных канавок, формирование пленки двуокиси кремния в разделительных канавках второй группы, наращивание на рельефную поверхность структуры слоя поликристаллического кремния, удаление части кремниевой подложки с образованием изолированных...

Номер патента: 1116919

Опубликовано: 15.04.1994

Авторы: Брюхно, Громов, Данцев, Комаров, Хочинов

МПК: H01L 21/76

Метки: диэлектрической, изоляцией, кремниевых, структур, транзисторных

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КРЕМНИЕВЫХ ТРАНЗИСТОРНЫХ СТРУКТУР С ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ИЗОЛЯЦИЕЙ, включающий образование на исходной монокристаллической пластине высоколегированных скрытых слоев того же типа проводимости, что и пластина, травление разделительных канавок, нанесение на них диэлектрического слоя, наращивание на него поликристаллической кремниевой подложки, вскрытие монокристаллических карманов, формирование в монокристаллических кремниевых карманах транзисторных структур, отличающийся тем, что, с целью упрощения технологии и увеличения процента выхода годных структур, до образования высоколегированных скрытых слоев или одновременно с ними формируют на исходной монокристаллической пластине локальные высоколегированные области того же типа...

Номер патента: 1739805

Опубликовано: 30.04.1994

Авторы: Брюхно, Громов, Шер

МПК: H01L 21/76

Метки: высоковольтных, диэлектрической, изоляцией, интегральных, схем

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ВЫСОКОВОЛЬТНЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ С ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ИЗОЛЯЦИЕЙ, включающий нанесение на кремниевую монокристаллическую пластину n-типа проводимости защитного покрытия, фотолитографию по защитному покрытию, вытравливание разделительных канавок, удаление защитного покрытия, формирование на полученном рельефе высоколегированного слоя n-типа проводимости, формирование диэлектрической пленки на основе оксида кремния, формирование на поверхности пластины областей монокристаллического кремния, соответствующих расположению мощных высоковольтных транзисторов, эпитаксиальное наращивание кремниевой подложки с монокристаллическими и поликристаллическими участками, удаление монокристаллической кремниевой пластины до вскрытия дна...

Номер патента: 1222149

Опубликовано: 30.12.1994

Авторы: Брюхно, Жарковский, Комаров, Сахаров, Шер

МПК: H01L 21/74

Метки: диэлектрической, изоляцией, интегральных, компонентов, кремниевых, структур, схем

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СТРУКТУР КРЕМНИЕВЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ С ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ИЗОЛЯЦИЕЙ КОМПОНЕНТОВ, включающий формирование в монокристаллической кремниевой пластине локальных скрытых слоев, вытравливание канавок в пластине, защиту полученного рельефа диэлектриком, осаждение со стороны рельефа поликристаллического кремниевого опорного слоя, формирование монокристаллических областей, формирование в этих областях р-п-переходов, отличающийся тем, что, с целью увеличения выхода годных структур и надежности интегральных схем путем повышения напряжения пробоя р-п-переходов, канавки вытравливают в пластине на расстоянии от локальных скрытых слоев, не меньшем глубины проникновения примеси скрытых слоев в пластину, после проведения операций защиты...

Номер патента: 1820831

Опубликовано: 10.03.1996

Авторы: Орлова, Серянов, Соколова

МПК: H05K 3/18, H05K 3/42

Метки: диэлектрической, металлизации, отверстий, подложке

...в растворе РсС 2, после финишной химической игальванической металлизации составляли0,016-0,03 Ом, что не отличается от результатов, обеспечиваемых технологией-прототипом и удовлетворяет техническимтребованиям (менее 0,5 Ом).Активация в растворе МС 12. Процесспроводится так же, как указано выше, но сцелью устранения расхода драгметалла РОиспользуется раствор Й 1 С 12 5 г/л ИС 2 4.5НгО, После лазерной прошивки с одновременной растворной активацией образуютсяконические отверстия со средним радиусомй = 117-148 мкм (фиг,З) при скорости осаждения= 11-12 мкмс и толщине активирующего слоя гт= 11 - 13,5 нм. Сопротивлениеактивированного никелем отверстия составляет 3,9 10 Ом. что отвечает обраэо 9ванию сплошной пленки узкозонногополупроводникового...

Номер патента: 880167

Опубликовано: 27.03.1996

Авторы: Волк, Волкова, Коваленко, Кокин, Лукасевич, Манжа, Одиноков, Патюков, Самсонов, Сулимин, Чистяков, Шевченко, Шепетильникова

МПК: H01L 21/82

Метки: боковой, диэлектрической, изоляцией, полупроводниковых, приборов, тонкослойных

...проводимости (рР= 10 Ом см локально формируют и -скрытые слои (Х,+ = 3-3,2 25 мкм, р, = 36 - 40 Ом/о ). Методом эпитаксиинаращивают пленку и-типа проводимости с удельным сопротивлением 0,8-1,2 Ом см, толщиной 1-1,2 мкм. Эпитаксиальную пленку маскируют двуслойным диэлектриком 30о5 Ю 2 и Рзй 4 толщиной 600 - 800 А и 1800о2000 Аз соответственно. Методом фотолитографии травят двуслойный диэлектрик и эпитаксиальную пленку на глубину 0,6-0,8 мкм. Формируют р -стопорный слой в вытравленных канавках диффузией бора, Параметры загонки р, = 85 - 90 Ом/а. Удаляют боросиликатноестекло и производят заполнение канавок окислом кремния при 1000 С в парах воды при повышенном давлении 1,5 атм в течение 2,5 ч. Толщина окисла кремния в канавках...

Номер патента: 1060066

Опубликовано: 27.03.1996

Авторы: Казуров, Кокин, Манжа, Патюков, Попов, Шурчков

МПК: H01L 21/76

Метки: боковой, диэлектрической, изоляцией, интегральных, схем

1. СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ С БОКОВОЙ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ИЗОЛЯЦИЕЙ, включающий операции формирования сплошного скрытого слоя, наращивания эпитакисального слоя, формирования окисла кремния, фотолитографии, травления, формирования диэлектрической изоляции, диффузии и металлизации, отличающийся тем, что, с целью повышения степени интеграции и процента выхода годных интегральных схем, после формирования окисла кремния производят нанесение поликристаллического кремния и под защитой фоторезиста производят травление поликристаллического кремния, окисла кремния, эпитаксиального слоя, сплошного скрытого слоя и подложки на глубине ниже границы области объемного заряда данной части p-n-перехода: n+-скрытый слой - подложка, после...

Номер патента: 1600564

Опубликовано: 27.05.1999

Авторы: Журавлев, Кислецов, Кусочек, Яббаров

МПК: H01G 4/08

Метки: диэлектрической, пленок, подложке, сегнетоэлектрических

Способ получения сегнетоэлектрических пленок на диэлектрической подложке, включающий нанесение на подложку слоя порошка сегнетоэлектрика и последующую термообработку, отличающийся тем, что, с целью повышения производительности и упрощения процесса, в качестве диэлектрической подложки используют полимерную пленку, при этом, порошок используют с размерами частиц, выбранными из соотношенияd = (0,1 - 0,0025)h,где d - диаметр частиц порошка;h - толщина полимерной пленки,а термообработку осуществляют однородным скользящим по поверхности подложки разрядом с объемной энергией (2 - 3) х 105 Дж/м3, числом импульсов 5 - 6, частотой следования импульсов 5...

Номер патента: 1840163

Опубликовано: 27.06.2006

Авторы: Коваленко, Манжа, Сулимин, Шурчков, Ячменев

МПК: H01L 21/82

Метки: диэлектрической, изоляции, интегральных, схем, элементов

Способ изготовления диэлектрической изоляции элементов интегральных схем, включающий формирование скрытых слоев в полупроводниковой подложке, наращивание эпитаксиальной пленки, нанесение маскирующих слоев, вытравливание канавок в эпитаксиальной пленке, формирование противоканальных р+-стопорных областей, нанесение пленки поликремния и заполнение канавок окислом кремния, отличающийся тем, что, с целью увеличения степени интеграции и процента выхода годных схем, после нанесения маскирующих слоев наносят легированную окисную пленку, канавки травят на толщину эпитаксиальной пленки, затем перед формированием противоканальных р+-областей формируют диэлектрическую пленку на стенках и дне канавок, удаляют локально окисел...

Номер патента: 814175

Опубликовано: 20.03.2012

Авторы: Владыченко, Данилов, Рассадин, Снитовский

МПК: H01L 21/311

Метки: диэлектрической, изоляции, полупроводниковых, приборов, создания, элементов

Способ создания диэлектрической изоляции элементов полупроводниковых приборов, включающий нанесение слоя нитрида кремния на кремниевую подложку с эпитаксиальным слоем, вскрытие в нем окон под контакты, травление кремния и локальное окисление, отличающийся тем, что, с целью улучшения параметров приборов, окна в нитриде кремния травят в виде узких полос шириной 0,5-1,5 мкм с отношением ширины полосы к расстоянию между ними, равным 0,56:0,44, а травление кремния в окнах проводят на глубину, большую, чем их ширина.