Патенты с меткой «диэлектрической»

Номер патента: 1453337

Опубликовано: 23.01.1989

Авторы: Головко, Замарашкина, Скрипник, Яненко

МПК: G01R 27/26

Метки: диэлектрической, листовых, проницаемости

...7..Таким образом, предлагаемый способ соответствует критерию изобретения новизна. Соответствие критериюизобретения существенные отличиязаключается в следующем. Совокупностьновых операций смешивания смещенногопо частоте СВЧ-сигнала с СВЧ-сигналом фиксированной частоты, выделение сигнала частоты смещения, регулирования его частоты до совпаденияего фазы с фазой смещающего сигнала,измерения ее значения, введения дополнительного фазового сдвига в СВЧсигнал фиксированной частоты, который выбирают больше порога чувствительности в пять-десять раз, измерения ее значения и вычисления диэлектрической проницаемости исследуемогоматериала по формуле позволяет повысить точность измерения диэлектрической проницаемости листовых и...

Номер патента: 1456765

Опубликовано: 07.02.1989

Авторы: Коман, Юхимюк

МПК: G01B 7/06

Метки: датчик-свидетель, диэлектрической, емкостный, напыляемой, пленки, толщины

...дляконтроля толщинынапыляемой диэлектрической пленки; нафиг,2 - сечение А-А на фиг,1.Емкостный датчик содержит основание 1, выполненное в виде цилиндра .из диэлектрика, установленного с возможностью вращения вокруг его продольной оси 2, и размещенные по всейплощади его внешней поверхности свернутые в кольцо. плоские электроды 3 и4, имеющие гребенчатую форму и обраещенные один к другому своими зубцами, которые расположены в промежутках между зубцами противолежащегоэлектрода,Емкостный датчик-свидетель работа"ет следующим образом.Во время вакуумного напыленияосаждаемая пленка образует диэлектрическое покрытиена внешней поверхностицилиндрического основания 1 и на элек"тродах 3 и 4 емкостного датчика, которое изменяет электроемкость...

Номер патента: 1465819

Опубликовано: 15.03.1989

Авторы: Азовцев, Портной, Юдин

МПК: G01R 27/22

Метки: времени, диэлектрической, жидкости, зарядов, постоянной, релаксации

...ГКНТ СССР ОПИСАНИЕ ИЗ АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕ(54) СПОСОБ 011 РЕДЕЛЕНИЯ ВРЕМЕНИ РЕЛАКСАЦИИ ЗАРЯ ТРИЧЕСКОЙ ЖИДКОСТИ (57) Изобретение относи измерениям, в частности ределения электрофизиче диэлектрических жидкост быть использовано для о постоянной времени рела ие относится к электров частности к областиэлектрофизических свойствких жидкостей,и можетовано для определенияремени релаксации заряда ретения - повьппе ления постоянной ньшения величины здействия прилож да в нефтепрод ния является п ределения пост уменьшения вел воздействия при енса 1 ор подаютамплитудой ц зменяется по зак тах, Целью изобре ьппение точности оп иной времени путем ть помещают межконденсатора,лнительный конк напряжения(, ) 1 где С - емкость дополнительного конденсатора;С...

Номер патента: 1492385

Опубликовано: 07.07.1989

Авторы: Артамонов, Брагин, Косова, Мерченко, Могила, Пивен, Романченко

МПК: H01B 3/12

Метки: диэлектрической, пасты

...колбу загружают0,21 г (0,83/) вазелицового масла,3,11 г (12,43/) вакуумного масла,1,24 г (,97 Х) лацолица, 0,83 г(3,32/) стеарина и 0,62 г (2,49/) 40канифоли, Смесь нагревают при 150 Сдо полного растворения стеарина, азатем смесь охлаждают до 60-70 С ивыдерживают при этой температуре втечение 40-50 миц, периодически перемешивая, Полученное ограцическоесвязующее смешивают с 18,9 г неорганической порошковой композиции, содержащей 15,2 г (61,15 Х) ситаллоцемента СЦи 3,70 г.(14,81/) коруц 50дового порошка ПКГ,-99,5 и растираютв агатовой ступке до получения однородной массы. Получение рисункасхемы аналогично описанному в примере 2, 55 Качество яожженных пленок проверяют под микроскопом при 16-кратном увеличеции, растекаемость с...

Номер патента: 1493966

Опубликовано: 15.07.1989

Авторы: Аксельрод, Щигловский

МПК: G01R 29/12

Метки: времени, диэлектрической, жидкости, заряда, объемного, плотности, постоянной, потоке, релаксации, электрического

...враща 30тельное движение наружной части 1муфты сцепления, которая захватывает внутреннюю ее часть 8, механически связанную с экрдцирующимэлектродом 6. Ключ 20 размыкаетсяи измерительный электрод 4 отключа 35 ется от земли. По достижении электродом 6 этой же скорости движения, чтои у кольца 13 (с учетом проскальзывания муфты 1 8 -1 9 и муф гы сцепления8-1 в начальный период движения)край выреза 7 экрацирующего электрода 6 достигает края измерительногоэлектрода 4, и начинается процессэкспонирования измерительного электрода в поле переносимого жидкоСтью5 заряда,Измерительный электрод 4 соединен 4 со входом измерителя 25 мгновенных значений потенциала, управляющие входы которого через формирователь 26 .соединены с выходами первой и...

Номер патента: 1497654

Опубликовано: 30.07.1989

Авторы: Адомайтис, Галванаускас, Добровольскис, Кроткус

МПК: H01L 21/66

Метки: диэлектрической, материалах, полупроводниковых, проницаемости, распределения

...мкл 1 звключенныйв разрез верхней полости пинии 3 передачи нд расстоянии Ь = 0,7 мм от ее 25конца, и источник питания Т 1:0-9подключенный к свободному концу этойлцнцц, В качестве цикосекундного лазера 5 был использован ОКГ на основеАИГ: 11 л (Ъ=1,06 мкм) с пассивной З 0синхронизацией мод на красителе3724 и системоц выделения моноимпульса, генерировавшцй импульсы длительностью 27 пс и энергией 200 мкДж, Регистрирующим прибором 2 служил стробоскопцческцй преобразователь напря-,жения ВС 1-280 оптическая линия 4зддержкц представляла собой системузеркал, диаметр зондирующего светоВвого луча состанлял 30 мкм на поверхносги образца,Устройство работает следующим обр дз ол,Световой импульс, г енерируемый иикссекундным лазером 5, делится...

Номер патента: 1504623

Опубликовано: 30.08.1989

Авторы: Вайнберг, Козлов, Приходько

МПК: G01R 27/26

Метки: диэлектрической, листовых, проницаемости

...5 (Б 1) проводится калибровка устройства, При этом выбранная амплитудасигнала записывается в запоминающийблок 11, В процессе проведения измерений при каждом снятии контролируемого материала 5 с основания призмы 4 на выходе датчика 7 калибровкипоявляется сигнал, под действием которого блок 9 управления подает наодин из входов блока 12 сравнениятекущее значение сигнала, а на другой вход - сигнал с выхода запоминающего блока 11. При отклонении амплитуды измеряемого сигнала от записанного в режиме калибровки уровня навыходе блока 12 сравнения появляется сигнал управления, поступающий наэлектрический вход СВЧ-аттенюатора 2,и уровень калибровки автоматически восстанавливается,В режиме измерения при увеличении диэлектрической...

Номер патента: 1506388

Опубликовано: 07.09.1989

Авторы: Рыбка, Хоценко

МПК: G01R 27/26

Метки: диэлектрической, проницаемости, твердых

...не достигает нуля, так как амплитуда отраженной, волны эа счет поглощения твердого материала становится меньше амплитуды падающей. Кроме того, все минимумы узлы 1 стоячей волны смещаются в сторону образца твердого материала, поскольку длина волны в нем меньше длины волны в полом волноводе. Укаэанные изменения картины стоячей волны зависят от свойств исследуемого образца твердого материала и могут быть связаны с его электрическими характеристиками определенным соотношением, получающимся в результате решения соответствующей электродинамической задачи. Рещение этой задачи, учитывающей условия на границах раздела, приводит к комплексному 40 45 Принцип измерений и расчетов основан на следующем.В волноводе, возбуждаемом с одной стороны...

Номер патента: 1509696

Опубликовано: 23.09.1989

Авторы: Безбородов, Гура, Лавриненко, Федоров

МПК: G01N 22/00

Метки: диэлектрической, измерительная, комплексной, проницаемости, ячейка

...- повышение точ ности и ускорение контроля.На фиг. 1 представлена конструкция измерительной ячейки для контроля комплексной диэлектрической проницаемости; на фиг. 2 - временные 30 диаграммы, поясняющие работу ячейки.Измерительная ячейка содержит отрезок запредельного волновода 1, например круглого, в котором с помощью втулок 2 и 3 крепятся соответственно диэлектрические резонаторы 4 и 5, например цилиндрической формы, представляющие собой соответственно исследуемый и эталонный диэлектрики с диэлектрическими проницаемостями 40 ф иссюфэ1Возбуждение резонаторов 4 и 5 осуществляется посредством элементов 6 и 7 связи, например полупетель, соединенных соответственно с входной 45 и выходной линиями 8 и 9 передачи, например...

Номер патента: 1509706

Опубликовано: 23.09.1989

Авторы: Бересневич, Мукалин, Окс, Цыфанский

МПК: G01N 27/00

Метки: диэлектрической, проницаемости

...при прочих равных услови-, ях имеет наиболее крутую фазочастат, ную характеристику - зависимость угла сдвига фаэ между резонирующей гармоникой и возбуждением (сигналом с генератора 4) по сравнению с осталь. ными комбинационными резонансами и основным резонансом. Еа фиг.4 и 5 приведены в качестве примера фаэочастотные характеристики резонирующих гармоник соответственно на суперрезонансе 2/1 (фиг.4) и основном резонансе (ф и г.5). При сравнении этих характеристик видно, что на частотах, близких к резонансным (для суперрезонанса 2/1 это частота К/Е = 0,5, для основного резонанса Е/Й1), чувствительность фазового угла ( к изменению резонансной частоты Е при 2 = сопзй на су-. перрезонансе порядка 2/1 значительно вьппе, чем на основном....

Номер патента: 1509715

Опубликовано: 23.09.1989

Авторы: Рождественский, Ротенберг, Смогунов

МПК: G01N 27/22

Метки: дисперсных, диэлектриков, диэлектрической, проницаемости, сыпучих

...происходит при свободном без груза) вибрационном воздействии в цилиндрических бункерах.После достижения полного фракцион-,10 ного разделения диэлектрика при свободном (без груза) виброуплотнении производят принудительное вибрационное доуплотнение под действием груза с целью уменьшения пористости контро лируемой пробы. Роль груза выполняет верхний электрод, При этом масса верхнего электрода выбирается иэ соотношенияш в К,Я 20где 8 - площадь электрода;6 - предел упругости материаладисперсного сыпучего диэлектрика;К - коэффициент, значение которого получено опытным путемв зависимости от среднегоразмера частиц, исходя из условия отсутствия остаточнойдеформации частиц сыпучего 30диэлектрика после доуплотне"ния.В частности, значение...

Номер патента: 1515122

Опубликовано: 15.10.1989

Авторы: Каджар, Рзаев

МПК: G01R 27/26

Метки: диэлектрической, проницаемости

...к измерителю 5 емкости,а диэлектрические образцы 3 и 4 помещены между электродами 1 и 2.25Устройство работает следующимобразом,Определяют емкость при наличиимежду электродами 1 и 2 двух образцов,Снимают один образец 4 и определяют 3 Оемкость между электродами 1 и 2 собразцом 3 и воздушным промежутком,йравным толщине образца в . Снимают2второй образец 3 и определяют значение емкости между электродами 1 и 2с воздушным промежутком, равнымтолщине двух образцов Й.величину диэлектрической йроницаемости Е образца определяют по ре Озультатам измеренных емкостей по формулегде С - емкость между электродами 45с двумя одинаковыми образ-цами;С - емкость между электродамис образцом и воздуШнымпромежутком, равным толщинеобразца;ОС, - емкость между...

Номер патента: 1518804

Опубликовано: 30.10.1989

Авторы: Дещенко, Конев, Мойсеев, Чернышев

МПК: G01R 27/26

Метки: диэлектрической, земных, покровов, проницаемости

...расстояние 1 (известное зл ранее)приходят две слектромагнитные волны, однд прямдн, другая поверхностнлн, Ивестно, что поверхностндя )лектромдгнитнлн волна рагпрострлннетгн вдоль границы раздела со скоростьн, раиной скрости в нижней среде, например, в почве, т.е, к приемнику поиерхностнлн .)лектромлгнит- НЛЯ ВОЛИД ПРИХОДИТ Г НЕКОтОРОй ВРЕ- метной )ддержкойпо отнвеник к прямой элс ктрсллгнитнои Волне, В ре мнНкрил и не )диигит с)и кногти излучателя, л ирмлн )ектромлгнитил и ВОлнлн Вл нлГ ь В и р) тотитс 1ттлрдзитгои и данном .лучле становится полези.й, чем и догтиглется повышение тсчности и.)мереиия. Крс)ме тсго1предложенный способ не требует предвлрительной кдлибровки измерительнойугтлники ири заранее заданных 1Р С ис 1,1 л чертеже...

Номер патента: 1518834

Опубликовано: 30.10.1989

Авторы: Данилов, Пеков, Перелыгин

МПК: H01L 21/60

Метки: диэлектрической, кристаллов, монтажа, подложке, полупроводниковых

...предварительного крепления кристаллов, При40этом появляется возможность осуществлять групповое присоединениевсех кристаллов, что приводит к повьппению производительности, а использование однократного теплового воздействия на кристаллы при присоединении повыщает надежность. Кроме того способ позволяет производить совмещение каждого кристалла с диэлектрической подложкой вплоть до термонаг - рева, что обеспечивается простотой их отсоединения, Для этого достаточно удалить постоянные магниты данного кристалла, после чего его можно заменить или возвратив магниты на место, произвести повторное совмещение.Формула и э обретения1. Способ монтажа полупроводниковых кристаллов на диэлектрической подложке, включающий нанесение на поверхность...

Номер патента: 1520429

Опубликовано: 07.11.1989

Автор: Амирджанян

МПК: G01N 27/22

Метки: диэлектрической, проницаемости

...соединенные ис" точник 1 света, поляризатор 2,электроды 3 с исследуемым образцом, анализатор 4 и измеритель 5 светового потока. Все элементы расположены на одной осевой линии. 15Ячейка работает следующим образом. При отсутствии напряжения на электродах 3, т.е. отсутствии напряженности электрического поля между электродами 3, где находится испытуемый материал, а также при параллельности оптических осей поляризатора 2 и анализатора 4, диполи материала ориентированы хаотически, материал не обнаруживает аннзотропии и световые лучи проходят через поляризатор 2, материал, анализатор 4 и, в зависимости от прозрачности материалов, измеритель 5 показывает значение интенсивности светового потока (18) . Под воздействием поля диполи30...

Номер патента: 1524012

Опубликовано: 23.11.1989

Авторы: Волосюк, Кочетов, Кравченко, Пономарев, Эрсмамбетова

МПК: G01R 27/26

Метки: диэлектрической, проницаемости

...иметь различную последовательность во времени и выполнятьсякак на высокой, так и на промежуточной частоте. Это приводит к многообразию схем, реализующих предлагаемый способ,Далее сигналы трех поляризаций30подвергают квадратурному преобразованию в квадратурных преобразователях 9 - 11, Формируют сигналы, пропорциональные вещественным и мнимымчастям комплексных амплитуд соответствующих высокочастотных сигналов,35действующих на входах квадратурныхпреобразователей,5 1524012 удвоенных линейных углов с днугран 5ныл углов, н соответствии с формулой (1). Этой операцией начинается последовательность действий, позно 5 ляющая перейти к сигналам вэаимноортогональных поляризаций, которые являются горизонтальной и вертикальной относительно систем...

Номер патента: 1539681

Опубликовано: 30.01.1990

Авторы: Дрягин, Паршин

МПК: G01R 27/26

Метки: диэлектрика, диэлектрической, потерь, проницаемости, тангенса, угла

...45с низкочастотным сканированием частоты генератора 8, Отсутствие смещениярезонансной частоты при перемещенииобразца 11 (при Фиксированной длинерезонатора) является свидетельством 50того, что возбуждение резонатора осуществляют на частате, при которой вобразце 11 укладывается целое числополуволн. Затем любым известным способом измеряют длину волны в резонаторе. Измеренное значение 1 =1,448 мм.С помощью детектора 9 и индикатора 10 регистрируют ширину резонансной кривой резонатора, при этом для того, чтобы измерить число К полу- волн, укладывающихся в образце 11, измерение ширины резонансной кривой резонатора проводят для двух случаев: когда образец 11 установлен своими плоскопараллельными поверхностями в минимумах поля стоячей волны в...

Номер патента: 1544533

Опубликовано: 23.02.1990

Авторы: Артемов, Васильченко, Михайлов

МПК: B23K 1/19

Метки: диэлектрической, металлическим, основанием, пайки, подложки

...и развязать по термомеханическимнапряжениям подложку от основанияблагодаря высокой жесткости промежуточного элемента,Выполнение основания гофрированным с регулярными пустотелыми выступами в форме правильных пирамицпозволяет получать довольно жесткиеконструкции из тонколистового металла с малыми изгибовыми напряжениямив подложке, а следовательно, уменьшить материалоемкость соединения в3-4 раза,Направление вершин всех выступовв одну сторону обеспечивает созданиеплоской перфорированной поверхностина промежуточном элементе со стороны,подложки и получение надежного соединения подложка - промежуточныйэлемент, увеличивает устойчивость соединения к изгибовым деформациям засчет заполнения выступами промежуточного элемента соответствующих...

Номер патента: 1550436

Опубликовано: 15.03.1990

Авторы: Конев, Тиханович

МПК: G01R 27/26

Метки: диэлектрической, проницаемости

...измерений диэлектрической проницаемости позволяет учитывать параметры зондирующих СВЧ пучков и, более того, основан на эФЖектерасщепления отраженного пучка на двапучка, распространяющихся под угламиЬоС относительно угла падения, Физически данный эффект объясняется тем,что пучки СВЧ волн (например, с гаус,совым распределением ) можно рассматривать как суперпозилпо набора плос.-ких .волн различных амплитуд и направлений. Поскольку амплитуда и Ааза отраженной плосковолновой компонентызависят от угла падения, т.е. дляразных компонент различны, отраженный пучок может распространяться подуглом, отличным от угла падения. Гсли угол падения СВЧ пучка, поляризованного параллельно плоскости падения, равен углу Брюстера после отражения формируются...

Номер патента: 1552081

Опубликовано: 23.03.1990

Автор: Тимофеев

МПК: G01N 22/00

Метки: диэлектрической, проницаемости

...в фазе, образует положительную обратную связь для диода 19 на частоте, строго определенной периодом неоднородностей решетки. Электромагнитияя волна, прошедшая через решетку неоднородностей, образует в слое диэлектрика 16 благодаря согласованной нагрузке бегущую волну, Так как вся система обладает аксиальной симметрией, эта волна цилиндрическая, Поскольку щели 8 и 10, отверстие 6 и щель 9 совпадают, образуя соответственно элементы 20 и 21 связи, бегущая цилиндрическая электромагнитная волна из слоя диэлектрика 16 через эти отверстия связи распространяется, по отрезку прямоугольного волнонода от отверстий связи в стороны, противоположные детекторному диоду 5, поглощаясь согласованными нагрузками 2 и 3, а волны, падающие на детекторный...

Номер патента: 1552236

Опубликовано: 23.03.1990

Авторы: Комин, Морозов

МПК: H01B 19/00

Метки: диэлектрической, композиции

...исследуемый водяной промежуток. На электроды разрядной камеры подавались косоугольные импульсы высокого напряжения длительностью й2,5 мкс от генератора импульсных напряжений (ГИН) Аркадьева-Маркса. Для повыше ния импульсной электрической прочнос ти водяного промежутка в предварительно подготовленную воду вводился без контакта с воздухом водораствори мый полимер - полиакриламид (ЧДА)1552236 0 г аю аю и о оставитель Б,Астапоехред М, Ходаничрректор О.Кравцова 10 рковецка Редак акаэ 333 Тираж Поднисно НИ 4 ПИ Госуцарственного комитета по 113035, Москва, Жобретениям и открытиям при ГКНТ СССРРаушская наб., д. 4/5 Производственно-иэдательский комбинат "Патент", г.ужгород, ул. Гагарина; На чертеже приведена зависимостьпревышения...

Номер патента: 1557140

Опубликовано: 15.04.1990

Авторы: Алексеев, Русанова, Рябинина

МПК: C04B 35/20

Метки: диэлектрической, керамики, шихта

...от состава. Обожженные гранулы измельчают вначале на бегунах гранитными катками с гранитным подом, а затем, для тонкого помола, в вибромельнице со стальными шарами. И на первой, и на второй стадиях измельчения получаемые материалы подвергают магнитной сепарации. Керамические изделия формуют методом горячего литья под давлением из термопластичного1557140 шликера при содержании термопластичной связки 10,5-15 Х в зависимости отгеометрических размеров и сложности,отливаемых изделий. Обжиг полуфабриката производят в два этапа. Удаление временной связки ведут в засыпкепороыка обожженного талька при 800"950 С. Окончательный обжиг проводятпри 1020-1100 ггС. 10В табл,1 приведены примеры конкретных составов предлагаемой шихты.Свойства изделий...

Номер патента: 1557534

Опубликовано: 15.04.1990

Авторы: Гантман, Ротенберг

МПК: G01R 27/26

Метки: диэлектрической, проницаемости

...среда 3,Способ о уществляется сл ующимобразом,Предварительно в рабочий объем измерительной ячейки (между электродами) помещают объект 4 измерения. Диэлектрическая проницаемость дисперсной среды Г с берется заведомо боль"шей, чем диэлектрическая проницаемость объекта измерения. Бункерустановлен на столе 5 вибростенда,Прн воздействии вибрации плотностьдисперс Й среды изменяется: чем1557534 Составитель В. СтукаяВеселовская ТехредЛ,Сердюкова Коррек Редак ирняк За 7 16 Тираж 550 Под Государственного комитета по изобретениям и 113035, Москва, Ж, Раушская наб сно крытиям при ГКНТ СССРд. 4/5 тельскнй комбинат "Патент", г.ужгород, ул, Гагарина,иэводственнобольше амплитуда колебаний, тем меньше плотность дисперсной среды. Частоту вибрации...

Номер патента: 1569747

Опубликовано: 07.06.1990

Авторы: Бутенко, Буткус, Искин, Медведовский

МПК: G01R 27/26

Метки: диэлектрической, жидкости, комплексной, проницаемости

...стержня при погружении его в исследуемую жидкость, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью повышения точности измерений, дополнительно измеряют погонное затухание 4 электромагнитной волны в направлении, перпендикулярном оси диэлектрического стержня при коротком замыкании его конца, причем измерения а( и сосуществляют в слое исследуемой жидкости, прилегающем к поверхности диэлектрического стержня,и по измеренным значениям затуханияпо зависимости, связывающей параметры диэлектрического стержня и измеренные значения затухания, определяют комплексную диэлектрическую проницаемость жидкости.о2. Способ по и. 1, о т л и ч аю щ и й с я тем, что измерение погонного затухания осуществляют спомощью зондовой антенны с диодомШо 7 тки..Ч...

Номер патента: 1569748

Опубликовано: 07.06.1990

Автор: Тиханович

МПК: G01R 27/26

Метки: диэлектриков, диэлектрической, листовых, проницаемости

...волны в СВЧ-волну круговой поляризации, и затем облучает исследуемый листовой диэлектрик 3 подуглом К к его поверхности. Преобразователь 2 поляризации выполнен на основе двух квазиоптических поляризационных делителей и двух уголковых поворотов. После прохождения СВЧ-волны 1 ркруговой поляризации через исследуемый диэлектрик 3, СВЧ-волна, в общемслучае эллиптической поляризации, поступает в делитель 4 в котором происходит разделение волны на две составляющие, поляризованные в плоскости падения и перпендикулярно ей. Однаиз составляющих из делителя 4 непосредственно поступает на первый ггде у - величина, обратная максимальному значенко отношения измеренных составляющих (минимальное значение угла эллиптичности прошедшей ГВЧ-волны)...

Номер патента: 1578666

Опубликовано: 15.07.1990

Авторы: Алексенко, Згурский, Липский, Свистиль

МПК: G01R 27/26

Метки: диэлектриков, диэлектрической, плоских, проницаемости

...механизм 4 прижатияплоского диэлектрика, состоящий изфторопластового диска 5, держателя 6,соединенного со стержнем 7, пружины 8,втулки 9, закрепленной на стойке 10,и ручки .11, корпус 12, элементы 13 и14 связи соответственно с СВЧ-генератором и измерителя сдвига частоты,штырь 15, коаксиальные проводники 16и 17 с коаксиальныии разъемаьи 8 и19, отверстие 20,Резонансная частота коаксиального35резонатора, который является по существу диэлектрическим резонатором,контролируется по цепи элемент 14 связи, коаксиалыий проводник 17, разъем19, измеритель сдвига частоты. Приэтом выполняется калибровка индикатора, При необходимости осуществляетсяподстройка элементов 13 и 14 связи резонатора и штыря 15,Устройство для измерения...

Номер патента: 1583816

Опубликовано: 07.08.1990

Автор: Усиков

МПК: G01N 27/22

Метки: диэлектрической, жидкостей, проницаемости

...указанными явлениями.Величина Еф может отличаться от истинной Е, как в большую, так и в меньшую сторону, в силу различных типов взаимодействия ячейка - жидкость. Решение задачи определения истинной с вытекает из подобия закономерностей изменения активной и реактивной (электрической емкости)45 состэвляющих полной проводимости электрической системы между электро" дами в зависимости от обратных значений геометрических факторов ячейки с жидкостью и .ез нее.50Это означяет. что можно составить две пары эквивалентных выражений для электрических емкостей рабочего объема идеальной (С) и реальной (Сэ) ячеек соответственно: 55 1 С = 8,854 Я 1/К, пф; (1) С ф 8,854 Е 1/К, пф . (2) 16 4С 8,854 Е 1/К, пф; (3) С щ 8,854 Е 1/К пф (4) а также два...

Номер патента: 1597777

Опубликовано: 07.10.1990

Автор: Кузьмин

МПК: G01R 27/26

Метки: диэлектрических, диэлектрической, относительной, потерь, проницаемости, тангенса, угла

...пере менного резистора 5 и входом милли- вольтметра 6, второй вывод входа мил" . ливольтметра 6 и второй вывод образцового переменного резистора 5 соединены с .общей шиной. 45 1Устройство работает следующим образом.Напряжение Е частотой К с генератора 1 подается на цепочку, состоящую из последовательно включенныхизмерительного или измеряемого конденсатора 4 (С, подключенного кклеммам 7 и 8, и образцового резистора 5 (К), по которой протекает комплексный ток. Одновременно это женапряжение Е с генератора 1 подаетсяна делитель 2 напряжения, который делит величину исходного напряжения на два, и далее через фазоинвертор 3 - на компенсирующий резистор 5 (К ). На этом резисторе происходит компенсация активной составляющей тока, что...

Номер патента: 1597779

Опубликовано: 07.10.1990

Авторы: Каджар, Рзаев

МПК: G01R 27/26

Метки: диэлектрической, проницаемости

...П 8,. Затем ключом 3 к делителю напряжения подключают генератор 2 с частотой и( выходного сигнала и измеряют амплитуды напряжений на делителе Почв и на измерительном конденсаторе У 30.В измерительном конденсаторе 5сближают электроды, и между ними остается только исследуемый образец 8, Аналогичным образцом проводят измерения амплитуд йапряжений на двух частатах ы, и оз входных сигналов, Амплитуды измеряются: Б , и У- на делителе, У, и У- на измерительном конденсаторе на частотах о)и и) соответственна. 40Вынимают образец 8 так, что между . электродами б и 7 конденсатора остается воздушный промежуток, равныйтолщине образца. Так же на двух частотах Ю,и ы входных сигналов измеряют амплитуды напряжений: У,ви Оввна делителе Б р и...

Номер патента: 1599722

Опубликовано: 15.10.1990

Авторы: Кузин, Кулешов, Леонтьев, Филатов, Юрин

МПК: G01N 21/45

Метки: диэлектрической, неоднородности, пленки, подложке

...исследуемой пленки. с подложкой производят через дополнительную интерферирующую пленку, нанесенную на поверхность исследуемой пленки,Составитель С.Голубев редактор Т.Парфенова Техред Л,Сердюкова Корректор А,ОсауленкоЗаказ 3137 Тираж 514 ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5 Производственно-иэдательский комбинат "Патент", г,ужгород, ул. Гагарина, 101 верхности интерферирующей пленки, та.к кк эта пленка освещается не под углЬм Брюстера.В местах неоднородности исследуемой неинтерферирующей пленки по показателю преломления свет падает уже не под углом Брюстера и возникает интерференция лучей, отраженных от исппедуемой пленки и нанесенной...