Патенты с меткой «диэлектрической»

Номер патента: 1624358

Опубликовано: 30.01.1991

Автор: Андреев

МПК: G01R 27/26

Метки: диэлектрической, проницаемости, тонколистовых

...между полосками 1 и 2.То же осуществляют для определения г" - 3 и кз - 4 дпя участков подложки между полосками 2 и 3 и 3 и 4 соответственно.Значение б подложки определяют путем усредненияе 3 (2)1 - 2+г 2 - 3+3 - 4В устройстве использовано свойство несимметричных полосковых линий, заполнен нь 1 х диэлектриком, которое заключается в том, что общие емкости двух различных полосковых линий могут отличаться в 1.5,4 раза, а их краевые емкости при этом отличаются не более чем на 2.При использовании устройства расчет значения т," производится на основе определения разности емкостей двух конденсаторов, выпслненных на измеряемом диэлектрике в ви де несимметричных поло(+ 1) 3,6.,т.получим выра кение (1) для определениямиВыполнение условия Ь 2 й...

Номер патента: 1626136

Опубликовано: 07.02.1991

Авторы: Филиппов, Харьковский

МПК: G01N 22/00, G01R 27/26

Метки: диэлектрической, комплексной, проницаемости, свч

...вдоль радиусов, начиная от боковой поверхности резонатора 2, в одной из которых, например в щели 4, помещен измеряемый образец 5 исследуемого материала. Радиус В и высота Н диэлектрического резонатора 2, длина Е щелей 3 и 4 вдоль радиусов, их ширина 5, толщина й образца 5 и центральный угол О между центральными сечениями щелей 3 и 4 выбираются из условий1 =А/2 лп, Н Л,Л , 5- -с О= -82где п=2 а+1 - число длин волн по периметру резонатора, п=4, 5, 6,.;А - длина волны колебаний, возбуждаемых в резонаторе.Устройство работает следующим образом.При выбранном радиусе й и высоте Н резонатора 2 в нем с помощью диэлектрического волновода 1 возбуждается волна типа "шепчущей галереи", которая является двухкратно вырожденной по азимуту, Поле этой...

Номер патента: 1635001

Опубликовано: 15.03.1991

Авторы: Амельянец, Гуничев, Пчельников, Федичкин

МПК: G01B 15/02

Метки: диэлектрической, металлического, подложке, покрытия, толщины, чувствительный, элемент

...магнитного поля сопровождается изменением фазовой скорости поверхностной волны, что приводит к изменению времени О. Кроме того, время О изменяется в зависимости от температуры Т подложки покрытия, находя 1635001щегося в тепловом контакте с пластиной 1,Действительно, изменение тмпературыприводит к изменению геометрических размеров пластины 1 и диэлектрической проницаемости ее материала, с которым 5взаимодействует электрическое поле поверхностной волны. Таким образом, времяОэависит от величин Л, М, Я, Т, На рабочемучастке многомерной градуировочной характеристики эта зависимость по экспериментальным данным имеет вид;0(Л) = О, (Л 1) 1 + а(Л 1) (Л - Ло) 1+3(Л 1)Хх(М - Мо) 1 + у (Л 1) (Я - 5 о) 1 + д (Т - То),(2)где Оо, Ло,йо, Яо, То -...

Номер патента: 1638574

Опубликовано: 30.03.1991

Авторы: Гольдберг, Сокол, Фукс

МПК: G01L 5/04

Метки: величине, диэлектрической, кабеля, механического, передачи, протяжке, сигнала, трубе, усилия

...данного способа (фиг. 1) содержит тензометрический датчик 1, генератор 2 несущей частоты, модулятор 3, преобразователь 4 электрического сигнала в поверхностную электромагнитную волну, обратный преобразователь 5 электромагнитной волны в электрический сигнал, демодулятор 6, кабель 7, тяговый трос 8, диэлектрическую трубу 9, тяговый механизм 10.Вход датчика 1 механически соединен с концом прокладываемого кабеля 7, а его выход подключен к входу модулятора 3, Выход модулятора 3 подключен к входу преобразователя 4, выход которого соединен механически и электрически с дальним концом тягового троса 8, предварительно проложенного в диэлектрической трубе 9. На ближнем конце трассы трос 8 без жесткого механического крепления электродинамически...

Номер патента: 1638666

Опубликовано: 30.03.1991

Авторы: Ашанин, Коваленко, Малофей, Степанов

МПК: G01R 27/26

Метки: диэлектрической, проницаемости

...не изменяет,ся, Способы создания локальных инер,ционных элементов 9 могут быть различными (наклеп, наплавка, напыление в вакууме и т.д.). Одним из способов фиксации элементов 9 являетсяэлектрическое осаждение. Для избежания температурных погрешностейматериалы струны и элементов 9выбирают одинаковыми.Устройство для измерения диэлектрической проницаемости работаетследующим образом.Электронный автогенератор 7 возбуждает и поддерживает непрерывныепоперечные колебания упругого чувствительного элемента 2 на участкемежду элементами 9 на его резонансной частоте, которая регистрируется измерителем 8 частоты. При подключении электродов 5 к полюсам источника 6.напряжения за счет пондеромо 50торного взаимодействия образца 1 снеоднородным...

Номер патента: 1640666

Опубликовано: 07.04.1991

Авторы: Гайдялис, Ивашкене, Лауринавичюс, Скаржинскас

МПК: G03G 21/00, G11B 3/58

Метки: диэлектрической, обеспыливания, пленки, поверхности

...что обусловливает резкое увеличение отталкивания между частицами пыли и поверхностью пленки. Одновременно производится обдув поверхности пленки воздушной струей и отсос загрязненного, Затем обрабатываемая пленка передвигается над заземленным металлизированным валиком, где потенциал уменьшается до прежней величины. При дальнейшем передвижении над воздушным промежутком скачок потенциала повторяется, что способствует разделению пылинок от поверхности пленки, которые не были удалень 1 при первом резком увеличении потенциала. Таким обра-, зом, скачки потенциала поверхности и частиц пыли повторяются несколько раз. По окончании обработки пленки воздушной струей она поступает в зону электрической нейтрализации, где блок 6 нейтрализации...

Номер патента: 1645886

Опубликовано: 30.04.1991

Авторы: Дворников, Нечаев

МПК: G01N 22/00

Метки: диэлектрической, нити, параметров

...между векторами напряженности электрического поля волн Н 10 и Н 01 существует сдвиг по фазе, равный 90 О. Для согласования скоса пластины 6 в полосе частот 20 от 1 о. где 1 о рабочая частота, по КСВН2 необходимо обеспечить угол скоса а "3032 О, Тонкие контрольная и контролируемая диэлектрические нити 4 и 5 расположены таким образом, что на электрическое поле волны Н 10 не влияет контрольная нить 4, На электрическое поле волны Н 01 не влияет контролируемая диэлектрическая нить, Отражаясь от контролируемой диэлектрической нити 5, электромагнитное поле волны Н 10 распространяется кфланцу 11. В этом же направлении распространяется отраженная волна Н 01,С учетом сдвига фаз между отраженными волнами они будут складываться в волноводе 8 и...

Номер патента: 1651237

Опубликовано: 23.05.1991

Авторы: Вайткус, Кутра, Мастейка, Мединис, Пятраускас, Томашюнас

МПК: G01R 27/04

Метки: диэлектрической, проницаемости

...полоски 5 и 7 с общей шиной б являются контактными площадками для зондирующего и формирую- вайа щего фотопроводников соответственноК металлизированным полоскам 7 и 6подключается постоянное напряжение величиной 100 В., Формирующий фото" проводник 2 облучается ультракорот 1 б 5 1237ким Оптическим импухЬсом 1 длительность определяется требуемым чястотным,циапазоном), вследствие чего в микрополосковую линию посылаетсяг электромагнитный импульс, который,О.д 2 мимо зондирующего фотопровод- НИКЯ Э, ДОСтИГаЕт ЗаКОРОЧЕННЫй Кг 2 - . линии, отражается от него и возвращается обратно, Для считывания элек1 О тпомагнитного импульса. проходящего мимо зондирующего фотопроводника 3, осуществляется облучение фотопровод" ника з...

Номер патента: 1660218

Опубликовано: 30.06.1991

Авторы: Безлюдова, Осипов, Шворобей

МПК: H05B 6/64

Метки: диэлектрической, пластины, поле, электромагнитном

...содержит заземленную металлическую пластину 1, на которой размещена обрабатываемая диэлектрическая ,пластина 2, на одну из поверхностей которой нанесен металлический проводник 3, выполняющий роль токонесущего проводника полосковой линии, и слой фоторезиста 4, дополнительную заземленную металлическую пластину 5, размещенную на расстоянии от диэлектрической пластины 2, определяемом выражениемь=ь/Кьгде 11 и й- соответственно толщина и эффективная диэлектрическая проницаемасть диэлектрической пластины 2.Способ осуществляют следующим образом,Обрабатываемую диэлектрическую пластину 2, установленную в кассете, образованной заземленной металлической пластиной 1 и дополнительной металлической пластиной 5, размещают в резонансную камеру...

Номер патента: 1661674

Опубликовано: 07.07.1991

Авторы: Глазков, Скрипник, Таран

МПК: G01R 27/06

Метки: диэлектрической, проницаемости

...-+ 3 (9)Ф,с з, 2 при котором погрешности уравнива" ются: зи 8,=8 (10)В силу соотношений (9), (10) имеет место равенствоЯ+1 2 ис 1 Г 1 агс г. в -- с К ( -- )Я фо6+1 27 Е 55 = агссд -- С 8в ( .2 Я ЪсоБо Если выбрать длину волныСВЧоизлучения из соотношения(16) 10 50 2,л, Я 2 л ЯЛоЕ+1 2 и Д 4 Е 1д(Е+1)агсс 8с(у) -- .2 Я - О (13) Выразив в уравнении (11) длину 1 вфлны Яо через частоту Г СВЧ-колебаний и скорость С распространения колебаний в свободном пространстве Й=с/Г ), с учетом соотношений (12) и13) получают Фа Г (6+1)с 1 К,(6+1)с созОСоИз уравнения (14) диэлектрическая п 1 оницаемость с Чд соз ОСоЕ= -( - )--- 1 (15) с 1 Г к 1-сиз С,Иэ уравнения (15) следует, что по вводимому фазовому сдвигу Ц и углу поворота пластины Оо, дополнительно с 4...

Номер патента: 1661676

Опубликовано: 07.07.1991

Авторы: Кондратов, Скрипник

МПК: G01R 27/26

Метки: диэлектрической, комплексной, проницаемости

...(52) разности ЬЕ частот (50) и (49) измерительных сигналов (47) и (48),Ей = ЕЬ 4 Е н ф (44) при котором измеряемый фазовый сдвигнапример, на частоте Е Н 4 первого измерительного сигнала достигает (по модулю) значения -45 1, т,е,ОЙ 81 ИН 4 ( н 4)=-451 45 (45) Аналогично0 Е =81 ЩВ (Ее )= 45 (46)В этом случае измерительные сигналы+4 и",-4)"(47) где Ев = 19 - равные между собой коэффициенты передачи колебательногоконтура на частотах Подстраивают емкость С переменного конденсатора до равенства нулю разности измеренных значений фазовых сдвигов, т.е, до равенства на которых вносятся 45-градусные фаэовые сдвиги,0 значении комплексной диэлектрической проницаемости судят по выражениямггУ ЕогЯ = 2 (53)6 01 для действительной составляющей...

Номер патента: 1661678

Опубликовано: 07.07.1991

Авторы: Амельянец, Пчельников, Совлуков

МПК: G01R 27/26

Метки: вещества, диэлектрической, потоке, проницаемости, чувствительный, элемент

...Такчто взаимодействие поверхностной волны с веществом становится незначительным, время запаздывания фазы поверхностной волны остается зависящимв основном от температуры9 й,) - В, 1+(т-т, )Д , (з)где 6 9) - время запаздывания фазыповерхностной волны второй длины в спирали 2,62 - номинальное значениеО( ),Решая совместно систему уравнений(2) и (3), находят значение циэлект рической проницаемости вещества впотоке, откорректированное с учетомдействительного значения температурыи/или значение температуры вещества1 Ог 0( ) -1 +1(5)гУстройство, реализующее данныйспособ, работает следующим образом.В отрезке электродинамической замедляющей структуры, например (фиг,1))с помощью генератора 7 высокочастотных электромагнитных колебаний(фиг,2),...

Номер патента: 1670561

Опубликовано: 15.08.1991

Авторы: Ивашина, Минаев

МПК: G01N 27/22

Метки: диэлектрической, проницаемости, сыпучих

...различнматериалов, Цель изобретенияние точности измерения матерсоким значением провДополнительно измеряют в прорации активную проводимостпричем измерение емкости осущмомент минимального значенимости. 1 ил. Из чертежа видно, что сквозная проводимость изменяется от значения о 0, соответствующего отсутствию вибрации, до значения и, соответстнугощего воздеиствиювибрации, т.е. более чем в два раза. Минимальное значение сквозной проводимости оин при воздействии вибрации почти на порядок меньше среднего значения а,п.Уменьшение значения сквознои проводимости относительно ее среднего значения ПАРпроявляется в интервалы времени, соответствующие моментам движения датчика вниз, т е. по направлению ускорения силы тяжести, под действием вибратора, Это...

Номер патента: 1672383

Опубликовано: 23.08.1991

Автор: Тиханович

МПК: G01R 27/26

Метки: диэлектриков, диэлектрической, листовых, проницаемости

...исключения влияния на результат измерений толщины контролируемого диэлектрика.На чертеже приведена структурная электрическая схема устройства, реализующего способ измерения диэлектрической проницаемости листовых диэлектриков.Устройство содержит генератор 1 электромагнитного излучения, поляризатор 2,злучающую антенну 3,иелектрик 4, первую 5ые антенны, блоки 7 и 8ометрических параметррошедшей электромагнобработки,Способ реализуется Контролируемыи диэ ют под углом линейно-пол ной СВЧ, генерируемой прошедшей через поляри имодействия с контролируе 4 принимают с помощью 5 и 6 отраженную и проще 00 ныл волн н блов ( 11672383 нитные волны и с помощью измерительных блоков 7 и 8 измеряют эллипсометрические параметры отраженногоо и прошедшего...

Номер патента: 1681279

Опубликовано: 30.09.1991

Авторы: Максимович, Тиханович

МПК: G01R 27/26

Метки: диэлектрической, жидкостей, проницаемости

...висимости от частоты астоте, соответствуюичности, определяют ицаемость жидкости. ой жидкостью 4, металлическо с микрометрическим механизмомизмерения эллиптичности, экстре блок 9 обработки,б реализуется следу о-поляризованные амплитудно- нные переменной частоты элекные колебания с линейной ей от свип-генератора 1 направоснование диэлектрическойэллиптичности, где она разделяется на две ортогонально-поляризованные составляющие, интенсивность которых пропорциональна малой и большой осям эллипса поляризации, Выходной сигнал с блока 7 измерения эллиптичности, пропорциональный эллиптичности отраженной электромагнитной волны, поступает на вход экстрематора 8.При полном внутреннем отражении фазы коэффициентов отражения параллельно и...

Номер патента: 1691655

Опубликовано: 15.11.1991

Авторы: Абдрашитов, Каховская, Куприн, Мингазов

МПК: F16N 29/04

Метки: диэлектрической, жидкости, наличия, сигнализатор, токопроводящих, частиц

...частицы замыкают витки неизолированного проводника, находящегося под напряжением. изменяя парэ- метры обмоток, что и регистрирует счетчик частиц. 1 з.п. ф-лы, 2 ил. а фиг, 2 - электрическэа. я токопроводяцих жидкости состоитвам ого каркаса 1, выического материакаркасу крепится еется отверстие 3нутрь каркаса, а с глушен днищем вьемная крышка 4.ужи навиты оГ 1 мот1691655 5 7 ки из неизолированного проводника (нихромовая проволока), соответственно с большим шагом 5 и с меньшим шаом 6. Внутри полого каркаса установлен завихритель 7 потока, Обмотки включены в электрическую цепь параллельно, Каждая ветвь имеет свой счетчик 8 частиц, реагирующих на изменение параметров своей обмотки, и дополнительные сопротивления 9 и 10.Сигнализатор...

Номер патента: 1698824

Опубликовано: 15.12.1991

Авторы: Бех, Ганин, Дегтярук, Чернецкий

МПК: G01R 27/02

Метки: диэлектрической, проводимости, проницаемости

...то токи заряда и токи утечки этих конденсаторов одинаковы, поэтому напряжение на вторичной обмотке вычитающего трансформатора, определяемое разностью токов в первичных обмотках трансформатора, равно нулю, Нулю равно и напряжение на выходе устройства. П ри внесении в электрическое поле первого конденсатораиэделия из диэлектрического или полупроводникового материала емкость конденсатора увеличивается, В результате возрастает ток заряда и утечки конденсатора. На выходе вычитающего трансформатора во время импульса возбуждения появляется сигнал, напряжение которого на интервале времени заряда конденсатора пропорционально сумме токов заряда иутечки, а на интервале времени после переходного процесса заряда конденсатора до спада импульса...

Номер патента: 1698830

Опубликовано: 15.12.1991

Авторы: Беляков, Блейхман, Иногамов

МПК: G01R 27/26

Метки: диэлектрической, компоненты, отдельной, порошкообразного, проницаемости

...после запятой, а диэлектрическая проницаемость воздуха е ь =1,0006, можно принять, что .я 2 =1, Кроме того, для вычислений определяется масса порошкообразного материала,Затем осуществляется сжатие порошкообразного материала, определяется новый объем, занимаемый смесью (через известную высоту образца смеси и диаметр электродов), а также определяется диэлектрическая проницаемость в сжатом состоянии. Для этой величины можно записать следующее выражение с учетом упорядоченности материала при его сжатии А +11 - 2 х(а - где М,а.Ь,р - то же, что и при опр диэлектрической проницаемости состоянии свободной засыпки; у= рlргде р - отношение массыцентрации к всему объесмесью,Р . - плотность инии свободной засыпкисправочнику, либо...

Номер патента: 1700496

Опубликовано: 23.12.1991

Авторы: Конев, Кунтыш, Тиханович

МПК: G01R 27/26

Метки: диэлектрической, проницаемости

...часть энергии падающей волны. В результате этого амплитуда отраженной волны резко уменьшается и с выхода экстрематора 9 поступает управляющий импульс на вход блока 10 обработки. На управляющий вход блока 10 обработки с управляющего выхода СВЧ свип-генератора 1 непрерывно поступает сигнал пилообразной формы, амплитуда которого пропорциональна текущей частоте свип-генератора 1. В момент прихода управляющего импульса с экстрематора 9 в блоке 10 обработки фиксируется мгновенное значение амплитуды пилообразного сигнала, по величине которой с помощью предварительно занесенных в постоянное запоминающее устройство (ПЗУ) блока обработки частотной характеристике свип-генератора 1 исходных параметров линзы и пленки осуществляется...

Номер патента: 1705727

Опубликовано: 15.01.1992

Авторы: Онищенко, Яцынина

МПК: G01N 22/00

Метки: аттестации, диэлектрической, измерителя, калибровки, магнитной, проницаемостей

...с требованияли заказчика обусловливается диап;зон значений электромагнитных параметров и задаются величины р ие, для конкретных1,частот и толщин образцов материалов. Для заданных,и,ие,е расчетным пултем определяются величины перемещений поршней 4 и 5 для резонатора 2 с образцом 7 и без в режимах короткого замыкания и холостого хода, равнозначные и такие же, 1705727как если бы в тракт был помещен реальный образец с указанными параметрами, т, е, решается задача по определению изменения резонансной длины коаксиального резонатора 2, Разность резонансных длин 1, 1 2 дает возможность рассчитать значения ,ие ),аЬъ Л 1 - значея,и (е )соответственно в опытах короткого замыкания и холостого хода, Полученные значения перемещений поршней 4 и 5...

Номер патента: 1707570

Опубликовано: 23.01.1992

Авторы: Крылов, Маков, Скрипников

МПК: G01R 27/26

Метки: диэлектрической, проницаемости

...11 более плотная,т.е. фаза колебаний электрическоговектора претерпевает изменение на 11,а с)руктура поперечного поля во вссмрезонаторе существенно не изменяесиполуцимк -а) -кК-а)эатас,(к,К,а+,(8)где К.2/с 11 Г-Г - волновоелкрчисло с - скорость светаэ 7с = 2,9910 мм/с; агр(г) - фаза комплексного коэЬфициента отражения г от циэлектрического образца на металлической подложкеВ соответствии с уравнением (4),используя (8), для двух резонансовос ноаного типа ээпишама э1 г -гтг) агГтЬ как,Е,а)) (9) соя( Г -Г -Е д) (1+Е) -2(1-Е)4 гг нены соответственно с выходом и входом блока 6 управления,По алгоритму, реализующему предлагэемый способ, была составлена программа решения трансцендентного уравнения (9) с уточнением по Формулам(10) и (11). Чля...

Номер патента: 1712143

Опубликовано: 15.02.1992

Авторы: Бутовский, Долматова, Пищеваров

МПК: B26F 3/08

Метки: диэлектрической, пленки, резки

...фиг, 1 изображено устройство, общий вид; на фиг. 2 - разрез А-А на фиг. 1; на фиг, 3 - разрез Б-Б на фиг. 2.Устройство содержит стол 1, на когором смонтирован ленточный транспортер 2 с прижимными элементами в виде подпружиненных валиков 3, перемещающийся в воздушном зазоре "а" источника 4 электромагнитного поля высокой частоты, режущий инструмент, выполненный в виде располагаемого на транспортере 2 шаблона 5, на котором через жаростойкую теплоизолирующую диэлектрическую прокладку 6 закреплен расположенный по контуру реза проводник 7, прижимаемый валиками 3 к диэлектрической пленке 8.Резку диэлектрической пленки производят следующим образом,На диэлектрическую пленку 8 накладывают шаблон 5 так, чтобы закрепленный на нем проводник 7...

Номер патента: 1716395

Опубликовано: 28.02.1992

Авторы: Рабинович, Трубицына

МПК: G01N 19/04

Метки: адгезионных, диэлектрической, оценки, подложке, покрытия, свойств

...причем диэлектрик не имеет открытых пор и не поглощает влаги, 10 15 20 25 30 размеров (что бывает необходимо, когда исследуются дорогостоящие материалы), на пример, степень адгезии влагозащитных формулам,55 Затем из укаэанных. материалов были изготовлены ДР рассчитанных размеров,40 45 50 Изменение добротности составного ДР при насыщении его влагой обусловлено свойетвами исследуемого покрытия и степенью его сцепления с диэлектрической подложкой.Поскольку в случае низкой адгезии количество сорбированной влаги в граничных слоях покрытие - подложка много выше, чем количество влаги, поглощенной самим покрытием, значительное снижение добротности ДР (01 Ио0,9) связано с нарушением адгезионной связи покрытия и подложки.Выбор резонансной...

Номер патента: 1719973

Опубликовано: 15.03.1992

Авторы: Дымшиц, Пчельников, Яворский

МПК: G01N 22/00

Метки: диэлектрической, жидкости, потока, сплошности

...фиг, 1 изображено положение контролируемого потока диэлектрической жидкости в поле электромагнитной волны на фиг. 2 - схема, иллюстри. рующая предлагаемый способ, на фиг. 3 - эпюра распределения квадратов продольной составляющей электрического 40 поля Е и радиальной составляющейэлектрйческого поля Ег.Предлагаемый способ осуществляют следующим образом.Поток контролируемой диэлектричес-кой жидкости 1 проходит через диэлектрическую трубу 2 цилиндрической формы. Снаружи диэлектрической трубы 2 располагают диафрагмированный волновод 3 в котором с помощью генератоЭ50 ра 4 электромагнитных колебаний возбуждают эдектромагнитную волну аксиально-симметричного типа. Прошедшая через диафрагмированный волновод 3 электромагнитная волна падает...

Номер патента: 1720032

Опубликовано: 15.03.1992

Авторы: Беляев, Журавлев, Кириченко, Сусляев, Тюрнев

МПК: G01R 27/26

Метки: диэлектрической, жидкости, постоянной, ячейка

...2 ил. ра 4 и 5. Металлические полоски 4 и 5 соединены посеребренной полоской фольги 6, - ф Таким образом, полоска фольги 6 вместе с 3 металлической пластиной 1 образует отре- Я зок несимметричной воздушной полосЮ- С) вой линии, соединяющий два одинаковых отрезка микрополосковой линии с диэлектрическим заполнением образованные диэлектрическими пластинами 2 и 3, металлическими полосками 4 и 5 и металлической пластиной 1. Все три отрезка вместе образуют полосовый резонатор. На свободных концах металлических полосок 4 и 5 расположены конденсаторы 7 и 8, имеющие электрический контакт одной из своих обкладок с полосками. Конденсаторы 7 и 8 являются цепями связи резонатора с входной и выходной линиями передачи, Для уменьшения потерь на...

Номер патента: 1727040

Опубликовано: 15.04.1992

Авторы: Архипова, Глудкин, Гуров, Конюхова, Назаренко

МПК: G01N 19/04

Метки: адгезии, диэлектрической, металлических, пленок, подложке, тонких

...техническому рЕшению является способ контроля адгезии тонких металлических пленок к диэлектрическому основанию, заключающийся в том, что пленку,1727040 35 40 45 50 Составитель И.КонюховаТехред М.Моргентал Корректор Н.Ревская Редактор В,Трубченко Заказ 1275 Тираж ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР113035, Москва, Ж, Раушская наб., 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул,Гагарина, 101 нанесенную на диэлектрическое основание,помещают в электромагнитное поле сверхвысокой частоты, увеличивают мощностьполя и определяют адгезию по уровню мощности поля в момент отслаивания пленки. 5Недостатком прототипа является то, чтоданным способом возможно контролировать...

Номер патента: 1732247

Опубликовано: 07.05.1992

Авторы: Гутенев, Демидов

МПК: G01N 27/22

Метки: вещества, диэлектрической, проницаемости

...диэлектрика с электрическая емкость С связана с диэлекизвестной диэлектрической проницаемо- трической проницаемостью а находящегостью, который нерастворим в иммерсион- ся в ней вещества формулойной среде, взятою в количестве 90-95 по С 1 = 5,50 + 9,81 Е. (2)объему, перед загрузкой порошок исследу Измеоение известным способом. Найемого вещества смешивают с балластным денное экспериментально значение электпорошком, нерастворимым в иммерсион- рической емкости, соответствующейной жидкости, диэлектрика с известной ди- изодиэлектрической точке (диэлектричеэлектрической проницаемостью, взятого в ская проницаемость порошка равна диэлекколичестве от 90 до 95 фот объема смеси, 35 трической проницаемости жидкости),определяют известным методом...

Номер патента: 1737219

Опубликовано: 30.05.1992

Авторы: Абдрашитов, Воробьева, Куприн, Мингазов

МПК: F16N 29/04

Метки: диэлектрической, жидкости, наличия, сигнализатор, токопроводящих, частиц

...и образующих электрическую цепь с источником электрического тока и регистрирующим прибором, установленных короткими сторонами в колодки и изолированных между собой и колодками при помощи диэлектрических проставок, толщина которых выбрана в соответствии с размерами улавливаемых частиц, и корпуса с приемником электрического сигнала от пластин, металлические пластины а пакете соединены в электрическую цепь последовательно, причем пластины и элементы их соединения изготовлены из высокоомного материала,На фиг. 1 представлен следящий элемент, продольный разрез; на фиг. 2 - электрическая схема сигнализатора.Сигнализатор наличия токопроводящих частиц в диэлектрической жидкости состоит из двух металлических колодок 1 (см, фиг. 1),5 10 15 20 25...

Номер патента: 1737366

Опубликовано: 30.05.1992

Авторы: Конев, Савич

МПК: G01R 27/26

Метки: анизотропии, диэлектрика, диэлектрической, проницаемости

...верхних частот 4 подключен к измерительному устройству 5. Волновод 1 соединен с генератором 6 с изменяющейся частотой,Устройство работает следующим образом, В волноводе 1 возбуждается основная гармоника Н 1 о с вектором электрического поля, параллельным узкой стенке, при отражении волны Н 10 в случае существования анизотропии в контролируемом образце имеет место изменение поляризации электрического поля в раскрыве волновода 1, в результате чего возникает отраженная гармоника Н 10, вектор электрического поля которой параллелен широкой стенке и1737366 оставитель Р,Кузнецоваехред М.Моргентал Корректор О,Кундрик актор Н.Коля каз 1888 Тираж ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета по изобретениями открытия113035, Москва, Ж, Раушская наб.,...

Номер патента: 1744655

Опубликовано: 30.06.1992

Автор: Колосов

МПК: G01N 27/00, G01R 27/26

Метки: диэлектрической, проницаемости

...в одной из которых 1) расположена измеряемая 10 пластина 2, в другой - петли 6 и 7 связи,сдвинутые по азимуту относительно друг друга на 180 О.При измерении колебания Е 010 плоскости возбуждающей 6 и измерительной 7 пе тель связи выставляют параллельно осирезонатора, Сигнал с генератора качающейся частоты подают на возбуждающую петлю, а с измерительной петли через детекторную секцию сигнал подают на эк ран регистратора, С помощью резонансного волномера измеряют частоту резонанса 11. При измерении колебания Н 111 петли связи поворачивают на угол 90 О, так чтобы они лежали в плоскости, ортогональной оси ре зонатора, Если измеряемая пластина имеетпоперечную анизотропию е хе у, то колебания с различной поляризацией Ну -созе-первая...