Патенты с меткой «диэлектрической»

Номер патента: 1746282

Опубликовано: 07.07.1992

Авторы: Бересневич, Коннов, Красноперов, Кулаковская, Цыфанский

МПК: G01N 27/22

Метки: диэлектрической, проницаемости

...которой система имеет два устойчивых периодических режима движения(резонансный и нерезонансный). Резонансным колебаниям на АЧХ соответствует участок ВА, нерезонансным - участок ВА,Граничные точки В и А зоны неоднозначности характеризуют особые бифуркационныесостояния системы, в которых малейшаяфлуктуация частоты возбуждения и способствует самопроизвольным нестационарнь,мпереходам системы; срыву резонансных колебаний в точке А(переход из точки А в точкуА ) скачкообразному увеличению амплитуды колебаний в точке В (переход из точкиВ в точку В). Исходя из этого, нелинейныйрежим, возникающий в точке А АЧХ, принято называть резонансным, а режим, возникающий в другой граничной точке В, -околорезонансным режимом обратногоскачка.Согласно...

Номер патента: 1572170

Опубликовано: 30.07.1992

Автор: Туберовский

МПК: G01B 7/06

Метки: диэлектрической, пленки, подложке, толщины, электропроводящей

...разлагает электролит, и токв цепи резко падает, цто предотвращает разрушение пленки, По максимальному знацению силы тока и тарировочным зависимостям определяют толщинупленки. 1 ил. станем электрического тока, От истоцника б постоянного тока подаются напряжения на подложку 2 и на электрод 4, поэтому в процессе протек ния тока через электролит сопротивление электролита увеличивается за счет его разложения, цто регистрируют потенциометром 7. Максимальное знацение зарегистрированной силы тока сравнивают с тарировочной зависимостью, которую получают при измерении предложенным способом известных толщин диэлектрических пленок, а также при отсутствии диэлектрицескои плен" ки на электропроводной подложке,ф Составитель И эКОсоян Техред...

Номер патента: 1754646

Опубликовано: 15.08.1992

Авторы: Быков, Задорский, Папырин, Птицын

МПК: C01B 13/11

Метки: диэлектрической, жидкости, озонирования

...в виде подвижного поршня,перемещающегося между кольцевымивставками б, 7; клапана 8, 9, 10, 11, расположенные на трубопроводах для подачи иотвода озонируемой жидкости, патрубки 12,15 для ввода жидкости в реактор, патрубки13, 14 для вывода жидкости из реактора,компрессор для подачи кислородосодержащего газа 16, клапана 17, 18 расположенные. на трубопроводах для подачи кислородосодержащего газа в реактор, 5Устройство работает следующим обра.зом,В одну из камер, на которые делит внутренний объем реактора 1 высоковольтныйэлектрод 5, подают жидкость через патрубок 12 при открытом. клапане 8, Высоковольтный электрод 5 находится в контакте скольцевой вставкой 6. При импульсном истечении кислородосодержащего газа в каМЕру при открытом клапане 17...

Номер патента: 1758085

Опубликовано: 30.08.1992

Авторы: Горин, Дегтева, Корницкий, Кыласов

МПК: C23C 14/35

Метки: вакуумного, диэлектрической, напыления, пленки, тонкой

...поглощения пленки диэлектрика от содержания азота в смеси аргон-азот. Зависимость, имеет явный минимум соответствующий 60% азота (40% Аг). Резкое повышение коэффициента поглощения с уменьшением содержания азота (с повышением содержания аргона), по-видимому, связано с появлением в пленке нестехиометрического кремния. При содержании азота более 60% коэффициент поглощения также возрастает, хотя и не так резко, что, по-видимому, связано с избытком азота в пленке. Таким образом, оптимальное соотношение аргон-реактивный газ 40%:60%.На фиг,2 показана зависимость коэффициента поглощения от содержания в смеси 40% Аг-(60-х)% М 2-х %02 кислорода. При содержании кислорода менее 6% коэффициент поглощения начинает резко возрастать, при...

Номер патента: 1758530

Опубликовано: 30.08.1992

Автор: Колосов

МПК: G01N 22/00

Метки: диэлектрической, проницаемости

...0,27 х - 11 56. Еу 9,35.Предлагаемый способ измерения анизотропии диэлектрической проницаемости материалов реализуется следующим образом, С генератора качающейся частоты 8 СВЧ сигнал через коаксиально-волноводный переход 5 подается на секцию прямоугольного волноводэ с направленным ответвителем 4,.Часть энергии прямой волны через направленный ответвитель и дв тектирующую секцию 6 подается на вход падающей волны индикатора 9, другая часть энергии через волноводный переход подается на вращающуюся секцию с измеряе мой пластиной 2. Отраженная волна черезнаправленный ответвитель и детектирую щую секцию 7 подается на вход отраженнойволны индикатора Я 2 Р - 67.В общем случае, когда положение осей 10 тензора поперечной диэлектрической...

Номер патента: 1760355

Опубликовано: 07.09.1992

Авторы: Годин, Каримов, Киличенко, Кисель, Приходько, Ситников, Скалевой, Учитель

МПК: G01F 23/28

Метки: диэлектрической, жидкости, уровня

...импульсов; на фиг. 3 - эпюра распределения сил на поплавок; на фиг, 4 - пример реализации генератора импульсовв.Устройство для измерения уровня диэлектрической жидкости, содержащее резонатор 10 и поглотитель 4, а также генератор импульсов 1, преобразователь частоты 6, линию задержки 5, волновое сопротивление 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 которого выбрано меньшим или равным волновому сопротивлению резонатора 10 в воздухе, волновое сопротивление резонатора 10 в жидкости выбрано меньшим или равным волновому сопротивлению поглотителя 4, причем резонатор 10 выполнен в виде коаксиально расположенных электро- проводящих стержня 3 и трубки 2, в которой выполнены отверстия для заполнения жидкостью пространства между стержнем 3 и трубкой 2, к...

Номер патента: 1762211

Опубликовано: 15.09.1992

Авторы: Воловик, Явкун

МПК: G01N 27/22

Метки: диэлектрической, проницаемости, составляющих

...на конденсаторе О 2(т) станет равным напряжению Оо делителя 150 С 1 - и1 К 4 Сц=-и1 -В 4 Сц О - О и Оп и на выходе первого блока сравнения 14 сформируется импульс отрицательного напряжения длительностью тт.Время, за которое напряжение на конденсатор 3 станет равным напряжению Оо делителя 1 и=-и1- -В СоОоОп2где Со - емкость конденсатора 3,и на выходе второго блока сравнения 15 сформируется импульс положительного напряжения длительностью 12. Импульсы 11 и 12 с выходов блоков сравнения поступают на входы блока суммирования 11, на выходе которого формируется импульс длительностью, равной разности длительностей входных ИЬпульсовЛхо= т 1 - т 2 = -и1К 4(Сц-Со)ОоОС выхода сумматора 11 импульс длительностью Лтопоступает на вход блока...

Номер патента: 1762244

Опубликовано: 15.09.1992

Авторы: Асеева, Моровщик, Соур

МПК: G01N 27/07, G01R 15/00

Метки: диэлектрической, измерительная, объемного, проницаемости, сопротивления, удельного, электрического, ячейка

...уплотнительной головкой на конце. В отличие от прототипа прижимной механизм содержит регулятор усилия прижима, толкатель, кинематически связанный посредством стержня с регулятором усилия прижима, выполненного в виде пакета чередующихся резиновых и металлических шайб, помещенных в металлический стакан, при этом нижняя часть стержня расположена в стакане регулятора усилия прижима соосно шайбам, а верхняя часть - в направляюцем узле,.причем в средней части стержня выполнена резьба, на которую навинчена гайка. Регулятор усилия прижима обеспечивает нормированное перемещение стержня,На чертеже представлена схема измерительной ячейки,Измерительная ячейка для измерения диэлектрической проницаемости и удельного электрического сопротивления...

Номер патента: 1762425

Опубликовано: 15.09.1992

Авторы: Винкявичюс, Желене, Розовский

МПК: H05K 3/18, H05K 3/42

Метки: диэлектрической, меди, подложке, покрытия, сульфида, электропроводящего

...электропроводности покрытия.Поставленная цель достигается тем, что в способе получения злектропрсводящего покрытия, включающем обработку в растворе сднсаалентной меди, затем в водном растворе структурофсрмируощего вещества. промывку и обработку в растворе пслисульфидсв, в качестве структ/рсформирующего вещества используют водный 0,0025-0,025 М раствор персульфата калия, или йода, или нитрита калия,Изобретение реализуется следующим образом: 1) образцы в течение 30 с обрабатыва от в растворе состава М), СцЯ 045 НгО - 0,4 аммиак - 0,8 до рН=9-9,3) и металли,ес,ая медь в виде пластинки ( 4 дм /л); 2)г на 5-30 с окунают в водный 0,0025-0,025 М раствор персульфата калия, или йода, или нитрита калия и промывают водой, 3) в течение 15-30...

Номер патента: 1765786

Опубликовано: 30.09.1992

Автор: Михайленко

МПК: G01R 27/26

Метки: диэлектрической, проницаемости

...заявленного способа заключается в создании симметричного электрического поля, полностью замыкаемого в измеряемом образце, при любых толщинах образца. Воэможность создания такого поля вытекает из симметричного и соосного расположения потенциальных и низкопотенциальных компланарных электродов основного и дополнительного конденсаторов, являющихся как бы зеркальным отображением один другого, Но так как потенциальные и низкопотенциальные электроды конденсаторов имеют гальваническую связь между собой, то при полной симметрии расположения их электродов электрическое поле каждого конденсатора будет также симметрично относительно плоскости раздела двух полей, созданных двумя конденсаторами. Внесение образца материала не изменит...

Номер патента: 1770878

Опубликовано: 23.10.1992

Автор: Резников

МПК: G01N 27/22, G01R 27/26

Метки: диэлектрической, зависимости, комплексной, проницаемости, частотной

...в следующей последовательности операций.Исследуемую пробу материала помео 1 ают,в емкостную иЗмерительную ячейку. Подают на электроды скачкообразноменяющееся напряжение, интегрируют поляризационный ток, Регистрируют динамическую величину измерения поляризационного заряда во времени и определяют значения временных интервалов, соответствующих равным приращениям величины поляризационного заряда, причем последнее измерение по времени должно превышать период, соответствующий минимальной частоте диапазона измерения, Расчитывают комплексную диэлектрическуюпроницаемостье (в) =к (в) - ) е (в) по формуле1 - 1 е (в) коо+ Р х в Со- О хзп в(+1 - з 1 п въ Е+1 - Ь СОЯ в 1+ 1 - со 8 в 11-)( т к+1 - т где е (в) - действительная часть диэлектрической...

Номер патента: 1774390

Опубликовано: 07.11.1992

Авторы: Аксельрод, Таймазов

МПК: H01J 9/44

Метки: активированных, газоразрядных, диэлектрической, импульсной, искрового, ламп, присадкой, разряда, электродов

...критерию "новизна".Сравнение заявляемого решения нетолько с прототипом, но и с другими техническими решениями в данной области техники не позволяет выявить в них признаки,отличающие заявляемое решение от прототипа, что позволяет сделать вывод о соответствии критерию "существенныеотличияНа фиг,1 и 2 приведены экспериментально полученные зависимости среднегонапряжения зажигания (фиг.1) и нестабильности напряжения зажигания (фиг.2) от количества разрядных импульсов приобработке электродов, Зависимости получены при исследовании газоразрядной лампыФПС 0,045 и приведены для различныхЭНЕРГИЙ ОбРабатЫВаЮЩЕГО ИМПУЛЬСа Яоб:кривая 1 при Яоб = 2 Дж, кривая 2 приЯсб = 4 Дж. кривая 3 при Яоб = 10 Дж,кривая 4 при Яоб = 16 Дж, кривая 5 приЯоб = 24...

Номер патента: 1777064

Опубликовано: 23.11.1992

Авторы: Крылов, Маков

МПК: G01N 27/22

Метки: диэлектрической, зависимости, проницаемости, резонаторный, температурной

...температурной зависимости диэлектрической проницаемости в рабочей области температур.Наиболее существенное дополнительное влияние на собственные высокотемпературные характеристики ячейки в присутствии образца оказывают пары испы-. туемого материала, наполняющие внутренний объем и приводящие к изменению химического состава, электропроводности квазинейтральной парогазофазной среды резонатора за счет механизма транспортировки электрических зарядов и столкновительных процессов в среде заполнения.Для учета влияния образца испытуемого материала на изменение электрофизических свойств пространства внутри ячейки измерения калибровочных собственных характеристик ячейки проводят в присутствии паров испытуемого материала с упругостью,...

Номер патента: 1781594

Опубликовано: 15.12.1992

Автор: Крутов

МПК: G01N 22/00

Метки: диэлектрической, проницаемости

...частот сигналов, отраженных от неоднородностй и короткоэамкнутого конца, измеря:.ют частоту модуляции, по которой вычйсляют искомую диэлектрическую проницаемость. неоднородность являются источниками отражений, причем в силу того, что происходит перестройка частоты СВЧ сигнала, частоты сигналов, отраженных от введенной неоднородйости и от короткозамкнутого конца отрезка волновода, различны. Разность этих частот зависит от расстояния 1 скорости распространения СВЧ сигнала в исследуемом образце. Из-зэ разницы частоты сигналов, отраженных от введенной неоднородности и короткозамкнутого конца отрезка вол новода, суммарный отраженный сигнал оказывается промодулированным по амплитуде с частотой Й, равной разнице частот сигналов, отраженных от...

Номер патента: 1789941

Опубликовано: 23.01.1993

Авторы: Ашеко, Мороз, Муратов

МПК: G01R 27/26

Метки: диэлектрической, жидкости, комплексной, проницаемости, свч

...вольтметра 11, подстраивают частоту ГКЧ 1, при которой толщина диэлектрической втулки 14 с высокой степенью точности равна АЯКС40 половине длины волны в материале втулки 14. Плавно поднимают поршень 15 вверх и регистрируют вольтметром 11 сигнал, пропорциональный отраженной мощности, подчиняющейся осциллирующему закону,Р=тДанный способ исключает необходимость определения толщины начальногослоя исследуемой жидкости, а следовательно, приводит к исключению погрешностей,вызванных этими отражениями,45 При увеличении слоя жидкости амплитудаосцилляций отраженного сигнала уменьшается, а отраженная - стремится к постоянному значению. 50 Выставляют толщину слоя жидкости спомощью поршня 15, соответствующую слоя исследуемой жидкости,...

Номер патента: 1800333

Опубликовано: 07.03.1993

Авторы: Буданов, Евич, Суслов

МПК: G01N 22/00

Метки: диэлектрической, проницаемости

...в свободном пространстве;Л ь - длина волны в волноводе;е - диэлектрическая проницаемость, Сигнал, наблюдаемый под углом О, может быть представлен в виде произведения двух функций, одна из которых нормированная диаграмма направленности излучателя, а другая - функция, пропорциональная мощности, излучаемой в диэлектрик, Изменяя б от 0 до величины в несколько длин волн, получим квазипериодическую функцию по б, положения нулей которой Лп при условии 35 ( -у -- 1 )-- Й Яп О( - +1 ) 40 где бк - предельный размер плеча излучателя, определяется выражением Лп =Л 0( - + и )( - + Й Ягп О) 1 Л 0 2 ь 45где и = О, 1, 2 откуда легко получается выражение для е, приводимое в формуле изобретения,Условие, налагаемое на диапазон углов О,50 при которых...

Номер патента: 1800335

Опубликовано: 07.03.1993

Авторы: Беляев, Тюрнев

МПК: G01N 22/00

Метки: диэлектрической, подложки, проницаемости

...Соответствие между частотой полюса ГР и величиной диэлектрической проницаемости е рассчитывают теоретически или устанавливают эмпирически с помощью набора подложек с известной диэлектрической проницдемостью.Положительный эффект при осуществлении изобретения достигается благодаря тому, что вместо измерения резонансной частоты одиночного резонатора, то есть нахождения координаты плоской вершины достаточно широкого пика прохождения СВЧ мощности, измеряется частота ГР чрезвычайно узкого полюса затухания СВЧ мощности, проходящей от одного металлического проводника к другому.1800335 Составитель В.ТюрневТехред М.Моргентал Корректор С.Шекмар РедакторЗаказ 1160 Тираж ПодписноеВНИИПИ Г(нудзрсвенного комитега по изобретениям и открытиям при...

Номер патента: 1499604

Опубликовано: 07.03.1993

Авторы: Газизов, Иванковский, Красин, Луцкий, Стасюк

МПК: H01L 21/82

Метки: диэлектрической, изоляции, интегральных, многоуровневой, разводкой, рельефа, сглаживания, схем

...с планарных участков .структуры нелегированного поликремния, в 25 результате чего образуются сглаженныепристеночные области ЯО 7 элементов первого уровня разводки (фиг,4). Далее стравливают окисел с поверхности подложки и с поверхности элементов первого уров ня разводки. При этом между легированнымполикремнием и нелегированным поли- кремнием пристеночных областей остается окисел 8 (фиг.5). Формируют на поверхности подложки и поликремниевых элементов 35 первого уровня разводки изолирующийслой 9 (фиг.6). Наносят на поверхность подложки слои 10 проводящего материала, затем маску 11 с рисунком второго уровня разводки, травят проводящий материал в 40 областях, не защищенных маской (фиг.7).Примеры реализации способа.П р и м е р 1. На...

Номер патента: 1803885

Опубликовано: 23.03.1993

Авторы: Балюбаш, Замарашкина, Скрипник

МПК: G01R 27/26

Метки: диэлектрической, зависимости, проницаемости, частотной

...преобразований, диэлектрических потерь (д 1 и Й) и сквозной проводимости (Ь 1 и Ьг) на низкой и высокой частотах, а также значений коэффициентов 55 ослабления высокочастотного напряжения (К).Устройство, реализующее способ, содержит низкочастотный генератор 1 опорного напряжения фиксированной частоты, высокочастотный генератор 2 испытательного напряжения регулируемой частоты, аттенюатор 3, автоматические переключатели 4 и 5, емкостный датчик 6, конденсатор 7, блок 8 умножения, делитель 9 напряжения, амплитудный детектор 10, фильтры 11 и 12 нижних частот, усилители 13 и 14 частоты коммутации, синхронные детекторы 15 и 16, индикаторы 17 и 18, делитель 19 частоты и частотомер 20.Емкостный датчик 6 с исследуемым веществом или материалом...

Номер патента: 1805281

Опубликовано: 30.03.1993

Авторы: Власов, Кухаренко, Пупышев

МПК: G01B 7/08

Метки: диэлектрической, пленке, покрытия, толщины, электропроводного

...конденсатор содержит,. генератор синусоидального напряжения 9; трансформатор 10, плоско-параллельный конденсатор 11, через который проходит покрытая водной фторопластовой суспензией пленка 12. Плоско-параллельный конденсатор сОдержит электроды 13, одна пара которых электрически подключена к вторичной обмотке трансформатора 10, а другая пара - к измерителю емкости 14. Картина распределения силовых линий электрического поля между электродами 13 изображена на фиг. 3.Способ контроля осуществляют следующим образом.Предварительно определяют преимущественное направление утолщений и утонений в слое покрытия пленки. Поскольку направление утолщений и утонений, как правило, определяется направлением движения полосы пленки 2 из ванны 3 (в данном...

Номер патента: 1805344

Опубликовано: 30.03.1993

Авторы: Кордик, Палий

МПК: G01N 19/04

Метки: адгезионной, диэлектрической, пленки, подложкой, прочности, резистивной, сцепления

...5 (на чертеже не показан), и индентор 5 начинает процарапывать канавку вметаллической пленке 3 подложки 2, Приэтом электрическая цепь, образованная скользящим контактом 8, электролинией 9, блоком управления линейным перемещени. ем 6, индентором 5 и периферийной зоны металлической пленки 3, замкнута. При этом на обмотку реле 19 поступает ток, вследствие чего контакты 20 замкнуты и двигатель 16 подключен к блоку питания 14. Этим обеспечивается подача напряжения питания от источника питания 14 на механизм 11 и привод 16, перемещающие зонд 4 в плоскости, параллельной поверхности пленки и стол 1,По мере передвижения зонда 4 от центра пленки 3 к периферии изменяется положение индентора 5 относительно контакта 8 таким образом,...

Номер патента: 1805346

Опубликовано: 30.03.1993

Авторы: Баязитов, Саврасов

МПК: G01N 19/04

Метки: адгезии, диэлектрической, металлической, пленки, подложке

...ау = 0,72.10 Па, что составляет 0,36 адгезионной прочности алюминиевого покрытия (Оад = (1,5 - 2).10 Па).Экспериментальная точность предлагаемого способа составляет 0,62-0,64%, что обусловлено в основном ошибками оператора и аппаратурными погрешностями,П р и м е р 1. Измерение адгезии пленки алюминия (которая для большинства оптоэлектронных изделий нормируется как Оад =7=(1,5-2).10 Па), К электростатическому зонду (ЭСЗ), представленному в виде алюминиевого стержня с рабочей площадкой диаметром Э - 2 мм и с покрытием на ней из окиси алюминия толщиной 0,1 мкм с диэлектрической проницаемостью я = 9 и электрической прочностью Епр = 9.10 В/м, определяем максимально возможное значение прикладываемого потенциала Омакс = дЕ, где д 0 - толщина...

Номер патента: 1807373

Опубликовано: 07.04.1993

Автор: Рзаев

МПК: G01N 27/22

Метки: веществ, диэлектрической, проницаемости

...заполняютжидкостью. В третьем цикле кзаполня,о-. исследуемой жидкосзультатам измерений рассчитыние е по формуле:ь-Щ 1 Ь - 1 Ь - 1Я121где еэ - диэлектрическая проницаемэталонной жидкости;1 = .)01/01; 2 = 002/(.)2.1807373 оста витель Т.Рзаевехред М,Моргентал Корректор Т,Вашкови то Тираж Подписноевенного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ ССС 113035, Москва, Ж, Раушская наб., 4/5,каэ 1375 ВНИИПИ Госуда роизводственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул.Гагарина, 10 где 01 и 02 - напряжения на конденсаторе,заполненном исследуемой жидкостью,на частотах Ф и 2 входного сигнала;ОО 1, ОО 2 - тоже на входе измерительнойцепи; 5Кэ 1 = 00 э 1/Оэ 1 Кэ 2 = 00 э 2/Оэ 2,ГдЕ Оэ 1, Оэ 2 - НаПряжЕНИя На КОНдЕНСатсрЕ, .заполненном...

Номер патента: 1819865

Опубликовано: 07.06.1993

Авторы: Задорский, Птицын

МПК: C01B 13/11, C02F 1/78

Метки: диэлектрической, жидкости, озонирования

...параметрами электродов (диаметром проволоки в случае использования токопроводящих сеток), Водовод, благодаря наличию газонепроницаемой ионообменнай мембраны 12, выводится из реактора, а мельчайшие пузыри кислорода диффундируют в слой диэлектрической жидкости через межфазную поверхность между водой и диэлектрической жидкостью,Образовавшийся газожидкостный поток с развитой поверхностью контакта фаз движется прямотоком па сечению О-образного реактора озонирования 1, Нэ потенциальный электрод 3, расположенный внутри реактора 1, от источника высокого напряжения 2 подается отрицательный потенциал. В пузырях кислорода, движущихся в газо- жидкостном потоке между потенциальным 3 и заземленным 4 электродами возникает барьерный...

Номер патента: 897058

Опубликовано: 15.07.1993

Авторы: Булгаков, Красножон

МПК: H01L 21/385

Метки: диэлектрической, изоляцией, кремниевых, структур

...в виде трещин и пор тер- змомеханическими напряжениями в слоеокисла, выращенном на сильно развитой,острорельефной матированной поверхности кремния глубиной рельефа одного по- арядка и выше толщины выращенногоокисла,Поскольку образование рельефа на про- Офтравливаемой поверхности кремния опре-,деляется наличием на нейприповерхностных нарушений стРуктуРы имеханическими напряжениями (после различных обработок), то для увеличения равномерности распределения скрытыхдефектов по поверхности схем, пластиныперед матирующим травлением подвергаютвоздействию потока ионов (например, окнавскрывают ионным, ионно-химическим илиплазмохимическим травлением) или допол- - фнительному воздействию электронов (например, электронно-лучевой...

Номер патента: 1832136

Опубликовано: 07.08.1993

Авторы: Егоров, Темиров

МПК: C23C 16/40

Метки: ванадия, двуокиси, диэлектрической, пленок, подложке

...температура Т 2 На фиг.2изображена кривая гистеразиса коэффици.ента отражения от нагреваемой пленки.Способ реализуется следующим образом,40Предварительно подготовленные подложки помещаютсл в зону осажденил реактора, а необходимое количествометаллоорганическоо со дине иил ванадия- в зону испарения, Геатор откаливается,устанавливаются необходимые потоки смеси инертного газа и кислорода, устанавливаетсл рабочее давление в реакторе,Вклкчаетсл печь эоны осаждения и проводится предварительнал термообработкаподложек, Устанавливается необходимаятемпература подложек Т 2, при которой проводят процесс осаждения Ч 601 з, Включается печь зоны испарения, устанавливаетсянеобходимал температура Т 1 и проводитслпроцесс выращивания пленок Чв 01 з....

Номер патента: 1835043

Опубликовано: 15.08.1993

Автор: Лисицына

МПК: G01B 7/10

Метки: диэлектрической, подложке, покрытий, токопроводящих, толщины

...ЭДС различной величины ,и появляется выходной сигнал. Толщина проводящих пластин й должна превышать величину глубины проникновения д электромагнитных колебаний используемой частоты в материал пластин, которая рассчитывается по известной формуле где о - круговая частота тока возбукдения; ,иа - абсолютная магнитная проницаемость материала пластин; У- его удельная электропроводность, с целью достижения наибольшей концентрации (наибольшего выпучивания) электромагнитного поля за пределами щелевых прорезей 2 и 3, а следовательно - для обеспечения наибольшей чувствительности прибора, Электромагнитное поле в толще проводящего материала затухает по экспоненте, Расчеты показыва- ют, что, например, при частоте тока возбуждения 10 ЧГц на глубине...

Номер патента: 2002272

Опубликовано: 30.10.1993

Авторы: Андрианов, Арманд, Штерн

МПК: G01S 3/12

Метки: грунта, диэлектрической, планеты, проницаемости

...отличия",Рассмотрим физическую сущность предлагаемого способа. Для его реализации измерения проводят в три этапа. Первый этап - калибровка аппаратуры. С этой целью придвижении космического аппарата - искусственногоспутника планеты(ИСП) над освещаемой Солнцем дневной стороной ее поверхности выше максимума электронной концентрации ионосферы йавпва" (2 в) (фиг. 1), где 2 в - высота максимума электронной концентрации над поверхностью планеты, с борта ИСП в перпендикулярном к поверхности планеты направлении (в надир) излучают радиоволны разных частот Ь, й"1,2,3, йвийИвах, йвп 6-7, Ива15, при этом Ь1 ы, где Гм - критическая частота дневной ионосферы при ее зондировании в надир, 1 со = Г 81 й еУ где Им" - максимум ионизации дневной...

Номер патента: 2002340

Опубликовано: 30.10.1993

Автор: Сероусов

МПК: H01L 21/76

Метки: диэлектрической, изоляцией, интегральных, структур, схем, элементов

...диоксида кремния толщиной, большей45 глубины рельефа, соединение подложекмежду собой, термическую обработку поддавлением и вскрытие областей монокристаллического кремния, после формирования слоя поликристаллического кремния50 толщиной на 5-100% больше глубины рельефа на соединяемые стороны наносят соединительный слой толщиной 5-95% отглубины рельефа подложки, следующего состава, мас,%:55 Оксид бора 3-5,Спирт 97-95а термообработку проводят в азотной средес расходом азота(5,6-83) х 10 м Ус,Применение раствора оксида бора указанного состава в качестве основы соедини 2002340тельного слоя позволяет избежать высокоточной полировки кремниевых пластин, необходимости удалять наружный слой полировки и фаску, образующуюсяпри полировке по...

Номер патента: 2002341

Опубликовано: 30.10.1993

Автор: Сероусов

МПК: H01L 21/76

Метки: диэлектрической, изоляцией, интегральных, структур, схем, элементов

...счет продуктов газовыделения и, следовательно выхода годных структур.В предлагаемом способе получения структур для интегральных схем с диэлектрической изоляцией элементов, включающем механическую обработку подложек кремния, формирование на поверхности монокристаллической подложки рельефа с углублениями и скрытого слоя, формированиеслоя диоксида кремния толщиной, большей глубины рельефа, соединение подложек между собой, термообработку под давлением и вскрытие областей монокристаллического кремния, после формирования слоя поликристаллического кремния на соединяемые стороны наносят дополнительный слой диоксида кремния и соединительный слой толщиной 5-95,4 от глубины рельефа подложки следующего состава, мас,Д:Оксид бора 3-5Порошок...